DE1149825B - Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern

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DE1149825B
DE1149825B DEL40153A DEL0040153A DE1149825B DE 1149825 B DE1149825 B DE 1149825B DE L40153 A DEL40153 A DE L40153A DE L0040153 A DEL0040153 A DE L0040153A DE 1149825 B DE1149825 B DE 1149825B
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DE
Germany
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counter electrode
flux
selenium rectifiers
rectifiers
substances
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Pending
Application number
DEL40153A
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English (en)
Inventor
Horst Siebke
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/12Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate

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Description

  • Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern Bei den bekannten Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern wird eine Gegenelektrode aus einer leicht schmelzenden Legierung, z. B. einer Zinn-Cadmium- oder einer Zinn-Cadmium-Wismut-Legierung in flüssigem Zustand aufgespritzt. Die so aufgespritzten Gegenelektroden besitzen aber stets eine gewisse Porosität, was sich auf die Gleichrichtereigenschaften, insbesondere während des Betriebes in feuchter und7oder korrodierender Atmosphäre nachteilig auswirkt.
  • Es ist bereits bekannt, die Gegenelektrode nach dem Aufbringen zu schmelzen, jedoch führt das nicht immer zu dem gewünschten Ziel einer porenlosen Gegenelektrode. Es ist auch bereits bekannt, auf die Gegenelektrode vor der Schmelzbehandlung ein Flußmittel aufzubringen. Dies führt zwar zu einer glatten Verschmelzung der Gegenelektrode, jedoch bewirken alle bisher als Flußmittel verwendeten Substanzen eine Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften der so behandelten Selengleichrichter, sowohl in Durchlaßrichtung als auch in Sperrichtung.
  • Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern, bei dem die Gegenelektrode nach dem Aufbringen bis über ihren Schmelzpunkt erhitzt wird, und bei dem auf die Gegenelektrode vor dem Schmelzen ein Flußmittel aufgebracht wird und das sich von den bisher bekannten dadurch unterscheidet, daß als Flußmittel ein aliphatisches Amin verwendet wird. Als besonders geeignet haben sich dabei Triäthanolamin, Diäthanolamin, Diäthylentriamin oder eine Mischung dieser Substanzen erwiesen.
  • Durch Aufbringen dieser Substanzen auf die Gegenelektrode in einer dünnen Schicht und einer anschließenden etwa 10 bis 80 Minuten dauernden Schmelzbehandlung bei einer Temperatur, die je nach dem Material der Gegenelektrode zwischen 150 und 220° C liegt oder durch Schmelzen in einer Atmosphäre, welche diese Flußmittel als Dampf enthält, erhält man eine völlig blanke, glatte und porenlose Gegenelektrode, die feuchtigkeitsdicht ist und die die elektrischen Eigenschaften des Gleichrichters nicht verschlechtert.

Claims (3)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern, bei dem die Gegenelektrode nach dem Aufbringen bis über ihren Schmelzpunkt erhitzt wird und bei dem auf die Gegenelektrode vor dem Schmelzen ein Flußmittel aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß als Flußmittel ein aliphatisches Amin verwendet wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Triäthanolamin, Diäthanolamin oder Diäthylentriamin oder eine Mischung dieser Substanzen als Flußmittel verwendet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Flußmittel entweder direkt auf die Gegenelektrode aufgebracht oder die Schmelzbehandlung in einer das Flußmittel in Dampfform enthaltenden Atmosphäre durchgeführt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 724 888.
DEL40153A 1961-10-02 1961-10-02 Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern Pending DE1149825B (de)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE724888C (de) * 1936-05-30 1942-09-09 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Selen-Gleichrichtern

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE724888C (de) * 1936-05-30 1942-09-09 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Selen-Gleichrichtern

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