DE1193610B - Schalt- und Schwingtransistor - Google Patents

Schalt- und Schwingtransistor

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DE1193610B
DE1193610B DER28987A DER0028987A DE1193610B DE 1193610 B DE1193610 B DE 1193610B DE R28987 A DER28987 A DE R28987A DE R0028987 A DER0028987 A DE R0028987A DE 1193610 B DE1193610 B DE 1193610B
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Dr-Ing Rudolf Rost
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RUDOLF ROST DR ING
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RUDOLF ROST DR ING
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Description

  • Schalt- und Schwingtransistor Das Hauptpatent 1161356 behandelt einen Unipolartransistor, bei dem die eine Basis als Spitzenkontakt dem Emitter in engstem Abstand gegenübersteht. Der Emitter ist in das Halbleiterblatt einlegiert. Die beiden ohmschen Kontakte sind ebenfalls auf dem Legierungswege hergestellt. Die Zusatzpatentanmeldung verläßt das Legierungsverfahren und benutzt statt seiner für den Emitter einen diffundierten pn-Übergang, während die beiden ohmschen Basiskontakte durch Metallkontaktierung gewonnen werden. Im besonderen ergibt sich für ein Bauelement, dem der Halbleiter Silicium zugrunde liegt, die folgende Beschreibung: Die Silicium-Kristall-Scheibe ist gerade so dick, daß mit Einrechnung der Diffusionsschicht eine Beeinflussung der aus dem Emitter austretenden Minoritätsträger auf die zweite Basis möglich ist. Die Scheibe enthält in erster Ausführung (F i g. 1) zwei kegelartige, axial zueinander liegende Vertiefungen, die entweder auf mechanischem oder auf elektrolytischem Wege erzeugt sind. Dabei ist die eine Vertiefung (Emitter) um ein Mehrfaches weiter als die andere (Basis 2). Die Vertiefungen sollen zusätzlich den genauen Ort der anzubringenden Elektroden angeben. Die Scheibe ist allseitig mit einer zur ursprünglichen Dotierung gegensätzlichen Atomsorte diffundiert, bei einer n-Dotierung also mit dreiwertigen Atomen. Sie wird darauf in der üblichen Weise chemisch kontaktiert, z. B. mit einer Au- oder Ni-Schicht (F i g. 2). Jetzt wird die Scheibe an beiden Flächen so abgetragen, daß sich die Diffusionsschicht und der Metallüberzug nur noch in den Vertiefungen und an deren Rändern befindet (F i g. 3). Um die Vertiefungen auf der Emitterseite wird ein ohmscher Kontaktring aufgebracht (Au, Ni), der als Basis 1 anzusprechen ist (F i g. 4). An die auf diese Weise erhaltenen drei Kontakte werden in der bekannten Weise Zuleitungen gelegt. Der Diffusionsübergang bei Basis 2 wird nachträglich auf elektrischem Wege zerstört.
  • In Abweichung von der voranstehend dargelegten Herstellung wird ein zweiter Weg dahin beschritten, daß bei einem n-Ausgangsmaterial die Basis-2-Seitenfläche mit einem neutralen Element (Sn, Pb) oder sogar mit einem fünfwertigen Element (P) diffundiert wird. Dies führt zu einem Schalttransistortyp mit höheren Strömen.
  • In Abweichung zum ersten und zweiten Weg wird ein dritter Weg dahin beschritten, daß von der Herstellung der Vertiefungen abgesehen wird und statt ihrer nur eine Abdeckung erfolgt. Das Verfahren verläuft in der Weise, daß die Halbleiterscheibe sehr dünn gemacht wird, z. B. 50 [, und darunter. Die Scheibe wird daraus wie beim ersten oder zweiten Weg diffundiert und anschließend mit einer Metallschicht (Au, Ni) überzogen. Jetzt wird axial an der Emitterstelle ein großer, an der Basisstelle ein kleiner Flächenpunkt und um diese ein konzentrischer Ring aus einem gegen Säure schützenden Material (Picein) aufgebracht. Darauf wird die Scheibe so weit abgeätzt, daß nicht nur der Metallüberzug, sondern auch die Diffusionsschicht abgetragen wird. Es ergeben sich dabei erhabene Elektroden, die wiederum mit Zuleitungen in der üblichen Weise versehen werden (F i g. 5).

Claims (2)

  1. Patentansprüche: 1. Verfahren zum Herstellen eines schaltenden und schwingenden Unipolartransistors mit einem Halbleiterkörper eines Leitungstyps sowie zwei ohmschen Elektroden und einer nichtohmschen Elektrode, bei dem sich der flächenhafte pn-Übergang an der nichtohmschen Elektrode und eine ohmsche Elektrode mit einem Durchmesser der Kontaktfläche von einigen Mikron so koaxial gegenüberstehen, daß die dazwischenliegende Basisschicht eine Dicke von einigen 5 #t hat, nach Patent 1161356, dadurch gekennzeichnet, daß der flächenhafte pn-übergang an der nichtohmschen Elektrode durch Diffusion hergestellt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in die Oberfläche des Halb- Leiterkörpers, z. B. aus Silicium, an der Stelle, an der die ohmsche kleinflächige Kontaktelektrode aufgesetzt wird, ein gegenüber dem Halbleitermaterial neutraler, z. B. Zinn oder Blei, oder gleichsinnig dotierender Stoff auf einer gegenüber dem ,pn-Übergang kleinen Fläche eindiffundiert wird. In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschrift Nr.2750542.
DER28987A 1960-06-03 1960-10-28 Schalt- und Schwingtransistor Pending DE1193610B (de)

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DER28090A DE1161356B (de) 1960-06-03 1960-06-03 Schaltender und schwingender Unipolartransistor und Oszillatorschaltung mit einem solchen Transistor
DER28987A DE1193610B (de) 1960-10-28 1960-10-28 Schalt- und Schwingtransistor
FR877298A FR1304609A (fr) 1960-10-28 1961-10-27 Transistor de commutation et d'oscillation
DE19621464368 DE1464368A1 (de) 1960-10-28 1962-11-06 Schalt- und Schwingtransistor
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DER28987A DE1193610B (de) 1960-10-28 1960-10-28 Schalt- und Schwingtransistor
DER0033823 1962-11-06

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US2750542A (en) * 1953-04-02 1956-06-12 Rca Corp Unipolar semiconductor devices

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US2750542A (en) * 1953-04-02 1956-06-12 Rca Corp Unipolar semiconductor devices

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DE1464368A1 (de) 1969-03-06
FR1304609A (fr) 1962-09-21

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