DE1219454B - Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrahalogenid - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SiliciumtetrahalogenidInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 35
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 15
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims description 14
- 229910000519 Ferrosilicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000002140 halogenating effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 claims description 4
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 claims description 4
- KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-2,2-bis(chloromethyl)propane Chemical compound ClCC(CCl)(CCl)CCl KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 2
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims 1
- USTOTNAAAPBEAW-UHFFFAOYSA-N [Cl].[Si](Cl)(Cl)(Cl)Cl Chemical compound [Cl].[Si](Cl)(Cl)(Cl)Cl USTOTNAAAPBEAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 claims 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 claims 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims 1
- 239000012749 thinning agent Substances 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000004808 Saccharomyces cerevisiae Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- -1 ferrosilicon Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
COIb
Deutsche Kl.: 12 i-33/08
Nummer: 1219454
Aktenzeichen: B 65425IV a/12 i
Anmeldetag: 5. Januar 1962
Auslegetag: 23. Juni 1966
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Siliciurntetrahalogeniden durch Halogenierung
von silicmmhaltigen Stoffen, wie Ferrosilicium, Siliciumkarbid, Siliciumnitrid und Siliciumcyannitrid,
welche mit einem halogenierenden Gas stark exotherm reagieren; auch wenn die Halogenierung dieser
Rohstoffe in einem Fließbett ausgeführt wird, können Zonen lokaler Überhitzung auftreten. Werden daher
hohe Temperaturen von beispielsweise 800 bis zu 12000C angewendet, um Siliciumtetrahalogenid zu
gewinnen, so können noch lokale Überhitzungen auftreten, die diese Temperaturen übersteigen, und es
kann dabei zu einem Schmelzen und Zusammensintern des Bettmaterials kommen. Dies kann so weit
gehen, daß der Fließbettzustand aufhört zu bestehen. Überdies kann das Vorhandensein von geschmolzenem
Material in dem Bett zu einer Schädigung der Auskleidung des Reaktionsgefäßes führen.
Darüber hinaus kann das Auftreten lokaler Überhitzungen zu einer Herabsetzung der Qualität des
Reaktionsproduktes führen.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrahalogenid durch Umsetzung von
festen siliciumhaltigen Stoffen mit einem Halogenierungsgas in Gegenwart von Inertgas bei erhöhten
Temperaturen ist dadurch gekennzeichnet, daß die Umsetzung in einer Wirbelschicht bei 400 bis
12000C unter Zumischung von 40 bis 90% Inertgas
zum Halogenierungsgas erfolgt und die Gase durch eine perforierte Platte im Bodenteil der Wirbelschicht
eingeführt werden, wobei der Druckabfall in jeder Perforierung der Bodenplatte wenigstens die Hälfte
des Druckabfalls in der Wirbelschicht betagt.
Nach dem Verfahren der Erfindung sollen jedoch keine Siliciumtetrafmoride erzeugt werden.
Aus der USA.-Patentschrift 2 621111 ist ein Verfahren
zur Herstellung von Disiliciumhexachlorid und seiner Homologen durch katalytische Umsetzung
siliciumhaltiger Stoffe in einem Reaktor bei 140 bis 25O0C bekannt. Um lokale Überhitzungen, die die
Ausbeute an höheren Homologen des Disüicium hexachlorides herabsetzen wurden, zu vermeiden,
kann dabei das Chlorgas mit flüssigem Siliciumtetrachlorid als Verdünnungsmittel bei Raumtemperatur
aufgesättigt werden.
Ganz abgesehen davon, daß bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kein Katalysator benutzt und
monomeres Siliciumtetrahalogenid erzeugt wird, ist eine Gefahr des Sinterns der siliciumhaltigen Feststoffe
bei den bei der bekannten Arbeitsweise angewandten Reaktionstemperaturen von nur 140 bis
250° C nicht gegeben, und der Zusatz an Inertgas ist Verfahren zur Herstellung von
Siliciumtetrahalogenid
Siliciumtetrahalogenid
Anmelder:
The British Titan Products Company Limited,
Billingham, Durham (Großbritannien)
Vertreter:
Dipl.-Ing. F. Weickmann,
Dipl.-Ing. A. Weickmann,
Dipl.-Ing. H. Weickmann
und Dipl.-Phys. Dr. K. Fincke, Patentanwälte,
München 27, Möhlstr. 22
Als Erfinder benannt:
Kenneth Arkless,
Colin Francis CoIe,
Stockton-on-Tees, Durham (Großbritannien)
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 5. Januar 1961 (573)
beim bekannten Verfahren wesentlich geringer, da beim Auf sättigen bei Raumtemperatur nur etwa 25 %
des Siliciumtetrachlorids vom Chlorgas aufgenommen werden.
Zum Unterschied von der bekannten Arbeitsweise wird bei der Arbeitsweise der Erfindung die Reaktion
in der Wirbelschicht durchgeführt, wobei außerdem hinsichtlich des Druckabfalls der Aufströmgase in
der perforierten Platte des Bodenteiles des Fließbettes bestimmte Bedingungen eingehalten werden müssen,
um die zur Vermeidung lokaler Überhitzungen erforderliche einheitliche Fluidisierung des Wirbelbettes
zu erzielen.
Die Anwendung perforierter Platten als Anströmboden für die Wirbelschicht ist zwar bekannter Stand
der Technik (Chem.-Ing.-Technik, 1952, S. 82/83), jedoch führt die Anwendung von Lochplatten als Bodenplatten
allein noch nicht zu einer einheitlichen Fluidisierung des Wirbelbettes.
Vorzugsweise geht man bei dem erfindungsgemäßen Verfahren von Ferrosilicium als siliciumhaltigen Ausgansstoff
und Chlor als halogenierendem Gas aus.
Durch das inerte gasförmige Verdünnungsmittel wird das hologenierende Gas verdünnt und die Hef-
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tigkeit der Reaktion herabgesetzt. Der Anteil des kannüich Ferrosilicium gewöhnlich aus ziemlich uninerten gasförmigen Verdünnungsmittels ukann. leicht reinen Rohstoffen gewonnen wird, so daß andere
geregelt werden. Die gleichmäßige Verteilung der Verunreinigungen vorhanden sein können. Diese
Gase, welche auf den vorgeschriebenen Druckabfall Verunreinigungen sind zum großen Teil Metalle oder
an jeder Perforation zurückzuführen ist, stellt sicher, 5 Metallverbindungen·. Diejenigen yöü ihnen,, welche
daß die Regelung gleichmäßig das gesamte Fließbett flüssige und.! nicht flüchtige Verbindungen bilden,
erfaßt. ... ·. -,- ......;. gehören meist den Gruppen der Alkali- und Erd-
Eine bevorzugte Möglichkeit, um das inerte gas- alkalimetalle. an,vinsbesondere sind es Calcium und
förmige Verdünnungsmittel in das Fließbett; einzu- in geringervem;>Au.sniaß auch Magnesium. Wenn diese
bringen, besteht darjn,. das, Verdünnungsmittel mit io Stoffe in wesentlichen Mengen auftreten, so kann es
dem halogenierenden Gas vor seiner Einführung in notwendig werden, die obere Grenze des Temperaturdas
Fließbett zu vermischen. Nach einer anderen bereiches herabzusetzen, beispielsweise bei Tempera-Ausführungsform
oder auch zusätzlich kann inertes türen von nicht über 600° C zu arbeiten, um Schmelzgasförmiges
Verdünnungsmittel getrennt, von. dem vorgänge, zu unterbinden. Gerade in diesen Fällen, ist
halogenierenden Gas eingeführt werden. Außerdem 15 die Erfindung von besonderem Vorteil, da sie eine
können feste oder flüssige Zusätze beigegeben wer- exakte Regelung der Fließbettemperatar erlaubt und
den, welche sich verflüchtigen und so zusätzliches damit die-Verwendung solcher unreiner. Metalle. ;erinertes
gasförmiges Verdünnungsmittel bilden. Die leichtert.- .--. . ■, .■ -.=.■. -. ,- *,..·
Einführung kann an beliebiger Stelle im Bett erfol- [,,-Häufig kommt es.ry.0r,.daß,jdie. angewandten-Rohgen.
Insbesondere ist auch eine Einführung an der 20 stoffe Verunreinigungen enthalten, welche nicht oder
Oberfläche des Bettes möglich. Durch die Einführung bei den in Frage kommenden oder bevorzugten, Tem-·
des flüssigen oder festen Zusatzes kann wenigstens peraturen nur schwer halogeniert werden können, Jn
zum Teil eine Kühlung des Bettes bewirkt werden. dem Bett treten deshalb insbesondere dann* wenn es
Als inertes" gasförmiges Verdünnungsmittel kann unter, praktischen>und ^wirtschaftlichen Bedingungen
jedes Gas benutzt werden, welches während seines 25 arbeitet, Ansammlungen von Verunreinigungen aufj
Durchgangs durch das Bett unverändert bleibt. Es welche, ails dem Bett .nicht in Gasform oder in Fprm
muß natürlich seinen Siedepunkt unterhalb der Fließ- feinen. Staubes ausgetragen werden. Es kann- daher
bettemperatur haben, vorzugsweise sollte sein Siede- der Anteil des Siliciums in dem Bett abnehmen und,
punkt zwischen 20 und 40Q° C liegen. Die Rückge- obwohl das Verfahr en, in; der Regel in kontinuier-
winnung. des Verdünnungsmittels aus den Abgasen 30 lichem Betrieb angewendet wird, auch sich die Not-
des Fließbetts wird erleichtert, ,wenn das Verdün- wendigkeit einer intermittierenden Reinigung des
nungsmittel seinen Siedepunkt oberhalb 200C hat. Bettes ergeben. Vorzugsweise,reinigt man das Bett
Natürlich sollte das Verdünnungsmittel vor der Ein- periodisch. Man kann aber auch. anders ,vorgehen,
führung relativ kühl sein. . ..... etwa die Temperatur.des Bettes ,zeitweise zu erhöhen,
Das inerte gasförmige Verdünnungsmittel ist 35 um die yorhandenen Verunreinigungen zu halogeniezweckmäßig
ein Halogenid eines Metalls oder eines ren oder zu verflüchtigen. Wenn das Rohmaterial
Metalloids, obwohl..auch mit anderen Gasen eine Ferrosilicium ist, so wird vorzugsweise das Silicium
Verdünnung bewirkt werden kann, etwa mit Stick- halogeniert, und das Eisen sammelt sich in dem B.ett
stoff oder Kohlenmonoxyd. Bevorzugte Verdün- an,. Das Eisen kann anschließend halogeniert und sonungsmittel
sind das Tetrachlorid, Tetrabromid und 40 mit entfernt werden. Indes ist gin: solches Verfahren
Tetrajodid des Siliciums. Im. allgemeinen empfiehlt nicht immer erwünscht, da "es einen ,unnötigen Ver7
es sich, das dem jeweiligen halogenierenden Gas ent- brauch des Halogens mit sich bringt. Neben den Stofsprechende
Halogenid einzusetzen, da dieses keine fen, die nicht halogeniert werden können und denen,
zusätzlichen Verunreinigungen in die Abgase ein- die im Anschluß an die Halogenierung,, nicht verbringt.
Wenn das halpgenierende Gas Chlor ist ader 45 flüchtigt werden können, kann man also bei der Rei-CMor
enthält, so. empfiehlt es- sich,, als. inertes, gasf or- nigung.auch diejenigen Stoffe entfernen., .die zwar
miges Verdünnungsmittel Siliciumtetrachlorid zu ver- halogeniert werden können, die man aber nicht in
wenden. halogenierter Form.haben will.. . ,.
Ein Teil des aus dem Bett kommenden Silicium- . . . Beisoiel'l *'"'"
tetrahalogenids kann.nach.vorangegangener Kühlung 50 .. " .
zurückgeleitet werden, um das. neu- zugeführte HaIq- In ein Quarzrohr von 90 cm Länge und 5 cm genierungsgas zu verdünnen,, ,Dadurch ,wird das Ge- Durchmesser wurde ein Bett von Ferrosüiciumteilsamtverfahren wirtschaftlicher,, sobald es ^einmal, euiT chen eingebracht, deren Durchmesser in der Größen? geleitet ist und dasjenige Stadium erreicht ist, in dem Ordnung 251 bis 500 μ lag. Das Bett von F.eriqgenugendSuiciumtetfachlorid, aus dem Fließbett aus- 55 siliciumteüehen wog 323 g und enthielt 92 GewichtsT tritt, um den Bedarf, an Verdünnungsmittel zu dek- prozent Silicium. Die statische Höhe des Bettes.-haken. Das Siliciumtetrahalogenid kann zusammen mit trug 12,5 cm. Ein Stickstoff strom wurde durch das etwaigem Halpgenierungsgas, welches nicht reagiert Bett bei einer Geschwindigkeit von 31 pro Minute
tetrahalogenids kann.nach.vorangegangener Kühlung 50 .. " .
zurückgeleitet werden, um das. neu- zugeführte HaIq- In ein Quarzrohr von 90 cm Länge und 5 cm genierungsgas zu verdünnen,, ,Dadurch ,wird das Ge- Durchmesser wurde ein Bett von Ferrosüiciumteilsamtverfahren wirtschaftlicher,, sobald es ^einmal, euiT chen eingebracht, deren Durchmesser in der Größen? geleitet ist und dasjenige Stadium erreicht ist, in dem Ordnung 251 bis 500 μ lag. Das Bett von F.eriqgenugendSuiciumtetfachlorid, aus dem Fließbett aus- 55 siliciumteüehen wog 323 g und enthielt 92 GewichtsT tritt, um den Bedarf, an Verdünnungsmittel zu dek- prozent Silicium. Die statische Höhe des Bettes.-haken. Das Siliciumtetrahalogenid kann zusammen mit trug 12,5 cm. Ein Stickstoff strom wurde durch das etwaigem Halpgenierungsgas, welches nicht reagiert Bett bei einer Geschwindigkeit von 31 pro Minute
hat, zurückgeleitet werden. nach oben geführt. Die Temperatur des Bettes würde
• Das inerte gasförmige Verdünnungsmittel kann zu- 60 durch äußere Erhitzung auf 600° C erhöht. ,
rückgeleitet werden, entweder nach Trennung von Flüssiges SUiciumtetrachlorid wurde in einer
den übrigen Abgasen oder im Gemisch mit etwas Menge von 35 ml pro Minute in einen Verdampfer
Siliciumtetrahalogenid als zusätzlichem Verdünnungs- eingeleitet, dort auf 2000C erhitzt und verdampft,
mittel und/oder im .Gemisch mit etwaigem nicht rea- Der Silioiumtetrachloridstrom wurde durch dasBett
giertem Halpgenierungsgas. . 65 nach oben geleitet. Unmittelbar anschließend wurde
Wenn das Rohmaterial Ferrosilicium ist, so enthält die äußere Erhitzung des Bettes abgestellt und der
es im allgemeinen 30 bis 95 Gewichtsprozent Silicium. Stickstoffstrom durch einen Chlorstrom ersetzt, der
Der Rest besteht im wesentlichen.;aus Eisen, da be^· in einer Menge von 31 pro Minute zugeleitet wurde.
Claims (5)
- Durch einen Trichter wurden auf die Oberfläche des stieg jedoch wieder stetig an, nachdem die Einfüh-Fließbettes FerrosUiciumteilchen in einer Menge von rung der beiden Gase begonnen hatte, und erreichte2-g pro Minute gegeben, so daß die Ferrosilicium- nach einer Stunde 620° C. Sodann wurde die Tempe-menge in dem Bett konstant gehalten wurde. Die Ab- ratur in einem Bereich von 610 bis 630° G konstantgase des Bettes wurden einem Kondensator zugeleitet 5 gehalten. Die Regelung -erfolgte durch geringfügigeund darin das Siliciumtetrachlorid kondensiert; Ein Änderungen der Siliciumtetrachloridzuführung. DasTeil des kondensierten Siliciumtetrachlorids wurde Verfahren wurde während 47 Stunden kontinuierlichnach dem Verdampfer zurückgeleitet. fortgesetzt. Während dieser Zeit wurden pro· StandeWährend des Verfahrens stieg die Temperatur zu- 1,8 kg Ferrosilicium zugeführt. Während des gesam-nächst stetig auf 84O0C an. Sie wurde dann während io ten Verfahrens' war die Chlorausnutzung größer als90 Minuten auf dieser Temperatur bei Abweichun- 95 0Zo. Die Abgase des Verfahrens, welche im wesent-gen von + oder -4O0C gehalten, und zwar im we- liehen aus dem eingeführten Siliciumtetrachlorid undsentlichen gleichmäßig im ganzen Bett. dem durch die Chlorierung entstandenen Silicium-Der Druckabfall im Wirbelbett war etwa 2 cm tetrachlorid zusammengesetzt waren, wurden einemQuecksilbersäule, der Druckabfall in der Bodenplatte 15 Kühlsystem zugeführt und kondensiert. Nach Beseiti-(poröse gesinterte Quarzplatte) war etwa 3 cm gung der in den Gasen suspendierten Festteile wurdeQuecksilbersäule. Der Druckabfall in jeder Perforie- das Siliciumtetrachlorid wieder in das Reaktionsgefäßrung beträgt also etwa 3 cm Quecksilbersäule. zurückgeleitet. Der Druckabfall im Wirbelbett ist. . etwa 0,034 atm und der Druckabfall in jeder Vertei-b e 1 s ρ 1 e 1 2 20 leröffnung etwa 0,34 atm.Das Verfahren von Beispiel 1 wurde in einem . .Fließbett, bestehend aus Siliciumkarbid mit einer .Beispiel 4Teilchengröße von 211 bis 422 μ wiederholt. Die Es wurde ein 60 cm hohes statisches Bett ausChlor- und die Siliciumtetrachlorideinführung betru- Ferrosiliciumteilchen der Größenordnung 178 bisgen 41 bzw. 30 ml pro Minute. Die Siliciumkarbid- 25 699 μ in einem isolierten Schachtofen von 25 cmteilchen wurden dem Bett in einer Menge von 3,4 g Innendurchmesser und 2,40 m Höhe aufgebaut. Daspro Minute zugeführt. Ferrosiliciumbett, welches 92 Gewichtsprozent SiIi-Die Abgase des Fließbettes wurden durch einen cium enthielt, wurde mit Luft, welche durch eine perKondensator geleitet, in welchem Siliciumtetrachlorid forierte Bodenplatte aus feuerfestem Material zugekondensiert wurde. Ein Teil des gewonnenen SiIi- 30 führt wurde, in Fließzustand versetzt. Gleichzeitig ciumtetrachlorids wurde in den Verdampfer zurück- wurde durch einen Gasbrenner eine Erhitzung auf geleitet nach vorhergehender Beseitigung der darin eine Temperatur von 600° C vorgenommen. Der Gassuspendierten Feststoffteile. brenner wurde sodann abgestellt und der LuftstromDas Verfahren wurde 120 Minuten lang bei einer durch einen gemischten Strom von Siliciumtetrachlo-Chlorausnutzung von 950Io durchgeführt. Während 35 riddampf und Chlor ersetzt, der auf 100° C erhitztdieser Zeit war die durchschnittliche Fließbettempe- war. In diesem Strom war Siliciumtetrachlorid inratur 1050° C bei Schwankungen zwischen 1030 und einer Durchsatzmenge von 45 kg pro Stunde und1070° C. Die Temperatur war durch das gesamte Chlor in einer Durchsatzmenge von 12 kg pro StundeFließbett während des Verfahrens annähernd gleich- enthalten. Außerdem wurde flüssiges Siliciumtetra-mäßig. Der Druckabfall im Wirbelbett war etwa 40 chlorid in einer Menge von 52 kg pro Stunde in das2,5 cm Quecksilbersäule, der Druckabfall in der aus Bett durch zwei Rohre eingeführt, welche durch dieeiner gesinterten porösen Quarzplatte bestehenden Seitenwände des Reaktionsgefäßes in einer Höhe vonBodenplatte war etwa 3 cm Quecksilbersäule. Der 7,5 bzw. 22,5 cm über der Verteilerplatte geführtDruckabfall in jeder Perforierung ist also etwa 3 cm waren.Quecksilbersäule. 45 Unter diesen Bedingungen stellt sich die TemperarBeispiel3 tur au^ emen Durchschnittswert von 530° C ein undblieb innerhalb des Bereiches von 520 bis 54O0CEin statisches Bett von 50 cm Höhe, bestehend aus während 32stündigem, kontinuierlichem Betrieb.Ferrosiliciumteilchen mit einem Durchmesser von Während des gesamten Verfahrens betrug die Chlor-152 bis 699 μ, wurde in ein wassergekühltes Reak- 50 ausnutzung mehr als 95°/o. Dem Bett wurde konti-tionsgefäß aus Stahl mit einem Innendurchmesser von nuierlich Ferrosilicium in Teilchenform zugeführt,25 cm und einer Länge von 1,80 m gebracht. Das Re- und zwar in einer Menge von 2,2 kg pro Stunde. Deraktionsgefäß war mit einer 2,5 cm dicken Schicht von Druckabfall in der Wirbelschicht ist 0,048 atm und infeuerfestem Beton ausgekleidet. den Verteileröffnungen etwa 0,34 atm.Das Ferrosiliciumbett, welches 92 Gewichtsprozent 55Silicium enthielt, wurde mit Luft in Fließzustand ver- Patentansprüche:
setzt. Die Luft wurde durch eine perforierte keramische Grundplatte eingeführt und durch einen Gas- 1. Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrabrenner auf eine Temperatur von 650° C gebracht. halogenid durch Umsetzung von festen silicium-Der Gassbrenner wurde sodann abgestellt, und der 60 haltigen Stoffen mit einem Halogenierungsgas in Luftstrom wurde durch verdampftes Siliciumtetra- Gegenwart von Inertgas bei erhöhten Temperatuchlorid ersetzt, welches auf 1000C eingestellt war. ren, dadurch gekennzeichnet, daß die Das Siliciumtetrachlorid wurde in einer Menge von Umsetzung in einer Wirbelschicht bei 400 bis 50 kg pro Stunde mit Chlorgas vermischt und letzte- 1200° C unter Zumischung von 40 bis 90% Inertres in einer Menge von 8 kg pro Stunde zugeführt. 65 gas zum Halogenierungsgas erfolgt und die GaseUnter diesen Bedingungen fiel die Bettemperatur durch eine perforierte Platte im Bodenteil derauf 510° C ab, bevor das Siliciumtetrachlorid und das Wirbelschicht eingeführt werden, wobei derChlor in das Bett eingeführt wurden. Die Temperatur Druckabfall in jeder Perforierung der Bodenplattewenigstens die Hälfte des Druckabfalls in der Wirbelschicht beträgt. - 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das inerte gasförmige Verdünnungsmittel mit dem Halogenierungsgas vor der Einführung in das Bett vermischt wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß als siliciumhaltiges Material Ferrosüicium verwendet wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als inertes gasförmiges Ver-dünnungsmittel das Halogenid eines Metalls oder eines Metalloids verwendet wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als inertes gasförmiges Verdünnungsmittel Süiciumtetrachlorid verwendet wird.In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschrift Nr. 2621111; Chem.-Ing.-Technik, 24. Jahrgang, 1952, Nr. 2, S. 82, 83.609 580/357 6.66 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB573/61A GB963745A (en) | 1961-01-05 | 1961-01-05 | Halogenation of silicon-containing materials |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1219454B true DE1219454B (de) | 1966-06-23 |
Family
ID=9706755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEB65425A Pending DE1219454B (de) | 1961-01-05 | 1962-01-05 | Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrahalogenid |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3188178A (de) |
DE (1) | DE1219454B (de) |
GB (1) | GB963745A (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2159475A1 (de) * | 1971-12-01 | 1973-06-07 | Kronos Titan Gmbh | Verfahren zur herstellung von siliciumtetrachlorid oder eines gemisches von siliciumtetrachlorid mit einem oder mehreren anderen metallchloriden |
DE2630542A1 (de) * | 1976-07-07 | 1978-01-12 | Dynamit Nobel Ag | Verfahren zur herstellung von trichlorsilan und siliciumtetrachlorid |
DE3828344C1 (de) * | 1988-08-20 | 1989-07-06 | Huels Ag, 4370 Marl, De |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE792542A (fr) * | 1971-12-11 | 1973-03-30 | Degussa | Procede pour la fabrication de chlorosilanes exempts de metaux lors de la chloration ou l'hydrochloration de ferrosilicium |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2621111A (en) * | 1947-08-11 | 1952-12-09 | Honorary Advisory Council Sci | Production of silicon chlorides |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2843458A (en) * | 1955-10-20 | 1958-07-15 | Cabot Godfrey L Inc | Process for producing silicon tetrachloride |
US2982620A (en) * | 1956-09-07 | 1961-05-02 | Cabot Corp | Process for producing silicon tetrachloride |
US2942950A (en) * | 1956-12-28 | 1960-06-28 | Monsanto Chemicals | Process for the production of silicon tetrachloride |
-
1961
- 1961-01-05 GB GB573/61A patent/GB963745A/en not_active Expired
- 1961-12-26 US US162241A patent/US3188178A/en not_active Expired - Lifetime
-
1962
- 1962-01-05 DE DEB65425A patent/DE1219454B/de active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB963745A (en) | 1964-07-15 |
US3188178A (en) | 1965-06-08 |
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