DE1160547B - Verfahren zum elektrolytischen AEtzen eines Halbleiterbauelementes mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und einem an die Oberflaeche tretenden pn-UEbergang - Google Patents

Verfahren zum elektrolytischen AEtzen eines Halbleiterbauelementes mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und einem an die Oberflaeche tretenden pn-UEbergang

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DE1160547B DES49100A DES0049100A DE1160547B DE 1160547 B DE1160547 B DE 1160547B DE S49100 A DES49100 A DE S49100A DE S0049100 A DES0049100 A DE S0049100A DE 1160547 B DE1160547 B DE 1160547B
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DES49100A DE1160547B (de) 1956-06-16 1956-06-16 Verfahren zum elektrolytischen AEtzen eines Halbleiterbauelementes mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und einem an die Oberflaeche tretenden pn-UEbergang
DES49165A DE1221075B (de) 1956-06-16 1956-06-22 Anordnung zur elektrolytischen Oberflaechenbehandlung eines im wesentlichen einkristallinen, metallisch kontaktierten Halbleiterelementes mit pn-UEbergang
US665047A US3010885A (en) 1956-06-16 1957-06-11 Method for electrolytically etching and thereafter anodically oxidizing an essentially monocrystalline semiconductor body having a p-n junction
CH4719257A CH374868A (de) 1956-06-16 1957-06-12 Verfahren zum elektrolytischen Ätzen eines Halbleiterkörpers mit p-n-Übergang
CH596260A CH383112A (de) 1956-06-16 1960-05-24 Verfahren zum elektrolytischen Ätzen eines Halbleiterkörpers mit zwei entgegengesetzt gerichteten pn-Übergängen

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3284333A (en) * 1962-05-22 1966-11-08 Ionics Stable lead anodes
US3351825A (en) * 1964-12-21 1967-11-07 Solitron Devices Semiconductor device having an anodized protective film thereon and method of manufacturing same
US3377258A (en) * 1965-03-02 1968-04-09 Westinghouse Electric Corp Anodic oxidation
US3419480A (en) * 1965-03-12 1968-12-31 Westinghouse Electric Corp Anodic oxidation
US3616380A (en) * 1968-11-22 1971-10-26 Bell Telephone Labor Inc Barrier layer devices and methods for their manufacture
GB1556778A (en) * 1977-03-11 1979-11-28 Post Office Preparation of semiconductor surfaces
JPS5462929A (en) * 1977-10-28 1979-05-21 Sumitomo Electric Ind Ltd Surface treating method for aluminum and aluminum alloy
US4272351A (en) * 1978-10-27 1981-06-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatus for electrolytic etching
US4891103A (en) * 1988-08-23 1990-01-02 Texas Instruments Incorporated Anadization system with remote voltage sensing and active feedback control capabilities
EP0400387B1 (de) * 1989-05-31 1996-02-21 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum grossflächigen elektrischen Kontaktieren eines Halbleiterkristallkörpers mit Hilfe von Elektrolyten
JP3376258B2 (ja) 1996-11-28 2003-02-10 キヤノン株式会社 陽極化成装置及びそれに関連する装置及び方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE528756A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1953-05-11
DE823470C (de) * 1950-09-12 1951-12-03 Siemens Ag Verfahren zum AEtzen eines Halbleiters
DE823763C (de) * 1949-09-15 1951-12-06 Siemens Ag Verfahren zum elektrolytischen Polieren der Oberflaeche von Halbleiterkristallen
US2656496A (en) * 1951-07-31 1953-10-20 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor translating device
US2669692A (en) * 1951-08-10 1954-02-16 Bell Telephone Labor Inc Method for determining electrical characteristics of semiconductive bodies

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL84057C (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1948-02-26
US2686279A (en) * 1949-09-28 1954-08-10 Rca Corp Semiconductor device
US2783197A (en) * 1952-01-25 1957-02-26 Gen Electric Method of making broad area semiconductor devices
US2806189A (en) * 1953-07-03 1957-09-10 Sylvania Electric Prod Alkaline titanate rectifiers
US2802159A (en) * 1953-10-20 1957-08-06 Hughes Aircraft Co Junction-type semiconductor devices
US2885608A (en) * 1954-12-03 1959-05-05 Philco Corp Semiconductive device and method of manufacture

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE823763C (de) * 1949-09-15 1951-12-06 Siemens Ag Verfahren zum elektrolytischen Polieren der Oberflaeche von Halbleiterkristallen
DE823470C (de) * 1950-09-12 1951-12-03 Siemens Ag Verfahren zum AEtzen eines Halbleiters
US2656496A (en) * 1951-07-31 1953-10-20 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor translating device
US2669692A (en) * 1951-08-10 1954-02-16 Bell Telephone Labor Inc Method for determining electrical characteristics of semiconductive bodies
BE528756A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1953-05-11

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