CH371520A - Verfahren zur Dotierung von Silizium für Halbleiteranordnungen - Google Patents
Verfahren zur Dotierung von Silizium für HalbleiteranordnungenInfo
- Publication number
- CH371520A CH371520A CH7412659A CH7412659A CH371520A CH 371520 A CH371520 A CH 371520A CH 7412659 A CH7412659 A CH 7412659A CH 7412659 A CH7412659 A CH 7412659A CH 371520 A CH371520 A CH 371520A
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- doping silicon
- semiconductor arrangements
- arrangements
- semiconductor
- doping
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/08—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
- C30B13/10—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES58617A DE1128048B (de) | 1958-06-14 | 1958-06-14 | Verfahren zur p- bzw. n-Dotierung von Silizium fuer Halbleiteranordnungen |
DES67834A DE1132663B (de) | 1958-06-14 | 1960-03-31 | Verfahren zur p- bzw. n-Dotierung von Silizium fuer Halbleiteranordnungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH371520A true CH371520A (de) | 1963-08-31 |
Family
ID=25995536
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH7412659A CH371520A (de) | 1958-06-14 | 1959-06-08 | Verfahren zur Dotierung von Silizium für Halbleiteranordnungen |
CH105861A CH391107A (de) | 1958-06-14 | 1961-01-30 | Verfahren zur Dotierung von Halbleitermaterial |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH105861A CH391107A (de) | 1958-06-14 | 1961-01-30 | Verfahren zur Dotierung von Halbleitermaterial |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
CH (2) | CH371520A (enrdf_load_stackoverflow) |
DE (2) | DE1128048B (enrdf_load_stackoverflow) |
FR (2) | FR1226342A (enrdf_load_stackoverflow) |
GB (2) | GB892445A (enrdf_load_stackoverflow) |
NL (3) | NL113666C (enrdf_load_stackoverflow) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL207969A (enrdf_load_stackoverflow) * | 1955-06-28 | |||
DE1029939B (de) * | 1955-06-27 | 1958-05-14 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleitersystemen |
-
0
- NL NL240106D patent/NL240106A/xx unknown
- NL NL261580D patent/NL261580A/xx unknown
- NL NL113666D patent/NL113666C/xx active
-
1958
- 1958-06-14 DE DES58617A patent/DE1128048B/de active Pending
-
1959
- 1959-06-04 FR FR796624A patent/FR1226342A/fr not_active Expired
- 1959-06-08 CH CH7412659A patent/CH371520A/de unknown
- 1959-06-10 GB GB19902/59A patent/GB892445A/en not_active Expired
-
1960
- 1960-03-31 DE DES67834A patent/DE1132663B/de active Pending
-
1961
- 1961-01-30 CH CH105861A patent/CH391107A/de unknown
- 1961-03-23 FR FR856654A patent/FR79757E/fr not_active Expired
- 1961-03-27 GB GB11198/61A patent/GB963136A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1132663B (de) | 1962-07-05 |
GB963136A (en) | 1964-07-08 |
NL240106A (enrdf_load_stackoverflow) | 1900-01-01 |
NL261580A (enrdf_load_stackoverflow) | 1900-01-01 |
FR1226342A (fr) | 1960-07-11 |
GB892445A (en) | 1962-03-28 |
CH391107A (de) | 1965-04-30 |
FR79757E (fr) | 1963-01-25 |
DE1128048B (de) | 1962-04-19 |
NL113666C (enrdf_load_stackoverflow) | 1900-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CH384082A (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
CH416582A (de) | Verfahren zum Herstellen von kristallischem Silizium für Halbleiteranordnungen | |
CH425738A (de) | Verfahren zur Gewinnung von kristallinem Halbleitermaterial | |
CH349346A (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen | |
CH363971A (de) | Verfahren zur Reinigung von Silizium | |
CH357121A (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
CH370842A (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen | |
CH429673A (de) | Verfahren zur Abscheidung von Halbleitermaterial | |
CH327712A (de) | Verfahren zur Reinigung von Silizium | |
CH357470A (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen | |
CH389783A (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit pn-Übergang | |
CH377867A (de) | Verfahren zur Entkohlung von Siliziumstahl | |
CH363019A (de) | Verfahren zur Herstellung von Inklusionsverbindungen | |
CH353459A (de) | Verfahren zur Befestigung von Halbleiteranordnungen auf ihrem Träger | |
CH371791A (de) | Verfahren zur Herstellung von reinstem Silizium | |
CH364244A (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen | |
CH367898A (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen | |
CH401633A (de) | Verfahren zum Ätzen von im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörpern | |
CH351031A (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Vorrichtungen | |
CH394399A (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen | |
CH412819A (de) | Verfahren zur Züchtung dendritischer Halbleiterkristalle | |
CH371520A (de) | Verfahren zur Dotierung von Silizium für Halbleiteranordnungen | |
CH401634A (de) | Verfahren zum formgebenden Bearbeiten von Halbleiterkristallen | |
CH382296A (de) | Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial | |
CH371845A (de) | Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen |