DE1464696C - Verfahren zum Herstellen einer Esaki Diode, insbesondere mit einem Halbleiter korper aus Germanium - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einer Esaki Diode, insbesondere mit einem Halbleiter korper aus GermaniumInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 38
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 15
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 11
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 7
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims description 6
- 229940023488 Pill Drugs 0.000 claims description 5
- 239000006187 pill Substances 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 210000001772 Blood Platelets Anatomy 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N Silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001377594 Rhene Species 0.000 description 1
- 102100000672 SMPX Human genes 0.000 description 1
- 108060007673 SMPX Proteins 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003491 Skin Anatomy 0.000 description 1
- 235000004652 Tilia americana var heterophylla Nutrition 0.000 description 1
- 240000007313 Tilia cordata Species 0.000 description 1
- 235000015450 Tilia cordata Nutrition 0.000 description 1
- 235000010840 Tilia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 235000013601 eggs Nutrition 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000036633 rest Effects 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Description
Die Eirfindung befaßt sich mit der Herstellung einer Esaki-Diode oder Tunnel-Diode. Das Herstellungsverfahren
nach der Erfindung bezieht sich insbesondere auf Gernianiuin-Tunneklioden.
Wie die gewöhnliche Halbleiterdiode, so ist auch die Tunnel-Diode ein Zweipol-Halbleiterbaueleineiit
mit einem Halbleiterkörper oder mit einer Zone des einen Leitfähigkeitstyps, die von einer anderen Zone
des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps durch eine gleichrichtende Sperrschicht oder durch einen PN-Übergang
getrennt ist.
Anders als die gewöhnliche Halbleiterdiode hat die Tunnel-Diode, auch Esaki-Diode genannt, einen
scharfen PN-Übergang bei entarteter Dotierung der beiden Seiten dieses Überganges. Der Dotieriingspegel
liegt größenordnungsmäßig bei l()l!) StörstolT-atomen
pro ecm oder mehr. Dies sind etwa vier oder fünf Größenordnungen mehr als die normale Dotierung
beim gewöhnlichen Halbleiterbauelement.
Zwischen den entartet dotierten Zonen entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps tritt beim Gebrauch der
Diode das bekannte Phänomen des quantenmechanischen Tunnels auf. Eine solche Diode zeigt in ihrer
Strom-Spannungs-Kennlinie bei einer in Durchlaßrichtung gepolten Vorspannung einen negativen
Widerslaiulsbereich.
Der TunnelelTekt der sehr hoch dotierten Diode vermeidet den Nachteil der Minoritätsträger-Driftzeit
der meisten normal dotierten Halbleiterbauelemente. Werden kritische Störstellenkonzentrationen im
P-Gebiet und N-Gebiet einer Halbleiterdiode überschritten, so treten, wie Esaki erstmals gezeigt hat,
neben den bekannten Minoritätsträger-Transportphänomenen auch Majoritätsträger-Transportphänomene
auf, die bei kleinen Vorwärtsspannungen und RückwärtsspaniHingen durch den quantenmcchanischen
Tunneleffekt beschrieben werden. Infolge der hohen Dotierung liegt das Fermi-Niveau im N-Gebiet
im Leitungsband und im P-Gebiet im Valenzband. Diese beiden Valenzbänder überlappen sich.
Dadurch wird die Tunnel-Diode zu einem schnellarbeitenden Bauelement, was für viele Zwecke,
wie beim Schalten mit hoher Geschwindigkeit und bei der Erzeugung von Schwingungen sehr hoher Frequenz,
wünschenswert ist.
Als Material für den Halbleiterkörper oder HaIbleiter-Ausgangsplättchen
hat man bei der Herstellung von Tunnej-Dioden bereits die verschiedensten HaIbleiterstolFe,
wie Germanium, Silicium, Siliciumkarbid und intermetallische Verbindungen verwendet. Das
Ausgangsplättehen ist sehr oft vom Leitfähigkeitstyp N und mit einem aktiven StörstofT stark dotiert,
was durch die verschiedenartigsten, an sich bekannten Methoden zustande gebracht werden kann.
Starkes Dotieren bei der Kristallzüchtung, Abkühlen stark dotierter Lösungen und die Festkörperdilfiision
sind sämtlich bei Materialien wie Germanium praktiziert worden. Es sollte anzunehmen sein,
daß auch Material vom P-Leitfähigkeitstyp als Aus gangsmaterial für die Plättchen bei Tunnel-Dioden
verwendet werden kann. Zur Zeit werden die meisten Tunnel-Dioden durch Schaffung eines PN-Oberganges
nach der Legierungsmethode zwecks Bildung eines scharfen PN-Überganges hergestellt. Wenn man
als Ausgangsmaterial des Plättchens Halbleitermaterial, wie Germanium, vom N-Leitfähigkeitstyp
benutzen würde, dann werden der PN-Übergang und seine zugehörige rekristallisierte P-Typzone gewöhnlich
durch die Verwendung von AkzeptorstörstofFen, wie Gallium, Indium, Aluminium, Bor oder andere
Legierungen, entartet.
■ Die Auswahl des Materials für das Ausgangsplättchen ist gewöhnlich durch Faktoren bestimmt, wie
Materialkosten, leichte Fabrikation und durch besondere Wünsche für die elektrischen Eigenschaften
der Tunnel-Dioden. Zum Beispiel haben Tunnel-Dioden aus Germanium höhere Werte für das Verhältnis
des Spitzenstromes zum Talstrom als Tunnel-Dioden aus Silicium. Auf der anderen Seite haben sie
größere Abweichungen in der Betriebsspannung. Intermetallische Verbindungen, wie Gallium-Arsenid,
können noch bei hohen Temperaturen betrieben werden und sind gewöhnlich kostspieliger als Germanium
oder Silicium. Tunnel-Dioden aus Germanium haben sich wegen ihrer leichten Herstellbarkeit und wegen
des oben erörterten hohen Verhältnisses von Spitzenstrom zu Talstrom als besonders günstig erwiesen.
Bei manchen Anwendungen ist es wünschenswert, daß solche Halbleiterbauelemente höhere Werte
des Verhältnisses von Spitzenstrom zu Talstrom aufweisen, als dies bisher erreichbar war. Außerdem
ist es vorteilhaft, die Kapazität der Tunnel-Dioden kleiner zu haben, um deren elektrische Leistung zu
verbessern.
Bis jetzt ist die Signalübertragungsgeschwindigkeit einer Tunnel-Diode durch das Ausmaß der Dotierungs-
oder StörstolTkonzentration festgelegt worden. Höhere Dotierungskonzentrationen werden zu höheren
Geschwindigkeiten führen. Jedoch sind nach höheren Konzentrationen von Leitfähigkeit bestimmenden
Störstoffen, die man einem Halbleiterkörper nutzbar einverleiben kann, Grenzen gesetzt. Überdotierung
kann nämlich zu einer unerwünschten polykristallinen Struktur führen. Es würde daher
wünschenswert sein, die Arbeitsgeschwindigkeit einer Tunnel-Diode, wenn möglich, während des
Herstellungsprozesses durch andere Mittel als durch die Höhe des Dotierungspegels zu kontrollieren oder
festzulegen. Mit dieser Aufgabe befaßt sich die Erfindung.
Für ein Verfahren zum Herstellen einer Esaki-Diode, insbesondere mit einem Halbleiterkörper aus
Germanium, besteht danach die Erfindung darin, daß zum Bilden des Esaki-Übergangs die den einen Leitfähigkeitstyp
bildenden Fremdstoffe in eine solche Oberfläche des mit Fremdstoffen des anderen Leitfähigkeitstyps
entartet dotierten Halbleiterkörper eingebracht werden, die innerhalb eines Bereiches
von K) bis 55° gegen die [lll]-Ebene geneigt ist.
Damit wird eine Esaki-Diode gewonnen, die sich gegenüber den bekannten Esaki-Dioden durch ein
größeres Verhältnis des Spitzenstromes zum Talstrom und auch ein günstiges Verhältnis der Kapazität zum
Spitzenstrom auszeichnet.
Die Erfindung vermag in besonders einfacher Weise sowohl Signalübertragung als auch das Verhältnis
des Spitzenstromes zum Talstrom zu kontrollieren.
Die nach der Erfindung hergestellte Tunnel-Diode enthält einen Halbleiterkörper von einem gegebenen 1
Leilfähigkeitstyp, dessen Dotierungspegel den Wert I · K)1" bis 2- K)-0 Atome pro ecm aufweist und dessen
orientierte Fläche im wesentlichen parallel zu einer kristallographisChen Ebene innerhalb des Bereiches
von K) bis 55° zur [Ul]-Ebene liegt. Die Tunnel-Diode
enthält auch innerhalb des Halbleiter körpers
einen scharfen PN-Übergang, der durch Einführung von Störstofl des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps in ausreichender Konzentration an der vorstehend
erwähnten Ebene zur Entartung eines Teiles des Halbleiterkörper gebildet wird. Die Tunnel-Diode
enthält fernerhin elektrische Anschlüsse an den Halbleiterkörper vom obenerwähnten gegebenen
Leitfähigkeitstyp und an den entarteten Teil vom vorstellend erwähnten entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp.
Ebenfalls in Übereinstimmung mit der Erfindung umfaßt das Verfahren zur Herstellung einer Tunnel-Diode
die Bildung einer Fläche in einem entartet dotierten Körper aus Halbleitermaterial des einen
Leitfähigkeitstyps, welche im wesentlichen parallel zu einer kristallographischen Ebene innerhalb von 10
bis 55° gegen die [lll]-Ebene orientiert ist.
Das Verfahren nach der Erfindung umfaßt fernerhin die Bildung einer entartet dotierten Zone des entgegengesetzten
Leitfähigkeitstyps in 'der vorerwähnten einen Fläche, weiche von dem Körper durch
einen PN-Übergang mit einer schmalen Übertragungsschicht getrennt ist. Das Verfahren enthält außerdem
die Anbringung elektrischer Anschlüsse an den Halbleiterkörper und an die entartet dotierte Zone.
■Die Erfindung sei nachstehend an Hand der Zeichnungen für eine beispielsweise Ausfuhrungsform
näher erläutert.
Fig. la ist eine vergrößerte Grundrißdarstellung
einer gemäß der Erfindung hergestellten Tunnel-Diode;
F i g. 1 b ist eine Schnittzeichnung gemäß der Linie Ib-I b in F i g. 1 a;
Fig. 2 zeigt eine Strom-Spannungs-Kennlinie, die zur Erklärung einer vorteilhaften Eigenschaft des
Bauelements nach Fig. 1 nachstehend herangezogen wird;
Fig. 3 ist ein Diagramm zur Abhängigkeit des Verhältnisses von Spitzenstrom zu Talstrom bei der
Erfindung in Verbindung mit Fig. 1;
Fig. 4 zeigt ein Diagramm zur Abhängigkeit des
Verhältnisses der Kapazität zum Spitzenstrom, das ebenfalls zur Erläuterung der Erfindung benutzt wird.
Die Vorrichtung nach Fig. la und 1 b enthält
einen Halbleiterkörper oder ein Ausgangsplättchen 10 aus einem Halbleitermaterial von einem gegebenen
Leitfähigkeitstyp,dessenDotierungspeget den Wert von 1 · 10ia bis 2-102l)Atome pro ecm hat und der eine
im wesentlichen parallel zu einer kristallographischen Ebene innerhalb von 10 bis 55° zur [lll]-Ebene
orientierte Fläche enthält.
Nach einer besonderen Ausfülmingsform des Erfindungsgedankens
ist das Plättchen 10 aus Germanium hergestellt, dessen Verunreinigungspegel oder
Dotierungskonzentration den eben erwähnten Betrag hat. Insbesondere ist für einige besondere Anwendungsfälle
das Material in attraktiver Weise aus P-Typ-Germanium, das mit Gallium in einer Konzentration
in der Größenordnung von 5·101β Atome
pro ecm dotiert ist.
Die gewünschte, obenerwähnte kristallographische Ebene wird in an sich bekannter Weise durch ein
Materialabtragverfahren an einem einzelnen Germaniumkristall gebildet, der optisch oder durch eine
Röntgenstrahlmethode orientiert ist. Wie anschlie ßend ausgeführt wird, können verschiedene kristallographische Ebenen innerhalb des Bereiches von 10
bis 55° zur [lll]-Ebene verwendet werden, was von
der besonderen Charakteristik abhängig ist, die man von der Tunnel-Diode verlangt.
Die Tunnel-Diode umfaßt außerdem einen scharfen PN-Übergang 11 im Plättchen .10 (s. Fig. lh).
der durch Einführung, z. B. auf dem Wege des Eiinlegierens,
eines Störstoffes des entgegengesetzten oder
N-Leitfühigkeitstyps an der erwähnten kristallographischen Ebene in ausreichender Konzentration gebildet
wird, womit ein Teil des Plättchens entartet
ίο wird.
Zuerst wird ein isolierendes Stück 12 aus einem passenden Material, wie Siliciummonoxyd oder
Quarz, innig mit einem Teil der oberen Oberfläche des Gerinaniumplättchens 10 verbunden. Diese Oberfläche
entspricht der gewünschten kristallographischen Ebene. Das Bauteil 12 wird auf die obere
Oberfläche des Plättchens 10 durch Aufdampfen einer Schicht aufgebracht, deren Dicke in der Gröik-nordnung
von 3,8 um, deren Länge etwa 0,13 mm und deren Breite etwa von denselben Abmessungen ist.
Das Aufdampfen kann in der konventionellen Weise durch Aufdampfen des Siliciummoiioxyds über
eine Blendenmaske aus Molybdän durchgeführt werden.
Als nächstes wird eine elektrisch leitende Schicht 13 vorzugsweise mit einem Oberflächenteil des Gliedes
12 durch Aufdampfen in der an sich bekannten Weise über eine öflnung einer Molybdänniaske verbunden.
Als leitende Schicht 13 hat sich eine reine Nickelhaut oder eine dünne Silberschicht, die auf
einer dünnen Chromschicht niedergeschlagen ist, einwandfrei bewährt.
Danach wird eine Elektrode 14 innig mit einem Teil der leitenden Schicht 13 verbunden, und ein
überhängender Teil 15 der Elektrode 14 wird an das Plättchen 10 anlegiert. Die Elektrode 14 ist vorzugsweise
ein Legierungsglied oder Legierungskügelchen, welches insbesondere vorteilhaft 2% Arsen, 5%>
Antimon, 58°/o Zinn und 35°/o Blei enthält. Natürlich
können auch andere Zusammensetzungen der eben erwähnten Element verwendet werden. Das Kügelchen
kann dem Gewichte nach enthalten: Arsen innerhalb des Bereiches von 0,1 bis 5%, Antimon
innerhalb des Bereiches von 0,1 bis 10%, Zinn innerhalb des Bereiches von 15 bis 80%, der Rest ist Blei.
Die Elektrode 14 kann fest mit einem Teil der leitenden Schicht 13 und mit einem Teil des Plättchens
10 durch Aufdampfen eines Kügelchens verbunden werden, welches seine vier Legierungskomponenten
über die öffnung in einer geeigneten Molybdänmaske bindet. Alternativ können die Komponenten
der Pille aufeinanderfolgend auf die exponierten Teile des Metallfilms 13 und des Plättchens
aufgedampft werden, wobei das Arsen zwischen dem Aufdampfen von zwei anderen Komponenten aufgedampft
wird.
Das Arsen ist offenbar als der aktive Störstoff der Legierungspille anzusehen, der beim Legieren mit
dem Germaniumplättchen 10 den Übertragungsbereich der Tunnel-Diode auf etwa 75 Angström verjüngt
und eine entartete N-Typ-Germanium-Zone am Überhang 15 erzeugt.
Die Vorrichtung nach der Erfindung enthält fernerhin elektrische Anschlüsse für den P-Typ-Halbleiter-
körper 10 und für den entarteten Teil oder Überhang
15 vom N-Leitungstyp. Dasu wird eine Verbittdung
in Form eines dünnen Drahtes 16 mit dem Metallfilm 13 in geeigneter Weise durch die Methode der
thermischen Komprcssioiisbindung hergestellt. Diese
Methode ist an sich bekannt und von H. dir ist ensen
in der Zeitschrift Bell Laboratories Record, April 1958. S. 127 bis 130, unter dem Titel »Electrical
Contact with Thermo-Compression Bonds« beschrieben.
Bei diesem thermischen Verbindungsverfahren werden Hitze und Druck über ein meißelartig geschärftes
Werkzeug am linde des Leiters 16, der auf dem Meialllilm 13 ruht, angewandt, um so eine gute
mechanische und elektrische Verbindung an der Stelle der Verbindung zu bewirken. An der unteren
Oberfläche des Halbleiterplätlchens wird mit einem ohmschcn Lötmittel ein Leiter in Form einer Metallplatte
17 festgemacht, so daß mit dem Draht 16. dem IiIm 13 und der F.Iektrode 14 elektrische Anschlüsse
auf entgegengesetzten Seiten des PN-Übergangs gebildet sind.
Zur Reduzierung der Größe des PN-Übergangs 11 auf einen Wert, welcher zu der gewünschten Strom-SpaniHings-Kennlinic
nach F i g. 2 führt, wird ein Ätzverfahren benutzt. Dieses entfernt Material auf
den oberen Teilen des Halbleiterplättchens, so daß das isolierende Teil 12 jetzt über einen Teil des
Plättchens, wie in F i g. Ib gezeigt, übersteht.
Nachstehend sei der Legierungsprozeß kurz erläutert.
Da Arsen bei einer Temperatur von über 600 C sublimiert und da Arsen zu den Elementen
ties Mehrkomponcntenmaterials gehört, das zur Bildung der Elektrode 14 und des PN-Ubergangs 11 benutzt
wurde, ist es nicht ratsam, die Legierungstemperaturen größer als etwa 600 C zu machen. Das
Legieren kann durch Starten mit der Mehrkomponenlciipille
und des Plättchens bei Raumtemperatur bewerkstelligt werden, woran sich die Einführung des
Systems in einen Legierungsofen anschließt, so daß die Temperatur des Systems in mehreren Sekunden,
etwa 5 Sekunden, bis'auf etwa 600" C anwächst. Darauf werden System und Ofen schnell auf Zimmertemperatur
abgekühlt.
Der Erfinder konnte noch keine Erklärung dafür
ίο finden, warum ein Halbleiterbauelement bei der Bildung
eines PN-Übergangs durch Einführung einer eisten Type von Leitfähigkeit bildender Verunreinigung
in eine vorgegebene Fläche eines entartet dotierten Halbleiterkörper der entgegengesetzten Leitfahigkeitstype
quantenmechanisches Tunneln zeigt, wenn diese Fläche im wesentlichen parallel zu einer
Fläche innerhalb eines Bereiches von 10 bis 55° zur [lll]-Ebcne orientiert ist. Die folgenden Darlegungen
werden jedoch dazu beitragen, die diesbezügliehen Verdienste des Erfinders erkennen zu lassen.
Bisher ist es üblich gewesen, eine Tunnel-Diode durch Einlegieren eines Störstoffkörpers an der
kristallographischen [Ill]-Ebene eines entartet dotierten Plättchens herzustellen. Die folgende Tabelle
zeigt das Verhältnis des Spitzentunnelstromes J1, zum
Talstrom Jv bei Tunnel-Dioden, die aus zehn Ausgangsplättchen
hergestellt sind, die wiederum aus einem Kristallsdinilt auf der [Nl]-Ebene gewonnen
sind und von zehn Plättchen aus dem Kristallschnitt auf den [211]- und [221]-Ebenen und von einer
Ebene 20' zur [Nl]-Ebene in der oben erklärten
Weise.
Krislall | rhene | J1,: Jy Bereich |
H foe nc | J1.: Jy Bereich |
1 2 3 |
[Ul] [111] [111] |
2,4-5,3 5.7-8,4 1,1-3,24 |
[211] [221] 20" Zu[Nl] |
9,5-12,1 9,9-12,5 9,2-11,8 |
Aus der Tabelle ist zu ersehen, daß bei einem Material eine Vergrößerung des Verhältnisses des
Spitzeiistromes zum Talstrom bei einer Tunnel-Diode erreicht werden kann, wenn man als geplante
kristallographische Ebenen andere als die [Uli-Ebene
verwendet.
I·- i ». 3 zeigt graphisch die Ausbildung des Verhältnisses
des Spitzenstromes zum Talstrom einer Tunnel-Diode, wenn das Einlegieren am Plättchen an
verschiedenen kristallographischen Ebenen durchgeführt wird. Auf der Ordinatenachse ist das Verhältnis
des Spitzenstromes zum Talstrom aufgetragen, während -die Aliszissenachse eine Gradeinteilung zu den
verschiedenen kristallographischen Ebenen, die dort mit eingetragen sind, enthält.
Es ist zu ersehen, daß die [Hl]-Ebene bei 0° nachgewiesen ist, die |221]-Ebenc liegt annähernd
bei 15 von der [111]-Ebcnc weg, und zwar auf einer
Seite dieser Ebene. Die [N0]-Ebene liegt auf der gleichen Seite etwa 35 davon ab.
Die [211 ]-Ebcne ist etwa 20' von der [ 111 ]-Ebene
auf der anderen Seite entfernt, während die [1 ()()]-Ebene
etwa 55 ' davon auf derselben Seite liegt.
Die vertikalen Linien im Schaubild spiegeln die Streuung der Werte bei den verschiedenen Gradwerten wieder, die in jedem Falle beim Experimentieren
mit 40 Tunnel-Dioden zustande kam. Der kleine Kreis in jeder Vertikallinie repräsentiert den
Mittelwert.
Nach dem Schaubild ist das Verhältnis des Spitzenstromes zum Talstrom am niedrigsten für die [Hl]-Ebene.
Ein beachtlicher Zuwachs dieses Verhältniswertes bestellt, wenn eine Ebene verwendet ist, die
wenigstens 10° von der [lll]-Ebene weg ist.
Es ist auch aus dem Schaubild zu ersehen, daß der Mittelwert des Verhältnisses des Spitzenstromes zum
Talstrom im Bereich von 10 bis 55° zur [lll]-Ebene nicht stark variiert und daß der Bereich von 10 bis
20° sehr attraktiv zu sein scheint. Es erscheint auch, daß es wünschenswert ist, eine Tunnel-Diode durch
Errichtung eines PN-Übergangs in einer Plättchenfläche
zu errichten, welche irgendeiner der Schar der [H)O]-, der [211]-, der [221]- und der [110]-Ebenen
entspricht.
Fig. 4 ist in der Konstruktion ähnlich der Fig. 3 mit der Ausnahme, daß die Ordinatenachse das Verhältnis
der Kapazität zum Spitzenstrom darstellt. Da die Signalübertragungsgeschwindigkeit einer Tunnel-Diode
umgekehrt proportional zu ihrer Kapazität ist, gibt die höhere Zähl auf der Ordinatenachse die
niedere Arbeitsgeschwindigkeit des Bauelementes wieder. Danach führt die Verwendung einer kristallographischen
Ebene mit etwa IO bis 20" gegen die [Ul]-Ebcne in einer Tunnel-Diode zu einer Vor-
ric'htung mit hoher Arbeitsgeschwindigkeit. Eine Ebene im Bereich von etwa 20 bis 35° von der [Hl]-Ebene
ist für eine Tunnel-Diode mit mittlerer Arbeitsgeschwindigkeit, während eine Ebene im Bereich
von über 35 bis 55° von der [lll]-Ebene für langsam arbeitende Vorrichtungen wünschenswert ist.
Durch die Benutzung einer Ebene im Bereich von etwa 10 bis 20° gegen die [lll]-Ebene kann auch die
beste Gleichförmigkeit in der Arbeitsgeschwindigkeit der Bauelemente erhalten werden, wie aus den kurzen
Vertikallinien zu entnehmen ist.
Wie aus den vorstehenden Darlegungen hervorgeht, wird die Signalübertragungsgeschwindigkeit
einer Tunnel-Diode durdh Auswahl der kristallographischen Ebene gesteuert, in die man legiert, um den
PN-Übergang zu ibilden. Damit hat man ein äußerst wichtiges Werkzeug bei der Herstellung solcher Vorrichtungen
in der Hand und vermeidet einige kritische Probleme, auf die man bisher in Verbindung mit der
starken Dotierung in den Halbleiterzonen gestoßen war. Zusätzlich ist eine größere Freiheit bei der
Übertragungsgeschwindigkeit einer Tunnel-Diode gewährleistet. Der Konstrukteur hat jetzt ein weiteres
Steuerungsmittel für die Gewinnung eines hohen Wertes für das Verhältnis von Spitzenstrom zu Talstrom
in der Hand.
Während die Erfindung im Zusammenhang mit der Bildung des PN-Überganges der Tunnel-Diode durch
einen Legierungsverfahrensschritt vorstehend beschrieben worden ist, sind natürlich auch andere
Methoden anwendbar, wie z. B. die Anwendung des epitaktischen Dampfniederschlages zur Bildung eines
passenden PN-Übergangs. Ein solches Verfahren, das auch hier verwendet werden kann, ist in der USA.-Patentschrift
3014820 unter der Bezeichnung »Vapor Grown Semiconductor Device« beschrieben.
Claims (9)
1. Verfahren zum Herstellen einer Esaki-Diode, insbesondere mit einem Halbleiterkörper aus
Germanium, dadurch gekennzeichnet, daß zum Bilden des Esaki-Ubergangs die den
einen Leitfähigkeitstyp bildenden Fremdstoffe in eine solche Oberfläche des mit Fremdstoffen des
anderen Leitfähigkeitstyps entartet dotierten Halbleiterkörpers (10) eingebracht werden, die
innerhalb eines Bereic'hes von 10 bis 55° gegen die [lll]-Ebene geneigt ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb eines Bereiches von
10 bis 55° zur [lll]-Ebene eine Materialabtragung durchgeführt wird.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der PN-Übergang
(11) in einer Fläche des entartet dotierten Halbleiterkörpers (10) gebildet wird, deren Orientierung
parallel zur kristallographischen [211]-Ebene oder [221]-Ebene oder [H0]-Ebene oder [100]-Ebene
liegt.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper mit
1019 bis 2· 1020 Störatomen pro ecm dotiert wird.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurc'h gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper
P-leitendes Germanium enthält, das mit Gallium in einer Konzentration von 10ls bis 2 · 1020 Atomen
pro ecm dotiert wird.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der PN-Übergang im
Halbleiterkörper (10) durch Legierung aus einer Legierungspille (14) gebildet wird, welche Arsen,
Antimon, Zinn oder Blei enthält.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierungspille 2°/o Arsen,
5% Antimon, 58% Zinn und 35 0Zo Blei enthält.
8. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die entartet dotierten
Halbleiterzonen durch einen PN-Übergang mit einer schmalen Übertragungsschicht getrennt
werden.
9. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Oberfläche
eines Halbleiterplättchens (10), weiche einer kristallographischen Ebene entspricht, deren Lage
um 10 bis 55° von der Lage der [Hl]-Ebene abweicht, teilweise eine isolierende Schicht (12) aufgebracht
ist, daß auf diese isolierende Schicht (12) eine elektrisch leitende Schicht (13) aufgetragen
wird und daß wiederum auf diese elektrisch leitende Schicht (13) eine überhängende Elektrode
(14) aufgesetzt wird, die an der überhängenden Stelle (15) an den Plättchenkörper (10) anlegiert
wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 109 524/110
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