JPS5861679A - 量子井戸層付アバランシ・ホトダイオ−ド - Google Patents
量子井戸層付アバランシ・ホトダイオ−ドInfo
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- JPS5861679A JPS5861679A JP56159967A JP15996781A JPS5861679A JP S5861679 A JPS5861679 A JP S5861679A JP 56159967 A JP56159967 A JP 56159967A JP 15996781 A JP15996781 A JP 15996781A JP S5861679 A JPS5861679 A JP S5861679A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
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- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
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- H01L31/1075—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiode in which the active layers, e.g. absorption or multiplication layers, form an heterostructure, e.g. SAM structure
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光通信装置Ｗ等に用いられるアバランシ・ホト
ダイオード（以下ｒＡＰＤＪと呼ぶ）の低雑音化に関す
るものである。
ダイオード（以下ｒＡＰＤＪと呼ぶ）の低雑音化に関す
るものである。
ＡＰＤでは、入射光により励起されたキャリヤがｐ−−
ｎ接合による高電界によって加速され増倍されるが、こ
の増幅過程でのゆらぎのために過剰増倍雑音が発生する
。電子と正孔のイオン化率をそれぞれα及びβとし、こ
れらの比率をに＝α／β又はβ／αとすると、過剰雑音
指数は比率ｋに比例して減少することが知られている。
ｎ接合による高電界によって加速され増倍されるが、こ
の増幅過程でのゆらぎのために過剰増倍雑音が発生する
。電子と正孔のイオン化率をそれぞれα及びβとし、こ
れらの比率をに＝α／β又はβ／αとすると、過剰雑音
指数は比率ｋに比例して減少することが知られている。
従って、低雑音のＡＰＤを得るためには、イオン化率比
にの大きい材料にイオン化率の大きな方のキャリヤを注
入し増倍を行なわせることが必要である。
にの大きい材料にイオン化率の大きな方のキャリヤを注
入し増倍を行なわせることが必要である。
現在、ＧａＡｓ−ＭＧａＡｓ系発光素子を用いる波長０
．８μｍ付近における光通信にはＳ１結晶を用いたＡＰ
Ｄが光検出素子として広く用いられているが、これはＳ
ｉかに＝α／βΣ５０と大きなイオン化率比を持ち、低
雑音ＡＰＤに適しているためである。しかし、ｓｌ−Ａ
ＰＤは光通信に用いられる石英系光ファイバーの伝送損
失が低くなる１０〜１．７μｍ波長域では使用すること
ができない。波長１μｍ帯に感度を有する光検出器とし
て従来から［有］結晶を用いたＧｅ−ＡＰＤがちるが、
［有］のイオン化率比はに＝α／βさ１であるため、大
きな過剰雑音を示し最適な光検出器とはいえなイ。一方
、ＩｎＧａＡｓＰ ＋ ＡｔＧａＡｓ５ｂ等の■−ｖ族
化合物半導体結晶を用いた１μｍ帯に光感度を有するＡ
ＰＤの開発も進められつつある。
．８μｍ付近における光通信にはＳ１結晶を用いたＡＰ
Ｄが光検出素子として広く用いられているが、これはＳ
ｉかに＝α／βΣ５０と大きなイオン化率比を持ち、低
雑音ＡＰＤに適しているためである。しかし、ｓｌ−Ａ
ＰＤは光通信に用いられる石英系光ファイバーの伝送損
失が低くなる１０〜１．７μｍ波長域では使用すること
ができない。波長１μｍ帯に感度を有する光検出器とし
て従来から［有］結晶を用いたＧｅ−ＡＰＤがちるが、
［有］のイオン化率比はに＝α／βさ１であるため、大
きな過剰雑音を示し最適な光検出器とはいえなイ。一方
、ＩｎＧａＡｓＰ ＋ ＡｔＧａＡｓ５ｂ等の■−ｖ族
化合物半導体結晶を用いた１μｍ帯に光感度を有するＡ
ＰＤの開発も進められつつある。
この従来例のうちからＩｎ Ｏ，５３Ｇａ ｏ、４７
Ａｓ ／ Ｉ ｎ Ｐにより構成された１μｍ波長帯用
ＡＰＤの一例を第１図に示す。ここで１はｎ型ＩｎＰ基
板、２はｎ型１ｎｏ、５３Ｇａ ０．４７ Ａｓ層、３
はｎ型ＩｎＰ層、４はｐ型ＩｎＰ層であり、５はｐ −
ｎ接合を示している。基板側より入射した波長１〜１．
６μｍの光８は基板を透過しＩｎ０．５３０ａ０．４□
Ａｓ層２にて吸収されキャリヤを励起する。
Ａｓ ／ Ｉ ｎ Ｐにより構成された１μｍ波長帯用
ＡＰＤの一例を第１図に示す。ここで１はｎ型ＩｎＰ基
板、２はｎ型１ｎｏ、５３Ｇａ ０．４７ Ａｓ層、３
はｎ型ＩｎＰ層、４はｐ型ＩｎＰ層であり、５はｐ −
ｎ接合を示している。基板側より入射した波長１〜１．
６μｍの光８は基板を透過しＩｎ０．５３０ａ０．４□
Ａｓ層２にて吸収されキャリヤを励起する。
ブレークダウン近傍の逆バイアス状態において励起され
たキャリヤはＩｎＰ中のｐ−ｎ接合５によって形成され
た高電界によりドリフトし、１１２層４内において増倍
される。このＡＰＤＫおける過剰雑音は、増倍領域すな
わちＩｎＰのイオン化率比ｋにより決定される。今まで
の報告では、このＩｎＰのイオン化率比にはに＝β／α
さ２程度であるため、第１図に示したＡＰＤの雑音はＧ
ｅ−ＡＰＤよ抄は低雑音となるものの、５ｉ−ＡＰＤの
雑音よりは明らかに劣っている。−例として述べたＩｎ
Ｐ以外の■−■族化合物半導体においても、そのイオン
化率比ｋがＳｉのそれと同相１度となる材料は見当たら
ず、これらを用いたＡＰＤの低雑音化には限界があった
。
たキャリヤはＩｎＰ中のｐ−ｎ接合５によって形成され
た高電界によりドリフトし、１１２層４内において増倍
される。このＡＰＤＫおける過剰雑音は、増倍領域すな
わちＩｎＰのイオン化率比ｋにより決定される。今まで
の報告では、このＩｎＰのイオン化率比にはに＝β／α
さ２程度であるため、第１図に示したＡＰＤの雑音はＧ
ｅ−ＡＰＤよ抄は低雑音となるものの、５ｉ−ＡＰＤの
雑音よりは明らかに劣っている。−例として述べたＩｎ
Ｐ以外の■−■族化合物半導体においても、そのイオン
化率比ｋがＳｉのそれと同相１度となる材料は見当たら
ず、これらを用いたＡＰＤの低雑音化には限界があった
。
本発明の目的は、キャリヤの増倍領域内に二つの異った
半導体からなる薄膜多層周期構造を設け、これによって
作られる量子井戸層でキャリヤの実効的なイオン化率比
を大きくシ、かつイオン化率の大なる電子のみを増倍領
域に注入することにより、ＡＰＤの低雑音化を図ったＬ
子井戸層付アバランン・ホトダイオードを提供すること
にある。
半導体からなる薄膜多層周期構造を設け、これによって
作られる量子井戸層でキャリヤの実効的なイオン化率比
を大きくシ、かつイオン化率の大なる電子のみを増倍領
域に注入することにより、ＡＰＤの低雑音化を図ったＬ
子井戸層付アバランン・ホトダイオードを提供すること
にある。
次に本発明の詳細についてＩｎＰ −ＩｎＧａＡｓＰ系
材料を用いた一実施例にもとづいて説明する。
材料を用いた一実施例にもとづいて説明する。
第２図は第１の実施例の横断面図である。不純物濃度Ｉ
Ｘ １０” ｃｍ−３のｎ型ＩｎＰ基板１１の上に、
不純物濃度５Ｘ１０１７ｃｙ＋＋−３，膜厚５ｐｍのｎ
型ＩｎＰ層１２を設け、その上に不純物濃度３ Ｘ １
０１６ ｃｍ−３のｎ型ＩｎＰ層２０（膜厚４００Ａ’
）とｎ型”０．５３ＧａＯ，４７Ａｓ １ｍ ２１ （
膜Ｊｌ ６００Ａ’ ）を交互にそれぞれ５０層設けた
量子井戸１−１３を形成する。その上に不純物濃度５
Ｘ １６” ｃｍ−”膜厚２ｐｍのｐ型１ｎｏ、５３Ｇ
ａｏ、４７ＡＢ層１４と不純物濃度Ｉ Ｘ １０１８ｃ
ｍ−３＋膜厚１μｍのｐ型ＩｎＰ層１５を設ける。
Ｘ １０” ｃｍ−３のｎ型ＩｎＰ基板１１の上に、
不純物濃度５Ｘ１０１７ｃｙ＋＋−３，膜厚５ｐｍのｎ
型ＩｎＰ層１２を設け、その上に不純物濃度３ Ｘ １
０１６ ｃｍ−３のｎ型ＩｎＰ層２０（膜厚４００Ａ’
）とｎ型”０．５３ＧａＯ，４７Ａｓ １ｍ ２１ （
膜Ｊｌ ６００Ａ’ ）を交互にそれぞれ５０層設けた
量子井戸１−１３を形成する。その上に不純物濃度５
Ｘ １６” ｃｍ−”膜厚２ｐｍのｐ型１ｎｏ、５３Ｇ
ａｏ、４７ＡＢ層１４と不純物濃度Ｉ Ｘ １０１８ｃ
ｍ−３＋膜厚１μｍのｐ型ＩｎＰ層１５を設ける。
第２図において円Ａは薄膜多層周期構造の一部である円
Ｂを拡大したものでちり、また１７ 、１８は金属電極
である。ＩｎＰ基板上に第２図に示すような半導体多層
構造を得るためには、膜厚制御性の優れた結晶成長法で
ある分子線エピタキ７ヤル法。
Ｂを拡大したものでちり、また１７ 、１８は金属電極
である。ＩｎＰ基板上に第２図に示すような半導体多層
構造を得るためには、膜厚制御性の優れた結晶成長法で
ある分子線エピタキ７ヤル法。
気相エビタキ／ヤル法、′または有機金属を用いた気相
堆積法を使用する。波長１〜１．６μｍの入射光１９は
ｐ型ＩｎＰ層１５を透過してｐ型■ｎＱ、５３ＧｊＬＯ
，４７Ａｓｊ−１４で吸収され、キャリヤを励起する。
堆積法を使用する。波長１〜１．６μｍの入射光１９は
ｐ型ＩｎＰ層１５を透過してｐ型■ｎＱ、５３ＧｊＬＯ
，４７Ａｓｊ−１４で吸収され、キャリヤを励起する。
逆バイアス時
】８に向い、電子はｐ−ｎ接合１６による電界によって
ドリフトし薄膜多層構造の量子井戸層１３に注入され、
この高電界領域において増胤される。
ドリフトし薄膜多層構造の量子井戸層１３に注入され、
この高電界領域において増胤される。
このような量子井戸層１３内での高電界によるキャリヤ
の増倍については、ＩＥＥ ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬ
ｅｔｔｅｒｓ ＋ １６ ） Ｐ ４６７ （１９８０
）にＨ口述されている。
の増倍については、ＩＥＥ ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬ
ｅｔｔｅｒｓ ＋ １６ ） Ｐ ４６７ （１９８０
）にＨ口述されている。
それによると、次の２つの理由により量子井戸層１３に
よる実効的なイオン化率比に＝α／βがその量子井戸層
１３ｆ：構成している材料面をのイオン化率比よりも著
しく増加する。
よる実効的なイオン化率比に＝α／βがその量子井戸層
１３ｆ：構成している材料面をのイオン化率比よりも著
しく増加する。
（１）第３図に示したのは本実施例の量子井戸層１３の
逆バイアス時におけるエネルギーバンド図であるが、こ
こでＥｇ（ＩｎＰ ） 、 Ｅｇ （ＩｎＧａＡｓ ）
はそれぞれＩｎＰ 、 ■ｎＯ，５３ｃａＯ，４７Ａ８
の禁制帯幅、ΔＥｃ 。
逆バイアス時におけるエネルギーバンド図であるが、こ
こでＥｇ（ＩｎＰ ） 、 Ｅｇ （ＩｎＧａＡｓ ）
はそれぞれＩｎＰ 、 ■ｎＯ，５３ｃａＯ，４７Ａ８
の禁制帯幅、ΔＥｃ 。
ΔＥｖはそれぞれコ／り“クションバンド側、バレ／ス
パント側のＩｎＰとＩｎ０．５３ｃａ０．４７”ｓの禁
制帯幅の相違に起因する不連続エネルギーである。その
ため、ΔＥｃ＋ΔＥｖ ＋ Ｅｇ （！ｎＧａＡｓ ）
＝ Ｅｇ （ＩｎＰ ）の関係が成り立ち、かつΔＥ
ｃ）ΔＥｖである。
パント側のＩｎＰとＩｎ０．５３ｃａ０．４７”ｓの禁
制帯幅の相違に起因する不連続エネルギーである。その
ため、ΔＥｃ＋ΔＥｖ ＋ Ｅｇ （！ｎＧａＡｓ ）
＝ Ｅｇ （ＩｎＰ ）の関係が成り立ち、かつΔＥ
ｃ）ΔＥｖである。
ＩｎＰ層２層外０Ｉｎ□、５３ Ｇａ。、４７ Ａｓ層
２１に注入される電子ハ高いエネルギーΔＢｅをもって
いるのに対し、正孔はΔＥｖの如く低いため、電子のイ
オン化率αを増加させる。
２１に注入される電子ハ高いエネルギーΔＢｅをもって
いるのに対し、正孔はΔＥｖの如く低いため、電子のイ
オン化率αを増加させる。
（２）量子井戸層１３内では正孔−正孔の衝突が電子−
電子の衝突よりも多くなり、そのため正孔はバレンスパ
ントの井戸に電子よりも多く閉じこめられることになる
。そのため、電子のイオン化が正孔のイオン化よりも実
ｄ的に増加する。
電子の衝突よりも多くなり、そのため正孔はバレンスパ
ントの井戸に電子よりも多く閉じこめられることになる
。そのため、電子のイオン化が正孔のイオン化よりも実
ｄ的に増加する。
この量子井戸層１３における実効的なイオン化率比に＝
α／βは周期構造の間隔と各層の数及び不純物濃度に依
存するが、ｋ＝１０〜３０の値に設計することが可能で
ある。
α／βは周期構造の間隔と各層の数及び不純物濃度に依
存するが、ｋ＝１０〜３０の値に設計することが可能で
ある。
このような大きなイオン化率比を有する量子井戸層１３
で増倍された電子は電極１７に向い外部端子に増幅され
た電流信号を送り出す。このときの過剰増倍雑音は前述
したごとく増倍領域である量子井戸層１３のイオン化率
比が大きいため、ＩｎＰ等の＋ｎ −ｖ族化合物半導体
単体を増倍に用いたＡＰＤと比較してはるかに低雑音と
なる。
で増倍された電子は電極１７に向い外部端子に増幅され
た電流信号を送り出す。このときの過剰増倍雑音は前述
したごとく増倍領域である量子井戸層１３のイオン化率
比が大きいため、ＩｎＰ等の＋ｎ −ｖ族化合物半導体
単体を増倍に用いたＡＰＤと比較してはるかに低雑音と
なる。
第４図は第２の実施例を示す断面図である。第２＝ａに
示した第１の実施例と異なる点はｐ−ｎ接合１６が量子
井戸層Ｉ３の上に設けられた不純物濃度３ Ｘ １０１
５ｃｍ ３．膜厚０．５μｍ Ｌｖｎ型ＩｎＰ層２２と
不純物濃度５ Ｘ １０” Ｃｒｎ−３ｒ膜厚０．３μ
ｍのｐ型１ｎＰ層２３によって構成されている薇である
。この実施例におい層 で、最大電界強度点となるｐ−ｎ接合１６は■ｎ１Ａ２
２゜２３内に形成されているため、禁制帯幅の小なる”
０．５３０ａ０．４７Ａｓ層１４ 、２１に印加される
電界強度が緩和され、Ｉｎ Ｏ，５３ＧａＯ，４□Ａｓ
層におけるトンネル電流。
示した第１の実施例と異なる点はｐ−ｎ接合１６が量子
井戸層Ｉ３の上に設けられた不純物濃度３ Ｘ １０１
５ｃｍ ３．膜厚０．５μｍ Ｌｖｎ型ＩｎＰ層２２と
不純物濃度５ Ｘ １０” Ｃｒｎ−３ｒ膜厚０．３μ
ｍのｐ型１ｎＰ層２３によって構成されている薇である
。この実施例におい層 で、最大電界強度点となるｐ−ｎ接合１６は■ｎ１Ａ２
２゜２３内に形成されているため、禁制帯幅の小なる”
０．５３０ａ０．４７Ａｓ層１４ 、２１に印加される
電界強度が緩和され、Ｉｎ Ｏ，５３ＧａＯ，４□Ａｓ
層におけるトンネル電流。
生成−再結合電流といった暗電流成分を減少させること
ができ、光検出器としての雑音をさらに減少させること
が可能となる。この実施例においても大きなイオン化率
比を％−＞量子井戸層に電子が注入され、増倍される過
程は第１の実施例と同じであることは言う１でもない。
ができ、光検出器としての雑音をさらに減少させること
が可能となる。この実施例においても大きなイオン化率
比を％−＞量子井戸層に電子が注入され、増倍される過
程は第１の実施例と同じであることは言う１でもない。
以上の実施例では、Ｉ ｎ ０５３ Ｇａ ｏ、４７’
Ａｓ 層を光を吸収しキャリヤを励起する領域とし、
Ｉｎ０．５３Ｇａｏ、４７Ａ８層とＩｎＰ層とからなる
量子井戸層を注入された電子を増倍する領域とすること
により、波長１．０〜１．６μｍの光に感度を有する高
感度がり低雑音のアバラン／・ホトダイオードが実現で
きることを示した。
Ａｓ 層を光を吸収しキャリヤを励起する領域とし、
Ｉｎ０．５３Ｇａｏ、４７Ａ８層とＩｎＰ層とからなる
量子井戸層を注入された電子を増倍する領域とすること
により、波長１．０〜１．６μｍの光に感度を有する高
感度がり低雑音のアバラン／・ホトダイオードが実現で
きることを示した。
しかし、本発明は他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＡｔＧ
ａＡｓ −ＧａＡｓ系、 ＡＩＴｎＧａＡａ −ＩｎＰ
系。
ａＡｓ −ＧａＡｓ系、 ＡＩＴｎＧａＡａ −ＩｎＰ
系。
ＩｎＧａＡｓＰ −１ｎＰ系、 ＡｔＧａＡｓ５ｂ−Ｇ
ａＳｂ系等にッｚても適用が可能であり、更に導電型に
ついても実施例とは逆の導電型の半導体を用いることも
８Ｊ能である。また、実施例ではメサ型構造のＡＰＤに
ついて示したが、ブレーナ型を用いてもよいことはぎ、
うまでもない。
ａＳｂ系等にッｚても適用が可能であり、更に導電型に
ついても実施例とは逆の導電型の半導体を用いることも
８Ｊ能である。また、実施例ではメサ型構造のＡＰＤに
ついて示したが、ブレーナ型を用いてもよいことはぎ、
うまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、■−■族化合物
半導体単体では実現し得なかった大きなイオン化率化を
量子井戸層を用いることにより実現し、かつイオン化率
の大なる電子のみが増倍領域である量子井戸層に注入、
されるため、惨めで低雑音な７バラ／ン・ホトダイオー
ドを得ることができ、その光通信等への応用価値は極め
て犬である。
半導体単体では実現し得なかった大きなイオン化率化を
量子井戸層を用いることにより実現し、かつイオン化率
の大なる電子のみが増倍領域である量子井戸層に注入、
されるため、惨めで低雑音な７バラ／ン・ホトダイオー
ドを得ることができ、その光通信等への応用価値は極め
て犬である。
第１図は従来のアバランシ・ホトダイオードの一例を示
す縦断面図、第２図は本発明による縫子井戸層を有する
アバランシ・ホトダイオードの第１の実施例を示す縦断
面図、第３図は第２図の実施例における量子井戸の逆バ
イアス印加時におけるエネルギー構造の模式図、第４図
は本発明の第２の実施例を示す縦断面図である。 １−ｎ型ＩｎＰ基板、２−・−ｎ型Ｉｎ Ｏ，５３Ｇａ
Ｏ，４７Ａｓ層、３ ・ｎ型ＩｎＰ層、４−ｐ型Ｉｎ
Ｐ層、５−ｐ−ｎ接合、６．７・・・金属電極、８・・
・入射光、１１・・・ｎ型ＩｎＰ基板、１２・・・ｎ型
ＩｎＰ層、１３・・・薄膜多層周期構造を有する量子井
戸層、１４＝−ｐ型■ｎ０．５３ａａＯ，４７Ａｓ層、
１５− ｐ型ＩｎＰ層、１６ ・−ｐ−ｎ接合、１７
、１８−金属電極、１９・・・入射光、２０・・・ｎ厚
ＩｎＰ層、２１・・・ｎ型ＩｎＯ，５３ＧａＯ，４７Ａ
ｓ層、２２− ｎ型ＩｎＰ層、２３・−ｐ型ＩｎＰ層。 特許出願人 国際電信電話株式会社 代 理 人 犬 塚 学外ｌ逮
す縦断面図、第２図は本発明による縫子井戸層を有する
アバランシ・ホトダイオードの第１の実施例を示す縦断
面図、第３図は第２図の実施例における量子井戸の逆バ
イアス印加時におけるエネルギー構造の模式図、第４図
は本発明の第２の実施例を示す縦断面図である。 １−ｎ型ＩｎＰ基板、２−・−ｎ型Ｉｎ Ｏ，５３Ｇａ
Ｏ，４７Ａｓ層、３ ・ｎ型ＩｎＰ層、４−ｐ型Ｉｎ
Ｐ層、５−ｐ−ｎ接合、６．７・・・金属電極、８・・
・入射光、１１・・・ｎ型ＩｎＰ基板、１２・・・ｎ型
ＩｎＰ層、１３・・・薄膜多層周期構造を有する量子井
戸層、１４＝−ｐ型■ｎ０．５３ａａＯ，４７Ａｓ層、
１５− ｐ型ＩｎＰ層、１６ ・−ｐ−ｎ接合、１７
、１８−金属電極、１９・・・入射光、２０・・・ｎ厚
ＩｎＰ層、２１・・・ｎ型ＩｎＯ，５３ＧａＯ，４７Ａ
ｓ層、２２− ｎ型ＩｎＰ層、２３・−ｐ型ＩｎＰ層。 特許出願人 国際電信電話株式会社 代 理 人 犬 塚 学外ｌ逮
Claims (2)
- （１）受光する当該光を吸収して光励起キャリヤを発生
する第１の半導体層と、前記光励起キャリヤを増倍する
ために第２の半導体及び第３の半導体の薄膜多層周期構
造からなる量子井戸層と、前記第１の半導体層と前記量
子井戸層との間に介在するｐ−ｎ接合とを備えるように
構成されたｌ子井戸層付アバランシ・ホトダイオード。 - （２）前記量子井戸層には電子のみが注入されるように
前記ｐ−ｎ接合が前記第１の半導体とは異なった禁制帯
幅の広い半導体層内に設けられていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の量子井戸層付アバランシ
・ホトダイオード。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56159967A JPS5861679A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 量子井戸層付アバランシ・ホトダイオ−ド |
| GB08228721A GB2107927B (en) | 1981-10-07 | 1982-10-07 | Avalanche photodiode with quantum well layer |
| US06/892,479 US4731641A (en) | 1981-10-07 | 1986-08-05 | Avalanche photo diode with quantum well layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56159967A JPS5861679A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 量子井戸層付アバランシ・ホトダイオ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5861679A true JPS5861679A (ja) | 1983-04-12 |
| JPS6328506B2 JPS6328506B2 (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=15705077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56159967A Granted JPS5861679A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 量子井戸層付アバランシ・ホトダイオ−ド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4731641A (ja) |
| JP (1) | JPS5861679A (ja) |
| GB (1) | GB2107927B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6285832A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-20 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光学式温度計 |
| JPH0210780A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
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| JPS6016474A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Nec Corp | ヘテロ多重接合型光検出器 |
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-
1981
- 1981-10-07 JP JP56159967A patent/JPS5861679A/ja active Granted
-
1982
- 1982-10-07 GB GB08228721A patent/GB2107927B/en not_active Expired
-
1986
- 1986-08-05 US US06/892,479 patent/US4731641A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4731641A (en) | 1988-03-15 |
| GB2107927A (en) | 1983-05-05 |
| GB2107927B (en) | 1986-03-05 |
| JPS6328506B2 (ja) | 1988-06-08 |
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