DE1160950B - Relaisschaltung hoher Ansprechgenauigkeit - Google Patents

Relaisschaltung hoher Ansprechgenauigkeit

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DE1160950B
DE1160950B DES70770A DES0070770A DE1160950B DE 1160950 B DE1160950 B DE 1160950B DE S70770 A DES70770 A DE S70770A DE S0070770 A DES0070770 A DE S0070770A DE 1160950 B DE1160950 B DE 1160950B
Authority
DE
Germany
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relay
circuit
voltage
high response
response accuracy
Prior art date
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Pending
Application number
DES70770A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Gerhard Ledig
Arno Pindric
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
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Publication of DE1160950B publication Critical patent/DE1160950B/de
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/64—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors having inductive loads
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/20—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess voltage
    • H02H3/202—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess voltage for dc systems

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  • Relay Circuits (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Description

  • Relaisschaltung hoher Ansprechgenauigkeit Die Erfindung betrifft eine Relaissehaltung hoher Ansprechgenauigkeit für einen bestimmten Spannungswert, bei der die Auslösespannung der Basiselektrode eines Transistors zugeführt wird, in dessen Kollektorkreis die Relaiswicklung liegt, während die Emitterelektrode an einen die Speisestromquelle überbrückenden Spannungsteiler angeschlossen ist, der aus einer Diode und einem Widerstand besteht. Derartige Schaltungsanordnungen sind bekannt. Die bekannten Schaltungsanordnungen sind jedoch in ihrer Anwendung auf eine Eingangsspannung bestimmter Polarität beschränkt und meist nur für geringere Anforderungen an die Genauigkeit der Einschaltung der Schaltspannung eingerichtet.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei Erreichen einer bestimmten Ausgangsspannung eines Gleichstromverstärkers einen Schaltvorgang auszulösen.
  • Die Auslösespannung soll dabei mit einer Genauigkeit von kleiner als 1 % eingehalten werden. Zur Lösung dieser Aufgabe ist erfindungsgemäß eine Relaisschaltung vorgesehen, bei der zwei Transistoren komplementären Leitungstyps mit ihren Basiselektroden parallel geschaltet sind, in deren Kollektorkreisen jeweils eine getrennte Wicklung des Relais liegt, während im Emitterkreis jeweils eine Zenerdiode eingeschaltet ist.
  • Es soll noch darauf hingewiesen werden, daß die Anwendung von Transistoren komplementären Typs zur Ansteuerung von Relais bekannt ist. Ferner ist es bekannt, Zenerdioden, die einen ausgeprägten Kennlinienknick besitzen, in Schaltstufen zu verwenden.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist nachstehend an Hand der Zeichnung erläutert. Mit dieser Schaltung kann beispielsweise die in der Polarität wechselnde Ausgangsgleichspannung eines Gleichspannungsverstärkers beim Erreichen der Ausgangssollspannung einen Schaltvorgang auslösen, der seinerseits wieder die Eingangsspannung des Verstärkers in der Polarität ändert. Die Auslösespannung wird dabei den Klemmen Ei und E2 zugeführt, die mit den Transistoren T1 und T2 der Basiselektroden B verbunden sind. Der Transistor T1 ist vom pnp-Typ, während der Transistor T2 vom npn-Typ ist. Im Kollektorkreis der Transistoren T1 und T2 liegen die Relaiswicklungen A1 und A2. Parallel zu den Speisestromquellen Bi und B2 ist je ein Spannungsteiler, bestehend aus den Widerständen R1 und R2 und den Zenerdioden Z1 und Z2 eingeschaltet. Die Emitterelektroden der Transistoren T1 und T2 sind am Abgriff der Spannungsteiler, d. h. jeweils zwischen den Widerständen R1 und R2 und der Zenerdiode Z1 und Z2 angeschlossen. Das mit den Wicklungen A1 und A2 versehene Relais erhält zweckmäßig einen Umschaltkontakt, dessen Stellung davon abhängig ist, welche der Relaiswicklungen Al und A2 nach Erreichen der Auslösespannung vom Strom gespeist wird. Die Schaltung kann durch Veränderung der Spannungsteiler an jeden gewünschten Ansprechwert angepaßt werden. Bei sehr kleinen Auslösespannungen ist die Vorschaltung eines Verstärkers erforderlich. Die Schaltung hat neben ihrer hohen Genauigkeit den Vorteil, daß sie im Gegensatz zu bekannten Schaltungen mit Spezialrelais erschütterungsunempfindlich ist.

Claims (1)

  1. Patentanspruch: Relaisschaltung hoher Ansprechgenauigkeit für einen bestimmten Spannungswert, bei der die Auslösespannung der Basiselektrode eines Transistors zugeführt wird, in dessen Kollektorkreis die Relaiswicklung liegt, während die Emitterelektrode an einen die Speisestromquelle überbrückenden Spannungsteiler angeschlossen ist, der aus einer Diode und einem Widerstand besteht, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Transistoren komplementären Leitungstyps mit ihren Basiselektroden parallel geschaltet sind, in deren Kollektorkreisen jeweils eine getrennte Wicklung des Relais liegt, während im Emitterkreis jeweils eine Zenerdiode eingeschaltet ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1009 235; Elektro-Anzeiger, Nr. 18 vom 1. 5. 1957; Funk-Technik, Nr. 9, 1957, S. 281.
DES70770A 1960-10-03 1960-10-03 Relaisschaltung hoher Ansprechgenauigkeit Pending DE1160950B (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2094186A1 (de) * 1970-06-11 1972-02-04 Bendix Corp
DE19718842A1 (de) * 1997-05-06 1998-11-12 Abb Patent Gmbh Elektrisches Schaltgerät, insbesondere Schütz

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1009235B (de) * 1955-07-18 1957-05-29 Agfeo Ges Mit Beschraenkter Ha Mit Transistoren arbeitende Relaisanordnung zur Umformung von Einfachstrom- in Doppelstromimpulse

Patent Citations (1)

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