DE122088T1 - Quelle fuer molekuelstrahl-epitaxie. - Google Patents

Quelle fuer molekuelstrahl-epitaxie.

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DE122088T1
DE122088T1 DE198484302150T DE84302150T DE122088T1 DE 122088 T1 DE122088 T1 DE 122088T1 DE 198484302150 T DE198484302150 T DE 198484302150T DE 84302150 T DE84302150 T DE 84302150T DE 122088 T1 DE122088 T1 DE 122088T1
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DE
Germany
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molecular
strips
strip
beam source
crucible
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Pending
Application number
DE198484302150T
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English (en)
Inventor
Kenneth Buxted East Sussex Anderson
Peter John Lenard Lingfield Surrey Butcher
Paul Richard Buxted East Sussex Stonestreet
David Tunbridge Wells Kent Williams
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
VG INSTRUMENTS GROUP Ltd CRAWLEY WEST SUSSEX GB
Original Assignee
VG INSTRUMENTS GROUP Ltd CRAWLEY WEST SUSSEX GB
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
    • C30B23/066—Heating of the material to be evaporated

Claims (1)

  1. 7. Jan. 1986
    EP Nr. 84302150.2/
    Veröffentlichungs-Nr. 122088
    V G Instruments Group Ltd.
    Ansprüche
    1. Molekular- oder Atomstrahlquelle zur Verwendung bei der Molekularstrahlepitaxie,umfassend einen an einem Ende offenen, hohlen Tiegel (1) und eines oder mehrere Tiegelheizelemente (22), dadurch gekennzeichnet, daß jedes der Elemente eine Anzahl von dünnen, im wesentlichen parallelen, langgestreckten Metallstreifen (25, 26) aufweist, die auf eine solche Weise ausgebildet sind, daß sie im wesentlichen selbsttragend sind und außerhalb des und mit Abstand von dem Tiegel angeordnet sind, wobei Hauptflächen gegenüber dem Tiegel liegen, wobei die Streifen elektrisch an einem Ende miteinander verbunden sind und von dem anderen Ende her durch isolierte, elektrisch leitende Halteeinrichtungen auf eine solche Weise gehalten sind, daß ein elektrischer Strom durch sämtliche Streifen über Versorgungsleitungen geführt werden kann, die nur mit den elektrisch leitenden Halteeinrichtungen verbunden sind, und wobei die Elemente so angeordnet sind, daß im wesentlichen die einzigen durch die Streifen berührten Teile der Quelle die Halteeinrichtungen sind.
    2. Molekular- oder Atomstrahlquelle nach Anspruch 1, bei der jedes der Elemente (22) ein Paar von langgestreckten Metallstreifen (25, 26) aufweist, die
    sich parallel zur Achse des Tiegels (1) erstrecken, an einem Ende an elektrisch leitenden Montagehalterungen (24) befestigt sind, mit denen eine elektrische Versorgung verbunden ist, und am anderen Ende durch ein leitendes Verbindungsstück (27) elektrisch miteinander verbunden sind.
    3. Molekular- oder Atomstrahlquelle nach Anspruch 2, bei der das leitende Verbindungsstück (27) einen Teil des Elements (22) bildet und zu der von dem Element emittierten Wärme beiträgt und bei der die Elemente so angeordnet sind, daß zumindest einige der leitenden Verbindungsstücke benachbart dem Tiegel (1) bei dessen offenem Ende sind.
    4. Molekular- oder Atomstrahlquelle nach Anspruch 3,
    bei der das leitende Verbindungsstück (27) integral mit den Streifen (25, 26) ausgebildet ist.
    5. Molekular- oder Atomstrahlquelle nach Anspruch 4, bei der nur ein solches Element (37) vorgesehen ist, wobei das Element eine Anzahl paralleler Streifen (25, 26) aufweist, die aus einem einzigen Folienblatt ausgebildet sind, wobei jeder Streifen mit benachbarten Streifen an entgegengesetzten Enden verbunden ist, wobei das Element durch Faltenlängslinien parallel zu den Streifen mit Rippen versehen ist und das Element zylindrisch um den Tiegel herum angeordnet ist.
    6. Molekular- oder Atomstrahlquelle nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 5, bei der das Element (22) im wesentlichen aus einem schwer schmelzbaren. Metall hergestellt ist.
    7. Heizelement zur Verwendung in einer Molekular- oder
    Atomstrahlquelle, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus zumindest einem langgestreckten
    Metallstreifen (25, 26) aufgebaut ist, der eine Breite viel größer als die Dicke besitzt, wobei der Metallstreifen längs einer oder mehreren Linien parallel zu seiner längsten Kante gefaltet ist, wodurch der Widerstand des Streifens gegenüber Biegen erhöht ist.
    8. Heizelement nach Anspruch 7, bei dem mehr als eine Falte vorgesehen ist und bei dem benachbarte Falten in entgegengesetzten Richtungen ausgeführt sind, so daß ein mit Rippen versehener Streifen erzeugt wird, dessen über alles gemessene Breite größer als seine über alles gemessene Dicke ist.
    9. Heizelement nach Anspruch 7, bei dem ein jeder Streifen gefaltet oder gebogen ist, um ein dünnwandiges Rohr mit kreisförmigem, elliptischem oder rechteckförmigem Querschnitt herzustellen, um ein selbsttragendes Element zu erzeugen.
    10. Heizelement nach Anspruch 8, bei dem drei Falten
    in jedem Streifen vorgesehen sind, die erste Falte im wesentlichen im Zentrum des Streifens und die verbleibenden beiden längs Linien auf einer jeden Seite der ersten Falte und in der entgegengesetzten Richtung zu der ersten Falte angeordnet.
    11. Heizelement für eine Molekular- oder Atomstrahlquelle nach einem beliebigen der Ansprüche 7 bis 10,
    ο« hergestellt im wesentlichen aus einem schwer schmelzbaren Meteil.
DE198484302150T 1983-03-30 1984-03-29 Quelle fuer molekuelstrahl-epitaxie. Pending DE122088T1 (de)

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