DE1193172B - Verfahren und Vorrichtungen zum Zerbrechen einer geritzten und auf einen Klebestreifen aufgeklebten Halbleiterplatte - Google Patents
Verfahren und Vorrichtungen zum Zerbrechen einer geritzten und auf einen Klebestreifen aufgeklebten HalbleiterplatteInfo
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- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
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Description
- Verfahren und Vorrichtungen zum Zerbrechen einer geritzten und auf einen Klebestreifen aufgeklebten Halbleiterplatte Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Zerbrechen einer geritzten und auf einen Klebestreifen C aufgeklebten Halbleiterplatte in mehrere kleinere >e Halbleiterkörper für Halbleiterbauplättchenförmig Die Kristalle werden heute, in der Halbleitertechnik bekanntlich so gezüchtet, daß ihr Querschnitt größer ist als die Fläche der für ein Halbleiterbauelement erforderlichen Halbleiterplättchen. Die aus den Kristallen gewonnenen Halbleiterscheiben müssen daher nachträglich noch in einzelne Halbleiterplättchen aufgeteilt werden.
- D Das Aufteilen der Halbleiterscheiben in einzelne Halbleiterplättchen erfolgt bekanntlich dadurch, daß einseitig ., auf die Halbleiterscheiben ein Filmstreifen aus Kunststoff aufgeklebt und anschließend die auf den Kunststoffilm aufgeklebten Halbleiterscheiben entsprechend den Begrenzungslinien der Halbleiterplättchen geritzt und gebrochen werden. Das Ritzen erfolgt auf der dem Kunststoffilm abgewandten Oberfläche der Halbleiterscheiben. Im allgemeinen werden mehrere Scheiben auf einen gemeinsamen Klebestreifen aufgeklebt und gleichzeitig geritzt. Vor dem Brechen wird der Klebestreifen jedoch derart unterteilt, daß die einzelnen Halbleiterscheiben ge'rennt voneinander gebrochen werden können. Das Blechen der auf einen Kunststoffilmstreifen aufgeklebten Halbleiterscheiben längs den Ritzlinien erfolgt mit Hilfe von zwei Pinzetten oder mit Rollen. - Diese bekannten Verfahren haben jedoch den Nachteil, daß die Halbleiterscheiben nicht immer an den geritzten Stellen brechen, so daß beim Brechen Ausfälle entstehen. Dies gilt auch für den Fall, daß beim Rollen eine ebene Unterlage-Verwendung findet.
- Zur Vermeidung dieser Nachteile wird erfindungsgemäß so vorgegangen, daß die geritzte Halbleiterplatte in eine muldenförrnige Vertiefung gelegt wird und daß dann zum Zerbrechen der Halbleiterplatte an den geritzten Linien eine Rolle über die Halbleiterplatte gerollt wird.
- Durch die Verwendung von Rollen in Verbindung mit muldenförmigen Vertiefungen zur Aufnahme der Halbleiterscheiben kann der Ausfall erheblich gesenkt werden. Dies ist besonders dann der Fall, wenn die Halbleiterscheibe derart in die Mulde gelegt wird, daß diejenigen Ritzlinien, längs denen die Halbleiterscheibe beim Darüberrollen bricht, möglichst parallel zur Achse bzw. zu den Mantellinien der muldenförmigen Vertiefung liegen.
- Die Vertiefung, in die die Halbleiterscheiben beim Rollen gelegt werden, ist im allgemeinen zylinderförmig ausgebildet. Besonders günstige Ergebnisse werden erzielt, wenn der Radius der Vertiefung 100 mm beträgt und der Unterschied zwischen dem höchsten und niedrigsten Punkt der Vertiefung 13 mm ausmacht. Es empfiehlt sich, die muldenförmige Vertiefung mit einer Filzeinlage zu versehen.
- Der Außendurchmesser der Rolle soll nach Mö,-, Echkeit auf die Vertiefung abgestimmt werden. Bei der Verwendung einer muldenförmigen Vertiefung mit einem Radius r = 100 mm empfiehlt sich die Verwendung einer Rolle mit einem Außendurchmesser von 28 mm. Die Rolle, soll nach Möglichkeit zumindest an ihrer Außenfläche aus einem Kunstgammi bestehen.
- Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden.
- Nach der F i g. 1 werden die auf einen Kunststofffilm 1 aufgeklebten Halbleiterscheiben 2 in die muldenförmige Vertiefung 3 einer Aufnahmevorrichtung 4 gelegt. or Die inuldenförmige Vertiefung 3 ist zylinderförmig ausgebildet, d. h., die Wand der Vertiefung ist Teil der Wand eines Hohlzylinders. Der Radius r der Vertiefung beträgt 100 mm, während zwischen dem höchsten und dem niedri-Sten Punkt der Vertiefung ein Abstand von 13 mm besteht. Die Aufnahmevorrichtung hat eine Grundfläch-- von 100 - 150 mm2. Besonders gute Ergebnisse werden erzielt, wenn die muldenfönnige Vertiefung 3 mit einer Filzeinlage 5 versehen ist.
- Das Einlegen der Halbleiterscheiben in die muldenförmige Vertiefung erfolgt so, daß die zueinander parallel verlaufenden Ritzlinien 6 parallel zur Achse der zylinderförmigen Vertiefung bzw. parallel zu den Mantellinien 7 zu liegen kommen. Ist dies der Fall, so erfolgt das Brechen besonders exakt längs den vorgegebenen Ritzlinien 6. Die Halbleiterscheiben brechen dabei jedoch nicht längs den senkrecht zu den Ritzlinien 6 verlaufenden Ritzlinien 8, da beim überrollen immer nur längs den Ritzlinien gebrochen wird, die parallel oder nahezu parallel zur Achse derVertiefung liegen.
- In der F i g. 2 ist die Rolle 9 auf die in der Mulde 3 befindlichen Halbleiterscheiben bereits aufgesetzt. Die Rolle wird dabei so angesetzt, daß auch ihre Achse parallel zur Achse der Vertiefung angeordnet ist. Wird nun die Rolle über die in der Mulde befindlichen Halbleiterscheiben nach der F i g. 3 gerollt, so werden diese längs den Ritzlinien gebrochen, die parallel zur Achse der Vertiefung liegen. Das Rollen kann ein oder mehrere Male wiederholt werden.
- Der Durchmesser der Rolle beträgt 28 mm. Dieser Durchmesser ist auf den Radius der muldenförmigen Vertiefung von 100 mm abgestimmt. Die Rolle selbst besteht aus einem Kunststoffzylinder, z. B. aus Kunststoff mit dem Handelsnamen Pertinax, welcher an seinem Umfang mit einem PVC-Schlauch versehen ist. Die Dicke des PVC-Schlauches beträgt 9 mm. Die Rolle hat eine, Breite von 140 mm.
- Um ein Brechen der Halbleiterscheiben auch längs den Ritzlinien 8 zu ermöglichen, müssen die Halbleiterscheiben irn Anschluß an die Rollenführung nach den den F i g. 1 bis 3 um 900 gedreht werden, so daß an Stelle der bereits gebrochenen Ritzlinien 6 die Ritzlinien 8 parallel zur Achse der Vertiefung zu liegen kommen. Die Drehung um 901 gilt natürlich für rechteckförmige Halbleiterplättchen, während für anders geformte Halbleiterplättchen eine Drehung um einen anderen Winkel erforderlich ist. Nach erfolgter Drehung werden die Halbleiterscheiben erneut gewalzt und dabei auch längs den Ritzlinien 8 gebrochen.
Claims (2)
- Patentansprüche: 1. Verfahren zum Zerbrechen einer geritzten und auf einen Klebestreifen aufgeklebten Halbleiterplatte in mehrere kleinere plättchenförmige Halbleiterkörper für Halbleiterbauelemente, d adurch gekennzeichnet, daß die geritzte Halbleiterplatte in eine muldenförinige Vertiefung gelegt wird, und daß dann zum Zerbrechen der Halbleiterplatte an den geritzten Linien eine Rolle über die Halbleiterplatte gerollt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- kennzeichnet, daß die geritzte Halbleiterplatte derart in die muldenförmige Vertiefung gelegt wird, daß diejenigen Ritzlinien, längs denen die Halbleiterscheibe. gebrochen werden soll, -parallel zur Achse und damit auch parallel zu den Mantellinien der muldenförmigen Vertiefung zu liegen kommen. 3. Verfahren nach Ansprach 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ritzlinien bei Verwendung einer zylinderförmigen Vertiefung parallel zur Zylinderachse, gelegt werden. 4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Ritzlinien, die beim ersten Brechvorgang nicht parallel zur Achse der Vertiefung gelegen haben, nach dem ersten Brechen parallel zur Achse in der Vertiefung orientiert und durch Darüberwalzen gebrochen werden. 5. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die muldenförinige Vertiefuno, mit einer Filzauflage versehen ist. 6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die muldenförmige Vertiefung derart ausgebildet ist, daß sie Teil eines Hohlzylinders ist. 7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Rolle aus einem Kunstgummi besteht. 8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Radius der Vertiefung 100 mm beträgL 9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterschied zwischen dem höchsten und dem niedrigsten Punkt der Vertiefung 13 mm beträgt. 10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der Vertiefung 150 mm beträgt. 11. Vorrichtun- nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser der Rolle 28 mm beträgt. 12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der Rolle 140 mm beträgt. In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschriften Nr. 2 970 730, 3 040 489.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET23068A DE1193172B (de) | 1962-11-24 | 1962-11-24 | Verfahren und Vorrichtungen zum Zerbrechen einer geritzten und auf einen Klebestreifen aufgeklebten Halbleiterplatte |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DET23068A DE1193172B (de) | 1962-11-24 | 1962-11-24 | Verfahren und Vorrichtungen zum Zerbrechen einer geritzten und auf einen Klebestreifen aufgeklebten Halbleiterplatte |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE1193172B true DE1193172B (de) | 1965-05-20 |
Family
ID=7550826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DET23068A Pending DE1193172B (de) | 1962-11-24 | 1962-11-24 | Verfahren und Vorrichtungen zum Zerbrechen einer geritzten und auf einen Klebestreifen aufgeklebten Halbleiterplatte |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1193172B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2516848A1 (fr) * | 1981-11-25 | 1983-05-27 | Radiotechnique Compelec | Procede et machine pour subdiviser une plaque de ceramiquea |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2970730A (en) * | 1957-01-08 | 1961-02-07 | Motorola Inc | Dicing semiconductor wafers |
US3040489A (en) * | 1959-03-13 | 1962-06-26 | Motorola Inc | Semiconductor dicing |
-
1962
- 1962-11-24 DE DET23068A patent/DE1193172B/de active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0080765A1 (de) * | 1981-11-25 | 1983-06-08 | R.T.C. LA RADIOTECHNIQUE-COMPELEC Société anonyme dite: | Verfahren und Vorrichtung zum Zerteilen einer keramischen Platte |
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