DE1100172B - Halbleitergleichrichter-Anordnung mit einem hermetisch abgeschlossenen Gehaeuse - Google Patents
Halbleitergleichrichter-Anordnung mit einem hermetisch abgeschlossenen GehaeuseInfo
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/26—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances, e.g. getters
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitergleichrichter-Anordnung
mit einem hermetisch abgeschlossenen Gehäuse, welches Metallteile aufweist, die durch
einen die Anwendung hoher Temperaturen erfordernden Wärmeprozeß miteinander verbunden werden.
Es sind derartige Gleichrichter-Anordnungen bekannt, bei denen sich innerhalb des Gehäuses Trokkenmittel
befinden. Diese haben den Zweck, das Innere des Gehäuses während der Lebensdauer der
Gleichrichter-Anordnung in trockenem Zustand zu halten. Es handelt sich dabei um ein in einer als Träger
wirkenden inerten Masse fein verteiltes Trockenmaterial. Als Träger findet dabei z. B. Silikonfett oder -öl
Verwendung. Derartige Trockenmittel können jedoch leicht in Kontakt mit dem Gleichrichter kommen und
eine sehr unerwünschte Oberflächenleitfähigkeit hervorrufen.
Ziel der Erfindung ist es, das erforderliche Trockenmaterial derart anzuordnen, daß es einerseits nicht mit
dem Gleichrichterkörper in Berührung kommen kann und andererseits die bei der Herstellung während der
Gehäuseabdichtung frei werdenden Dämpfe vom Gleichrichterkörper abhält.
Die Erfindung besteht darin, daß zwischen dem eigentlichen Gleichrichter und den Zonen, in denen die
Metallteile in der beschriebenen Art verbunden werden, ein Trockenkörper in Form eines vorgefertigten
Ringes oder Zylinders aus verfestigtem Trockenmaterial angeordnet ist. Ein bevorzugtes Trockenmaterial
ist Aluminium-Natrium-Silikat, das einer molekularen Ausrichtung unterzogen und verfestigt
wurde. Ein derartiger Körper ist vergleichsweise frei von der Neigung, Trockenstaub zu bilden.
Die Erfindung wird durch die beigefügten Zeichnungen erläutert, die, teilweise als Schnittdarstellung,
zwei Ausführungsformen davon zeigen. Gleiche Bezugszeichen kennzeichnen in beiden Darstellungen
gleiche Teile.
Die in Fig. 1 gezeigte Anordnung enthält einen Gleichrichter 1, der in üblicher Art auf den üblichen
schweren, wärmeableitenden Kupfersockel 2 zwischen der Oberseite des Sockels und dem üblichen Oberteil 3
montiert ist. Das letztere hat rechteckigen Querschnitt und ist in der Richtung senkrecht zur Zeichenebene
schmaler als in der Zeichenebene. Durch die Metallteile 4, 5, 6 und 7 und den Glasring 8 wird ein hermetisch
abgeschlossenes Gehäuse gebildet. Das annähernd zylindrische Teil 4 ist nahe der unteren Kante des
Oberteils 3 an dieses angeschweißt. Das annähernd ringförmige Teil 7 ist an die Unterseite eines an Teil 2
angebrachten oberen Flansches angeschweißt. Teile 5 und 6 sind je an entgegengesetzten Seiten in den Glasring
8 eingeschmolzen. Die verbleibenden Enden der Teile 4 und 5 sowie 6 und 7 werden beim Zusammen-Halbleitergleichrichter-Anordnung
mit einem hermetisch abgeschlossenen
Gehäuse
Anmelder:
English Electric Valve Company Limited, London
Vertreter: Dr. W. Müller-Bore
und Dipl.-Ing. H. Gralfs, Patentanwälte,
Braunschweig, Am Bürgerpark 8
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 2. Juli 1958 und 24. April 1959
Großbritannien vom 2. Juli 1958 und 24. April 1959
Peter Morland Tipple, Great Baddow, Essex
(Großbritannien),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
bau des Gehäuses in einem abschließenden Arbeitsgang — wie dargestellt — zusammengelötet. Ein Absaugrohr
9 ermöglicht das Auspumpen der Anordnung und Füllen mit einem geeigneten, trockenen Gas.
Bei der vorliegenden Anordnung ist ein aus festem Trockenmaterial bestehender Ring 10 vorgesehen. Dieser
wird vorher in eine gewünschte Form der Art, wie dargestellt, gebracht und beispielsweise aus molekular
gerichtetem Aluminium-Natrium-Silikat, das zu dem festen Körper gestaltet wird, hergestellt. Nach Auspumpen
und Füllung mit Gas wird das Rohr in der üblichen Art entfernt. Der Trockenring 10 dient dem
wichtigen Zweck, das Innere des Gehäuses während der Lebensdauer der Einrichtung in trockenem Zustand
zu halten. Sorgfältige Untersuchungen haben ergeben, daß die Aufrechterhaltung eines hohen Trockenheitsgrades für eine gute Leistungsfähigkeit sehr wichtig
ist, wahrscheinlich wichtiger als die Wahl des verwendeten Gases. Bekannte gasgefüllte Gleichrichter-Anordnungen
erfüllten die Forderung nach Aufrechterhaltung eines hohen Trockenheitsgrades sehr unvollkommen,
und zwar hauptsächlich, da es in der Praxis fast unmöglich ist, das Entweichen geringer Wasserdampfmengen,
die von den Metalloberflächen im Innern des Gehäuses eingeschlossen sind, während der Betriebsdauer
solcher Einrichtungen zu vermeiden. Demzufolge passiert es allzuoft, daß die Gasfüllung, nach-
109 527/450
dem die Einrichtung eine gewisse Zeit in Betrieb war, nicht mehr die erforderliche Trockenheit aufweist,
auch wenn bei der Herstellung dieser bekannten Einrichtung sorgfältig darauf geachtet wurde, daß das Gas
beim Einfüllen trocken war.
Der Ring 10 aus festem Trockenmaterial wirkt als Getter für Wasserdampf, der während der Lebensdauer
der Einrichtung in dieser frei wird.
Die Tatsache, daß der Ring aus verfestigtem Trokkenmaterial besteht, eliminiert oder reduziert das
Risiko, das bei der Verwendung von pulverförmigem Trockenmaterial darin besteht, daß dieses zu nahe oder
in Kontakt mit dem eigentlichen Gleichrichter kommt, auf vernachlässigbare Anteile. Es ergibt sich daher im
allgemeinen keine Notwendigkeit, die Gleichrichterverbindung umgebende Schutzfilme vorzusehen. Wird
weiterhin der Ring 10 angebracht, wie dargestellt, so wirkt er als Abschirmung und verhütet, daß Dämpfe,
die bei den abschließenden Lötvorgängen bei der Herstellung entstehen, die Gleichrichterverbindung erreichen
können.
Die in Fig. 2 dargestellte Abwandlung ist im wesentlichen in sich selbst verständlich. Wie man sehen
kann, liegt der wesentliche Unterschied zwischen den Anordnungen nach den Fig. 1 und 2 in der etwas verschiedenen
Form und Anbringungsart des festen Trokkenkörpers, der in Fig. 2 mit 10 α bezeichnet wurde.
In Fig. 2 ist der Trockenkörper 10 a ein Zylinder, der mit seinem einen Ende in einer Ringnut an der Oberseite
des wärmeableitenden Sockels 2 befestigt ist. Er ragt zwischen den Teilen 4 und 5 aufwärts und bietet,
wie' man sehen kann, einen hochgradigen Schutz für den Gleichrichter 1 gegen Dämpfe, die möglicherweise
bei den abschließenden Lötoperationen erzeugt werden können.
Claims (2)
1. Halbleitergleichrichter-Anordnung mit einem hermetisch abgeschlossenen Gehäuse, welches Metallteile
aufweist, die durch einen die Anwendung hoher Temperaturen erfordernden Wärmeprozeß
miteinander verbunden werden, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem eigentlichen Gleichrichter
(1) und den Zonen, in denen die Metallteile in der beschriebenen Art verbunden werden, ein
Trockenkörper in Form eines vorgefertigten Ringes (10) oder Zylinders (10 a) aus verfestigtem
Trockenmaterial angeordnet ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Trockenmaterial Aluminium-Natrium-Silikat
verwendet wird, das molekular gerichtet und verfestigt worden ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 015 934.
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 015 934.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 109 527/450 2.61
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB21251/58A GB849860A (en) | 1958-07-02 | 1958-07-02 | Improvements in or relating to semi-conductor rectifier assemblies |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1100172B true DE1100172B (de) | 1961-02-23 |
Family
ID=10159766
Family Applications (1)
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Country Status (5)
Country | Link |
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DE (1) | DE1100172B (de) |
FR (1) | FR1229159A (de) |
GB (1) | GB849860A (de) |
NL (2) | NL101704C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1225771B (de) * | 1962-03-17 | 1966-09-29 | Telefunken Patent | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL274434A (de) * | 1961-02-06 | 1900-01-01 | ||
US3218524A (en) * | 1961-10-12 | 1965-11-16 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor devices |
CH393547A (de) * | 1962-05-03 | 1965-06-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | Gehäuse für einen Halbleitergleichrichter |
US3216084A (en) * | 1963-04-10 | 1965-11-09 | Motorola Inc | Semiconductor process control technique |
US3512050A (en) * | 1967-11-29 | 1970-05-12 | Gen Motors Corp | High power semiconductor device |
US4008486A (en) * | 1975-06-02 | 1977-02-15 | International Rectifier Corporation | Compression-assembled semiconductor device with nesting circular flanges and flexible locating ring |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1015934B (de) * | 1951-06-08 | 1957-09-19 | Int Standard Electric Corp | Kristallode mit einem in ein dichtes Gehaeuse eingebauten Halbleiterkristall und im Gehaeuse angeordnetem Trockenmittel |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2686279A (en) * | 1949-09-28 | 1954-08-10 | Rca Corp | Semiconductor device |
US2858356A (en) * | 1953-01-21 | 1958-10-28 | Setchell Barton Thomas | High voltage transformer assemblies |
US2820931A (en) * | 1953-04-27 | 1958-01-21 | Sylvania Electric Prod | Semiconductor devices and methods |
-
0
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- NL NL101704D patent/NL101704C/xx active
-
1958
- 1958-07-02 GB GB21251/58A patent/GB849860A/en not_active Expired
-
1959
- 1959-06-04 US US818187A patent/US2960639A/en not_active Expired - Lifetime
- 1959-06-25 DE DEE17825A patent/DE1100172B/de active Pending
- 1959-06-30 FR FR798906A patent/FR1229159A/fr not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1015934B (de) * | 1951-06-08 | 1957-09-19 | Int Standard Electric Corp | Kristallode mit einem in ein dichtes Gehaeuse eingebauten Halbleiterkristall und im Gehaeuse angeordnetem Trockenmittel |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1225771B (de) * | 1962-03-17 | 1966-09-29 | Telefunken Patent | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL101704C (de) | |
GB849860A (en) | 1960-09-28 |
FR1229159A (fr) | 1960-09-05 |
US2960639A (en) | 1960-11-15 |
NL240675A (de) |
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