DE1192747B - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelementes mit quantenmechanischem Tunneleffekt aus n-leitendem Indium-Antimonid - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelementes mit quantenmechanischem Tunneleffekt aus n-leitendem Indium-Antimonid

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