DE1163978B - Verfahren zur Erzeugung einer Schutzschicht auf Oberflaechen von Halbleiterkoerpern fuer Halbleiterbauelemente - Google Patents

Verfahren zur Erzeugung einer Schutzschicht auf Oberflaechen von Halbleiterkoerpern fuer Halbleiterbauelemente

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • H10P14/6334—
    • H10P14/6682—
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US2789258A (en) * 1955-06-29 1957-04-16 Raytheon Mfg Co Intrinsic coatings for semiconductor junctions
DE969465C (de) * 1953-07-28 1958-06-04 Siemens Ag Halbleiterelement mit scharfen p-n- oder p-n-p-UEbergaengen
DE1037016B (de) * 1956-12-06 1958-08-21 Rca Corp Halbleitereinrichtung, wie Transistor, Legierungsdiode od. dgl. und Verfahren zu deren Herstellung

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