DE1128048B - Verfahren zur p- bzw. n-Dotierung von Silizium fuer Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zur p- bzw. n-Dotierung von Silizium fuer Halbleiteranordnungen

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DE1128048B DES58617A DES0058617A DE1128048B DE 1128048 B DE1128048 B DE 1128048B DE S58617 A DES58617 A DE S58617A DE S0058617 A DES0058617 A DE S0058617A DE 1128048 B DE1128048 B DE 1128048B
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    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/08—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
    • C30B13/10—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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FR1154322A (fr) * 1955-06-28 1958-04-04 Western Electric Co Dispositif semi-conducteur
DE1029939B (de) * 1955-06-27 1958-05-14 Licentia Gmbh Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleitersystemen

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FR1154322A (fr) * 1955-06-28 1958-04-04 Western Electric Co Dispositif semi-conducteur

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