DE1185253B - Amplitudenmodulator mit Halbleiterbauelementen - Google Patents

Amplitudenmodulator mit Halbleiterbauelementen

Info

Publication number
DE1185253B
DE1185253B DEL39480A DEL0039480A DE1185253B DE 1185253 B DE1185253 B DE 1185253B DE L39480 A DEL39480 A DE L39480A DE L0039480 A DEL0039480 A DE L0039480A DE 1185253 B DE1185253 B DE 1185253B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
series
transistors
semiconductor components
opposite directions
amplitude modulator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEL39480A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr-Ing Wolfgang Andrich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DEL39480A priority Critical patent/DE1185253B/de
Publication of DE1185253B publication Critical patent/DE1185253B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03C—MODULATION
    • H03C1/00—Amplitude modulation
    • H03C1/36—Amplitude modulation by means of semiconductor device having at least three electrodes

Landscapes

  • Amplitude Modulation (AREA)

Description

  • Amplitudenmodulator mit Halbleiterbauelementen Amplitudenmodulatoren sind in mannigfaltigen Ausführungen bekannt. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Amplitudenmodulator mit Halbleiterbauelementen anzugeben, der mit unterdrücktem Träger arbeitet und gleichzeitig eine Verstärkung gewährleistet, so daß praktisch eine Leistungsstufe miteingeschlossen wird. Die Lösung dieser Aufgabe gelingt gemäß der Erfindung dadurch, daß in Reihe mit einem Schwingkreis, an dem die modulierte Hochfrequenz abgenommen wird, die Emitter-Kollektor-Strecken zweier gegensinnig hintereinandergeschalteter Transistoren liegen, denen in an sich bekannter Weise jeweils ein Gleichrichter gegensinnig parallel geschaltet ist, wobei die Reihenschaltung von der zusätzlich in Reihe geschalteten Modulationsspannung beaufschlagt und die Transistoren basisseitig im Gleichtakt von der zu modulierenden Hochfrequenzspannung gesteuert werden.
  • Es ist an sich ein elektronischer Schalter für Wechselstromkreise mit Transistoren als Schaltelemente bekannt, bei dem in Reihe mit dem Verbraucher die Emitter-Kollektor-Strecken zweier gegensinnig hintereinandergeschalteter Transistoren liegen, denen jeweils ein Gleichrichter gegensinnig parallel geschaltet ist, wobei diese Reihenschaltung von der zu schaltenden Wechselspannung und die Transistoren basisseitig gemeinsam von einer den Schalter betätigenden Steuergleichspannung beaufschlagt werden. Dieser bekannte Schalter bezieht sich jedoch lediglich auf die Öffnung und Schließung eines Wechselstromkreises auf Grund einer Steuergleich-Spannung und nicht auf einen Modulator.
  • An Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels wird die Erfindung näher erläutert. In Reihe mit einem Schwingkreis, der aus dem Kondensator C 2 und der Primärwicklung eines Übertragers ftTi gebildet wird, wobei über die Klemmen 3, 4 des übertragers die modulierte trägerfreie Hochfrequenzspannung abgenommen wird, liegen die Emitter-Kollektor-Strecken zweier gegensinnig hintereinandergeschalteter Transistoren Trl und Tr2. Den Transistoren ist jeweils ein Gleichrichter Dl, D2 gegensinnig parallel geschaltet. Diese Reihenschaltung wird über die Klemmen 1, 2 mit der NF-Modulationsspannung beaufschlagt. Die Basen der Transistoren werden im Gleichtakt über einen Kopplungskondensator C1 mit der zu modulierenden Hochfrequenzspannung (HF) gesteuert. Die Verbindungsleitung zwischen den beiden Transistoren ist auf 0-Potential gelegt, das mit M (Masse) bezeichnet ist. über den Widerstand R1 erhalten die Transistoren eine Sperr-Vorspannung.
  • Liegt ein Schwingkreis mit Mittelanzapfung vor, so läßt sich die Schaltung ohne weiteres entsprechend anpassen.

Claims (1)

  1. Patentanspruch: Amplitudenmodulator mit Halbleiterbauelementen, dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe mit einem Schwingkreis, an dem die modulierte Hochfrequenz abgenommen wird, die Emitter-Kollektor-Strecken zweier gegensinnig hintereinandergeschalteter Transistoren liegen, denen in an sich bekannter Weise jeweils ein Gleichrichter gegensinnig parallel geschaltet ist, wobei die Reihenschaltung von der zusätzlich in Reihe geschalteten Modulationsspannung beaufschlagt und die Transistoren basisseitig im Gleichtakt von der zu modulierenden Hochfrequenzspannung gesteuert werden. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 702 293; deutsche Auslegeschriften Nr. 1096 417, 1121115; USA.-Patentschrift Nr. 2 691745.
DEL39480A 1961-07-06 1961-07-06 Amplitudenmodulator mit Halbleiterbauelementen Pending DE1185253B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL39480A DE1185253B (de) 1961-07-06 1961-07-06 Amplitudenmodulator mit Halbleiterbauelementen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL39480A DE1185253B (de) 1961-07-06 1961-07-06 Amplitudenmodulator mit Halbleiterbauelementen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1185253B true DE1185253B (de) 1965-01-14

Family

ID=7268672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEL39480A Pending DE1185253B (de) 1961-07-06 1961-07-06 Amplitudenmodulator mit Halbleiterbauelementen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1185253B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4117122A1 (de) * 1991-05-25 1992-11-26 Abb Patent Gmbh Schaltung zur steuerung eines wechselstromes

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE702293C (de) * 1938-07-30 1941-02-04 Aeg Anordnung zur Speisung eines Gleichstrommotors fuer Rechts- und Linkslauf aus einem Wechselstromnetz ueber gesteuerte Entladungsstrecken
US2691745A (en) * 1951-03-06 1954-10-12 Robotron Corp Electronic switch
DE1096417B (de) * 1958-06-18 1961-01-05 Allis Chalmers Mfg Co Transistorschalter mit Schaltmitteln zur entgegengesetzt parallelen Verbindung der Emitter- und Kollektorelektroden der Transistoren und mit Mitteln zur Verbindung der Basiselektroden der Transistoren
DE1121115B (de) * 1958-11-13 1962-01-04 Telefunken Patent Bipolarer elektronischer Schalter

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE702293C (de) * 1938-07-30 1941-02-04 Aeg Anordnung zur Speisung eines Gleichstrommotors fuer Rechts- und Linkslauf aus einem Wechselstromnetz ueber gesteuerte Entladungsstrecken
US2691745A (en) * 1951-03-06 1954-10-12 Robotron Corp Electronic switch
DE1096417B (de) * 1958-06-18 1961-01-05 Allis Chalmers Mfg Co Transistorschalter mit Schaltmitteln zur entgegengesetzt parallelen Verbindung der Emitter- und Kollektorelektroden der Transistoren und mit Mitteln zur Verbindung der Basiselektroden der Transistoren
DE1121115B (de) * 1958-11-13 1962-01-04 Telefunken Patent Bipolarer elektronischer Schalter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4117122A1 (de) * 1991-05-25 1992-11-26 Abb Patent Gmbh Schaltung zur steuerung eines wechselstromes

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS4919533B1 (de)
DE1185253B (de) Amplitudenmodulator mit Halbleiterbauelementen
DE2342294A1 (de) Schaltungsanordnung zur galvanischen trennung von gleichstromsignalen
DE924328C (de) Modulatorschaltung mit Transistor
US3017109A (en) Pulse width signal multiplying system
DE3526997C2 (de)
DE759966C (de) Doppelgegentaktmodulator
US3184608A (en) Precision phase sensitive demodulator
DE2325881A1 (de) Verfahren und schaltungsanordnung zum ein- und ausschalten eines halbleiterschalters im nulldurchgang der betriebswechselspannung
DE2111207C3 (de) Transistor-Gleichstromumrichter
DE2803430B2 (de) Frequenzstabiler, amplitudengeregelter Oszillator
DE812798C (de) Schaltungsanordnung zur wahlweisen Demodulation frequenz- oder amplitudenmodulierter Signaltraeger
DE850013C (de) Schaltung zur Amplitudenmodulation einer elektrischen Schwingung
DE2328587A1 (de) Anordnung zur messung elektrischer wechselstromgroessen mit hilfe eines elektronischen messgeraetes
SU126146A1 (ru) Фазовый модул тор
DE1762148C3 (de) 'Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsen beim Nulldurchgang einer Signalspannung
AT242748B (de) Schaltungsanordnung zur Demodulation begrenzter phasen- oder frequenzmodulierter Schwingungen
DE1930424C3 (de) Schaltvorrichtung
DE639626C (de) Schaltung zur gleichzeitigen Erzeugung einer Strom- und Spannungsresonanz
DE1966600B2 (de)
DE445212C (de) Kopplungsanordnung bei Schaltungen mit Frequenztransformatoren
SU881952A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
DE2121592A1 (de) Schaltungsanordnung zur potentialfreien Übertragung von Gleichspannungssignalen
DE1139147B (de) Modulationseinrichtung fuer Wechselstromtelegraphie, insbesondere fuer Fernmesszwecke
DE1912349A1 (de) Stabilisierter Zerhackerverstaerker