DE1225771B - Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

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DE1225771B
DE1225771B DET21768A DET0021768A DE1225771B DE 1225771 B DE1225771 B DE 1225771B DE T21768 A DET21768 A DE T21768A DE T0021768 A DET0021768 A DE T0021768A DE 1225771 B DE1225771 B DE 1225771B
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Karl Neuber
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Description

  • Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, wie Transistoren, bereitet bekanntlich die Stabilisierung der elektrischen Werte erhebliche Schwierigkeiten. Bei einer Änderung der Betriebstemperaturen macht sich vor allem das Niederfrequenzrauschen störend bemerkbar, welches mit zunehmender Temperatur erheblich ansteigt.
  • Untersuchungen an Transistoren haben jedoch ergeben, daß eine weitgehende Stabilisierung der elektrischen Werte sowie des Niederfrequenzrauschens erzielt werden kann, wenn das Halbleitersystem gemäß der Erfindung in eine aus einer Silikonpaste und einem Füllstoff bestehende Mischung eingebettet ist, deren Füllstoff aus einem Zeolithen besteht.
  • Besonders gute Ergebnisse wurden mit einem Zeolithen aus Calcium-Aluminiumsilikat [Ca(A'2S'401.) - 6 H201 erzielt. Der Zeolith wird vorzugsweise in Pulverform mit der Silikonpaste vermischt.
  • Es ist bekannt, das Halbleitersystem zur Stabilisierung in eine Paste einzubetten, welche aus einer Silikonpaste und Silikagel besteht. Untersuchungen haben jedoch ergeben, daß Halbleiteranordnungen bessere Rauscheigenschaften haben, wenn an Stelle von Silikagel ein Zeolith vorgesehen ist, dessen Verwendung in Halbleitergehäusen zwar ebenfalls bekannt ist, jedoch nicht in Verbindung mit einer Silikonpaste.
  • Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel erläutert.
  • Zur Herstellung einer Stabilisierungspaste nach der Erfindung werden beispielsweise 49 Teile Silikonpaste mit 1 Teil Calcium-Aluminiumsilikat vermischt und zu einer Paste verrührt. Die Stabilisierung des zu stabilisierenden Halbleiterbauelementes erfolgt dann durch Einbettung in die durch Mischung und Verrührung gewonnene Stabilisierungspaste.
  • Eine wichtige Rolle bezüglich der Stabilisierung kann neben der Stabilisierungspaste auch noch die Ätzbehandlung, die das Halbleitersystem vor dem Einbetten erfährt, spielen. Hierbei sind vor allem die Art der Ätzlösung sowie die Dauer der Ätzbehandlung von Bedeutung. Als besonders vorteilhaft hat es sich erwiesen, wenn bei einer Stabilisierung eines Transistors dieser vor dem Einbetten in die Stabilisierungspaste in einer Lösung aus Fluß- und Salpetersäure und danach in hochprozentigem Wasserstoffperoxyd geätzt wird. Die Ätzlösung kann beispielsweise aus 1 Teil Flußsäure und 4 Teilen Salpetersäure bestehen.
  • Bei der Herstellung eines Gennanium-Legierungstransistors hat sich beispielsweise eine etwa lstündige Lagerung in 30%igem Wasserstoffperoxyd im Anschluß an eine chemische Ätzbehandlung mit einer Flußsäure-Salpetersäure-Mischung im Mischungsverhältnis 1: 4 bewährt. Die genannte Ätzbehandlung hat neben der Einbettung in die Stabilisierungspaste einen erheblichen Einfluß auf die erzielte Stabilisierung. Das Trocknen kann beispielsweise bei 120' C in etwa einer halben Stunde erfolgen.
  • Die aus einer Silikonpaste und dem Zeolithen bestehende Stabilisierungspaste kann beispielsweise in die Gehäusekappe gepreßt werden. Die Einbettung des Halbleitersystems in die Stabilisierungspaste erfolgt dann durch einfaches Eintauchen. Ist das Halbleitersystem auf einem Gehäusesockel aufgebaut, so taucht das Halbleitersystem in die Stabilisierungspaste ein, wenn die Gehäusekappe auf den Gehäusesockel aufgesetzt wird.
  • Die Einbettung des Halbleitersystems in die Stabilisierungspaste ist aus der Zeichnung ersichtlich. Nach dieser besteht das Halbleitergehäuse aus dem Gehäusesockel 1, auf den die Gehäusekappe 2 aufgesetzt ist. Das Halbleitersystem besteht im wesentlichen aus dem Halbleiterkörper 3, welcher auf der einen Seite mit der Emitterelektrode 4 und auf der anderen Seite mit der Kollektorelektrode 5 versehen ist. Der Halbleiterkörper 3 ist auf eine Trägerplatte 6 aufgelötet, welche mit der mittleren Sockeldurchführung 7 verbunden ist. Durch diese Verbindung werden eine Halterung des Halbleiterkörpers sowie eine elektrische Kontaktierung der Basiszone des Transistors erzielt. Die Kontaktierung der Emitter- und Kollektorelektrode erfolgt mitHilfe der Elektrodenzuleitungen 8 und 9, die ihrerseits mit den äußeren Sockeldurchführungen 10 und 11 verbunden sind. Das Halbleitersystem ist gemäß der Erfindung in die Stabilisierungspaste 12 eingebettet.

Claims (1)

  1. Patentansprüche: - i . 1. Halbleiterbauelement, insbesondere Transistor oder Diode, mit einem in einer aus einer Silikonpaste und einem Füllstoff bestehenden Mischung eingebetteten Halbleitersystem, dadurch gekennzeichnet,..daß der FÜllstoff aus einem Zeolithen besteht. - 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zeolith aus Calcium-Aluminiumsilikat [Ca(A'2S'4012) - 6 H20] besteht. 3. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements nach Anspruch .1 oder 2, dadurchgekennzeichnet, daß in die Kappe des Halbleitergehäuses so viel Paste eingepreßt wird, daß das Halbleitersystem. beim Aufsefzen der Gehäusekappe auf den Gehäusesockel in die Paste eintaucht. 4. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements nach Ansprach 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersystem vor dem Einbetten in die Paste zunächst in einer Mischung aus Flußsäure und Salpetersäure und anschließend in hochprozentigem Wasserstoffperoxyd geätzt wird. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das NEschungsverhältnis von Flußsäure zu Salpetersäure 1: 4 beträgt. 6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersystem in 30%igem Wasserstoffperoxyd etwa 1 Stunde gelagert wird. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersystem nach dem Ätzen bei einer Temperatur von ungefähr 120' C etwa Stunde lang getrocknet wird. In Betracht gezogene Druc'ksctiriften: Deutsche Auslegeschrift -Nr. 1100 172; »Philips Technische Rundschau«, Bd. 22 (19601 61), H. 6, S. 231 bis 242; »Joumal of Applied Physics«, Bd. 25 (1954), 11 5, S. 634 bis 641.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1100172B (de) * 1958-07-02 1961-02-23 English Electric Valve Co Ltd Halbleitergleichrichter-Anordnung mit einem hermetisch abgeschlossenen Gehaeuse

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1100172B (de) * 1958-07-02 1961-02-23 English Electric Valve Co Ltd Halbleitergleichrichter-Anordnung mit einem hermetisch abgeschlossenen Gehaeuse

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