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Die vorliegende Erfindung betrifft eine Transistoranordnung,
die eine Breitband-Verstärkung ausführen kann und mit einer
Geschwindigkeit von der Größenordnung 10&supmin;¹² Sekunden
umschalten kann.
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Verschiedentlich wurden Bemühungen unternommen, die
Halbleitervorrichtungen zu verkleinern und die
Ladungsträgergeschwindigkeit zu erhöhen, um die Durchgangszeit für die
Ladungsträger zu verkürzen und damit die Ansprechzeit zu
verbessern. Bei diesen Bemühungen kam es jedoch zu
Fertigungsschwierigkeiten und schwerwiegenden Einschränkungen bei
den eingeprägten Spannungen.
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Über eine bestimmte Hochgeschwindigkeitsvorrichtung, bekannt
als Metallbasistransistor, wurde in "Proceedings of the IRE"
Bd. 50, Seite 1527, 1962 berichtet. Die Vorrichtung bestand
aus zwei Schottky-Barrieren-Dioden, die Rücken an Rücken auf
einer Metallbasis angeordnet waren.
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Eine verbesserte Struktur vom Metallbasistyp wird in
EP-B-33496 beschrieben. In dieser Struktur ist ein
Zweistufenemitter vorgesehen, in dem als erste Stufe eine hochdichte
Ladungsträgerschicht ist, und in der zweiten Stufe, die an
einer hochleitungsfähigen Basis liegt, ist eine niedrige
Barriere angeordnet. Die Dicke dieser Hochleitungsbasis ist
von der Größenordnung des mittleren freien Elektronenwegs.
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Eine Weiterentwicklung dieses Vorrichtungstyps wird in
EP-A-92645 beschrieben. Diese Struktur wendet eine feldinduzierte
Schicht zwischen zwei Halbleiterbereichen des gleichen
Leitfähigkeitstyps, aber einer anderen Leitfähigkeitshöhe an, die
als Basisbereich dient. Die Schicht wird erzeugt durch das
Feld der elektrischen Betriebsvorspannung, die an die
Vorrichtung gelegt wird. Die Schichtdicke ist von der
Größenordnung des mittleren freien Wegs eines Elektrons, so daß ein
Transport vom ballistischen Typ zustande kommt.
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Über eine neuere Entwicklung dieses Vorrichtungstyps wird in
"IEEE Electron Device Letters" Bd. EDL-6, Nr. 4, April 1985,
Seite 178 berichtet, worin eine Struktur beschrieben ist, in
der eine Basisleitfähigkeit durch das Kollektorfeld induziert
wird.
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Diese bekannten Vorrichtungen zeigen eine weniger als
optimale Leistung aufgrund kleiner Strom- oder
Spannungsverstärkung und geringer Elektronengeschwindigkeit während des
Durchgangs vom Emitter zum Kollektor.
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Eine weitere Entwicklung dieses Vorrichtungstyps wird in
EP-A-084 393 beschrieben. Wenn zwischen Source und Drain eine
Vorspannung angelegt wird, sammelt sich Ladung in einer
Potentialmulde, die sich zwischen Emitter und Gate
ausgebildet hat. Eine ähnliche Vorrichtung wird in EP-A-58 100 456
geoffenbart.
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Gemäß einem Aspekt sieht die vorliegende Erfindung eine
Transistorvorrichtung mit einem ballistische Heteroübergang vor
einschließlich eines Emitters, um Träger hoher Energie und
großer Geschwindigkeit in eine Basis zu injizieren und einen
Kollektor für Ladungsträger, die ballistisch durch diese
Basis transportiert wurden, und ein erstes Barrieremittel, um
Ladung auf eine Potentialmulde zu begrenzen, die benachbart
zu der Grenzfläche zwischen diesem Emitter und der Basis
liegt, wenn zwischen dem Kollektor und dem Emitter eine
Vorspannung angelegt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis
ein zweites Barrieremittel aufweist, das benachbart zu der
Grenzfläche zwischen der Basis und dem Kollektor ausgebildet
ist, um zu verhindern, daß ballistische Träger genügend
Energie zum Transfer in ein Nebenminimum des Leitungsbandes
gewinnen.
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Jetzt soll anhand der begleitenden Zeichnungen beispielhaft
beschrieben werden, wie die Erfindung ausgeführt werden kann.
In diesen Zeichnungen ist:
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Fig. 1 eine schematische Darstellung einer dreipoligen
Vorrichtung als Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
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Fig. 2 ist ein maßlich abgestimmter Diagrammsatz für
Zusammensetzung, Dotierung und Null-Vorspannungsbandenergie der
Struktur gemäß Fig. 1; und
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Fig. 3 ist ein maßlich aufeinander abgestimmtes
Bandenergiediagramm der Bereiche der Vorrichtung aus Fig. 1 unter dem
Einfluß der Vorspannung.
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Die bevorzugte Ausführungsform verwendet die spezifischen
Materialien Galliumarsenid (GaAs) und Aluminiumgalliumarsenid
(AlGaAs), jedoch sind spezifische n- bzw. p-Leitertypen und
spezifische Donator- und Akzeptorladungsträgertypen,
Leitfähigkeit und Ladungsträgertyp-Substitutionen dem Fachmann
ohne weiteres klar.
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In Vorrichtungen vom Ballistiktyp durchqueren die
Ladungsträger einen Teil der Vorrichtung, im allgemeinen die Basis,
während sie signifikante Verluste sowohl an Energie wie an
Geschwindigkeit vermeiden. Solche Vorrichtungen benötigen
eine Injektionsemitterfunktion zum Einschießen von
Ladungsträgern hoher Energie und hoher Geschwindigkeit, was
andererseits die kleinste effektive Masse bedeutet, durch eine
Basisfunktion zu einer Kollektorfunktion. Die Basisfunktion
wird benutzt, um die Anzahl der vom Emitter eingeschossenen
Ladungsträger zu steuern. Die Kollektorfunktion sorgt im
Idealfall für die effiziente Sammlung der vom Emitter
eingeschossenen Hochgeschwindigkeits-Ladungsträger, die beim
Durchqueren der Basis erfolgreich den größten Teil ihrer
Geschwindigkeit beibehalten.
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Der signifikanteste Geschwindigkeitsverlustmechanismus von
Hochenergieelektronen in GaAs bei niedrigen Temperaturen ist
die Zwischental-Streuung, die im wesentlichen in weniger als
0,1 Picosekunden erfolgt, wenn die Energie des Elektrons
höher als etwa 0,3 Elektronenvolt (eV) wird. Um den
Hochgeschwindigkeits-Elektronentransport beizubehalten muß
entweder das Elektron die Basis in kürzerer Zeit durchqueren,
als für die Zwischental-Streuung benötigt wird, was
seinerseits eine Gesamtdicke der Basis von unter etwa 10 Nanometer
voraussetzt, oder das Elektron muß auf einer Energie gehalten
werden, die unter der Energie für diese Zwischental-Streuung
liegt und die unter den Nebenminima des Leitungsbandes für
breite effektive Massenleitfähigkeit des betreffenden
Materials liegt, das in der gezeigten Ausführungsform GaAs ist.
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Die Elektroneninjektion über eine Heteroverbindung in die
Basis wird gesteuert von einem zweidimensionalen
Elektronengas, das in der Basis nahe am Emitter auftritt.
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Eine Niedrigenergiebarriere wird zwischen das
zweidimensionale Elektronengas und den Kollektor gelegt. Die Barriere
wird eingerichtet, damit die Steuerladung, die das
zweidimensionale Elektronengas ist, nicht unter der Vorspannung
zum Kollektor fließen kann, während sie jedoch gleichzeitig
so niedrig ist, daß die
Hochenergie-Hochgeschwindigkeitselektronen mit minimaler quantenmechanischer Reflexion und
geringem Nettogeschwindigkeitsverlust vom Emitter zum
Kollektor fließen. Diese Niedrigenergiebarriere kann vorgesehen
werden durch abgestufte Zusammensetzung oder durch planar
dotierte Barrieremittel. Zwecks leichteren Verständnisses
wird die Barriere vom Zusammensetzungstyp beschrieben. Eine
zusätzliche, durch Dotierung erzeugte Barriere ähnlich der
Barriere vom planaren Dotierungstyp wie in Electron Letters,
Bd. 16, Nr. 22 (1980) Seiten 836-838 beschrieben, ist in
die Basis eingebaut, um eine verhältnismäßig große
Vorspannung vom Kollektor zur Basis zuzulassen, während ein
erwünschter Hochgeschwindigkeits-Elektronentransport durch
die Basis beibehalten wird.
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Die Ausführungsform der Fig. 1 beinhaltet ein Halbleiter-
Substrat 1, einen Kollektor 2, eine Basis 3 und einen Emitter
4. Zwecks leichterer Erklärung wird in der Beschreibung ein
n-Leitertyp gezeigt, wobei die höhere bzw. niedrigere
Leitfähigkeit durch + bzw. - bezeichnet wird und i eigenleitend
bedeutet.
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Das Substrat 1 erfüllt die Funktion eines ohmschen Kontakts
zum Kollektor 2 und ist mit einem äußeren elektrischen
Anschluß 5 verbunden. Das Substrat ist n&spplus;-dotiertes GaAs und
wird schematisch dargestellt: Es kann Teil einer breiteren
(nicht dargestellten) tragenden Struktur sein und es kann
eine Pufferschicht enthalten. Der Kollektor 2 beinhaltet das
Substrat 1 und eine n&spplus; GaAs Epitaxialschicht 6, die auf dem
Substrat 1 gezüchtet wurde. Die Schicht 6 ist mit etwa 10¹&sup8;
Atomen/ccm dotiert und etwa 0,1 bis 1,0 um dick.
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Eine eigenleitende oder undotierte GaAs-Schicht 7 ist
epitaktisch auf der n&spplus; GaAs-Schicht 6 gezüchtet. Diese
eigenleitende GaAs-Schicht 7 ist in der Regel 5 bis 25 nm, und
vorzugsweise 10 nm dick.
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Eine p&spplus;&spplus; GaAs-Schicht 8 wird epitaktisch mit der
gegenüberliegenden Fläche der eigenleitenden Galliumarsenid-Schicht 7
gezüchtet. Dieser p&spplus;&spplus; GaAs-Bereich 8 ist etwa 1 bis 3 nm,
vorzugsweise etwa 2 nm dick. Die Konzentration des
Dotierungsmittels von p-Typ in dieser Schicht wird so gewählt, daß
sie eine flächige Ladungsdichte von etwa 10¹² negativen
Ladungen per cm² aufweist.
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Auf der Fläche des p&spplus;&spplus; Galliumarsenid-Bereichs 8, die der
Schicht 7 gegenüberliegt, wird ein eigenleitender d.i. nicht
dotierter epitaktischer Galliumarsenid-Bereich 9 gezüchtet,
der etwa 80 bis etwa 120 nm, vorzugsweise etwa 100 nm dick
ist.
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Auf der Fläche der eigenleitenden Galliumarsenid-Schicht 9
gegenüber der Schicht 8 wird eine eigenleitende AlxGa1-xAs
Schicht 10 mit variierender Zusammensetzung gezüchtet, so daß
der Wert x symmetrisch um einen Mittelpunkt um 0,1 und 0,0
variiert. Diese Schicht 10 ist etwa 10 nm dick.
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Auf der Schicht 10 wird eine etwa 10 nm dicke Schicht 11 aus
Galliumarsenid gezüchtet. Die Schicht 11 ist im wesentlichen
nicht dotiert, weil sie nicht mehr als etwa 1015
Dotierungsatome je cm³ enthält.
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Eine etwa 10 nm dicke Schicht 12 aus nicht dotiertem
Al0,3Ga0,7As wird epitaktisch auf der der Schicht 10
gegenüberliegenden Schicht 11 gezüchtet.
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Beim Züchten der letzten Schicht 13 auf der Schicht 12 wird
eine Ladungsträgerkonzentration vom n-Typ mit etwa 10¹&sup8;
Atomen per cm³ hinzugefügt und zusätzlich wird die
Al-Komponente der Schichtzusammensetzung 13 über einen Abstand von
etwa 200 nm schrittweise auf 0, d.i. auf reines GaAs
verringert.
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In der Struktur gemäß Fig. 1 stellen die Schichten 12 und 13
den Emitter dar, der als 4 bezeichnet ist.
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Ein ohmscher Kontakt 14 wird zum Emitter 4 hergestellt und
dieser Kontakt wird dann benutzt zur Definition des zu
ätzenden Bereichs, um einen Bereich der Schicht 11 für den
Basiskontakt freizulegen. Die Schicht wird zurückgeätzt in die
Nähe der GaAs-Schicht 11 und ein legierter ohmscher Kontakt
15 wird hergestellt, um als äußere Basiselektrode zu dienen.
Geeignet ist ein legierter Sn-Kontakt, wie in der
US-A-4,379,005 geoffenbart wird. Ein solcher legierter Sn-Kontakt
bildet einen sperrenden bzw. gleichrichtenden Kontakt mit
AlGaAs in den Schichten 10 und 12, jedoch einen ohmschen
Kontakt mit dem GaAs in Schicht 11.
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Zwar bezieht sich die obige Beschreibung auf eine Kombination
aus GaAs und AlGaAs, jedoch kann alternativ auch jede
sonstige geeignete Kombination benutzt werden, z. B. Ge und
AlGaAs; Ge und GaAs; InSb und CdTe; GaAs und InGaAs.
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Dotierungsmittel vom n-Typ für GaAs sind u. a. Silizium und
Zinn. Dotierungsmittel vom p-Typ für GaAs sind u. a. Beryllium
und Magnesium.
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Die Basis 3 besteht aus den Schichten 7, 8, 9, 10 und 11, die
in Kombination eine funktionelle -i-p&spplus;&spplus;-i-n&spplus; Struktur
vorsehen. Diese Struktur weist eine Anzahl einzigartiger
Merkmale auf. Eines davon ist, daß die n&spplus; Struktur am Emitter
sich aus der Elektronenübertragung durch der Dotierung des
Emitters in den Bereich 11 ableitet. Ein weiteres Merkmal der
Struktur ist der Bereich 10, der als Barriere für den
Elektronenfluß von der Basis zum Kollektor wirkt, wenn
zwischen Emitter und Kollektor eine Vorspannung liegt. Ein
weiteres Merkmal ist, daß unter der
Emitter-Kollektor-Vorspannung die planare Barrierenstruktur in der Basis 3 der
Schichten 7 bis 11 so wirkt, daß die kinetische Energie der
Elektronen beim Durchgang durch die Basis 3 konstant gehalten
wird.
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Hier muß angemerkt werden, daß im Gegensatz zu den üblichen,
bei bekannten Strukturen eingesetzten Basisbereichen, die
entweder Dotieren oder Vorspannung benötigen, um die
Leitfähigkeit zu erzeugen, die Emitterstruktur 4 ein fast
zweidimensionales Elektronengas erzeugt, das als der Teil der
Basis dient, der eine Emittervorspannung liefert.
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Die Elektronen aus der dotierten AlGaAs-Schicht 13 dringen
durch die Schicht 12 in die GaAs-Schicht 11 und erzeugen dort
eine Akkumulationsschicht 16. Die Mittel zum Erzeugen dieser
Akkumulationsschicht können als Leitungsband-Versatzmittel
bezeichnet werden.
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Die AlGaAs-Zusammensetzung in den Bereichen 12 und 13 wird so
gewählt, daß im Emitterbetrieb die Elektronen in die
GaAs-Schicht 11 mit einer Energie eingeschossen werden, die fast
so hoch, jedoch nicht höher als diejenige ist, die
erforderlich ist, mit hocheffektiver Masse einen Übergang zu einem
Nebenminimum des Leitungsbandes zu machen. Die Elektronen
haben somit eine niedrige effektive Masse und damit eine hohe
Geschwindigkeit. Mit den oben beschriebenen Merkmalen werden
die Elektronen mit der richtigen Geschwindigkeit eingekoppelt
und behalten diese Geschwindigkeit bei infolge der
gegenseitig in Beziehung stehenden quantenmechanischen Elemente,
die in die Basis 3 eingebracht sind.
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Ein Schlüsselmerkmal der Leistungsfähigkeit des Geräts ist
eine doppelte Funktion der Basis 3. Zunächst benutzt ein Teil
der Basis 3 eine Barrierenstruktur vom planar-dotierten Typ.
Diese Art Barriere kann als elektrostatisch betrachtet
werden, weil im Null-Vorspannungszustand die Barriere das
Ferminiveau an die Stelle setzt, daß es, wenn die Vorrichtung
unter Betriebsvorspannung kommt, an optimaler Stelle steht.
Eine solche Barriere ist in der Technik vom
Planardotierungstyp, wo ein enges Hochleitungsfähigkeitsniveau eingeführt
wird. In der Ausführungsform ist diese Art Barriere als Lage
8 in der Basis 3 am Kollektor 4 ausgeführt, so daß die
angelegten Vorspannungen nicht bewirken, daß die
ballistischen Elektronen genügend Energie zum Transfer in ein
Nebenminimum des Leitungsbandes gewinnen und sich infolge eines
großen Zuwachses an effektiver Masse beträchtlich
verlangsamen. Somit ist ein einzigartiger Aspekt das
quantenmechanische Merkmal der Barriere, das es ermöglicht, daß die
ballistischen Elektronen genügend Leistungsenergie haben,
jedoch bei geeigneter Vorspannung das Aufnehmen von genügend
Energie zur Zwischental-Streuung verhindert.
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In der Ausführungsform wurde die n&spplus;-i-p&spplus;&spplus;-i-n&spplus; Struktur mit i
Bereichen ungleicher Dicke und einem p&spplus;&spplus; Bereich gemacht, der
dünn genug ist, daß es keine freien Löcher gibt. Das
Leitungsbandprofil durch die Vorrichtung hat ein Maximum am
p&spplus;&spplus; Bereich, der seinerseits eine Barriere für den
Elektronenfluß ist. Im Betrieb der Vorrichtung dient das
zweidimensionale Elektronengas 16 in der Basis 3 an der
Grenzfläche zum Emitter als erster n&spplus; Bereich.
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Ein zweites Merkmal der Basis ist die niedrige Barriere, die
die Ladungsträger in der Potentialmulde in Bereich 16 an der
Grenzfläche zwischen Basis und Emitter einsperrt. Diese
Barriere wird erzeugt durch die Schicht 10, die verhindert,
daß energiearme Elektronen aus dem zweidimensionalen
Elektronengas den Kollektor trotz hoher Vorspannung vom Emitter
zum Kollektor erreichen.
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Diese Schicht 10 bewirkt, daß eine Spannung vom Kollektor zur
Basis in der Nähe des GaAs-Bandabstands, etwa 1,5 V, angelegt
werden kann, bevor es zur signifikanten Leitung zwischen dem
Elektronengas und dem Kollektorbereich kommt.
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Mit Barrieren sowohl vom elektrostatischen als auch vom
Zusammensetzungstyp lassen sich präzise quantenmechanische
Bedingungen unter betrieblicher Vorspannung in den
Halbleiterstrukturen erzielen. Kleinere, jedoch genaue Barrieren,
wie das Einstellen eines Schwellenwerts für die Leitung und
Einschluß in Bandversatz-Potentialmulden lassen sich durch
vorspannungsunabhängige Zusammensetzungsbarrieren vorsehen,
und diese können dann mit höheren, jedoch
vorspannungsempfindlichen elektrostatischen Barrieren benutzt werden.
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Aufeinander abgestimmte Graphen der Zusammensetzung,
Dotierung und Bandenergie bei Null-Vorspannung der Struktur gemäß
Fig. 1 sind in Fig. 2 gezeigt. Das Leitungsbandprofil der
Struktur in Fig. 1 im Betrieb wird in Fig. 3 gezeigt.
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Der Prozentsatz des in das GaAs eingeführten Al im Emitter
und für die niedrige Zusammensetzungsbarriere in der Basis
wird in Fig. 2 oben gezeigt. Wenn man die Struktur bei ihrem
Wachstum vom Kollektor zum Emitter betrachtet, wird das Al im
Bereich 10 und in den Emitterbereich 12 eingeführt, mit
Abstufung durch schrittweise Verminderung auf 0 im Bereich
13.
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Beim Dotieren, wenn man wiederum das Wachstum, das im
Kollektorbereich beginnt, betrachtet, wird die n-Dotierung in
Schicht 6 bei etwa 10¹&sup8; Atomen/ccm an der
Kollektorgrenzfläche zwischen Schicht 6 und 7 auf Null reduziert. Es kommt
zum Wachsen von undotiertem Material, gefolgt von einer
scharfen p-Dotierungsmenge, oder Zacke, die die p&spplus;&spplus;-Schicht 8
erzeugt. Das Material bleibt dann während des Wachstums durch
die Schicht 12 undotiert, bis die Schicht 13 ausgebildet ist.
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Die Zusammensetzungs- und Dotierungskonfigurationen gemäß
Fig. 2 erzeugen in der Struktur gemäß Fig. 1 die
Energiebandsituation bei Null-Vorspannung wie in Fig. 2 gezeigt
wird, wobei der p&spplus;&spplus;-Bereich 8 eine planar dotierte oder
elektrostatische Barriere in der Basis am Kollektor erzeugt,
und die Al-Zugabe in Schicht 10 die Zusammensetzungsbarriere
erzeugt. Ferner produziert der Al0,3Ga0,7As-Emitterbereich,
der sich stufenweise auf GaAs im Bereich 13 verändert, einen
großen Ladungsträgervorrat im Emitter fit einer schmalen
Barriere, die eine ballistische Elektronenschleuder bzw.
einen Injektor liefert. Noch weiter wirkt die Kombination des
Dotierens und Aluminiumprofils im Emitter zum Ausbilden des
zweidimensionalen Elektronengases in die Potentialmulde an der
Emittergrenzfläche.
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Jetzt nehmen wir Bezug auf Fig. 3, die die Bandenergie der
Vorrichtung unter dem Einfluß der Betriebsvorspannung zeigt.
Diese Betriebsvorspannung ist so, daß es im Hinblick auf den
Kollektor nur eine kleine positive Vorspannung zwischen dem
Emitter- und dem Basisbereich und eine größere positive
Vorspannung am Kollektor gegenüber der Basis gibt.
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Die Vorspannung zwischen Emitter und Basis hat eine solche
Polarität, daß die Elektronen in die Basis eingeschossen
werden. Die Spannung vom Kollektor zur Basis reicht aus, um
ein nominal flaches Leitungsbandprofil durch die Schicht 9
aufrecht zu erhalten, die dahingehend wirkt, daß eine
konstante kinetische Energie der den Basisbereichquerenden
Elektronen bewahrt bleibt, während sie gleichzeitig die Wirkung
der Zusammensetzungsbarriere 10 nicht beeinflußt, um zu
verhindern, daß Elektronen des Elektronengases in der
Potentialmulde in Schicht 11 zum Kollektor gelangen.
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Das Gerät spricht in Zeiträumen von weniger als einer
Picosekunde und bei genau bestimmten Schwellenwert- oder
Einschaltspannungen an. Bei einer Temperatur von 77 Grad
Kelvin hat das Elektronengas, das sich in der Basis an der
Grenzfläche zum Emitter bildet, eine sehr hohe Leitfähigkeit
trotz ihrer Breite von etwa 10 nm. Bei niedrigen Temperaturen
kann erwartet werden, daß eine große Mehrheit von Elektronen,
die vom Emitter eingeschossen werden, den Kollektorkontakt
erreicht, was zu hohen Stromverstärkungen führt.
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Im Betrieb "schaltet" der eingekoppelte Strom ganz in der
Nähe einer Spannung von 0,3 V zwischen Emitter und Basis
"ein", und Basis/Kollektorspannungen nahe bei 1,5 V sind
möglich, ohne die Steuerung des eingekoppelten Stroms zu
beschränken.
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Der Fachmann würde bei der Herstellung einer Vorrichtung mit
den bei der vorliegenden Erfindung geforderten
Spezifikationen auf herkömmliche Weise die wohlbekannte Technik der
Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) anwenden, da diese Technik die
Herstellung in kleinen Dimensionen gestattet und die
eingesetzten Temperaturen nicht so hoch sind, daß sich die
Verunreinigungen signifikant bewegen. Die MBE-Technik steht
schon seit einer Reihe von Jahren zu Verfügung und ermöglicht
es dem Fachmann, auf epitaktische Weise Halbleiter mit Dicken
von um die 2 nm zu züchten und scharfe Grenzen in der
Größenordnung von 0.5 nm zu produzieren.
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Die Herstellung der Kontakte zu den verschiedenen Elektroden
erfolgt durch Anwendung photolithographischer
Standardprozesse.
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Hier beschrieben wurde eine Halbleiterstruktur mit
ballistischer Elektronengeschwindigkeitsteuerung, in der
quantenmechanische Bedingungen in Bereichen dieser Struktur
vorgesehen sind, die optimale Leistungsbedingungen für die
Ladungsträger unter Betriebsvorspannung liefern.