DE1043517B

DE1043517B - Verfahren zum Aufbringen eines Schutzueberzuges auf der Oberflaeche von Halbleiteranordnungen

Info

Publication number: DE1043517B
Application number: DES45689A
Authority: DE
Inventors: Dipl-Phys Otto Fuerst
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1955-09-23
Filing date: 1955-09-23
Publication date: 1958-11-13

Description

Verfahren zum Aufbringen eines Schutzüberzuges auf der Oberfläche von Halbleiteranordnungen Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Anbringen eines Schutzüberzuges auf der Oberfläche von Halbleiteranordnungen mit mindestens einem Übergang zwischen Zonen unterschiedlicher Dotierung, insbesondere unterschiedlichen Leitungstyps, beispielsweise Gleichrichtern, Transistoren od. dgl., nach vorangegangener chemischer oder elektrochemischer Ätz-und/oder Polierbehandlung der Oberfläche mindestens an der Übergangszone bzw. an den Übergangszonen. Bei den bisher bekannten Verfahren ist vorgesehen, die Oberfläche chemisch zu behandeln, insbesondere zu polieren und vor dem Anbringen einer Schutzschicht, z. B. durch Aufbringen eines Lackes oder Aufdampfen von Quarz, nachdem das chemische Poliermittel wieder abgespült war, die Oberfläche mittels Heißluft oder Infrarotbestrahlung zu trocknen.
Die gemäß der Erfindung vorgenommene Abkürzung und damit Verbesserung des Verfahrens zum Anbringen eines Schutzüberzuges auf einer Halbleiteranordnung besteht darin, daß auf die beispielsweise mit einer Säure oder Base chemisch oder elektrochemisch behandelte Oberfläche unmittelbar im Anschluß an dieses Behandlungsverfahren noch in Gegenwart von Behandlungsmaterial das Schutzüberzugsmaterial, beispielsweise Lack, Harz, Kunstharz od. dgl., in so heißem Zustand aufgetragen wird, daß mindestens eine teilweise Verdampfung des chemischen Behandlungsmittels erfolgt. Es ist also nicht notwendig, daß das chemische oder elektrochemische Behandlungsmittel vorher wieder entfernt worden ist. Der letztgenannte Arbeitsgang wird demnach eingespart. Die Wahl des chemischen Behandlungsmittels richtet sich in erster Linie nach dem zu behandelnden Halbleitermaterial, insbesondere Germanium, Silizium oder einer Verbindung von Elementen der IV. Gruppe des Periodischen Systems untereinander oder von Elementen der III. und V., II. und VI. oder I. und VII. Gruppe sowie von Mehrfachverbindungen oder Mischkristallen der genannten Stoffe.
Zur chemischen Behandlung eines Siliziumeinkristalls eignet sich beispielsweise Flußsäure oder eine Mischung von Flußsäure und rauchender Salpetersäure, wobei in jedem Falle zweckmäßig konzentrierte Flußsäure angewandt wird. Als Überzugsmaterial eignen sich anorganische und/oder vorzugsweise organische Stoffe, und zwar in erster Linie als Dipole wirkende Substanzen, insbesondere Moleküle mit polaren Endgruppen, die die Oberflächenatome oder Moleküle des Halbleiters, deren freie Valenzen elektrisch polarisieren und/oder mit ihnen ganz oder teilweise chemische Verbindungen eingehen. Es ist auch daran gedacht, daß die Schutzschicht mindestens einen solchen Zusatzstoff enthält oder zwischen der Halbleiteroberfläche und der Schutzschicht eine Zwischenschicht aus dem Zusatzstoff eingebaut ist, die einerseits die Halbleiteroberfläche bezüglich der Halbleitereigenschaften verbessert, insbesondere oxydiert und andererseits auch den Stoff der Schutzschicht bezüglich der mechanischen und/oder isolierenden Eigenschaften günstig verändert und/oder konservierend, insbesondere polymerisierend oder mindestens teilweise auch weichmachend wirkt.
Ausführungsbeispiel: Ein nach dem Legierungsverfahren hergestellter Siliziumtransistor, bestehend aus einem völlig borfreien Siliziumeinkristall, der mit Gallium p-leitend gemacht ist und in dessen Oberfläche mindestens ein Emitter und mindestens ein Kollektor aus Antimon-Gold-Legierung einlegiert ist, wird nach Beendigung des Legierungsverfahrens oberflächlich mit Flußsäure behandelt, die vorzugsweise in kaltem Zustand aufgetragen wird, und unmittelbar anschließend, d. h. noch bei Anwesenheit des chemischen Behandlungsmittels auf der Oberfläche, mit einem auf über 100° C erhitzten flüssigen Lack überzogen. Beim Aufbringen des Lackes verdampft die Flußsäure und entweicht durch den noch flüssigen Lack.

Claims

PATENTANSPRÜCHE 1. Verfahren zum Aufbringen eines Schutzüberzuges auf der Oberfläche von Halbleiteranordnungen mit mindestens einem Übergang zwischen Zonen unterschiedlicher Dotierung, insbesondere unterschiedlichen Leitungstyps, beispielsweise Gleichrichtern, Transistoren od. dgl., nach vorangegangener chemischer oder elektrochemischer Ätz- und/oder Polierbehandlung der Oberfläche mindestens an der Übergangszone bzw. an den Übergangszonen, dadurch gekennzeichnet, daß auf die chemisch und/oder elektrochemisch -behandelte Oberfläche unmittelbar im Anschluß an dieses Behandlungsverfahren noch in Gegenwart von Behandlungsmaterial das Schutzüberzugsmaterial in so heißem Zustande aufgetragen wird, daß mindestens eine teilweise Verdampfung des chemischen Behandlungsmittels erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Schutzüberzugsmaterial Lack, Harz, Kunstharz od. dgl. verwendet wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift S 34794 VIII c/21 g (bekanntgemacht am 23. B. 1956) ; »Radio-Magazin«, (1953), S. 309, 310; »Zeitschrift für Elektrochemie«, Bd. 58 (1954), S. 283 bis 321.