DE1141672B - Transistorkippschaltung - Google Patents
TransistorkippschaltungInfo
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- DE1141672B DE1141672B DEV20302A DEV0020302A DE1141672B DE 1141672 B DE1141672 B DE 1141672B DE V20302 A DEV20302 A DE V20302A DE V0020302 A DEV0020302 A DE V0020302A DE 1141672 B DE1141672 B DE 1141672B
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/30—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using a transformer for feedback, e.g. blocking oscillator
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
- Transistorkippschaltung Die Erfindung betrifft eine Transistorkippschaltung, die z. B. als Meßglied in Relaisschaltungen dienen soll.
- Es ist bekannt, daß man eine aus zwei Transistoren bestehende Kippschaltung, die über Emitter und Kollektor gekoppelt sind, als Grenzwertschalter verwenden kann. Diese Schaltung ist unter dem Namen Schmidt-Trigger schon aus der Röhrentechnik bekannt. Werden Transistoren an Stelle der Elektronenröhren verwendet, muß man der Eigenart dieser Bauelemente Rechnung tragen. Die Steuerung erfolgt hier nicht mehr leistungslos, da der meist verwendete pnp-Flächentransistor eine Stromverstärkung n ` 1 hat. Es ist demzufolge immer ein gewisser Strom erforderlich, urr den Transistor anzusteuern. Die Folge davon ist, daß bei hochempfindlichen Schaltungen auch Transistoren extrem hoher Stromverstärkung erforderlich wären. Dies ist aber gerade für eine Serienlertigung ein großer Nachteil.
- Es ist weiter bereits bekannt, einen einzelnen Halbleiterkörper mit einer Stromrückkopplung durch einen Übertrager zu versehen (s. deutsche Patentanmeldung 43648 VIII/21 a1). Bei dieser Schaltung ist aber nur die schon aus der Röhrentechnik bekannte Rückkopplung Anode-Gitter über einen Übertrager ausgenutzt worden. Außerdem wird dabei ein zusätzlicher Impulsgenerator benötigt, wenn ein eindeutiges Sperren oder Durchsteuern des Halbleiterkörpers erfolgen soll. Es wird also schon eine Impulseingangsgröße vorausgesetzt, so daß kein Schwellwertschalter vorliegt.
- Weiterhin ist eine Schaltung mit zwei Transistoren bekanntgeworden, die eine magnetische Kopplung aufweist (s. britische Patentschritt 858 280). Hierbei ist der zweite Transistor aber lediglich als Schaltstufe aufzufassen, der ein magnetisch rückgekoppelter Transistor vorgeschaltet ist. Das Kippverhalten ist hier lediglich durch diese Rückkopplung bedingt. Die Flankensteilheit der Ausgangsimpulse wird demnach durch das Übergangsverhalten des Übertragers festgelegt. Außerdem wäre es unzweckmäßig, die Schaltung als Schwellwertschalter zu verwenden, da auf Grund der Steuerungsart eine relativ große Temperaturempfindlichkeit vorhanden ist.
- Die Eingangsempfindlichkeit wird auch bei großen Verstärkungsfaktoren des ersten Transistors nicht hoch sein, weil die Sekundärwicklung des Übertragers nicht direkt im Basiskreis liegt.
- Es war also die Aufgabe zu lösen, eine Schaltung zu schaffen, die folgende Forderungen erfüllen muß: große Eingangsempfindlichkeit, relativ temperaturstabiler Ansprechwert. gutes Übergangsverhalten, Ansprechwert möglichst von der Toleranz der Bauelemente unabhängig.
- Erfindungsgemäß wird die Eingangsempfindlichkeit einer galvanisch rückgekoppelten Kippschaltung mit einem Übertrager, der die Ausgangsgröße auf den Eingang eines Transistors rückkoppelt, dadurch erreicht, daß die Sekundärwicklung eines Übertragers im Basiskreis des ersten Transistors und die Primärwicklung im Kollektorkreis des zweiten Transistors liegt, wobei die Ausgangsgröße des zweiten Transistors auf den Eingang des ersten Transistors positiv rückgekoppelt wird. Auch im Ruhezustand ist diese Wicklung vom Basisstrom durchflossen; der erste Transistor ist dann ausgesteuert. Das Halteverhältnis der Anordnung kann durch den regelbaren Abgriff des gemeinsamen Emitterwiderstandes eingestellt werden.
- Der Erfindungsgedanke soll an Hand der Zeichnung beispielsweise erläutert werden: Eine nähere Bezeichnung der zu einer an sich bekannten Kippschaltung gehörenden Widerstände ist unterblieben, da diese für die Erläuterung des Erfindungsgedankens nicht benötigt wird.
- Der Transistor T1 ist durch die von dem Spannungsteiler RTl/RTa herrührende negative Basisspannung bis zur Sättigung ausgesteuert. Der Transistor TZ sperrt. Erscheint an den Klemmen des Übertragers ü1 ein positives Signal, wird T1 teilweise gesperrt, und infolge des sich verringernden Emitterpotentials wird T2 teilweise geöffnet. Gleichzeitig steigt das Kollektorpotential von T1, und der Transistor TZ wird weiter ausgesteuert (galvanische Rückkopplung). In der Sekundärwicklune von (J, entsteht durch die Kollektorströmänderung - eine Spannung: Jetzt setzt also die magnetische Rückkopplung ein und bewirkt zusammen mit der galvanischen Rückkopplung ein endgültiges Sperren von Ti. Die Rückkopplungswicklung ist dauernd von dem Basisstrom des ersten Transistors durchflossen. Sie kann eine niedrige Windungszahl haben, da nur äußerst geringe Ströme züm Sperren des Transistors T, erforderlich sind. Infolgedessen wird auch ihre Induktivität klein gehalten, und es brauchen an sich keine zusätzlichen Maßnahmen getroffen zu werden, um Schaltüberspannungen zu verhindern. Es ist zweckmäßig, hochpermeables Material zu verwenden, weil dann die Rückkopplung schon bei kleinsten Stromänderungen wirkt.
- Das Halteverhältnis läßt sich gut durch eine Veränderung des Rückkopplungsfaktors der galvanischen Rückkopplung einstellen. Vorzugsweise geschieht es über den veränderlichen Abgriff des gemeinsamen Ernitterwiderstandes RE.
- Die Einrichtung wird deswegen im »Niedertasten« (T1 im Ruhezustand bis zur Sättigung ausgesteuert) betrieben, weil dann der Eingang durch die starke Stromgegenkopplung infolge des Emitterwiderstandes annähernd temperaturstabil ist. Weiterhin ist es leichter, einen Transistor durch einen geringen positiven Basisstrom teilweise zu sperren, als ihn mit einem Basisstrom gleicher Größe oder negativer Polarität anzusteuern. Da die erfindungsgemäße Kippschaltung vorzugsweise als Eingangsglied in Relaisschutzschaltungen gedacht ist, stellt die oben angeführte Steuerungsart keine Einschränkung dar; man hat es dort in der Hand, mit welcher Polarität die Eingangsgrößen zugeführt werden. Die Untersuchungen zeigten, daß die Einrichtung immer dort gut anzuwenden ist, wo eine niederohmige Steuerquelle zur -Verfügung steht. Anderenfalls muß Bekannterweise ein Anpassungstransistor zwischengeschaltet werden.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE: 1. Kippschaltung mit zwei galvanisch rückgekoppelten Transistoren und einem Übertrager, der die Ausgangsgröße auf den Eingang eines Transistors rückkoppelt, dadurch gekennzeichnet, daß die Sekundärwicklung des Übertragers (Ü@ im Basiskreis des ersten Transistors (T;) und die Primärwicklung im Kollektorkreis des zweiten Transistors (T2) liegt und daß die Ausgangsgröße des 2-weiten Transistors (TZ) auf den Eingang des ersten Transistors (T1) positiv rückgekoppelt ist.
- 2. Kippschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Rückkopplungswicklung auch im Ruhezustand vom Basisstrom des ersten Transistors durchflossen wird.
- 3. Kippschaltung- nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangsspannung vorzugsweise über einen Übertrager (Ü1) zugeführt wird, dessen Sekundärwicklung in Reihe mit der Rückkopplungswicklung liegt. 4.-- Kippschaltung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Halteverhältnis durch den veränderlichen Abgriff des gemeinsamen Emitterwiderstandes (RE) einstellbar ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Britische Patentschrift Nr. 858 280.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEV20302A DE1141672B (de) | 1961-03-08 | 1961-03-08 | Transistorkippschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEV20302A DE1141672B (de) | 1961-03-08 | 1961-03-08 | Transistorkippschaltung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1141672B true DE1141672B (de) | 1962-12-27 |
Family
ID=7578448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEV20302A Pending DE1141672B (de) | 1961-03-08 | 1961-03-08 | Transistorkippschaltung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1141672B (de) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB858280A (en) * | 1956-04-24 | 1961-01-11 | Emi Ltd | Improvements in or relating to transistor trigger circuits |
-
1961
- 1961-03-08 DE DEV20302A patent/DE1141672B/de active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB858280A (en) * | 1956-04-24 | 1961-01-11 | Emi Ltd | Improvements in or relating to transistor trigger circuits |
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