DE1966243C3 - Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode zur Verwendung als Impedanzelement in integrierten Schaltungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode zur Verwendung als Impedanzelement in integrierten Schaltungen

Info

Publication number
DE1966243C3
DE1966243C3 DE19691966243 DE1966243A DE1966243C3 DE 1966243 C3 DE1966243 C3 DE 1966243C3 DE 19691966243 DE19691966243 DE 19691966243 DE 1966243 A DE1966243 A DE 1966243A DE 1966243 C3 DE1966243 C3 DE 1966243C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicide
zone
silicon
silicon body
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19691966243
Other languages
English (en)
Other versions
DE1966243B2 (de
DE1966243A1 (de
Inventor
David Albert Mountainside Hodges
Martin Paul New Providence Lepselter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Priority to DE19691966243 priority Critical patent/DE1966243C3/de
Publication of DE1966243A1 publication Critical patent/DE1966243A1/de
Publication of DE1966243B2 publication Critical patent/DE1966243B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1966243C3 publication Critical patent/DE1966243C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/411—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger using bipolar transistors only
    • G11C11/4113—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger using bipolar transistors only with at least one cell access to base or collector of at least one of said transistors, e.g. via access diodes, access transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0744—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common without components of the field effect type
    • H01L27/075—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. lateral bipolar transistor, and vertical bipolar transistor and resistor
    • H01L27/0755—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
    • H01L27/0761—Vertical bipolar transistor in combination with diodes only
    • H01L27/0766—Vertical bipolar transistor in combination with diodes only with Schottky diodes only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/01—Details
    • H03K3/012—Modifications of generator to improve response time or to decrease power consumption

Description

15
25
30
35
40
Die Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß Oberbegriff des Patentanspruchs I zur Herstellung einer Schottky-Diode.
Vor dem Aufkommen der integrierten Schaltungen w> gab es Vorschläge zur Ausnutzung der Eigenschaften von PN-Übergangsdioden in Sperrichtung, um eine hohe Impedanz in Schaltungen zu erhalten, in welchen diskrete Schaltungselemente verwendet sind. Jedoch erwies sich die Impedanz hochwertiger PN-Übergangs- ">"> dioden als zu hoch, und die niedrigere Impedanz bewußt verschlechterter Dioden erwies sich als zu schwierig kontrollierbar. Demgemäß sind diese Vorschläge nicht weiter verfolgt worden.
Aus »Solid-State Electronics, Vol. 11, Nr. 5, Mai 6" 1968.« Seiten 517 bis 525, sind Scholtky-Dioden bekannt, die als Mikroweilen-Mischdioden Verwendung finden sollen und deren Schottky-Übergang zwischen ri-leitendem Silicium und einem Metallsilicid auftritt Zur Erzeugung des Metallsilicids wird der am PN-Übergang beteiligte Bereich durch Oxidieren und Ablösen des entstandenen Oxids gereinigt, mit Palladium beschichtet und gesintert, Diese Schottky-Dioden weisen im Sperrbereich Widerstandswerte von einigen Megohm auf, also Widerstandswerte, die für integrierte Schaltungen in der Regel viel zu hoch sind.
In »The Bell System Technical Journal«, Band 47, Nr. 2, Februar 1968, Seiten 195 bis 208, sind ähnliche Schottky-Dioden beschrieben, bei denen der Schottky-Übergang zwischen N-Ieitendem Silicium und Platinsilicid gebildet ist und die von einem Schutzring umgeben sind. Diese Dioden weisen jedoch im Sperrbereich einen noch viel größeren Widerstandswert auf, nämlich etwa 10q bis 10" Ohm, also Werte, die zur Herstellung von Widerständen in integrierten Schaltungen indiskutabel sind.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren verfügbar zu machen, mit dem sich in gut reproduzierbarer Weise Schotlky-Dioden herstellen lassen, die sich als Widerstandselemente in integrierten Schaltungen eignen.
Die Lösung dieser Aufgabe ist im Patentanspruch 1 gekennzeichnet und in Unteransprüchen vorteilhaft weitergebildet.
Mit dem angegebenen Verfahren lassen sich Schottky-Dioden herstellen, die im Sperrbereich Widerstandswerte im Kiloohmbereich aufweisen, die sich in integrierten Schaltungen als Widerstandselemente verwenden lassen. Dabei wirkt es sich als besonders vorteilhaft aus, daß die zum Einsatz kommenden Verfahrensschritte vollständig mit jenen Verfahrensschritten verträglich sind, die zur Erzeugung der Elektrodenanordnung bei integrierten Schaltungen mit Stützleitern (Beam Leads) angewendet werden.
Im folgenden wir die Erfindung an Hand von Ausführungsformen näher erläutert. In der Zeichnung zeigt
Fig. I in Querschniltsdarstellung die verschiedenen Typen von Metall/Halbleiter-Grenzflächen, die mit dem hier angegebenen Verfahren erzeugt werden können,
Kig. 2 in Querschnittsdarstellung einen Teil einer integrierten Schaltung mit Schotlky-Dioden,
Fig. 3 in Querschnittsdarstellung einen Teil einer integrierten Schaltung mit Schottky Dioden, die durch Ionenimplantation erzeugte Zonen entnalten,
Fig.4 die Strom/Spannungs-Kennlinie der mit dem hier angegebenen Verfahren hergestellten Dioden.
In Fig. 1 ist ein Teil eines einkristallinen Silizium-Plättchens 1 dargestellt, dessen Hauptteil 2 η-leitend ist und bei welchem benachbart einer seiner Oberflächen zwei im Abstand voneinander liegende p-Zonen 13 und 14 erzeugt worden sind. In die Zone 14 ist eine relativ stark dotierte n-Zone 5 eingelassen. Eine weitere relativ stark dotierte Zone 54 ist als von der p-Zone 14 im Abstand liegend dargestellt. Die Zonen 13,14, 5 und 54 können durch Legieren. Festkörper-Diffusion, Ionenimplantation oder durch andere bekannte Prozesse zur Änderung des l.eistungstyps eines Halbleitcrplättchens erzeugt werden.
Nachdem die vorstehend beschriebenen Zonen erzeugt worden sind, wird ein Muster von Öffnungen durch eine passivierende Siliziumoxydschicht 17 hindurch erzeugt, um Teile der Oberfläche dieser Zonen und/oder des Hauptteils freizulegen. Insoweit als selbst die wirksameren chemischen Reinigungsmethoden mehrere Atomlagen anorganischer Schichten zurücklassen, sind chemische Reinigungsmethoden allgemein zum Reinigen von Oberflächen unbrauchbar, auf welchen Sperrschichtdioden geringer Sperrspannung erzeugt Werden sollen. Um eine säubere Siliziürriöberfiäche sicherzustellen, werden deshalb das Oxid und die freigelegte Siliziumoberfläche einem RückzerstäU'
bungsprozeO unterworfen.
Auf die Reinigungsprozedur folgend wird eine 20— 50 nm dicke Rhodium-Dünnschicht, beispielsweise durch Zerstäuben oder Verdampfen, auf die Oberfläche des Oxides und der freiliegenden Zonen niedergeschalgcn. Die Anordnung wird dann einige Minuten lang auf 450—7500C erhitzt, um das Rhodium zur Reaktion mit dem Silizium zu bringen. Obgleich Temperatur und Dauer der Erhitzung relativ unkritisch sind, verursachen höhere Temperaturen, z.B. 7000C, eine stabilere Ordnung der resultierenden Kristallite und sind deswegen vorzuziehen. Nach diesem Schritt befindet sich Rhodiumsilicid in jedem der Fenster, wo sich das Rhodium mit dem Silizium in Kontakt befand, also in den Bereichen7,8,9und löin Fig. 1.
Da Rhodium ein relativ inertes Material ist, wird vorteilhaft Rückzerstäubung angewandt, um das unreagiert gebliebene Rhodium von der Oberfläche des PlätlcheviS zu entfernen. Das Rhodiumsilicid braucht während der Rückzerstäubung nicht geschützt zu werden, da das verbliebene Rhodium mit etwa der doppelten Geschwindigkeit wie Rhodiumsilicid entfernt wird und da die Dicke des Rhodiumsilicids rodeuttnd größer als die Dicke des Rhodiums ist.
Zur Komplettierung der Vorrichtung werden geeignete Metallelektroden 22, 23, 24, 25 und 26 und, soweit erforderlich, Zwischenverbindungen hergestellt, beispielsweise durch einen Titan-PIatin-Gold-Stützleiter.
Zur Erläuterung der verschiedenen Typen der Rhodiumsilicid/Silizium-Grenzflächen, die n^.ch dem vorstehend beschriebenen Pro/eß erzeugt werden können, haben in Fig. 1 die p-Zone 13 eine Oberflächenkonzentration von etwa 2 χ 10" Akzeptoren/cm', der n-Hauptteil 2 eine Oberflächenkonzentration von etwa I0l(> Donatoren/cm1, die p-Zone 14 eine Oberflächenkonzentration von etwa 5 χ 10'" Akzeptoren/cmJ und die N-Zonen 5 und 54 eine Oberflächenkonzentration von etwa 1020 Donatoren/cm1.
Die Rhodiumsilicid-Zonen 9 und 10 bilden mit ihren entsprechenden Siliziumzonen 4, 5 und 54 Schottky-Dioden, die '■ber wegen der relativ hohen Werte der ionisierten Dotierstoffe in diesen Zonen praktisch als ohmsche Kontakte erscheinen. Aus diesem Grunde wird im Nachstehenden angenommen, daß diejenigen Rhodiumsilicid/Silizium-Grenzflächen, an welchen das Silizium relativ stark dotiert ist, ohmisch sind.
Die Rhortumsilicid-Zone 8 bildet l·. reproduzierbarer Weise zusammen mit dem N-Ieitenden Hauptteil 2 eine Schottky-Diode hoher Qualität, derart, daß das Sillcid die Anode und das Silizium die Kathode der Diode ist. Diese Diode hat eine Du:~:hlaßspannung von etwa 0,35 Volt bei etwa 100 Ampere/cm2 Durchlaßstrom und in Sperrichturg eine Leckst-omdichte von etwa 10 ·> Ampere/cm2 bei etwa 1 Volt Sperrspannung. Dieser Diodentyp sei nachstehend als NSB(N-Type Schottky Barrer)-Diode bezeichnet.
Die Rhodiumsilicid-Zone 7 bildet gleichfalls in reprodu/ierba-er Weise mit der p-Zone 13 eine Schottky-Diode hoher Qualität derart, daß das Silicid die Kathode und das Silizium die Anode der Diode ist. Diese Diode hat eine Durchlaßspannung von etwa 0,02 Volt bei etwa IÖÖ Ampere/cm2 Durchlaßstromdichle und eine Leckstromdichte in Sperrichtung von etwa 100 Ampere/cm2 bei etwa 1 Volt Sperrspannung, Dieser Diodentyp sei nachstehend als PSB(P4ype Schottky barrier)-Diode bezeichnet.
Wenn beispielsweise die PSB-Diode ein Tüpfelchen mit einem Durchmesser von 7,62 χ 10-4Cm ist, dann beträgt bei 1,0 Volt Sperrspannung der in Sperrichtung fließende Strom etwa 45 Mikroampere, d. h. die Impedanz bei 1,0 Volt Sperrspannung ist etwa 22 200 Ohm. Diese Impedanz ist für integrierte Mikroleistung»- halbleiterschaltungen brauchbar.
Schottky-Dioden, die auf Silizium mit relativ niedri gern spezifischem Widerstand erzeugt worden sind, erscheinen praktisch als ohmsche Leitungswege. Aus diesem Grunde werden PSB-Dioden mit einer brauchbaren Impedanz in Sperrichtung auf Silizium erzeugt, dessen Oberflächenkonzentration kleiner als etwa 5 χ 10" Akzeptoren/cm3 ist. Obgleich es möglich ist, diese Konzentrationswerte durch Festkörper-Diffusion von Bor durch eine Siliziumoxidmaske hindurch zu erzeugen, ist dieser Prozeß in diesem Bereich schwierig reproduzierbar auszuführen. Daher werden anhand der Fig. 2 und 3 zwei alternative Methoden zum Erzeugen von P-Zonen mit relativ niedrigen Oberflächenkonzentrationen erläutert.
F i g. 2 zeigt einen Teil einer integrierten Schaltung 1 aus Silizium mit zwei epitaktischen Schichten 2 und 3, die mit einem Substrat 4 eines spei/wschen Widerstandes von etwa 10 Ω cm angeordnet sind, uie weitgehend gleichförmige epitaktische N-Schicht 2 wurde in einer Dicke von etwa 1,5 Mikrometer auf einer ganzen Hauptfläche des P-Subtrats 4 erzeugt, und danach wurde auf der ganzen Oberfläche der Schicht 2 die weitgehend gleichförmige epitaktische P-Schicht 3 gleichfalls in einer Dicke von etwa 1,5 Mikrometer
jo erzeugt. Vorteilhaft haben die Schichten 2 und 3 etwa die gleiche Dotierstoffkonzentration, z. B. 2 χ 10"/cm'. um die Verschiebung ihrer Grenzfläche, des PN-Übergangs 35, während nachfolgender Warmbehandlungen zu reduzieren. Im einzelnen hat die N-Schicht 2 einen spezifischen Widerstand von etwa 0,07 Ω cm bei einer im wesentlichen gleichfö.-migen Konzentration von etwa 2 χ 10" Antimonatomen/cmJ im Innern, und die P-Schicht 3 hat einen spezifischen Widerstand von etwa 0,2 Ω cm bei einer im wesentlichen gleichförmigen Konzentration von etwa 2 χ 10" Bor-Atomen/cm1 im Innern. P* -Isolationszonen 36. η * -Kollektorkontaktzonen 54 und eine N '-Emitterzone 5 wurden nach üblichen Diffusionsmethoden unter Verwendung von Bor als Akzeptor und Phosphor als Donator hergestellt.
Es leuchtet ein, daß die epitaktische P-Schi;ht 3 eine relativ niedrige Oberflächenkonzentr-jtion für die Erzeugung der PSB-Diode 9 hierauf darstellt. Der Einfachheit halber sind keine elektrischen Anschlüsse an die anderen Zonen dargestellt.
F i g. 3 zeigt einen Teil einer integrierten Schaltung 1 aus Silizium mit einem relativ hohen spezifischen Widerstand, beispielsweise OJ Ω cm, wobei eine epitaktische N-Schicht 2 auf einem P-Substrat 4 vorgesehen ist. P*-Isolationszonen 36, eine p-Basiszone 14, eine
Γ>Ί N * -LiTiitterzone 5 und eine N+ -Kollektorzone 54 wurden durch Festkörper-Diffusion nach üblichen Methoden hergestellt. Eine PSB-Diode 9 wuide auf der p-Zone 13 erzeugt, die ihrerseits durch Ionenimplantation auf eine Oberflächenkonzentration von etwa
M) 2 χ 10" Boratornfn/cm'erzeugt worden ist.
Bei einer vorteilhaften Methode zur Anwendung der Ionenimplantation wird zuerst eine dünne Metallmaske auf der ganzen Oberfläche einer halblcitendtn Unterlage erzeugt. Die Maske kann beispielsweise eine 1000 nm dicke Göldschicht sein mit Fenstern, durch die Teile der Halbleiteroberfläche freigeJegt sind. Ein Ionenbombardement der Maske erzeugt lokalisierte Zonen des entgegengesetzten Leitungstyps nur in jenen Bereichen
des Halbleitermaterials, welche durch die Fenster in der Maske frei liegen.
Ein Vorteil des Dotierens durch Ionenimplantation ist die Fähigkeit, die Dotierprofile durch Modulieren der Energie, des Stromes und der Lage des Ionenstrahl in drei Dimensionen steuern zu können. Beispielsweise kann in Fig.3 die Zone 13 eine Doticrsloffverteilung haben, bei der die Obefflächenteile der Zone weniger stark als die inneren Teile dotiert sind. Für viele die PSB-Dioden betreffenden Anwendungsfälle ist diese in Dotierprofilform Vorteilhaft, weil hier eine niedrige Oberflächenkonzentration vorhanden ist, in welcher Schotlky'Diodcn mit niedriger Potentialschwclle erzeugt werden können, und gleichzeitig relativ hoch dotierte innere Teile den Scricnwidcrstand in der Diode is reduzieren.
Fig.4 zeigt eine Kennlinie für eine Schottky-Diode, die zwischen Rhodiumsilicid und P-Silizium erzeugt Worden ist. Fig.4 zeigt die verschiedenen Sperrstrom-Leilungsmechanismen, die in einer solchen Diode './irksam sind. Im einzelnen ist die ausgezogene Linie 71 der tatsächliche Sperrstromverlauf als Funktion der Spannung für eine Diode, die auf P-Silizium mit einer Oberflächenkonzentration von 2 χ 10" Boratorhen/cm3 erzeugt worden ist. Die gestrichelte Linie 72 gibt den von ninem idealen Übergang mit einer gleichrichtenden Sperrschicht konstanter Höhe zu erwartenden Sperrstrom wieder und ist als solcher eine Komponente des gesamten Spefrslrörris in der Diode. Die gestrichelte Linie 73 bezeichnet die Größe des Stroms, der durch einen Tunneleffekt bei gegebenen Spannungswerten erzeugt wird, und ist daher eine weitere Komponente des Gesamtslroms in der Diode. Der gekrümmte Teil der Kurve 71 zwischen etwa 0,015 Volt und etwa 7 Volt gibt die Erniedrigung dsr Sperrschichthöhe wieder.
Diese Nichtlinearität kann selbstverständlich in Verschiedenen digitalen und linearen integrierten Schallüngsanwendungsfälleh ausgenützt werden.
Hierzu I Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen einer Schottky-Diode in einem Siliciumkörper, der eine ebene Hauptfläche besitzt, bei welchem in dem Siliciumkörper mindestens eine der Hauptfläche benachbarte Zone mit einer vorbestimmten Dotierstoffkonzentration gebildet wird, eine Maske auf der Hauptfläche erzeugt wird, welche ein Fenster aufweist, welches zumindest einen Teil der Oberfläche der Zone freilegt, der freiliegende Teil der Oberfläche gereinigt wird, eine gleichförmige Schicht eines Metalls oder einer Legierung auf der Maske und innerhalb des Fensters derart niedergeschlagen wird, daß ein Teil der Schicht an den Teil der Oberfläche der Zone in dem Siliciumkörper angrenzt, und der Siliciumkörper für eine zur Bildung eines Metallsilicids ausreichende Zeitdauer erwärmt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Zone P-Ieitend ist und durch Dotierung ώ :f eine relativ niedrige Akzeptorkon- ?entration von weniger als 5 χ lO'Vcm3 an der Oberfläche gebracht wird, daß der Siliciumkörper auf einer vom Siliciumkörper elektrisch isolierten Kathode angeordnet und zum Reinigen einer Rückzerstäubung unterworfen wird und daß anschließend eine Erwärmung im Bereich zwischen 450° und 750°C durchgeführt wird, so daß sich das Metallsilicid bildet, wodurch eine Schottky-Diode, die sich als Impedanzelemeni in einer integrierten Schaltung eignet, entsteht, deren Kathode durch das Melallsilicid 'ind deren Anode durch das Silicium gebildet werden.
2. Verfahren nach Ansprucl. 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein etwaigei Rsst des niedergeschlagenen Metalls, welches nicht ir das Metallsilicid umgewandelt wurde, entfernt wird, indem der Siliciumkörper einer weiteren Rückzerstäubung unterworfen wird.
3. Verfahren nach Anspruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Rhodiumsilicid, Platinsilicid. Palladiumsilicid oder Zirkonsilicid verwendet werden.
io
DE19691966243 1968-08-27 1969-08-21 Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode zur Verwendung als Impedanzelement in integrierten Schaltungen Expired DE1966243C3 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19691966243 DE1966243C3 (de) 1968-08-27 1969-08-21 Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode zur Verwendung als Impedanzelement in integrierten Schaltungen

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US75561068A 1968-08-27 1968-08-27
DE19691966243 DE1966243C3 (de) 1968-08-27 1969-08-21 Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode zur Verwendung als Impedanzelement in integrierten Schaltungen

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1966243A1 DE1966243A1 (de) 1972-03-02
DE1966243B2 DE1966243B2 (de) 1978-10-26
DE1966243C3 true DE1966243C3 (de) 1979-06-28

Family

ID=25758330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691966243 Expired DE1966243C3 (de) 1968-08-27 1969-08-21 Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode zur Verwendung als Impedanzelement in integrierten Schaltungen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1966243C3 (de)

Also Published As

Publication number Publication date
DE1966243B2 (de) 1978-10-26
DE1966243A1 (de) 1972-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2841467C2 (de) Programmierbarer Festwertspeicher
DE961469C (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern fuer elektrische UEbertragungsvorrichtungen
DE2429705C3 (de) Schottky-Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2160427C3 (de)
DE2655341C2 (de) Halbleiteranordnung mit einer Passivierungsschicht aus Halbleitermaterial und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2754397A1 (de) Verfahren zur herstellung eines schottky-sperrschicht-kontaktes
DE2121086C3 (de) Vierschicht-Halbleiterbauelement mit integrierter Gleichrichterdiode
DE1197549B (de) Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und mindestens einer Kontakt-elektrode auf einer Isolierschicht
DE2805442A1 (de) Verfahren zum herstellen eines schottky-sperrschicht-halbleiterbauelementes
DE102018216855A1 (de) Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
DE2749607B2 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE2160462C2 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1764847B2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE2926334C2 (de)
DE1539090B1 (de) Integrierte Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0037005A1 (de) Sperrfreier niederohmiger Kontakt auf III-V-Halbleitermaterial und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2141695A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines monolithischen Halbleiterbauelementes
DE2507038C3 (de) Inverser Planartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1966243C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode zur Verwendung als Impedanzelement in integrierten Schaltungen
DE2408402A1 (de) Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen bzw. nach einem solchen verfahren hergestellte integrierte halbleiterschaltungseinheit
DE1063279B (de) Halbleiteranordnung aus einem Halbleiterkoerper mit flaechenhaftem innerem pn-UEbergang und mit mehr als drei Elektroden
DE2639364A1 (de) Thyristor
DE1094883B (de) Flaechentransistor
DE2627922A1 (de) Halbleiterbauteil
DE2634155B2 (de) Halbleiter-Gleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee