DE3136528A1 - Halbleiter-lawinenfotodetektor - Google Patents
Halbleiter-lawinenfotodetektorInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 32
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 13
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/868—PIN diodes
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
- H01L31/1075—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers, e.g. absorption or multiplication layers, form an heterostructure, e.g. SAM structure
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Description
Die Erfindung betrifft einen Halbleiter-Lawinenfotodetektor
mit einem einkristallinen Halbleiterkörper, der einen ersten Endbereich eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen
zweiten, mittleren Bereich dicht bei dem ersten Bereich und einen dritten Endbereich aufweist, der dem zweiten
Bereich dicht benachbart und dessen Leitfähigkeitstyp dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt ist.
Bei einem Halbleiter-Lawinenfotodetektor hängt das Rauschen
vom Verhältnis der Ionisationskoeffizienten der beiden Typen von Ladungsträgern ab, die in den Halbleiterbauteilen
vorhanden sind, sowie von dem Mechanismus, der eine Trägervervielfachung einleitet. Der Ionisationskoeffizient
ist die Wahrscheinlichkeit für das Auftreten einer ionisierenden Kollision pro Längeneinheit. Eing große Differenz
zwischen den Ionisationskoeffizienten der Elektronen und Löcher führt zu wünschenswerten Rauscheigenschaften für
einen Lawinenfotodetektor, vorausgesetzt, daß die Lawinenvervielfachung
durch den Trägertyp mit dem größeren Ionisationskoeffizienten eingeleitet wird. Im idealen Lawinendetektor
unterliegt nur ein Typ von Ladungsträgern ionisierenden Zusammenstößen, vgl. Mclntyre, R.J., IEEE
Transactions on Electron Devices, Band 13, 1966, S.194.
Demgemäß wurden Anstrengungen unternommen, einen Lawinenfotodetektor
zu entwickeln, bei dem ein Typ von Ladungsträgern einen größeren Ionisationskoeffizienten als der
andere Typ besitzt und bei dem die Lawinenvervielfachung
denjenigen Typ von Ladungsträgern eingeleitet wird, welcher
den größeren Ionisationskoeffizienten besitzt.
Im Gegensatz zu Silicium besitzen viele III-V-Halbleitermaterialien
im wesentlichen gleiche Ionisationskoeffizien-■ 5 ten für Elektronen und Löcher. Der Erfindung liegt demgemäß
die Aufgabe zugrunde, den Aufbau eines Fotodetektors mit III-V-Halbleitern so zu-zuschneiden, daß die beiden La-■
dungsträgertypen nicht im wesentlichen mit der gleichen Rate ionisiert werden und die Lawinenentladung durch den-
jenigen Ladungsträgertyp eingeleitet wird, der den größeren Ionisationskoeffizienten besitzt. Zur Lösung der Aufgabe
geht die Erfindung aus von einem Halbleiter-Lawinenfotodetektor der eingangs genannten Art und ist dadurch gekennzeichnet,
daß der erste Bereich eine breitere Bandlücke als der dritte Bereich besitzt und in der Lage ist, die zu
detektierende Strahlung zu absorbieren und unter Ansprechen darauf Ladungsträger zu erzeugen, und daß der zweite
Bereich eine Bandlücke besitzt, die von einer ersten Bandlückenenergie nahe dem ersten Bereich auf eine kleinere,
zweite Bandlückenenergie nahe dem dritten Bereich übergeht.
Mit der Erfindung wird ein rauscharmer Lawinenfotodetektor
geschaffen, bei dem die Energiebandstruktur bewirkt, daß ein Ladungsträgertyp mit größerer Rate ionisiert wird alsder
andere Ladungsträgertyp,und bei" dem die Lawinenentladung
durch den Ladungsträgertyp mit der größeren lonisa- · tionsrate eingeleitet wird. · ·
• Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der Lawinenfotodetektor einen p-leitenden Halbleiterendbereich,
einen η-leitenden Halbleiterendbereich und einen zwischen diesen Bereichen■gelegenen Halbleiterbereich mit graduierter
Bandlücke auf. Zu detektierende Strahlung wird in einem der Endbereiche absorbiert,und abhängig davon werden
Ladungsträger erzeugt.
Die Arbeitsweise des erfindungsgemäßen Lawinenfotodetek-
' tors wird wie folgt angenommen.
Strahlung einer geeigneten Wellenlänge wird im ersten Bereich mit breiter Bandlücke absorbiert, wo dann Elektronen-Löcherpaare
erzeugt werden. Wenn die Anordnung in Sperrrichtung vorgespannt ist, so wird ein Ladungsträgertyp
durch Diffusion in den zweiten Bereich mit graduierter Bandlücke transportiert. Dieser Ladungsträgertyp leitet
eine Lawinenentladung im Bereich mit graduierter Bandlücke ein , der dann aufgrund der angelegten Sperrvorspannung
entleert wird. In vorteilhafter Weise bewegen sich in dem Bereich mit graduierter Bandlücke die Ladungsträger
desjenigen Typs, die die Entladung einleiten, in Richtung auf einen Bereich mit abnehmender Bandlückenenergie, und
.die Ladungsträger des anderen Typs in Richtung auf einen Bereich mit zunehmender Bandlückenenergie. Da die Ionisatiohskoeffizienten
exponentiell mit abnehmender Bandlücke anwachsen, besitzen die Ladungsträger desjenigen Typs, welche
sich in Richtung auf den Bereich mit abnehmender Bandlücke bewegen, einen größeren Ionisationskoeffizienten als
die Ladungsträger desjenigen Typs, welche sich in Richtung auf den Bereich mit zunehmender Bandlücke bewegen. Außerdem
tragen die unterschiedlichen "quasielektrischen" Felder
(vgl. spezielle Beschreibung), denen die Löcher und Elektronen· in dem Bereich mit graduierter Bandlücke unterliegen,
weiter zur Differenz der Ionisationskoeffizienten für die Elektronen und Löcher bei. Die Differenz der Ionisationskoeffizienten
für die beiden Ladungsträgertypen führt
zu einem Lawinenfotodetektor mit verringertem Rauschen, wenn die Entladung durch den Ladungsträgertyp mit dem
größeren Ionisationskoeffizienten eingeleitet wird.
Zur Erläuterung wird davon ausgegangen, daß die Elektronen und Löcher in Al Ga1 As etwa gleiche Ionisationskoeffizienten
besitzen. Die Grundgedanken der vorliegenden Erfindung zeigen jedoch, daß das Graduieren oder Abstufen des
Wertes von χ zur Bildung eines Halbleiters mit graduierter Bandlücke zu einem Al Ga. As-Detektor führen kann, bei
dem die Ionisationskoeffizienten der Elektronen und Löcher nicht gleich sind.
Mit Vorteil wird davon ausgegangen, daß die Anwendung der Grundgedanken der Erfindung zu einem Verhältnis der Ionisationskoeffizienten
in der Größenordnung von 10 oder mehr führen kann.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen beschrieben.
Dabei wurden zur klareren Darstellung die Figuren nicht maßstäblich gezeichnet. Es zeigen:
Fig. 1- ein Energiebanddiagramm eines Halbleiters mit
graduierter Bandlücke.zur Erläuterung der Grundgedanken
der Erfindung;
Fig. 2 schematisch einen Lawinenfotodetektor mit verringertem Rauschen entsprechend einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung;
Fig. 3 das Energiebanddiagramm des Fotodetektors nach
Fig. 2;
Fig. 4 einen Lawinenfotodetektor mit einem Al Ga,. vAs-. Halbleiter nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 4 einen Lawinenfotodetektor mit einem Al Ga,. vAs-. Halbleiter nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 5 schematisch einen Lawinenfotodetektor mit verringertem
Rauschen entsprechend einem alternativen Ausführungsbeispiel der Erfindung; Fig. 6 das Energiebanddiagramm des Fotodetektors nach
Fig. 5. . ■ ■
Fig·. 1 zeigt die Energiebandstruktur für einen Typ eines Halbleitermaterials mit graduierter (abgestufter) Bandlücke
in Abwesenheit eines elektrischen Raumladungsfeldes. Die Linie 11 stellt die untere Kante des Leitungsbandes und die
Linie 12 die obere Kante des Valenzbandes dar. Ein Elektron
13 im Leitungsband gemäß Fig. 1 unterliegt einer Kraft oder einem "quasielektrischen Feld" aufgrund des Gradienten.der ·
Leitungsbandenergie E . Diese Kraft ist durch einen Pfeil
14 dargestellt. Ein Loch 15 im Valenzband gemäß Fig.1
■ unterliegt ebenfalls einer Kraft oder einem "quasielektri-
schen Feld" aufgrund des Gradienten der Valenzbandenergie
E .Diese Kraft ist durch einen Pfeil 16 dargestellt. Es
ist klär, daß keine dieser Kräfte auf einem echten elektrischen Feld beruht, das immer eine Lösung der Maxwell1
. sehen Gleichungen ist, da die Ladungen entgegengesetzten Vorzeichens sich in der gleichen Richtung bewegen (vgl. H.
Kroemer, RCA Review, Band 18, September 1957, S.332).
Für die in Fig.1 dargestellte Bandstruktur ist das quasielektrische
Feld, dem die Elektronen unterliegen, größer als das quasielektrische Feld für die Löcher, da der
Gradient der Leitungsbandenergie E„ den Gradienten der
Valenzbandenergie E übersteigt.
Entsprechend einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der Halbleiter-Lawinenfotodetektor mit verringertem Rausehen
einen p-leitenden Endbereich, einen η-leitenden Endbereich mit kleinerer Bandlücke als der p-leitende Endbereich
sowie einen Bereich mit graduierter Bandlücke auf, der zwischen dem p-leitenden Bereich und dem n-leitenden
Bereich gelegen ist. Der Bereich mit graduierter Bandlücke weist eine Bandlückenenergie auf, die von einem ersten
Wert nahe dem p-leitenden Bereich allmählich auf einen zweiten, kleineren Wert nahe dem η-leitenden Bereich mit
kleinerer Bandlücke übergeht. Zu detektierende Strahlung wird im p-leitenden Bereich mit breiterer Ban'dlücke absorbiert,
und es werden dort Löcher-Elektronenpaare erzeugt.
Das oben angegebene Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Fig.2 dargestellt. Der Bereich 22 besitzt eine graduierte
Bandlücke und kann einen niedrigdotierten, p-leitenden Halbleiter, einen niedrigdotierten, η-leitenden HaIbleiter
oder einen kompensierten Halbleiter aufweisen. Beispielsweise wird der Bereich 22 aus dem Material hergestellt,
dessen Energiebandstruktur in Fig.1 dargestellt ist. Der Bereich 23 ist ein η-leitender Halbleiter, dessen
Bandlückenenergie kleiner als die des p-leitenden Bereichs
21 ist. Alternativ kann der Bereich 21 mit breiterer Bandlücke
η-leitend und der Bereich 23 mit schmalerer Bandlücke p-leitend sein.
Fig. 3 zeigt das Energiebanddiagramm des Bauteils nach Fig. 2 bei anliegender Sperrvorspannung. Sich entsprechen-
x de Bereiche in den Fig. 2 und 3 weisen die gleichen Bezugsziffern
auf. Das durch die Sperrvorspannung erzeugte Raumladungsfeld verläuft quer zu den Schichten, d.h. in
der x-Richtung. Man beachte, daß für Elektronen im Lei-
.10 tungsband das anliegende, elektrische Raumladungsfeld und das quasielektrische Feld Kräfte in der gleichen Richtung
ausüben (Pfeile 14 und 14' in Fig. 1 bzw. 3), während für die Löcher das elektrische Raumladungsfeld' und das quasielektrische
Feld Kräfte in entgegengesetzten Richtungen .
ausüben (Pfeile 16 und 16! in Fig. 1 bzw. 3).
Die folgende Erläuterung, die den Schutzumfang der Ansprüche nicht einschränken soll, kann benutzt v/erden, um die
Arbeitsweise des erfindungsgemäßen Fotodetektors nach Fig. 2 zu verstehen. Photonen (beispielsweise 25) einer geeigneten
Frequenz werden im Bereich 21 absorbiert, wo Löcher-Elektronenpaare
(beispielsweise 26) erzeugt werden. Mit Vorteil soll die Strahlung innerhalb eines Abstands von
einer Diffusionslänge von der Grenzfläche 28 absorbiert werden. Die Fotoelektronen werden durch Diffusion in den
Bereich 22 mit graduierter Bandlücke injiziert, die wegen der angelegten Sperrvorspannung entleert ist. Die injizierten
Elektronen werden durch das kräftige elektrische Feld beschleunigt, das dann in dem Bereich mit graduierter
Bandlücke vorhanden ist, wenn das Bauteil in Sperrrichtung vorgespannt ist, und leiten eine Lawinenvervielfachung
durch ionisierende Zusammenstöße ein. Innerhalb des Halbleiters mit graduierter Bandlücke bewegen sich die
Elektronen im Leitungsband in Richtung auf einen Bereich mit abnehmender Bandlückenenergie und unterliegen einem
verhältnismäßig starken elektrischen Gesamtfeld, das etwa gleich der Summe des elektrischen Raumladungsfeldes und
des quasielektrischen Feldes ist. Die Löcher im Valenzband des Bereichs mit graduierter Bandlücke bewegen sich
in Richtung auf einen Bereich mit zunehmender Bandlückenenergie und unterliegen einem verhältnismäßig kleinen
elektrischen Gesamtfeld, dessen Größe etwa gleich der Differenz zwischen dem elektrischen Raumladungsfeld und
dem quasielektrischen Feld ist. Im allgemeinen nimmt der Ionisationskoeffizient einer Ladungsträgerart exponentiell
mit zunehmendem elektrischem Feld zu und nimmt exponentiell mit zunehmender Bandlückenenergie ab. Physikalisch beschleunigt
das elektrische Feld einen Ladungsträger, bis er genügend Energie für einen ionisierenden Zusammenstoß hat.
Die Ionisationsenergie ist etwa gleich dem Dreifachen der halben Bandlückenenergie (E. = 3/2 E). Für den in Fig. 3
als Beispiel dargestellten Fall haben die Elektronen eindeutig einen größeren Ionisationskoeffizienten als die
Löcher, weil sie sich unter dem Einfluß eines stärkeren · elektrischen Feldes.in einen Bereich kleinerer Ionisationsenergie
bewegen.
Bei einem speziellen Ausführungsbeispiel der Erfindung kann der Fotodetektor gemäß Fig. 2 aus Halbleitern der Gruppe
III-V hergestellt werden, beispielsweise In(Ja,, „As, P. ,
Ga Al. „As oder Al Ga „Sb , deren Gitter über einen
X I ""*X X γ™"Χ
verhältnismäßig großen Zusammensetzungsbereich für InP, GaAs bzw. GaSb angepaßt sind.
Beispielsweise kann der Bereich 21 in Fig. 2 Al Ga^_ As
mit 0 < y < 1 aufweisen, der Bereich 23 Al Ga. As mit
mm Z .1 — Z
0 < z<1, z< y,und der Bereich 22 kann Al Ga. vAs aufweisen,
wobei χ von einem Wert im wesentlichen gleich y nähe ■ der Grenzfläche 28 auf einem Wert im wesentlich gleich ζ
nahe der Grenzfläche 29 abgestuft ist.
Ein Beispiel für einen solchen Detektor ist in Fig. 4 gezeigt. Dieser Detektor soll nur als Beispiel dienen,und
numerische Parameter, die in Verbindung mit diesem spezieilen Ausführungsbeispiel der Erfindung angegeben werden,
sollen keine Begrenzung für den Schutzumfang der Ansprüche
darstellen. Auf ein η-leitendes GaAs-Substrat 41 ist eine
η-leitende GaAs-Schicht 42 mit einem Dotierungswert von etwa 10 /cm und einer Dicke von etwa 2 pm epitaktisch
abgeschieden. Ein Bereich 43 mit graduierter Bandlücke ist der Schicht 42 dicht benachbart. Der Bereich mit graduierter
Bandlücke ist η-leitend und besitzt einen Dotierungswert in der Größenordnung von oder kleiner als
10 ^ cm . Der Bereich 43 weist AlxGa^xAs auf, wobei χ
von etwa o,o nahe der Grenzfläche 51 auf etwa 0,45 nahe ' der Grenzfläche 52 über einen Abstand in einem Bereich von
etwa 0,3. um auf etwa 1,5 pm abgestuft ist. Eine p-leitende Schicht 44 aus A1Q 45Gan 55^s is't ^em Bereich 43 dicht benachbart
und hat eine Dicke von etwa 2 um. Die Schicht 44 besitzt eine Dotierungskonzentration von etwa 10 /cm .
Die Halbleiterbereiche 42, 43, 44 sind einkristallin und epitaktisch unter Anwendung eines Verfahrens, wie bei-.
spielsweise der Epitaxie aus der flüssigen Phase (LPE) oder der Molekularstrahlepitaxie (MBE) hergestellt (vgl. .·
P. Kprdos et al. "Growth and Properties of Graded Bandgap AlxGa1 As Layers", Applied Physics Letters, Band 34, Nr.6,
15.Märζ 1979, Seiten 366-368, für ein Beispiel einer durch
LPE gewachsenen Schicht mit graduierter Bandlücke sowie · W.T. Tsang et al., "Multi-Dielectrics for GaAs MIS Devices
Using Compsition Graded Al Ga. · As and Oxidized AlAs",
Applied Physics Letters, Band 34, Nr. 6, 15.März 1979,
S.408, für ein Beispiel einer durch· MBE aufgewachsenen
Schicht mit graduierter Bandlücke). Als Beispiel besitzt der Detektor 40 gemäß Fig. 4 eine Mesa-Geoinetrie. Der Bereich
mit graduierter Bandlücke kann kontinuierlich abgestuft sein oder aus einer Vielzahl von diskreten Schichten
erzeugt werden, die so geordnet sind, daß die Bandlücke von der Grenzfläche 51 zur Grenzfläche 52 ansteigt. Eine .
Sperrvorspannung in einem ungefähren Bereich von 15 bis 150 V, abhängig von der Dicke des abgestuften Bereichs,
wird unter Verwendung Ohm'scher Kontakte 47 und 48 angelegt,
die dem Substrat bzw. der Schicht 44 dicht benachbart sind. Mit Vorteil wird durch die angelegte Sperrvorspannung
der Bereich mit graduierter Bandlücke im wesent-
-11-
lichen entleert, und das elektrische Raumladungsfeld ist ist im wesentlichen konstant. Der Kontakt 48 besitzt eine
öffnung, um Strahlung in den Detektor einzukoppeln. Der Detektor 40 ist für Strahlung mit Wellenlängen im Bereich
von etwa 0,62 pm bis 0,87 pm empfindlich.
AlxGa1-351As ist ein geeignetes Bandlücken-Material für
0,0 < x.< 0,45. In diesem Bereich liegen etwa 85 % des Bandlückengradienten
im Leitungsband und die restlichen etwa 15 % des Bandlückengradienten im Valenzband (vgl. H.C.
Casey und M.E. Panish,"Heterostructure Lasers", Academic Press 1978, Teil A, S.196). Demgemäß unterliegen im Falle
des Detektors nach Fig. 4 die Elektronen einem größeren
quasielektrischen Feld als die Löcher.
Ein alternatives Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Fig. 5 gezeigt. Fig. 6 gibt das Energiebanddiagramm der
Einrichtung nach Fig. 5 bei Anliegen einer Sperrvorspannung wieder. Sich entsprechende Elemente in den Fig. 5 und 6
haben die gleichen Bezugszahlen.
Bei dem Ausführungsbeispiel der Erfindung nach Fig. 5 und weist der Endbereich 61 einen p-leitenden Halbleiter auf.
Der Endbereich 63 enthält einen η-leitenden Halbleiter mit schmalerer Bandlücke als die des Bereichs 61. Alternativ
kann der Bereich 61 mit breiterer Bandlücke η-leitend sein und der Bereich 63 mit schmalerer Bandlücke p-leitend sein.
Zwischen den Endbereichen 61 und 63 befindet sich ein Bereich 62, der eine Vielzahl von Zonen 62a, 62b und 61c aufweist.
Die Zone 62a grenzt an den Bereich 61 an und die Zone 62c an den Bereich 63. Der Bereich 62 kann einen
niedrig dotierten p-leitenden Halbleiter, einen.niedrig dotierten, η-leitenden Halbleiter oder einen kompensierten
Halbleiter umfassen. Jede Zone bed. tzt eine Bandlücke, die von einem ersten Wert in dem dem Bereich 61 nächstgelegenen
Teil der Zone auf einen kleineren zweiten Wert in dem dem Bereich 63 nächstgelegenen Teil der Zone abgestuft ist.
Beispielsweise ist die Bandlücke der Zone 62b von einem Wert (Eg.) nahe der Grenzfläche 65 auf einen kleineren
Wert (Eg2) nahe der Grenzfläche 66 abgestuft. Bei alternativen
Ausführungsbeispielen der Erfindung kann der Bereich 62 mehr oder weniger als drei Zonen mit abgestufter Bandlücke
umfassen. Jede der Zonen 62a, 62b und 62c in Fig.5 und 6 kann aus einem Material hergestellt werden, das eine
Energiebandstruktur des in Fig.1 gezeigten Typs besitzt.
Im vorliegenden Fall wird davon ausgegangen, daß der erfindungsgemäße
Detektor gemäß Fig. 5 und 6 wie folgt arbeitet. Photonen (beispielsweise 71) der richtigen Frequenz
können im Bereich 61 absorbiert werden, wo Löcher-Elektronenpaare (beispielsweise 72) erzeugt werden. Zweckmäßig
soll die Strahlung innerhalb eines'Abstands von einer
Diffusionslänge von der Grenzschicht 64 absorbiert werden.
Die Fotoelektronen werden durch Diffusion in den Bereich ■ 62 injiziert, der aufgrund der angelegten Sperrvorspannung ■
entleert wird. Die injizierten Elektronen werden durch das starke elektrische Feld im Bereich 72 beschleunigt, wenn
eine Sperrvorspannung an das Bauteil angelegt ist, und
leiten eine Lawinenvervielfachung durch ionisierende Zusammenstöße ein. Leitungsbandelektronen der Zone 62a unterliegen einer abnehmenden Bandlückenenergie und einem elektrischen
Gesamtfeld, das im wesentlichen gleich der Summe des elektrischen Raumladungsfeldes und des quasielektrischen
Feldes ist. Die Valenzbandlöcher der Zone 62a unterliegen einer ansteigenden Bandlückenenergie und einem
kleineren elektrischen Gesamtfeld, das im wesentlichen gleich der Differenz des elektrischen Raumladungsfeldes
und des quasielektrischen Feldes ist. Demgemäß besitzen die Elektronen in der Zone 62a einen größeren Ionisations- .
koeffizienten als die Löcher im Bereich 62a. Aufgrund einer höheren "Temperatur" (>
0,5 eV) können viele der Elektronen (beispielsweise 81)-in der Zone 62a die Barriere 82 überwinden,
wenn sie die Grenzfläche 65 erreichen, und in die Zone 62b eintreten, wo sie zusätzlichen ionisierenden Zu-
β I» * ti
^Zusammenstößen bei abnehmender Bandlückenenergie und einem
verhältnismäßig starken elektrischen Feld unterliegen. Bei Erreichen der Grenzfläche 66 treten viele der heißen
Elektronen in den Bereich 62c ein, wo weitere ionisierende Zusammenstöße stattfinden können, so daß sich ein erhöhter
Detektorge\tfinn durch die Aneinanderreihung einer Vielzahl
von Zonen mit abgestufter Bandlücke ergibt.
Das Ausführungsbeispiel der Erfindung nach Fig. 5 und 6 kann häufig bei kleinerer Sperrvorspannung als das Ausführungsbeispiel
nach Fig. 2 betrieben werden, da die Verstärkung des Lawinendetektors mit zunehmender Länge des
Lawinenbereichs ansteigt, der bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 5 länger als bei dem Ausführungsbeispiel nach
Fig. 2 sein kann. Demgemäß läßt sich beim erfindungsgemäßen
Ausführungsbeispiel nach Fig. 5 eine verhältnismäßig hohe' Verstärkung für ein angelegtes, verhältnismäßig schwaches
elektrisches Feld und entsprechend kleinere Ionisierungskoeffizienten erreichen.
Außerdem hängen die Ionisierungskoeffizienten bei niedrigeren
Werten des Feldes stärker von dem elektrischen Feld bei der Bandlückenenergie als bei höheren Werten des Feldes ab
(vgl. S.M. Sze "Properties of Semiconductor Devices", John Wiley and Sons, 1969, S.59-65). Im Ergebnis ist die Differenz
der Ionisierungskoeffizienten für die beiden Ladungs-. trägerarten größer bei niedrigeren Werten des' angelegten
elektrischen Feldes.
Als Beispiel weist der Bereich 61 in Fig.5 p-leitendes
aQ ccAs auf, ist etwa 2 pm dick und besitzt eine
q 450 55 p
Dotierungskonzentration von etwa 10 /cm . Jede der Zonen
62a, 62b und 62c kann niedrig dotiertes (etwa 1O15/cm3),
η-leitendes Al„Ga.. „As. aufweisen, wobei χ abgestuft ist
von etwa 0,45 auf etwa 0,0 über Abstände im Bereich von etwa 0,1 μηι auf etwa 0,3 um. Der Bereich 63 kann n-leitendes
GaAs mit einer Dotierungskonzentration von etwa 10 cnr bei einer Dicke von etwa 2 um aufweisen. Zweck-
mäßig sind alle diese Bereiche einkristallin und werden
epitaktisch auf einem n-leitendeh GaAs-Substrat (nicht
gezeigt) unter Verwendung der Molekularstrahl-Epitaxie abgeschieden.
Es sei darauf hingewiesen, daß die oben beschriebenen Bauteile
nur Beispiele für die Grundgedanken der vorliegenden Erfindung darstellen. Entsprechend diesem Grundgedanken
können zahlzeiche Konfigurationen vom Fachmann gewählt werden, ohne von der Erfindung abzuweichen. Insbesondere
können für gewisse Zwecke eine oder mehrere zusätzliche Schichten zwischen die beiden Endschichten eingefügt werden,
die dünn genug sind, um die Arbeitsweise der Bauteile nicht wesentlich zu stören.
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Claims (5)
- BLUMBACH · WE&£0 · ^E RG EE N · JKRAMER ZWIRNER · HOFFMANN *PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADEN .Patenlconsult Radedtestraße 43 8000 München 60 Telefon (089) 883603/883604 Telex 05-212313 Telegramme Patentconsult Patentconsult Sonnenberger Straße 43 6200 Wiesbaden Telelon (06121) 562943/561998 Telex 04-186237 Telegramme PatentconsultWestern Electric Company Incorporated CAPASO,F.3 222 Broadway, New York N.Y. 10038
Vereinigte Staaten von AmerikaPatentansprücheHalbleiter-Lawinenfotodetektor mit einem einkristallin en Halbleiterkörper, der einen ersten Endbereich, (z.B. 21) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen zweiten, mittleren Bereich (z.B. 22) dicht bei dem ersten Bereich und einen dritten Endbereich (z.B. 23) aufweist, der dem zweiten Bereich dicht benachbart und dessen Leitfähigkeitstyp dem des ersten Leitfähigkeitstyps entgegengesetzt ist, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Bereich (z.B. 21) eine breitere Bandlücke als der dritte Bereich besitzt und in der Lage ist, die zu detektierende Strahlung zu absorbieren und unter Ansprechen darauf Ladungsträger zu erzeugen,und daß der zweite Bereich eine Bandlücke besitzt, die von einer ersten Bandlückenenergie nahe dem erstell Bereich auf eine kleinere, zweite Bandlückenenergie nahe dem dritten Bereich übergeht. - 2. Fotodetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste, zweite und dritte Bereich Verbindungen der Gruppen III-V aufweisen.
- 3. Fotodetektor nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die erste Bandlückenenergie im wesentlichen gleich der Bandlückenenergie des ersten BeMünchen: R. Kramer Dipl.-Ing. · W. Weser Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. · E. Hoffmann Dipl.-Ing. Wiesbaden: P. G. Blumbach Dipl.-Ing. · P. Bergen Prof. Dr. jur. Dipl.-Ing., Pat.-Ass., Pat.-Anw. bis 1979 · G. Zwirner Dipl.-Ing. Dipl.-W,-Ing.-Z-reichs ist und daß. die kleinere, zweite Bandlückenenergie im wesentlichen gleich der Bandlückenenergie des dritten Bereiches ist.
- 4. Fotodetektor nach Anspruch 3,dadurch gekennzeichnet, daß der erste Bereich Al Ga. As mit 0_<y < 1, daß der dritte Bereich Al Ga. „As mit 0 < z<1,- z<y und der zweite Bereich AlxGa1^xAs auf v/eist, wobei χ abgestuft ist von einem Wert im wesentlichen gleich y nahe dem ersten Bereich auf einen Wert im wesentlichen gleich ζ nahe dem dritten Bereich.
- 5. Fotodetektor nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Bereich eine Vielzahl von benachbarten Zonen (z.B. 62a, 62b, 62c) aufweist, von denen eine dem ersten Bereich und eine dem dritten Bereich dicht benachbart sind, und da3 dede der Zonen eine Bändlücke besitzt, die von einem ersten Wert in dem dem ersten Bereich nächstgelegenen Teil der Zone auf einen kleineren zweiten Wert in dem dem dritten Bereich nächstgelegenen Teil der Zone abgestuft ist.
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DE3136528A1 true DE3136528A1 (de) | 1982-05-27 |
Family
ID=22694248
Family Applications (1)
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Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4383269A (de) |
JP (1) | JPS5784186A (de) |
DE (1) | DE3136528A1 (de) |
FR (1) | FR2490876B1 (de) |
GB (1) | GB2084797B (de) |
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Legal Events
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---|---|---|---|
OAV | Publication of unexamined application with consent of applicant | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: AT & T TECHNOLOGIES, INC., NEW YORK, N.Y., US |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |