DE2709628A1 - Verfahren zum herstellen von halbleitern - Google Patents
Verfahren zum herstellen von halbleiternInfo
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Description
6000 Fronkfurt/Main 1 4. Mär ζ 1977
Telefon (0611) 235555
Bankkonto: 225/0389
MI98-RD-8525
GENERAL ELECTRIC COMPANY
1 River Road SCHENECTADY, N.Y./U.S.A.
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERN
709837/0815
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von p-n-Übergang-Isolationsgittern für Halbleiterelemente.
In dem Buch "Zone Melting" von W.G. Pfann, erschienen im Verlag
John Wiley and Sons, Inc., New York (1966) ist ein Verfahren mit einem wandernden Lösungsmittel beschrieben, um in einem
Halbleiterkörper einen p-n-übergang herzustellen. Bei diesem Verfahren werden entweder Folien oder Drähte aus einer geeigneten
metallischen Flüssigkeit mit einem thermischen Gradienten durch ein festes Halbleitermaterial bewegt. Hinter dem sich bewegenden
flüssigen Draht bleibt dotiertes flüssig-epitaxiales Material zurück. Dieses thermische Zonenschmelzverfahren sowie
die damit erzielbaren Ergebnisse sind auch in den US-PS 2 739 O88 und 2 813 048 beschrieben. Bis vor kurzem wurde dieses Verfahren
des Zonenschmelzens mit einem Temperaturgradienten in einem Versuch
eingesetzt, um verschiedene Halbleiterelemente herzustellen.
In der US-PS 3 904 442 sind neue Verfahrenstechniken beschrieben,
die es gestatten, das Verfahren von Pfann kommerziell anzuwenden. Aufgrund der in der zuletzt genannten US-PS beschriebenen
Verbesserungen kann man eine Scheibe aus Halbleitermaterial in viele elektrisch isolierte Regionen unterteilen, in
denen elektrische Elemente hergestellt sind. Eine weitere Bearbeitung führt zu einzelnen Elementen, wenn die Scheiben in einzelne
Elemente zerschnitten oder zerteilt werden.
Es hat sich jedoch gezeigt, daß beim Erhitzen der auf den Halbleiterkörper
aufgebrachten Metallschichten oder Drähte das Metall schmilzt und beginnt, sich mit dem Halbleitermaterial zu legieren.
Dieses Schmelzen ist mit einem Zusammenballen des Metalles verbunden, das zur Ausbildung von Diskontinuitäten in den beim Bewegen
der Metalldrähte erzeugten dotierten Bereichen führt und
zwar insbesondere an den Stellen, wo siph diese dotierten Regionen
schneiden. An diesen Stellen mit Diskontinuitäten bzw. Unterbrechungen sind die einzelnen Regionen dann nicht elektrisch
voneinander isoliert.
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Es war daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein neues und verbessertes Verfahren zum Ausführen des Zonenschmelzens
mit thermischem Gradienten zu schaffen, mit dem elektrische Isolationsgitter erzeugt werden können, welche die Nachteile
des Standes der Technik nicht aufweisen.
Diese Aufgabe wird gemäß der vorliegenden Erfindung dadurch gelöst,
daß als erste Verfahrensstufe ein Körper aus einkristallinem Halbleitermaterial ausgewählt wird, der eine bevorzugte kristallographische
Struktur aufweist, weiter zwei gegenüberliegende Hauptoberflächen, welche die obere und die untere Oberfläche des
Körpers bilden, wobei der Körper weiter einen ersten vorbestimmten
Leitfähigkeitstyp und einen vorbestimmten spezifischen Widerstand hat. Mindestens die obere Oberfläche des Körpers weist
line bevorzugte planare Orientierung auf. Der Körper hat auch eine Vertikalachse, die im wesentlichen mit einer ersten Achse
der Kristallstruktur ausgerichtet'ist, wobei diese beiden Achsen
im wesentlichen senkrecht zu der oberen Oberfläche verlaufen. Eine Schicht aus Maskierungsmaterial, z. B. aus Siliciumoxid,
Siliciumnitrid, Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid kann vorzugsweise auf die obere Oberfläche des Körpers aufgebracht
werden. Vorzugsweise durch selektives chemisches Ätzen werden Fenster in der Schicht aus Markierungsmaterial geöffnet, um das
Material einer vorbestimmten Dicke freizulegen, wenn solches in jedem der Fenster und auf dem freiglelegten Oberflächenteil des
Körpers aufgebracht ist. Dieses aufgebrachte Material wird dann mit dem Material der oberen Oberfläche des Körpers entweder
separat oder während eines kontinuierlichen Verfahrensbetriebes legiert. Der Körper und das daran legierte Metall werden dann
bis zu einer vorbestimmten Temperatur erhitzt, die ausreicht eine Schmelze aus metallreichem Halbleitermaterial in den Fenstern
zu bilden. Ein Temperaturgradient wird im wesentlichen parallel mit der Vertikalachse des Körpers und der ersten Achse
der Kristallstruktur eingerichtet. Die Oberfläche, auf der die Schmelze gebildet wird, hält man bei der tieferen Temperatur.
Danach wird die Schmelze aus metallreichem Halbleitermaterial
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als geschmolzene Zone durch den festen Körper aus Halbleitermaterial
bewegt. Die Bewegung der Schmelze kann durch den ganzen Körper oder für eine vorbestimmte Tiefe in den Körper erfolgen.
Durch die Bewegung der Schmelze wird eine Region aus rekristallisiertem Halbleitermaterial des Körpers gebildet, das in fester
Löslichkeit das aufgebrachte Metall enthält. Die so hergestellte Region hat eine im wesentlichen gleichmäßige lieite und einen
im wesentlichen gleichförmigen spezifischen Widerstand durch die gesamte Region. Ein entstandener p-n-übergang ist im wesentlichen
ein Stufenübergang, doch kann dieser Übergang durch eine thermische Nachbehandlung weniger steil gestaltet werden. Nachfolgend
wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Im einzelnen zeigen:
Figur 1 eine Planaransicht eines geometrischen Musters nach dem Stand der Technik,
Figur 2 eine Planaransicht eines geometrischen Musters, das das verbesserte Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung
verkörpert,
Figur 3 eine Seitenansicht irn Schnitt der geometrischen Anordnung
nach Figur 2 entlang der Schnittebene 3 - 3,
Figur 4 die morphologische Gestalt von Drähten, die stabil in <111>
-Richtung bewegt werden können, und
Figuren 5, 6, 7 und 8 Seitenansichten im Schnitt, die die Behandlung
des Körpers der Figur 3 veranschaulichen.
Tn Figur 1 ist die geometrische Konfiguration 10 gezeigt, die
in einer Scheibe 12 aus einkristallinem Halbleitermaterial nachjdem
in der US-PS 3 904 442 beschriebenen Zonenschmelzverfahren unter
Anwendung eines thermischen Gradienten erhalten wurde. Um die Konfiguration 10 herzustellen, sind zwei oder drei nacheinander
auszuführende Zonenschmelzverfahren mit thermischem Gradienten
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4*
erforderlich. Dies wird bewerkstelligt, indem man bevorzugte "Drahf'-Richtungen und eine planare (lll)-Orientierung für die
Hauptoberfläche der Scheibe aus Halbleitermaterial benutzt. Das Ergebnis sind drei Gruppen im Abstand voneinander verlaufender
Planarregionen I1I,* 16 und 18 eines Leitfähigkeitstyps, der dem
Leitfähigkeitstyp der Scheibe 12 entgegengesetzt ist. Die p-n-
die
Übergänge 20, 22 und 24 werden durch 7 aneinanderstoßenden Oberflächen
des Materials mit entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp des Körpers oder der Scheibe 12 und der jeweiligen Planarregionen
14, 16 und 18 gebildet. Die Planarregionen 1*1, 16 und
sind in einem vorbestimmten Winkel zueinander orientiert, so daß nach der Bewegung eine erste Gruppe hexagonaler Regionen
und eine zweite Gruppe dreieckiger Regionen 28 gebildet ist. Die Regionen 26 und 28 sind elektrisch voneinander und von den
jeweils benachbarten Regionen 26 oder 28 durch die Regionen 14, 16 und 18 isoliert. Die Regionen 28 repräsentieren das verlorene
Halbleitermaterial, da sie beim Zertrennen der Scheibe 12 in einzelne Elemente oder Chips als Abfall anfallen, während das
funktionelle Halbleiterelement in der Region 26 hergestellt ist.
Die Regionen 28 resultieren aus zwei Paktoren bei der kommerziellen
Verarbeitung der Scheibe 12. Zum einen konnten vor der vorliegenden Erfindung die Regionen 14, 16 und 18 nicht
gleichzeitig mit einem Zonenschmelzverfahren mit thermischem Gradienten gebildet werden. Man mußte jede Region 14, 16 und
einzeln oder man konnte zwei von ihnen gleichzeitig und dann danach die dritte Region bilden. Es waren daher mindestens zwei
und möglicherweise drei solche Verfahrens stufen erforderlich.
Der Grund hierfür ist in der US-PS 3 904 442 angegeben. Versuchte
man daher die drei Metalldrähte zur Bildung der Regionen 14, l6 und 18 gleichzeitig zu bewegen, dann führte die Oberflächenspannung
in den meisten Fällen beim Beginn der Bildung der zu bewegenden Schmelze zu einem Zusammenballen des Metalles.
von Dieses Zusammenballen führte zur Bildung/Diskontinuitäten in
den Planarregionen 14, 16 und 18, in erster Linie an ihren
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/M
Schnittpunkten und die Gruppen von Regionen 26 und 28 waren dann nach Durchführung des Verfahrens nicht elektrisch voneinander
isoliert. Das Zerteilen der Scheibe in einzelne elektrische Elemente, die in den Regionen 26 gebildet waren, konnte dann dazu
führen, daß die einzelnen Elemente versagten, da die damit verbundenen Teile der Regionen 14, 16 und 18 ebenso wie der Teil
der entsprechenden p-n-übergänge 20, 22 und 24 zum Schutz der
elektrischen Charakteristiken der Elemente erforderlich sind. Außerdem war die Ausrichtung der Masken ein Problem, da die sorglose
Handhabung und die schlechte Ausrichtung der Maske während ri>s Verfahrens einen zu großen Verlust verursachen kann. Obwohl
daher ein Teil des Halbleitermaterials als Abfall abfällt, ist die Orientierung der Regionen wie dargestellt noch immer brauchbar,
wenn man versucht, £ine möglichst hohe Produktausbeute zu
erzielen.
In den Figuren 2 und 3 ist ein geometrisches Muster bzw. eine geometrische Anordnung 50 für elektrische Isolationsregionen
gezeigt, die benutzt werden, eine spezifische Klasse von Halbleiterelementen kommerziell herzustellen. Diese Planaranordnung
50 wird derzeit hauptsächlich dazu benutzt, Körper oder Scheiben 52 aus einkristallinem Halbleitermaterial der Verarbeitung zu
unterwerfen. Das Material der Scheiben oder Körper 52 kann Germanium, Siliciumkarbid, eine Verbindung eines Elementes der Gruppe
limit einem Element der Gruppe VI oder eine Verbindung eines Elementes der Gruppe III mit einem Element der Gruppe V des Periodensystems
der Elemente sein, die vorzugsweise eine kubische Diamant-Kristallstruktur aufweist. Der Körper 52 hat zwei gegenüberliegende
Hauptoberflächen 54 und 56, welche die obere und die
untere Oberfläche des Körpers bilden, sowie eine periphere Seitenoberfläche 58. Zur Beschreibung der vorliegenden Erfindung wird
davon ausgegangen, daß der Körper 52 aus Silicium besteht. Die Dicke des Körpers ist die einer typischen Scheibe von etwa 0,15
bis 0,25 nun oder mehr, je nachdem welches Element oder welche Elemente hergestellt werden sollen.
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Die bevorzugte geometrische Anordnung 50 ist erwünscht, da sie
durch das Zonenschmelzen mit thermischem Gradienten leicht erhältlich ist und eine maximale Ausnutzung des Volumens des Halbleitermaterials
für die Herstellung von Halbleiterelementen gestattet und so zu maximalen Ausbeuten bei der kommerziellen Herstellung
führt.
Die geometrische Anordnung 50 umfaßt drei Gruppen im Abstand
voneinander angeordneter Planarregionen 60, 62 und 64, die sich vollkommen durch den Körper oder die Scheibe 52 erstrecken und
in den gegenüberliegenden Hauptoberflächen des Körpers enden.
Obwohl das Material der Regionen 60, 62 und 64 den gleichen Leitfähigkeitstyp wie das des Körpers 52 haben kann, ist es bevorzugt,
daß der Leitfähigkeitstyp dieser Regionen dem Leitfähigkeitstyp des Materials der Scheibe 52 entgegengesetzt ist. Auf
diese Weise kann man die Regionen 60, 62 und 64 als elektrische Isolationsmittel zum Unterteilen der Scheibe oder des Körpers
in viele Regionen 66 benutzen, die elektrisch voneinander isoliert sind. Planare oder mesaartige elektrische Elemente können hergestellt
werden, bevor man die Wanderung ausführt, die zur Bildung der Region 66 führt oder danach.
Die Anordnung 50 kann man erhalten, indem man ein Zonenschmelzverfahren
mit thermischem Gradienten ausführt, bei dem man Metall-"Drähte"
eines bevorzugten Dickenbereiches anlegiert, um die Einleitung der Bewegung und die Herstellung der Regionen 60,
62 und 64 in einer gleichzeitigen Bewegung zu unterstützen.
Die Scheibe oder der Körper 52 aus einkristallinem Halbleitermaterial,
wie z. B. Silizium, wird hinsichtlich seines Leitfähigkeitstyps und spezifischen Widerstandes ausgewählt. Der
spezifische Widerstand des Materials des Körpers 52 variiert
in Abhängigkeit von der Anforderung an die Durchbruchsspannung des Elementes 68, das in der Region 66 hergestellt werden soll
und der Durchbruchsspannung für die p-n-übergänge der elektrischen Isolationsregionen, die notwendig ist, um die Integrität
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des Elementes 68 sicherzustellen, wenn die Scheibe 52 in einzelne Elemente 68 zerschnitten wird. Der Leitfähigkeitstyp der planaren
Regionen 60, 62 und 64 wird durch den Leitfähigkeitstyp bestimmt,
der für die Regionen 66 und die Scheibe 52 erforderlich ist.
Zusätzlich hat der Körper 52 eine bevorzugte planare kristallographische
Orientierung für mindestens die Oberfläche 54. Die
bevorzugte Orientierung ist die (lll)-Ebene. Es ist in der US-PS 3 904 442 beschrieben, daß die Stabilität der Drähte in
einer (lll)-Ebene für die Oberfläche 547die in einer
<lll ^Richtung durch den Körper 52 zur Oberfläche 56 wandern, im allgemeinen
gegenüber der kristallographischen Richtung des Drahtes nicht empfindlich ist. Diese allgemeine Stabilität von in der
(111)-Ebene liegenden Drähten resultiert aus der Tatsache, daß die (111)-Ebene die Facettenebene für das metallreiche flüssige
Halbleitersystem ist.
Die morphologische Gestalt eines Drahtes in der (lll)-Ebene ist in Figur 4 gezeigt, wobei die obere und die untere Oberfläche
des Drahtes in der (111)-Ebene liegen. Es sind somit sowohl die vordere als auch die rückwärtige Fläche dieser Drähte stabil,
vorausgesetzt das der Draht eine Weite hat, die eine bevorzugte Weite von weniger als 500 um nicht übersteigt.
Die Seitenflächen eines Drahtes, der in der (lll)-Ebene liegt, sind nicht so stabil wie die obere und die untere Oberfläche.
Kanten der Seitenflächen, die in den <1Ϊ0>
^10Ϊ>- und
<011>-Richtungen liegen, haben (lll)-artige Ebenen als
Seitenflächen. Infolgedessen sind diese Drähte stabil gegenüber irgendeiner Seitendrift, die erzeugt werden kann, wenn der
thermische Gradient nicht im wesentlichen entlang der ^1117-Achse
ausgerichtet sein sollte. Andere Richtungen in der (lll)-Ebene, wie z. B. die <112>-artige Drahtrichtung bilden Auszackungen
auf ihren Seitenflächen, wenn sie als Ergebnis eines leicht außerhalb der Achse liegenden thermischen Gradienten seitwärts
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driften. Eventuell zerbricht dann der weiter wandernde Draht vollständig
oder verbiegt sich in eine<110>-artige Richtung. Ein vernünftig
gut ausgerichteter thermischer Gradient gestattet jedoch die thermische Bewegung von in der
<.112>-Richtung liegenden Drähte
mindestens durch Körper aus Halbleitermaterial mit einer Dicke von 1 cm mit dem Zonenschmelzverfahren unter Anwendung des thermischen
Gradienten, ohne daß der Draht zerbricht oder sich Auszackungen an den Kanten des wandernden Drahtes bilden.
Beim Bewegen von flüssigen Drähten durch Körper aus Halbleitermaterial
mit einer (111)-Scheibenebene sind die stabilsten Drahtrichtungen <Ο1Ϊ>,
<1ΟΪ> und <110>.Die Weite jedes dieser Drähte
kann bis zu etwa 500 um betragen und trotzdem Stabilität während
der thermischen Wanderung beibehalten. Ein dreieckiges Gitter mit vielen .Drähten, die in den drei Drahtrichtungen <Όΐϊ),
<Ίθΐ> und
_ fliegen,
<1102tyist durch ein Zonenschmelzen mit thermischem Gradienten durch gleichzeitiges Bewegen der drei Drähte nicht leicht erhältlich. Die Oberflächenspannung der Schmelze des metallreichen Halbleitermaterials am Schnittpunkt der drei Drahtrichtungen ist ausreichend hoch, um die Drahtrichtungen zu unterbrechen und somit eine Unterbrechung in der Gitterstruktur zu erzeugen. Das Gitter wurde daher bisher vorzugsweise durch drei separate thermische Zonenschmelzverfahren hergestellt, wobei man eine Drahtrichtung jeweils zu einer Zeit bewegte.
<1102tyist durch ein Zonenschmelzen mit thermischem Gradienten durch gleichzeitiges Bewegen der drei Drähte nicht leicht erhältlich. Die Oberflächenspannung der Schmelze des metallreichen Halbleitermaterials am Schnittpunkt der drei Drahtrichtungen ist ausreichend hoch, um die Drahtrichtungen zu unterbrechen und somit eine Unterbrechung in der Gitterstruktur zu erzeugen. Das Gitter wurde daher bisher vorzugsweise durch drei separate thermische Zonenschmelzverfahren hergestellt, wobei man eine Drahtrichtung jeweils zu einer Zeit bewegte.
Drähte einer der Richtungen <112> , <211>und <121>
sind weniger stabil als die Drahtrichtungen <0lI>, <10Ϊ
>und <1Ϊ0>während der thermischen Bewegung.doch sind sie stabiler als irgendeiner
Di»ahtrichtung in der (lll)-Ebene. Die Drähte können eine Weite
bis zu 500 um haben und ihre Stabilität während der Wanderung beibehalten.
Es kann auch irgendeine andere Drahtrichtung in der (lll)-Ebene, die bisher noch nicht genannt wurde, durch den Körper des Halbleitermaterials
bewegt werden. Die Drähte dieser übrigen Drahtriohtungen haben jedoch die geringste Stabilität von allen Drahtrichtungen
der (lll)-Ebene bei Anwesenheit eines thermischen
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Gradienten der mit der Achse nicht ausgerichtet ist. Drähte mit einer Weite bis zu etwa 500 um sind für alle Drahtrichtungen in
der (lll)-Ebene während der Wanderung stabil.
Ein senkrechtes p-n-Ubergang-Isolationsgitter, in dem die erzeugten
Regionen im wesentlichen senkrecht zueinander stehen oder irgendeine andere Konfiguration sich schneidender planarer Regionen
aufweisen, kann durch gleichzeitige Bewegung einer der Drahtrichtungen <011^, <.101>und
<110^>und irgendeiner der verbleibenden Drahtrichtungen hergestellt werden. Das Gitter kann
aber auch durch Bewegen jeder Drahtrichtung separat hergestellt werden.
In der folgenden Tabelle sind die stabilen Drahtrichtungen für eine jeweilige planare Ebene zusammen mit den stabilen Drahtgrößen
zusammengefaßt.
Scheiben- Wanderungs stabile Draht stabile Drahtebene richtung richtungen größen
(100) 4.100 > <0117" *" <£100 um
<-011/r *■ ^iIOO um
(110) <110> <110>· * <150 um
(111) Oll> + a)
<10l> < 500 yam
b)
>■ * <
500 yum
c) irgendeine andere Richtung in der (111)-Ebene
Ψ Die Stabilität des wandernden Drahtes ist abhängig von der
Ausrichtung des thermischen Gradienten mit der^l 1007",<110>
oder der <11117-Achse.
+Die Gruppe a ist stabiler als die Gruppe b, die stabiler ist
als die Gruppe ^9837/0815
Beim Bewegen von Drähten ist bei einer planaren Orientierung der Oberfläche 5Ί in der (lll)-Ebene bevorzugt, die Oberfläche 54
zu ätzen, um darin trogartige Vertiefungen zu erzeugen. Die trogartigen Vertiefungen unterstützen die Einleitung des Wanderungsprozesses und verhindern, daß sich die "Drähte" während der Bildung
des metallreichen Halbleitermaterials des Drahtes ausbreiten. Ist eine genaue Weite des Drahtes nicht erforderlich und kann
einige Abweichung darin toleriert werden, dann kann man mit einer Oxidmaske arbeiten. Bei einer solchen Oxidmaske tritt etwas seitliches
Fließen des metallreichen Halbleitermaterials zwischen
Maske und Scheibenoberfläche 54 in der unmittelbaren Nähe des
Fensters in der Maske auf, in dem das Metall angeordnet ist.
Im folgenden wird auf dfe Figuren 5 bis 8 Bezug genommen. Der
Körper oder die Scheibe 52 wird mechanisch poliert und chemisch geätzt, um zerstörte Oberflächenbereiche zu entfernen, und danach
in entionisiertem Wasser gespült und in Luft getrocknet. Danach bringt man eine säurebeständige Maske 68 auf die Oberfläche 54 des
Körpers 52 auf. Vorzugsweise besteht die Maske aus Siliciumoxid, das entweder thermisch aufgewachsen oder aufgedampft worden ist,
wozu die Verfahren bekannt sind. Das Material der Maske 68 kann aber auch Siliciumnitrid, Aluminiumnitrid oder Aluminiumoxid sein.
Unter Anwendung der bekannten photolithographischen Techniken wird eine Schicht 70 aus Photoresist, wie z. B. Kodakmetall-Ätzresist
auf die Oberfläche der Siliciumoxidschicht 68 aufgebracht. Der Resist wird durch Erhitzen auf eine Temperatur auf
800C getrocknet. Eine geeignete Maske der Konfiguration 50 aus
Linien einer vorbestimmten Dicke sowie Drahtrichtungen und Schnittpunkten
an den üblichen Stellen zur Bildung/hexagonalen Anordnung
wird dann auf der Schicht 70 aus Photoresist angeordnet und das Ganze ultraviolettem Licht ausgesetzt. Nach der Belichtung wird
die Schicht 70 aus Photoresist in Xylol gewaschen, um die Fenster 72 in der Photoresistschicht 70 zu öffnen, wo die Linien sein
sollen, damit man anschließend die Siliciumschicht 68, die in den Fenstern freigelegt ist, selektiv ätzen kann. r
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Das selektrive Ätzen der Schicht 68 aus Siliciumoxid erfolgt mit einer gepufferten Fluorwasserstoffsäurelösung (NH.F-HF). Das
Ätzen wird fortgesetzt, bis Fenster Tk in der Siliciumoxidschicht
68 gebildet sind, die den Fenstern 72 in der Photoresistschicht 70 entsprechen, wodurch selektive Teile der Oberfläche
5H des Körpers 52 aus Silicium freigelegt sind. Der so
behandelte Körper wird in entionisiertem Wasser gespült und getrocknet. Der Rest der Photoresistschicht 70 wird durch Eintauchen
in konzentrierte Schwefelsäure bei 18O°C oder durch Eintauchen in eine frisch zubereitete Lösung aus einem Teil Wasserstoffperoxid
und einem Teil konzentrierter Schwefelsäure entfernt.
Das selektive Ätzen der freigelegten Oberflächenbereiche des Körpers 52 erfolgt mit edner gemischten Säurelösung aus 10 VoI.-Teilen
einer 70 Jigen Salpetersäure, 4 Vol.-Teilen 100 itiger
Essigsäure und einem Vol.-Teil 48 Jiger Fluorwasserstoffsäure. Bei einer Temperatur von etwa 20 - 300C ätzt die gemischte Säurelösung
das Silicium des Körpers 52 mit einer Geschwindigkeit von etwa 5 Hin pro Minute selektiv. In die Oberfläche 5Ί des Körpers
52 wird unterhalb dieses Fensters 71* in der Oxidschicht
ein Trog 76 geätzt. Das selektive Ätzen wird fortgeführt, bis die Tiefe des Troges 76 etwa gleich der Weite des Fensters in
der Siliciumoxidschicht 68 ist. Es ist jedoch festgestellt worden,
daß die Tiefe des Troges 76 100 um nicht übersteigen sollte,
da sonst ein Unterschneiden der Siliciumoxidschicht 68 erfolgt.
Dieses Unterschneiden der Siliciumoxidschicht 68 hat eine nachteilige Wirkung auf die Weite dfs durch den Körper 52 zu bewegenden
Drahtes. Ein Ätzen für etwa 5 Minuten bei einer Temperatur von 25°C führt- zu einem Trog 76 mit einer Tiefe von 25 - 30 yam für
ein Fenster mit einer Weite von 10 bis 500 ^ui. Der geätzte Körper
52 wird in destilliertem Wasser gespült und trockengeblasen. Hierfür ist z. B. ein Gas, wie Freon, Argon usw. geeignet.
Der behandelte Körper 52 wird in einer Metallbedampfungskammer
angeordnet. Auf die verbliebenen Teile der Schicht 68 aus Siliciumoxid
und das freigelegte Silicium in den Trögen 76 wird eine
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Schicht 78 aus einem geeigneten Metall aufgebracht. Das Metall in den Trögen 76 bildet die durch den Körper 52 zu bewegenden
Metall "Drähte". Das Metall der Schicht 78 ist entweder im wesentlichen
rein oder mit einem oder mehreren Materialien in geeigneter Weise dotiert, um dem Material des Körpers 52, durch welches
es wandert, einen zweiten und dem des Körpers entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps zu verleihen. Die Dicke der Schicht
78 beträgt mindestens 1 jmf nicht mehr jedoch als in der Größenordnung
von 65OO 8 . Der Grund dafür, daß die Dicke der Metallschicht 65OO A nicht übersteigen sollte, wird weiter unten erläutert.
Ein geeignetes Material für die Metallschicht 78 ist Aluminium, wenn man p-leitende Regionen in η-leitendem Silicium erzeugen
will. Bevor man mit dem Bewegen der Metalldrähte in den Trögen durch den Siliciumkörper 52 beginnt, wird das Überschüssige Metall
der Schicht 78 von der Siliciumoxidschicht 68 auf geeignete Weise, wie durch Abschleifen z. B. mit Karbidpapier von 6OO Grit
entfernt.
Es wurde festgestellt, daß das Aufdampfen der Schicht 78 aus Aluminiummetall bei einem Druck von 1 χ ΙΟ"-3 Torr;nicht jedoch
bei mehr als 5 χ 10~^ Torr erfolgen sollte. Bei einem Druck von
mehr als 3 χ 10*-* Torr wurde nämlich festgestellt, daß das in
den Trögen 76 niedergeschlagene Aluminium nicht in das Silicium eindringt und somit auch nicht durch den Körper 52 wandert. Es
wird angenommen, daß die Aluminiumschicht mit Sauerstoff gesättigt ist und daß dies ein gutes Benetzen der anstoßenden
Siliciumoberflachen verhindert. Die Schmelze aus Aluminium und
Silicium, die für die Wanderung erforderlich ist, wird nicht erhalten, da die Aluminiumatome nicht in die SiIiciumgrenzfläche
eindiffundieren können. In gleicher Weise ist durch Zerstäuben aufgebrachtes Aluminium nicht brauchbar, da auch dann das Aluminium mit Sauerstoff aufgrund des angewandten Verfahrens gesättigt
zu sein scheint. Die bevorzugten Verfahren zum Aufbringen des Siliciums auf den Siliciumkörper 52 sind die mittels des
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Elektronenstrahle3 und ähnliche, bei denen nur wenig, wenn überhaupt
f Sauerstoff im Aluminium eingefangen werden kann.
Vor dem Bewegen des Drahtes wird der behandelte Körper 52 in einem geeigneten Ofen angeordnet und auf eine Temperatur von
mindestens |?72OC erhitzt. Ein Bereich von 572 - 600°C ist geeignet.
Der Körper 52 wird bei dieser Temperatur für eine Dauer von 5 ~ 30 Minuten gehalten, um den Metalldraht mit dem Halbleitermaterial
der trogartigen Vertiefungen zu legieren. Eine bevorzugte Legierungstemperatur ist die von 525 + 5°C für eine
Dauer von mindestens 20 Minuten. Man erreicht dabei das Legieren des Metalles mit dem Halbleitermaterial der Oberfläche,
mit der sich das Metall in Kontakt befindet.
Diese Legierungsstufe ist notwendig, wenn man ein unbeabsichtigtes
Brechen der Scheibe während der Behandlung verhindern will und um zu ermöglichen daß zwei oder mehr sich schneidende Metalldrähte
durch einen Körper aus Halbleitermaterial bewegt werden können. Ohne diese Legierungsstufe und auch ohne die Dickenbeschränkung
für die Metallschicht 78 ist die Tendenz des Metalles zum Zusammenballen und zum Erzeugen eines Bruches in der Scheibe wegen
der unebenen Oberfläche grci genug, um bei der Herstellung ein
ernstliches Froblem zu bilden. Weiter ist nur so viel Metall vorhanden,
daß beim Legieren die aufgrund der Oberflächenspannung und der Kapillarität vorhandenen Kräfte nicht ausreichen in
irgendeinem der flüssigen Drähte Diskontinuitäten zu verursachen. Die entstehenden planaren Regionen werden daher zusammenhängend
sein und die wechselseitig benachbarten Regionen mit n-Leitfähigkeit werden elektrisch voneinander isoliert sein.
Der behandelte Körper 52 wird dann in der Vorrichtung zur Ausführung
des thermischen Bewegens angeordnet, die in der Zeichnung nicht dargestellt ist und die Metalldrähte in den Trögen 76 werden
mittels Zonenschmelzen unter Anwendung eines thermischen Gradienten durch den Körper 52 bewegt. Ein thermischer Gradient
von etwa 50°C pro cm zwischen der unteren Oberfläche 56, welche
die heiße Fläche ist und der Oberfläche 51*, welche die kalte
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- Vf -
Fläche ist, hat sich als geeignet erwiesen für einen Temperaturbereich
von 700 bis 1350oC für den Körper. Das Zonenschmelzen
wird lange genug ausgeführt, um alle Metalldrähte durch den Körper 52 zu bewegen. Bei Aluminiumdrähten mit Dicken von 20 um,
einem thermischen Gradienten von 50°C/cm, einer Temperatur des Körpers von 1100 C, einem Druck von 10 J Torr, ist z. B. eine
Ofenzeit von 5-15 Minuten erforderlich, um die Drähte durch eine Siliciumscheibe 52 zu bewegen, die die Standardscheibendicke
von etwa 0,25 nun hat.
Das allgemeine Konzept des Zonenschmelzens mit einem Temperaturgradienten
sowie der Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens ist nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung. Hinsichtlich
weiterer Einzelheiten zu dem Zonenschmelzverfahren mit Temperaturgradienten
und der Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens wird auf die folgenden US-PS verwiesen: 3 901 736,
3 898 106, 3 902 925 und 3 899 361.
Nach Beendigung des Zonenschmelzens wird das überschüssige Metall der bewegten Metalldrähte von der Oberfläche 56 entfernt
und zwar vorzugsweise durch selektives chemisches Ätzen. Die Oberflächen 51J und 56 werden selektiv geätzt und poliert und der dabei
erhaltene Körper 52 ist in den Figuren 2 und 6 gezeigt.
Das thermische Bewegen der Metalldrähte von den Trögen 76 durch den Körper 52 führt zur Bildung von drei Gruppen im Abstand voneinander
angeordneter Planarregionen 60, 62 und 64, die jede einen zweiten und dem des Körpers 52 entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps
haben. Die Regionen 60, 62 und 64 sind so angeordnet, daß die Konfiguration 50 der Figur 2 entsteht. Jede Region 60,
62 und 64 besteht aus rekri3tallisiertem Material des Körpers 52
und dieses enthält in fester Löslichkeit das Metall in einer Konzentration, die ausreicht/ den erwünschten Leitfähigkeitstyp
und spezifischen Widerstand zu erhalten. Die Konzentration an Verunreinigungsmetall wird durch die Art des durch dfen Körper 52
bewegten Verunreinigungsmetalles, das Halbleitermaterial sowie
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die Temperatur, bei der das Zonenschmelzen mit thermischem Gradienten
ausgeführt wird, bestimmt. Es gibt geeignete graphische Darstellungen, welche die feste Löslichkeit verschiedener Verunreinigungsmetalle
in verschiedenen Halbleitermaterialien zeigen. Im besonderen wird auf das Buch von A.S. Grove "Physics and
Technology of Semiconductor Devices" Seite 45, Figur 3.7 verwiesen, wenn man die erforderliche Temperatur zum Bewegen einer
Schmelze verschiedener Verunreinigungsmetalle durch einen festen Körper aus Silizium bestimmen will.
Die Regionen 6 0, 6 2 und 64 weisen eine im wesentlichen konstante
gleichmäßige Verunreinigungskonzentration durch die gesamte Region hindurch auf, da der Temperaturgradient in dem Körper und
die Abhängigkeit der festen Löslichkeit der Metalle von der Temperatur nicht so groß sind, daß sie die Materialzusammensetzung
merklich beeinflußen. Die Dicke jeder der Regionen 60, 62 und 64
ist im wesentlichen konstant für die gesamte Region. Die periphere Oberfläche jeder der Planarregionen 60, 62 und 64 umfaßt
teilweise die obere Oberfläche 54 und die untere Oberfläche 56.
Außerdem ist der Körper 52 in viele im Abstand voneinander angeordnete
Regionen 66 unterteilt, welche die gleiche oder erste Leitfähigkeitsart haben wie der Körper 52. Die p-n-übergänge 80,
82 und 84 werden durch die aneinanderstoßenden Oberflächen jedes Paares benachbarter Regionen 60 und 66, 62 und 66 sowie 64 und
66 entgegengesetzter Leitfähigkeitsart gebildet. Jeder der p-n-Ubergänge
80,82 und 84 ist sehr abrupt und bildet einen Stufenübergang. Die Dicke jedes der p-n-übergänge 80,82 und 84 beträgt etwa
18 um. Bei einer Behandlungstemperatur von 9000C wird das Profil
jedes Überganges 80, 82 und 84 auf etwa 0,3/Um verringert.
Die Planarregionen 60, 62 und 64 können einen spezifischen Widerstand
aufweisen, der von dem des Körpers 10 verschieden ist. Dies
ein
wird erreicht durch / Zonenschmelzen mit thermischem Gradienten, bei dem das Material der Metallschicht 78 Regionen 60, 62 und rekristallisierten Materials des Körpers 52 bildet, das in fester Löslichkeit das Metall der Schicht 78 enthält und den ge-
wird erreicht durch / Zonenschmelzen mit thermischem Gradienten, bei dem das Material der Metallschicht 78 Regionen 60, 62 und rekristallisierten Materials des Körpers 52 bildet, das in fester Löslichkeit das Metall der Schicht 78 enthält und den ge-
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nannten Regionen des Körpers 52 die gleiche n-Leitfähigkeit, aber einen anderen spezifischen Widerstand verleiht.
Die Konfiguration 50 kann aber auch, wie in Figur 7 veranschaulicht,
durch Bewegen von Metalldrähten 78 gebildet werden, die mit dem Material der ungeätzten Oberflächenteile der Oberfläche
54 legiert sind, mit denen sie sich im Kontakt befinden.
In diesem Falle tritt jedoch ein seitliches Fließen an der Grenzfläche zwischen der Oxidschicht 68 und der Oberfläche 54 in unmittelbarer
Nähe des Fensters 74 ein.
In gleicher Weise kann man das neue Legierungsverfahren zum Bewegen
von Drähten einsetzen, die sich schneiden oder nicht schneiden, um planare Orientierungen der Oberfläche 54 des Körpers oder
der Scheibe 52 in der (100)- und (110)-Ebene zu erhalten. Die jeweiligen stabilen Drahtrichtungen sind in der obigen Tabelle
angegeben. Es ist jedoch darauf hinzuweisen, daß das selektive Ätzen der Oberfläche 54 notwendig ist, wenn man Metalldrähte auf
einer Oberfläche mit einer planaren Kristallorientierung von (110) mit einer <1Ϊ0>-Drahtrichtung bewegen will.
Als eine weitere Ausführungsform der Erfindung können die Regionen
66 auch vom Boden des Körpers oder der Scheibe 52 aus elektrisch isoliert werden. Wie in Figur 8 veranschaulicht, wird
eine Region 90 des gleichen Leitfähigkeitstyps wie dem der Regionen
60, 62 und 64 in geeigneter Weise gebildet, um die erforderliche elektrische Isolation zu schaffen. Die Region 90
kann durch Diffundieren eines geeigneten Dotierungsmittels durch die untere Oberfläche 56 des Körpers 52 erfolgen oder durch
epitaxiales Aufwachsen einer geeigneten Halbleitermaterialschicht, welche die Region 90 bildet und mittels ähnlicher Verfahren.
Durch die benachbarten aneinanderstoßenden Oberflächen der Materialien entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps der jeweiligen
Regionen und der Region 90 wird ein p-n-übergang 92 gebildet. Dieser p-n-übergang 92 ist integral mit den jeweiligen
p-n-übergängen 80 und 82, sowie mit dem p-n-übergang 84 (vgl. Figur 2) und er schafft die elektrische Isolation für jede
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regionale Zelle 66. Die Region 90 kann vor oder nach dem thermischen
Zonenschmelzen gebildet werden.
Obwohl das erfindungsgemäße Verfahren im Hinblick auf die Herstellung
von Planarregionen beschrieben wurde, können durch seine Anwendung auch Regionen anderer geometrischer Konfigurationen
hergestellt werden. So kann man z. B. scheibenartige Metallschichten auf der Oberfläche 51J anordnen. Die Wanderung
einer Schmelze derart gestalteter Schichten führt zu säulenähnlichen Regionen rekristallisierten Halbleitermaterials im
Körper 52. Während man in der Vergangenheit mit Hilfe von Thermokompressionsverbinden
und ähnlichen Verfahren das Metall mit der Oberfläche legierte, gestattet das erfindungsgemäße Verfahren
die genaue Ausrichtung durch Anwenden photolithografischer Techniken gefolgt von selektivem Ätzen und der Metallaufbringung
sowie der Legierungsstufe gemäß der vorliegenden Erfindung.
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Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHE/ IJ Verfahren zum Bewegen einer Schmelze aus metallreichem Halbleitermaterial durch einen festen Körper aus dem Halbleitermaterial, gekennzeichnet durch folgende Stufen:(a) Auswählen eines Körpers aus einkristallinem Halbleitermaterial mit zwei gegenüberliegenden Hauptoberflächen, welche die obere und die untere Oberfläche des Körpers bilden, wobei der Körper weiter eine vorbestimmte Leitfähigkeit s art , einen vorbestimmten spezifischen Widerstand, eine bevorzugte kubische Diamantkristallstruktur, eine bevorzugte,planare Kristallorientierung für mindestens eine der Hauptoberflächen, eine Vertikalachse, die im wesentlichen senkrecht zu den gegenüberliegenden Hauptoberflächen verläuft und eine erste bevorzugste Kristallachse aufweist, die im wesentlichen parallel zu der Vertikalachse und im wesentlichen senkrecht zu den gegenüberliegenden Hauptoberflächen verläuft,(b) Aufdampfen einer Metallschicht auf die Hauptoberflache mit einer bevorzugten planaren Kristallorientierung, wobei die Schicht eine bevorzugte Breite und eine bevorzugte Dicke aufweist und so orientiert ist, daß sie mindestens einen Metalldraht mit einer Längsachse bildet, die im wesentlichen parallel mit einer zweiten bevorzugten Kristallachse der Kristallstruktur des Halbleitermaterials des Körpers ausgerichtet ist,(c) Erhitzen von Körper und Metallschicht auf eine erhöhte Temperatur für eine vorbeatimmte Zeitdauer, die ausreicht, um das Metall mit mindestens dem Teil des Halbleitermaterials der Hauptoberfläche des Körpers zu legieren, mit dem es in Verbindung steht,709837/0815ORIGINAL INSPECTED(d) Erhitzen des Körpers und des anlegierten Metalldrahtes auf eine vorbestimmte erhöhte Temperatur, die ausreicht, eine Schmelze aus metallreichem Halbleitermaterial auf der Oberfläche des Körpers zu bilden,(e) Einrichten eines Temperaturgradienten im wesentlichen parallel zur Vertikalachse des Körpers und der ersten Achse der Kristallstruktur und(f) Bewegen der Schmelze aus metallreichem Halbleitermaterial durch den festen Körper im wesentlichen ausgerichtet mit der ersten Achse der Kristallstruktur bis zu einer vorbestimmten Tiefe unterhalb der Hauptoberfläche, um eine planare Region rekristallisierten Materials des Körpers zu bilden, der in fester Löslichkeit das Metall der Schicht enthält.2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet
durch die zusätzliche Stufe des Bildens einer Maske auf der Hauptoberfläche mit einer bevorzugten planaren
Kristallorientierung vor dem Aufbringen der Metallschicht auf die Überfläche des Körpers, um eine bevorzugte geometrische Konfiguration für die Metallschicht zu erhalten.3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeic hnet, daß die bevorzugte planare Kristallorientierung ausgewählt ist aus (111), (100) und (110).^. Verfahren nach Anspruch 3> gekennzeichnet
durch die weitere Stufe des selektiven Ätzens der
Hauptoberfläche des Körpers nach dem Bilden der Maske und vor dem Aufbringen der Metallschicht, um mindestens eine
trogartige Vertiefung bis zu einer vorbestimmten Tiefe in dieser Hauptoberfläche zu bilden.5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die bevorzugte geometrische Konfiguration mindestens zwei einander schneidende Linien definiert, deren eine im wesentlichen parallel mit der ersten bevorzugten Kristallachse orientiert ist und die zweite Linie im wesentlichen parallel mit einer dritten bevorzugten Kristallachse des Materials des Körpers orientiert ist.Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die weitere Verfahrensstufe des Bildens einer planaren Region mit zwei gegenüberliegenden Hauptoberflä-und
chen in dem Körper/ die so orientiert ist, daß die beiden gegenüberliegenden Hauptoberflächen im wesentlichen parallel zu den beiden gegenüberliegenden Hauptoberflächen des Körpers verlaufen, wobei eine der gegenüberliegenden Hauptoberflächen der planaren Region mit der einen gegenüberliegenden Hauptoberfläche des Körpers zusammenfällt und von gleicher Ausdehnung ist und jede Schmelze eine vorbestimmte Distanz durch den Körper bewegt wird, um mindestens die andere gegenüberliegende Hauptoberfläche der Planarregion zu schneiden.7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß jede der Planarregionen einen zweiten und dem des Körpers entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp hat und daß die einander schneidenden Planarregionen den Körper in viele Halbleitermaterialregionen des gleichen Leitfähigkeitstyps wie dem des Körpers zerteilen und daß jede dieeer Regionen elektrisch von den anderen isoliert ist.8. Verfahren nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial des Körpers ausgewählt ist aus Silicium, Siliciumcarbid, Germanium und Galliumarsenid.709837/08159. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß das Halbleitermaterial Silicium mit η-Leitfähigkeit und das Metall des Drahtes Aluminium 13t.10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß der Temperaturgradient im Bereich von 50 bi3 2000C pro cm liegt und die Bewegung der Metalldrähte bei einer Temperatur im Bereich von 700 bis 1 35O°C ausgeführt wird.11. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß die bevorzugte planare Kristallorientierung die (100), die erste bevorzugte Kristallachse die <100> und die zweite bevorzugte Kristallachse mindestens eine aus <011>'und <011i>- ist.12. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß die bevorzugte planare Kristallorientierung, die (111), die erste bevorzugte Kristallachse die <111>, die zweite bevorzugte Kristallachse irgendeine parallel zur (lll)-Ebene verlaufende Kristallebene und die dritte bevorzugte Kristallachse irgendeine der verbleibenden, im wesentlichen parallel zu der (Hl)-Ebene verlaufenden Kristallachsen ist.13. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß die Hauptoberfläche eine bevorzugte planare Kristallorientierung von (HO), die erste bevorzugte Kristallachse die <110> und die zweite bevorzugte Kristallachse die <ΐΐθ> ist.11. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß die geometrische Konfiguration ein Sechseck ist.709837/081515. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial Silicium mit η-Leitfähigkeit, die Planarregionen je p-Leitfähigkeit haben und das Metall der Schicht Aluminium ist.16. Verfahren nach Anspruch I1I, gekennzeichnet durch die zusätzliche Verfahrensstufe des Bildens einer Planarregion mit zwei gegenüberliegenden Hauptoberflächen in dem Körper /die so orientiert ist, daß die beiden gegenüberliegenden Hauptoberflächen der Planarregion im wesentlichen parallel zu den beiden gegenüberliegenden Hauptoberflächen des Körpers verlaufen, wobei eine der gegenüberliegenden Hauptoberflächen der Planarregion mit einer der gegenüberliegenden Hauptoberflächen des Körpers zusammenfällt und von gleicher Ausdehnung ist und jede Schmelze für eine vorbestimmte Distanz durch den Körper bewegt wird, um mindestens die andere gegenüberliegende Hauptoberfläche der Planarregion zu schneiden.17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Planarregionen einen zweiten und gegenüber dem des Körpers entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps hat und daß die einander schneidenden Planarregionen den Körper in viele Halbleitermaterialregionen des gleichen Leitfähigkeitstyps wie dem des Körpers zerteilen, wobei jede dieser Regionen elektrisch von den anderen isoliert ist.709837/0815
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