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Gleichstromgesteuerte Wechselstrommodulatoren Zusatz zum Patent:
1089 427 Das Hauptpatent 1089 427 betrifft eine gleichstromgesteuerte
Wechselstrommodulatorschaltung mit zwei wechselweise Spannung führenden ersten Klemmenpaaren
als Ausgänge bei Amplitudenmodulation oder Frequenzmodulation oder als Eingänge
für verschiedene Trägerfrequenzen bei Doppeltonmodulation und einem zweiten Klemmenpaar
als Eingang einer Trägerfrequenz bei Amplitudenmodulation oder Frequenzmodulation
oder als Ausgang zweier abwechselnd auftretender Trägerfrequenzen bei Doppeltomnodulation.
Gemäß dem Kennzeichen des Hauptpatentes sind im Steuerkreis der einzelnen Modulatorzweige
steuerbare Widerstände vorgesehen, die je
nach Polarität der dem Steuereingang
zugeführten Gleichstromzeichen wechselweise geöffnet bzw. gesperrt sind und so abwechselnd
eine Verbindung zwischen einem der ersten Klemmenpaare und dem zweiten Klemmenpaar
herstellen.
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Eine typische Schaltung gemäß dem Hauptpatent ist in F i
g. 1 dargestellt. Am Eingang E 1 werden die Steuerzeichen, z. B. Doppelstrom-Gleichstrom-Signale
zugeführt. Falls die Eingangsklemme al positiv gegenüber der Eingangsklemme
b 1 ist, bildet sich ein Stromfluß von der Klemme a 1 über den Widerstand
R3, die Diode D12 und die Emitter-Basis-Strecke des Transistors T 2 zur Klemme
b 1 aus. Der Transistor T2 wird also leitend, während der Transistor Tl durch
den Spannungsabfall an der Diode D12
gesperrt ist. Die am Eingang
E 2 anliegende, von dem Generator Gl erzeugte Trägerfrequenz, die über den
übertrager UT1 eingekoppelt wird, ruft während der einen Halbwelle der Trägerfrequenzspannung
einen Stromfluß über die Diode D9 und während der anderen Halbwelle ein Stromfluß
über die Diode D 11
hervor, so daß beide Halbwellen die Emitter-Kollektor-Strecke
des Transistors T2 in der gleichen Richtung durchfließen. über den Übertrager UT3
gelangt die Trägerfrequenzspannung an den Ausgang A 2.
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Falls die Eingangsklemme b 1 positiv gegenüber der Eingangsklemme
a 1 ist, bildet sich ein Stromfluß von der Klemme b 1 über die Diode
D 13, die Emitter-Basis-Strecke des Transistors Tl und den Widerstand
R 3 zu der Klemme a 1 aus. Durch den Spannungsabfall an der
Diode D 13 wird nunmehr der Transistor T 2 gesperrt, während der Transistor
T 1 leitend wird. Die Trägerfrequenzspannung gelangt nunmehr über den geöffneten
Transistor T 1, die Dioden D 8
oder D 10 und den übertrager
UT2 an den Ausgang A 1.
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Die Trägerfrequenzspannung wird somit je nach Polarität der
am Eingang El zugeführten Gleichstromzeichen entweder zu dem: Ausgang
A 1 oder zu dem Ausgang A 2 durchgeschaftet.
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Falls bei dieser Schaltung die Aussteuerung durch die Gleichstromzeichen
ausfällt, z. B. wegen eines Kurzschlusses der Eingangsklemmen a 1 und
b 1, so liegt an den Steuerstrecken der Transistoren Tl und T2 keine Spannung
an, und diese Transistoren sind demnach nichtleitend, aber auch nicht sicher gesperrt,
Eine solche Sperrung ist aber notwendig oder erwünscht, damit keine Fehlzeichen
entstehen. Dies wird gemäß der Erfindung auf einfache Weise dadurch erreicht, daß
die im Steuerkreis der einzelnen Modulatorzweige vorgesehenen steuerbaren Widerstände
bei unter einen bestimmten Mindestpegel abfallender Aussteuerung durch die Gleichstromzeichen
bei Amplitudenmodulation oder Frequenzmodulation durch eine von der über das zweite
Klemmenpaar zugeführten Trägerfrequenz und bei Doppeltenmodulation durch eine aus
den über die ersten Klemmenpaare zugeführten Trägerfrequenzen poWntialfrei abgeleitete
Gleichspannung gesperrt sind. Einzelheiten der Erfindung werden an Hand der Zeichnung
erläutert.
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Die Wirkungsweise des in F i g. 2 dargestellten Ausführungsbeispiels
ist, bei Aussteuerung durch am Eingang El zugeführte Gleichstromzeichen,
die gleiche wie bei der Schaltung nach Fig. 1. Falls am EingangE1 keine Gleichstromzeichen
anliegen oder diese unter einen bestimmten Minimalpegel abfallen, so werden die
beiden Transistoren T 1 und T 2 folgendermaßen gesperrt. In der einen Halbwelle
der am Eingang E 1. anliegenden, vom Generator G 1 gelieferten
Trägerfrequenz
fließt ein Strom von der Sekundärwicklung des übertragers UTI zum Punkt
A.
Dort verzweigt sich der Strom und fließt einerseits über den Widerstand
R 4 und die Diode D 12 und andererseits über den Widerstand R
5 und die Diode D13 zur Mittelanzapfung der Sekundärwicklung des
übertragers UT1. In der anderen Halbwelle fließt von der Sekundärwicklung des übertragers
UT1 ein Strom über die Diode D 15 wiederum zum Punkt A
und verzweigt
sich dort in der gleichen Weise. Während jeder Halbwelle wird somit der Transistor
T 1
mit der Durchlaßspannung der Diode D 12 und der Transistor
T2 mit der Durchlaßspannung der Diode D 13 gesperrt. An Stelle der
Dioden D 12 und D 13
können auch Widerstände verwendet werden.
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Wie ersichtlich, ist der Mehraufwand gegenüber der Schaltung nach
F i g. 1 sehr gering. Trotzdem wird eine sichere Sperrung der Transistoren
T 1 und T2 bei fehlenden oder unter einen bestimmten Mindestpegel absinkenden
Gleichstromsteuerzeichen erreicht.
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Bei dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 3, das der Schaltung
nach F i g. 5 des Hauptpatentes entspricht, sind die beiden Transistoren
T 1 und T 2 für die am Eingang EI zugeführten Gleichstromsteuerzeichen
gegensinnig parallel geschaltet. Falls die Eingangsklemme a 1 positiv gegenüber
der Klemme b 1 ist, ist der Transistor T 2 leitend und der Transistor T
1 gesperrt. Demnach wird die am Eingang E 2 anliegende Trägerfrequenz
zum Ausgang A 2 durchgeschaltet. Falls umgekehrt die Eingangsklemme
b 1 positiv gegenüber der Eingangsklenune al ist, so ist der Transistor Tl
durchlässig und der Transistor T2 gesperrt. In diesem Fall wird die am Eingang
E2
zugeführte Trägerfrequenz zum AusgangAl durchgeschaltet.
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Bei fehlender oder unter einen bestimmten Mindestpegel abgesunkener
Ansteuerung durch die Gleichstromzeichen werden die TransistorenT1 und T2 folgendermaßen
gesperrt: Während der einen Halbwelle der am Eingang E2 zugeführten, vom
Generator Gl gelieferten Trägerfrequenz fließt ein Strom von der unteren Sekundärwicklung
des übertragers UT 1 über die Diode D 16 zum Punkt A und über
die Widerstände RS, R6 und R7 zur Mittelanzapfung dieser Sekundärwicklung.
Während der anderen Halbwelle fließt ein Strom über die Diode D17 zum PunktA
und von dort wiederum über die Widerstände R8, R6 und R7 zur Mittelanzapfung der
Sekundärwicklung. Die Widerstände R 3 und R 9
dienen zur Entkopplung.
Die Transistoren Tl und T2 werden somit während beider Halbwellen durch den Spannungsabfall
an den Widerständen R6 und R7 gesperrt. Die WiderständeR6 und R7 können wie bei
dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 zur Erhöhung der Empfindlichkeit des Modulators
durch entsprechend gepolte Dioden ersetzt werden. Die Entkopplungswiderstände R
3 und R 9 können ebenfalls durch Dioden ersetzt werden. Die an Stelle
des Widerstandes R3 einzuschaltende Diode hat die gleiche Durchlaßrichtung wie die
Emitterbasisdiode des Transistors Tl. Entsprechendes gilt für die an Stelle des
Widerstandes R 9 einzusetzende Diode.
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Auch bei den anderen Schaltungen gemäß dem Hauptpatent kann aus der
jeweils vorhandenen Trägerfrequenz eine potentialfreie Gleichspannung abgeleitet
und bei fehlender oder unter einen gewissen Mindestpegel abgesunkenen Aussteuerung
durch die Eingangsgleichstromzeicheen zur Sperrung der in den Mittelzweigen liegenden
Modulatortransistoren verwendet werden. Die Ableitung dieser sperrenden Gleichspannung
aus der jeweils vorhandenen Trägerfrequenz erfolgt nach dem gleichen Prinzip wie
die bei den Ausführungsbeispielen nach F i g. 2 und 3.
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Selbstverständlich kann die sperrende Gleichspannung auch von zusätzlichen
Sekundärwicklungen des übertragers UT 1 bzw. der Obertrager UT2 und UT3 oder
von symmetrisch um die Mittelanzapfung der vorhandenen Sekundärwicklungen dieser
Übertrager angebrachten Anzapfungen abgeleitet werden. In diesem Fall können die
Widerstände R 4 und R 5
nach F i g. 2 bzw. der Widerstand R
8 bei F i g. 3 entfallen.