DE1254253B - Verfahren zum Impraegnieren von Selen-Gleichrichterelementen zum Schutz gegen atmosphaerische Einfluesse - Google Patents

Verfahren zum Impraegnieren von Selen-Gleichrichterelementen zum Schutz gegen atmosphaerische Einfluesse

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DE1254253B
DE1254253B DE1964S0093143 DES0093143A DE1254253B DE 1254253 B DE1254253 B DE 1254253B DE 1964S0093143 DE1964S0093143 DE 1964S0093143 DE S0093143 A DES0093143 A DE S0093143A DE 1254253 B DE1254253 B DE 1254253B
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Germany
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liquid
selenium rectifier
impregnation
atmospheric influences
rectifier elements
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Dr Detlef Baresel
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Siemens AG
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Siemens AG
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials

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Description

  • Verfahren zum Imprägnieren von Selen-Gleichrichterelementen zum Schutz gegen atmosphärische Einflüsse Selen-Gleichrichterelemente sind gegen atmosphärische Einflüsse, insbesondere Feuchtigkeit, verhältnismäßig empfindlich. Es ist bekannt, sie zum Schutz gegen derartige Einflüsse mit einer wasserabstoßenden Schicht zu versehen, die aus einem organischen Fett, öl oder Wachs besteht. Man hat zu diesem Zweck bisher technische öle, z. B. Transformatorenöl, verwendet. Das flüssige Öl dringt hierbei in die Poren der in üblicher Weise durch Aufspritzen hergestellten Deckelektrode ein.
  • Es ist ferner bekannt, Selen-Gleichrichtereleinente mit einem wasserabstoßenden Film aus einer organischen Verbindung zu versehen, deren Molekül einen nichtpolaren Kohlenwasserstoffteil und eine polare Gruppe umfaßt.
  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Imprägnieren von Selen-Gleichrichterelementen, die zum Betrieb ohne gasdichte, feste Umhüllung bestimmt sind, mit einer ölartigen, aus einer organischen Kohlenwasserstoffverbindung bestehenden Flüssigkeit zum Schutz der Elemente gegen atmosphärische Einflüsse, insbesondere gegen Feuchtigkeit Das Verfahren nach der Erfindung ist gekennzeichnet durch Verwendung eines chemisch reinen, flüssigen, gesättigten Kettenkohlenwasserstoffes.
  • Es hat sich gezeigt, daß die bisher verwendeten technischen öle als Komponenten Verbindungen enthalten, die auf Grund ihrer Struktur (Doppelbindungen, Vorhandensein saurer oder basischer Gruppen oder anderer reaktionsfähiger Substituenten) mit dem Selen oder dessen Dotierungsstoffen, z. B. Metallspuren, oder mit dem Luftsauerstoff reagieren und damit die Eigenschaften des Gleichrichterelementes verschlechtern können. Ähnliches gilt für die oben erwähnten substituierten Verbindungen mit polaren Gruppen, die infolge ihrer Oxydationsfähigkeit durch feuchte Luft und ihrer Reaktionsfreudigkeit mit Metallen ebenfalls eine Verbindungsbildung mit dem Selen oder dessen Dotierungsstoffen ermögliehen. Die gemäß der Erfindung verwendeten chemisch reinen, flüssigen, gesättigten Kettenkohlenwasserstoffe sind demgegenüber chemisch indifferent, so daß sie die Gleichrichtereigenschaften auch über Jahre hinaus unverändert lassen.
  • Mit Vorteil werden öle verwendet, die einen hohen Siedepunkt und damit bei der Betriebstemperatur des Selen-Gleichrichters einen geringen Dampfdruck haben, so daß sie während der Lebensdauer des Gleichrichterelementes nur unwesentlich verdampfen. Geeignet sind Paraffinöle, z. B. nach DAB 6 mit einem Siedepunkt von über 360' C bei 1 atm.
  • Das Aufbringen der Schutzschicht wird mit Vorteil durch Eintauchen der Elemente in die Flüssigkeit vorgenommen.
  • Für bestimmte Zwecke, z. B. Hochspannungsgleichrichter für kleine Ströme, werden Selen-Gleichrichterelemente (Tabletten) mit sehr geringem Durchmesser, z. B. 1 bis 2 mm, benötigt, die wegen ihrer Kleinheit insbesondere beim Einlegen in ein Gehäuse sehr bequem zu handhaben sind. Man kann diese Tabletten mit einem Griffel aufnehmen, der mit einer gemäß der Erfindung verwendeten Flüssigkeit benetzt ist, wobei die Flüssigkeit die Haftung zwischen Griffel und Tablette vermittelt. Dabei benetzt das flüssige öl die Tablette, die damit gleichzeitig gegen atmosphärische Einflüsse imprägniert ist.

Claims (3)

  1. Patentansprüche: 1. Verfahren zum Imprägnieren von Selen-Gleichrichterelementen, die zum Betrieb ohne gasdichte, feste Umhüllung bestimmt sind, mit einer ölartigen, aus einer organischen Kohlenwasserstoffverbindung bestehenden Flüssigkeit zum Schutz der Elemente gegen atmosphärische Einflüsse, insbesondere gegen Feuchtigkeit, g e - kennzeichnet durch Verwendung eines chemisch reinen, flüssigen, gesättigten Kettenkohlenwasserstoffes. 2.
  2. Verfahren nach Ansprach 1, gekennzeichnet durch Verwendung von Paraffinöl. 3. Verfahren nach Anspruch 1 zur Imprägnierung sehr kleiner Selen-Gleichrichtertabletten (Durchmesser wenige Millimeter), dadurch gekennzeichnet, daß die imprägnierende Flüssigkeit durch einen mit ihr benetzten Griffel aufgebracht wird, der gleichzeitig zur Handhabung der Tablette dient, wobei die Flüssigkeit die Haftung zwischen Griffel und Tablette vermittelt.
  3. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1067 530; britische Patentschrift Nr. 833 688; USA.-Patentschrift Nr. 2 828 452.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2715814A1 (de) * 1976-04-16 1977-10-27 Saunier Duval Verfahren zur elektrischen isolation eines thermistors

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2828452A (en) * 1953-01-08 1958-03-25 Westinghouse Air Brake Co Humidity protective treatment for selenium rectifier cells
DE1067530B (de) * 1955-08-18 1959-10-22 Hughes Aircraft Co Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
GB833688A (en) * 1955-12-30 1960-04-27 Gen Electric Improvements in and relating to electrical contact rectifiers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2828452A (en) * 1953-01-08 1958-03-25 Westinghouse Air Brake Co Humidity protective treatment for selenium rectifier cells
DE1067530B (de) * 1955-08-18 1959-10-22 Hughes Aircraft Co Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
GB833688A (en) * 1955-12-30 1960-04-27 Gen Electric Improvements in and relating to electrical contact rectifiers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2715814A1 (de) * 1976-04-16 1977-10-27 Saunier Duval Verfahren zur elektrischen isolation eines thermistors

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