DE1130421B - Verfahren zur Herstellung von reinstem Galliumphosphid bzw. Galliumarsenid - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von reinstem Galliumphosphid bzw. Galliumarsenid

Info

Publication number
DE1130421B
DE1130421B DEA36399A DEA0036399A DE1130421B DE 1130421 B DE1130421 B DE 1130421B DE A36399 A DEA36399 A DE A36399A DE A0036399 A DEA0036399 A DE A0036399A DE 1130421 B DE1130421 B DE 1130421B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gallium
phosphide
purest
production
gallium arsenide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEA36399A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Dipl-Chem Dipl-Ing Dr He Plust
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BBC BROWN BOVERI and CIE
BBC Brown Boveri AG Germany
Original Assignee
BBC BROWN BOVERI and CIE
Brown Boveri und Cie AG Germany
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BBC BROWN BOVERI and CIE, Brown Boveri und Cie AG Germany filed Critical BBC BROWN BOVERI and CIE
Publication of DE1130421B publication Critical patent/DE1130421B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
    • H10P14/3418—Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B25/00—Phosphorus; Compounds thereof
    • C01B25/06—Hydrogen phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/007—Preparing arsenides or antimonides, especially of the III-VI-compound type, e.g. aluminium or gallium arsenide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
    • H10P14/3421—Arsenides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
DEA36399A 1960-12-09 1960-12-30 Verfahren zur Herstellung von reinstem Galliumphosphid bzw. Galliumarsenid Pending DE1130421B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH1379660A CH410010A (de) 1960-12-09 1960-12-09 Verfahren zur Herstellung von reinstem Galliumphosphid bzw. Galliumarsenid

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1130421B true DE1130421B (de) 1962-05-30

Family

ID=4395401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEA36399A Pending DE1130421B (de) 1960-12-09 1960-12-30 Verfahren zur Herstellung von reinstem Galliumphosphid bzw. Galliumarsenid

Country Status (3)

Country Link
CH (1) CH410010A (https=)
DE (1) DE1130421B (https=)
FR (1) FR1310155A (https=)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1176102B (de) * 1962-09-25 1964-08-20 Siemens Ag Verfahren zum tiegelfreien Herstellen von Galliumarsenidstaeben aus Galliumalkylen und Arsenverbindungen bei niedrigen Temperaturen
US3305385A (en) * 1963-06-27 1967-02-21 Hughes Aircraft Co Method for the preparation of gallium phosphide

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1176102B (de) * 1962-09-25 1964-08-20 Siemens Ag Verfahren zum tiegelfreien Herstellen von Galliumarsenidstaeben aus Galliumalkylen und Arsenverbindungen bei niedrigen Temperaturen
US3305385A (en) * 1963-06-27 1967-02-21 Hughes Aircraft Co Method for the preparation of gallium phosphide

Also Published As

Publication number Publication date
CH410010A (de) 1966-03-31
FR1310155A (https=) 1963-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2822901C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE1951359B2 (de) Verfahren zum Überziehen eines Trägermaterials mit einem Metall-Karbonitrid
DE1592550A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Uranverbindungen aus Hexafluoruran
DE1644031A1 (de) Verfahren zur Herstellung von hochreinen,epitaktischen Galliumarsenidniederschlaegen
DE1130421B (de) Verfahren zur Herstellung von reinstem Galliumphosphid bzw. Galliumarsenid
DE1176102B (de) Verfahren zum tiegelfreien Herstellen von Galliumarsenidstaeben aus Galliumalkylen und Arsenverbindungen bei niedrigen Temperaturen
DE1112052B (de) Verfahren zur Herstellung von Bornitrid
DE1267202B (de) Verfahren zur Herstellung von Nitriden des Urans oder Plutoniums
DE1519812B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen epitaktisch auf einer einkristallinen unterlage aufgewachsener schichten aus germanium
DE1244136B (de) Verfahren zur Herstellung von Boraziten, insbesondere von Borazit-Einkristallen
DE908616C (de) Verfahren zur Zerlegung von Gemischen von organischen Verbindungen durch Herstellungvon Additionsverbindungen mit Harnstoff
EP0016372B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Ammoniumsulfamat
DE1286044B (de) Verfahren zur Herstellung von Additionsverbindungen aus Verbindungen mit aktivem Wasserstoff und Aminoacetylenen
DE1173878B (de) Vorrichtung zur Erzeugung von feinkristallinem Borphosphid
DE1090646B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Edelgasen
DE1544285C3 (de) Verfahren zum Herstellen hochreiner Halbleiterstoffe vom A hoch III B hoch V-Typ. Ausscheidung aus: 1220390
DE10338731B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer (RO)(R'O)(R''O)M=O-Verbindung, dünnschichtbildendes Material, Dünnschicht und Halbleiterelement
DE345758C (de) Verfahren zur Darstellung von Zinkoxyd und Wasserstoff
DE419211C (de) Verfahren zur UEberfuehrung von schwer aufschliessbaren Nitriden, wie Siliciumnitriden, in eine leichter aufschliessbare Form oder Verbindung
DE1186038B (de) Verfahren zur Herstellung von Trialkylphosphiten
DE503111C (de) Herstellung von reinem Wasserstoff
DE326928C (de) Verfahren zur Herstellung von Ammoniak aus seinen Elementen
DE558750C (de) Sodaverfahren mit Nebengewinnung von Ammoniak oder Ammonsulfat
DE1959392C3 (de) Verwendung von mit inerten Stoffen geschützten Quarzampullen für die Herstellung und/oder Weiterverarbeitung von siliciumarmen 1I I-V-Halbleiterkörpern
DE1667700A1 (de) Verfahren zur Herstellung von hochreinem Arsentrichlorid