DE1241915B - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines HalbleiterbauelementesInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US25535363A | 1963-01-31 | 1963-01-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1241915B true DE1241915B (de) | 1967-06-08 |
Family
ID=22967930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DER36961A Pending DE1241915B (de) | 1963-01-31 | 1964-01-14 | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE643082A (enExample) |
| DE (1) | DE1241915B (enExample) |
| GB (1) | GB1021783A (enExample) |
| NL (1) | NL6400755A (enExample) |
-
1964
- 1964-01-14 DE DER36961A patent/DE1241915B/de active Pending
- 1964-01-20 GB GB2480/64A patent/GB1021783A/en not_active Expired
- 1964-01-28 BE BE643082A patent/BE643082A/xx unknown
- 1964-01-30 NL NL6400755A patent/NL6400755A/xx unknown
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| None * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL6400755A (enExample) | 1964-08-03 |
| GB1021783A (en) | 1966-03-09 |
| BE643082A (enExample) | 1964-05-15 |
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