DE1212640B - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem durch Waermebehandeln zusammengefuegten Halbleiterkoerper - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem durch Waermebehandeln zusammengefuegten Halbleiterkoerper

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0232935A1 (en) * 1986-01-30 1987-08-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a semiconductor device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE500302A (enrdf_load_stackoverflow) * 1949-11-30
DE814487C (de) * 1948-06-26 1951-09-24 Western Electric Co Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie
DE868354C (de) * 1951-06-20 1953-02-23 Telefunken Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleitern fuer Dioden oder Verstaerker
DE881973C (de) * 1951-09-03 1953-05-21 Licentia Gmbh Verfahren zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE814487C (de) * 1948-06-26 1951-09-24 Western Electric Co Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie
BE500302A (enrdf_load_stackoverflow) * 1949-11-30
DE868354C (de) * 1951-06-20 1953-02-23 Telefunken Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleitern fuer Dioden oder Verstaerker
DE881973C (de) * 1951-09-03 1953-05-21 Licentia Gmbh Verfahren zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0232935A1 (en) * 1986-01-30 1987-08-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a semiconductor device

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