DE977618C - Verfahren zur Herstellung eines Transistors der Schichtenbauart mit zwischen Emitterund Kollektor befindlicher duenner Basisschicht - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Transistors der Schichtenbauart mit zwischen Emitterund Kollektor befindlicher duenner Basisschicht

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DE977618C
DE977618C DEB24702A DEB0024702A DE977618C DE 977618 C DE977618 C DE 977618C DE B24702 A DEB24702 A DE B24702A DE B0024702 A DEB0024702 A DE B0024702A DE 977618 C DE977618 C DE 977618C
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Germany
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transistor
contact
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DEB24702A
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Alfons Dipl-Phys Haehnlein
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Deutsche Telekom AG
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    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors

Description

AUSGEGEBENAM 31. AUGUST 1967
B 24702 VIII c 121g
ist als Erfinder genannt worden
befindlicher dünner Basisschicht
Patentanmeldung bekanntgemacht am 17. Februar 1955
Patenterteilung bekanntgemacht am 27. Juli 1967
Bei der Herstellung von Schichttransistoren bereitet die elektrische Kontaktierung der Mittelbzw. Basisschicht große Schwierigkeiten, da diese Schicht im allgemeinen nur eine Stärke von 20 bis 120 μ aufweist.
Es ist bisher bekanntgeworden, die Kontaktverbindung mittels einer Metallspitze zu bewirken. Der differentielle Widerstand derartiger Spitzen liegt relativ hoch. Außerdem haben die Spitzen den Nachteil einer geringen mechanischen Stabilität. Ferner reicht möglicherweise die Randschicht des Kollektors an den Spitzenkontakt heran und setzt damit den difrerentiellen Widerstand des Kollektors herab.
Ferner ist es bekannt, in einem p-Halbleiter eine n-Basisschicht gleichzeitig mit der zugehörigen Elektrode zu erzeugen, indem der p-Halbleiter auf zwei Isolierkörpern angeordnet wird, zwischen denen sich eine Elektrode vom η-Typ befindet. Durch Diffusion wird erreicht, daß aus der Elektrode vom η-Typ n-Aktivator in den darüber befindlichen p-Halbleiter gelangt und dort den Leitungstyp des mittleren Teiles umwandelt und die Basisschicht bildet. Das verhältnismäßig aufwendige
709 662/7
Verfahren führt grundsätzlich zu ungleichmäßigen p-n-Übergängen.
Bei einem vorgeschlagenen Flächentransistor mit zwischen Emitter und Kollektor befindlicher dünnner Basisschicht besteht die Basiselektrode aus einem Aktivatorelement, welches den gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Basis, jedoch den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie Emitter und Kollektor aufweist. Statt eines Aktivatorelements kann ίο auch eine Mischung von gleichsinnig dotierenden Aktivatorelementen vorgesehen werden. Dieser Flächentransistor hat den Nachteil, daß bei dem notwendigen Verschmelzen der Elektrode mit der Basisschicht durch die Eindiffusion eine ungünstige Veränderung des Verlaufs der vorher schon vorhandenen pn-Übergänge hervorgerufen wird.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Transistors der Schichtenbauart mit zwischen Emitter und Kollektor befindlicher ao dünner Basisschicht, die mit einem Kontakt vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Basis versehen ist, der hochsperrend gegen die Dotierungsmaterialien des Emitters und des Kollektors wirkt. Erfindungsgemäß werden die obenerwähnten Nachteile dadurch vermieden, daß ein Basiskontakt aus einer Legierung mit einem Dotierungsstoff angebracht wird.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung läßt sich erreichen, daß die pn-Übergänge zwischen Emitter- und Basisschicht bzw. Kollektor- und Basisschicht beim Anbringen des Basiskontaktes im wesentlichen unverändert bleiben. Eine Beeinflussung der dem Basiskontakt zugewandten Ränder der beiden p-n-Übergänge bewirkt keine nennenswerten Störungen, weil Legierungen langsamer und weniger tief einlegieren als Elemente. Überdies braucht der Basiskontakt praktisch nur an dem Halbleiterkörper anzuhaften.
Wird das Verfahren nach der Erfindung bei einem Transistor vom n-p-n-Typ, insbesondere bei einer Germaniumtriode, angewandt, so hat es sich als besonders zweckmäßig erwiesen, einen legierten Kontakt aus einer Indiumlegierung zu verwenden. Gegebenenfalls lassen sich natürlich auch andere Legierungen für die erwähnten Zwecke benutzen, wenn sie jeweils die Eigenschaften aufweisen können, hochsperrend gegen die Dotierungsmaterialien des Emitters und des Kollektors zu sein. Beispielsweise hat sich für den p-n-p-Typ einer Germaniumtriode auch eine Antimonlegierung bewährt.
Im Fall eines Transistors vom p-n-p-Typ, insbesondere Germaniumtriode, kann die Zwischenschicht in vorteilhafter Weise mit einer Zinnlegierung gefaßt werden.
Wenn für die Transistoren an Stelle von Germanium andere Werkstoffe, wie Silicium, intermetallische Verbindungen od. dgl. benutzt werden, läßt sich jeweils in einfacher Weise der für den jeweiligen Zweck geeignete Legierungswerkstofr für die elektrische Kontaktierung finden. Beispielsweise kann bei Siliciumtransistor«! vom n-p-n-Typ Aluminium zur Erzeugung der Kontaktlegierung mit dem Silicium herangezogen werden.
Die Ausmaße der Legierungsschichten müssen zweckmäßig klein gegenüber den ursprünglichen n-p-n- bzw. p-n-p-Flächen gehalten werden. Es genügt demnach vielfach, ein Korn der betreffenden Legierung an der betreffenden Kontaktierungsstelle anzubringen.
Ein Ausführungsbeispiel eines nach dem Verfahren nach der Erfindung herzustellenden n-p-n-Transistors ist in der Abbildung dargestellt. Die η-Schichten i, 2 sind durch die sehr dünne p-Schicht 3 voneinander getrennt. Zur Herstellung des Kontaktes zwischen der p-Schicht 3 und einer Zuleitung 5 ist an der p-Schicht die Legierungsschicht 4 vorgesehen.

Claims (5)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Verfahren zur Herstellung eines Transistors der Schichtenbauart mit zwischen Emitter und Kollektor befindlicher dünner Basisschicht, die mit einem Kontakt vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Basis versehen ist, der hochsperrend gegen die Dotierungsmaterialien des Emitters und des Kollektors wirkt, dadurch gekennzeichnet, daß ein Basiskontakt aus einer Legierung mit einem Dotierungsstoff angebracht wird. g
2. Verfahren zur Herstellung eines Transistors vom n-p-n-Typ, insbesondere Germaniumtriode, nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontakt aus einer Indiumlegierung hergestellt wird.
3. Verfahren zur Herstellung eines Transistors vom p-n-p-Typ, insbesondere Germaniumtriode, nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontakt aus einer Antimonlegierung hergestellt wird. i<
4. Verfahren zur Herstellung eines Transistors vom n-p-n-Typ, insbesondere Siliciumtriode, nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontakt aus einer Aluminiumlegierung hergestellt wird.
5. Verfahren zur Herstellung eines Transistors vom p-n-p-Typ, insbesondere Germaniumtriode, nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontakt aus einer Zinnlegierung hergestellt wird. ι
In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 814487; H. C. Toney und C. A. Whitmer, Crystal
Rectifiers, New York und London 1948, S. 308; Römpp, Chemie-Lexikon, 1950, Bd. II, S. 235
und 993.
In Betracht gezogene ältere Patente: Deutsches Patent Nr. 967 259.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 709 662/7 8.67
DEB24702A 1953-03-12 1953-03-12 Verfahren zur Herstellung eines Transistors der Schichtenbauart mit zwischen Emitterund Kollektor befindlicher duenner Basisschicht Expired DE977618C (de)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE814487C (de) * 1948-06-26 1951-09-24 Western Electric Co Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie
DE967259C (de) * 1952-11-18 1957-10-31 Gen Electric Flaechentransistor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE814487C (de) * 1948-06-26 1951-09-24 Western Electric Co Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie
DE967259C (de) * 1952-11-18 1957-10-31 Gen Electric Flaechentransistor

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