DE1214509B - Vorrichtung zum elektrolytischen AEtzen von Halbleiterbauelementen - Google Patents

Vorrichtung zum elektrolytischen AEtzen von Halbleiterbauelementen

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DE1214509B
DE1214509B DEV25170A DEV0025170A DE1214509B DE 1214509 B DE1214509 B DE 1214509B DE V25170 A DEV25170 A DE V25170A DE V0025170 A DEV0025170 A DE V0025170A DE 1214509 B DE1214509 B DE 1214509B
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Germany
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tongues
contact
plastic plate
semiconductor components
electrolytic etching
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DEV25170A
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English (en)
Inventor
Dipl-Ing Guenter Lichtenhahn
Allhard Haehnig
Dipl-Chem Johanna Lenski
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Elektromat VEB
Original Assignee
Elektromat VEB
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3063Electrolytic etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25FPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02Etching
    • C25F3/12Etching of semiconducting materials

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Description

  • Vorrichtung zum elektrolytischen Ätzen von Halbleiterbauelementen Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum gleichzeitigen elektrolytischen Ätzen einer größeren Anzahl von Halbleiterbauelementen.
  • Es ist bekannt, daß beim elektrolytischen Ätzen von Halbleiterbauelementen die einzelnen Halbleiterbauelemente mit einer Ätzkammer, die mit Kontaktspitzen versehen ist, erfaßt und in die Elektrolytflüssigkeit getaucht, geätzt und nachbehandelt werden. Dabei wird nur immer ein Halbleiterbauelement geätzt, so daß dieses Verfahren sehr zeitraubend ist und demzufolge bei einer automatischen Fertigung von Halbleiterbauelementen keine Anwendung finden kann.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zu entwickeln, die es gestattet, eine große Anzahl von Halbleiterbauelementen gleichzeitig zu ätzen.
  • Erfindungsgemäß wird die, Aufgabe dadurch gelöst, daß eine Kunststoffplatte in mindestens zwei Drittel ihrer Höhe in schmale, elastische Zungen, ähnlich eines Kammes mit breiten Zähnen, aufgeteilt ist und mit ihrem nicht geteilten Kopfstück durch eine Abstandsleiste mit einer zweiten Kunststoffplatte, die die gleiche Anzahl Zungen, die Kontaktzungen, aufweist, so zu einer Halterung verbunden ist, daß sich die Zungen der ersten Kunststoffplatte und die Kontaktzungen der zweiten Kunststoffplatte gegenüberstehen, und daß in die Kontaktzungen eingebettete, elektrisch leitende Drähte an der inneren unteren Wandung der Kontaktzungen angeordnete Kontakte mit am Kopfende jeder Kontaktzunge befindlichen. Widerständen verbinden.
  • An Hand eines Ausführungsbeispieles und einer Zeichnung soll die Vorrichtung näher erläutert werden. Dabei zeigt F i g. 1 eine Halterung im Schnitt A-A nach F i g. 2 mit eingeschobenem Transistorenkamm, F i g. 2 eine Halterungsreihe in Vorderansicht, F i g. 3 einen Transistorenkamm, F i g. 4 eine Vorr ' ichtung im Ätzbad.
  • Die rechteckigen Kunststoffplatten 1; 5 sind zwei Drittel der Höhe in schmale Zungen 2 bzw. Kontaktzungen 6 aufgeteilt. Die massiven Teile der Kunststoffplatten 1; 5 werden mit einer Abstandsleiste 4 so verbunden, daß sich die Zungen 2 der einen Kunststoffplatte 1 und die Kontaktzungen 6 der anderen Kunststoffplatte 5 gegenüberstehen. Die Abstandsleiste 4 kann zur Unterstützung der Federkraft der Zungen keilförmig ausgebildet sein. Anden Zungen 2 sind kleine Anschlagleisten 3 sowie zur Verstärkung des Zungenendes die Auflagefläche 10 angeordnet. In den Kontaktzungen 6 sind elektrisch leitende Drähte 7 eingebettet, die einerseits mit am Zungenende angeordneten Kontakten 8 und andererseits mit Widerständen 9 am Kopfende der Kontaktzungen 6 in Verbindung stehen. Wird ein Transistorenk 17 mit dem Basisblech 11 bis zur Anschlagleiste 3 zwischen die Zungen geschoben, muß der Kontakt 8 auf die Mitte der Emitter-Kollektor-Perle 12, 13 drücken. Demnach ist jede Emitter-Kollektor-Perle mit einem Widerstand 9 verbunden. Dadurch ist es möglich, eine Vielzahl von Transistoren gleichzeitig zu ätzen.
  • Die Vorrichtung ist aus einem elektrisch nichtleitenden, säurefesten Kunststoff gefertigt.
  • Die Federkraft der Zungen gewährleistet einen sicheren Kontakt. Der Kontakt besteht aus einem vom Elektrolyten schwer angreifbaren Material.
  • Die Vorrichtung wird in das Ätzbad getaucht, bis der Transistorenkamm vom Elektrolyten 18 überspült wird. über dem Boden des Ätzbades ist die Kathode 19 angeordnet.

Claims (2)

  1. Patentansprüche: 1. Vorrichtung zum gleichzeitigen elektrolytischen Ätzen einer größeren Anzahl von Halbleiterbauelementen, bestehend aus einem elektrisch nichtleitenden ' säurefesten Kunststoff, d a - durch gekennzeichnet, daß eine Kunststoffplatte(1) in mindestens zwei Drittel ihrer Höhe in schmale, elastische Zungen(2), ähnlich eines Kammes mit breiten Zähnen, aufgeteilt ist und mit ihrem nicht geteilten Kopfstück durch eine Abstandsleiste(4) mit einer zweiten Kunststoffplatte (5), die die gleiche Anzahl Zungen, die Kontaktzungen (6), aufweist, so zu einer Halterung (15) verbunden ist, daß die Zungen (2) der ersten Kunststoffplatte (1) den Kontaktzungen (6) der zweiten Kunststoffplatte (5) gegenüberstehen, und daß in den Kontaktzungen (6) eingebettete elektrisch leitende Drähte (7) an der inneren unteren Wandung der Kontaktzungen (6) angeordnete Kontakte (8) mit am Kopfende jeder Kontaktzunge (6) befindlichen Widerständen (9) verbinden. 2. Vorrichtung nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß an der Innenseite der Zungen (.
  2. 2) Anschläge (3) angeordnet sind.
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