DE112019001311T5 - Halbleiterbauteil und montagestruktur für halbleiterbauteil - Google Patents

Halbleiterbauteil und montagestruktur für halbleiterbauteil Download PDF

Info

Publication number
DE112019001311T5
DE112019001311T5 DE112019001311.4T DE112019001311T DE112019001311T5 DE 112019001311 T5 DE112019001311 T5 DE 112019001311T5 DE 112019001311 T DE112019001311 T DE 112019001311T DE 112019001311 T5 DE112019001311 T5 DE 112019001311T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
terminal
section
resin
semiconductor
semiconductor component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112019001311.4T
Other languages
English (en)
Inventor
Ryuichi Furutani
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Publication of DE112019001311T5 publication Critical patent/DE112019001311T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/49506—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad an insulative substrate being used as a diepad, e.g. ceramic, plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/4952—Additional leads the additional leads being a bump or a wire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/26152—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/26175—Flow barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4901—Structure
    • H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1027—IV
    • H01L2924/10272—Silicon Carbide [SiC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/183—Connection portion, e.g. seal
    • H01L2924/18301—Connection portion, e.g. seal being an anchoring portion, i.e. mechanical interlocking between the encapsulation resin and another package part

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Ein Halbleiterbauteil beinhaltet einen Anschluss, ein erstes Halbleiterelement und ein Versiegelungsharz, das mindestens einen Abschnitt sowohl des Anschlusses als auch des ersten Halbleiterelements bedeckt. Der Anschluss hat eine vordere Oberfläche, auf der das erste Halbleiterelement montiert ist, und eine der vorderen Oberfläche gegenüberliegende hintere Oberfläche. Der Anschluss beinhaltet einen ersten Abschnitt mit einer ersten Oberfläche. Die erste Oberfläche befindet sich zwischen der vorderen Oberfläche und der hinteren Oberfläche in z-Richtung, in der die vordere Oberfläche und die hintere Oberfläche voneinander getrennt sind. Die erste Oberfläche des Anschlusses ist mit dem Versiegelungsharz bedeckt und mit einer Vielzahl von vorstehenden Bereichen und einer Vielzahl von vertieften Bereichen ausgebildet, die in z-Richtung gesehen abwechselnd angeordnet sind.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf ein Halbleiterbauteil und eine Montagestruktur für ein Halbleiterbauteil.
  • HINTERGRUND
  • Patentliteratur 1 offenbart ein konventionelles Halbleiterbauteil. Das offenbarte Halbleiterbauteil umfasst einen Anschluss, ein auf den Anschluss montiertes Halbleiterelement und ein Versiegelungsharz, das den Anschluss und das Halbleiterelement bedeckt.
  • TECHNISCHE REFERENZEN
  • PATENTLITERATUR
  • Patent-Dokument 1: JP-A-2011-243839
  • ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
  • Von der Erfindung zu lösende Probleme:
  • Im Allgemeinen erzeugt ein Halbleiterelement durch Energiezufuhr Wärme. Darüber hinaus kann es z.B. bei der Montage eines harzgepackten Halbleiterbauteils auf einer Leiterplatte aufgrund des Montageprozesses zu Spannungen innerhalb des Halbleiterbauteils kommen. Solche Wärme und Spannungen können einen Defekt wie einen Riss im Versiegelungsharz verursachen.
  • Die vorliegende Offenbarung ist unter den vorgenannten Sachverhalten konzipiert worden. Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist es, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das in der Lage ist, die Zuverlässigkeit eines Versiegelungsharzes zu verbessern, indem das Auftreten eines Defektes, wie oben beschrieben, im Versiegelungsharz verhindert oder unterdrückt wird.
  • Mittel zur Lösung der Probleme:
  • Ein Halbleiterbauteil, das durch die vorliegende Offenbarung bereitgestellt wird, weist einen ersten Anschluss, ein erstes Halbleiterelement und ein Versiegelungsharz auf, das mindestens einen Abschnitt sowohl des ersten Anschlusses als auch des ersten Halbleiterelements bedeckt. Der erste Anschluss weist einen ersten Abschnitt des ersten Anschlusses auf, der aufweist: eine vordere Oberfläche des ersten Anschlusses, auf welcher das erste Halbleiterelement montiert ist; eine hintere Oberfläche des ersten Anschlusses, welche der vorderen Oberfläche des ersten Anschlusses gegenüberliegt; und eine erste Oberfläche des ersten Anschlusses, die zwischen der vorderen Oberfläche des ersten Anschlusses und der hinteren Oberfläche des ersten Anschlusses in einer Dickenrichtung angeordnet ist, in der die vordere Oberfläche des ersten Anschlusses und die hintere Oberfläche des ersten Anschlusses voneinander getrennt sind. Die erste Oberfläche des ersten Anschlusses ist mit dem Versiegelungsharz bedeckt und mit einer Vielzahl von vorstehenden Bereichen und einer Vielzahl von vertieften Bereichen ausgebildet, die in Dickenrichtung gesehen abwechselnd angeordnet sind.
  • Vorteile der Erfindung:
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung kann die Zuverlässigkeit des Versiegelungsharzes verbessert werden.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung ergeben sich aus der nachstehend angegebenen detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht zur Beschreibung eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform;
    • 2 ist eine Draufsicht, die das Halbleiterbauteil gemäß der ersten Ausführungsform zeigt;
    • 3 ist eine Draufsicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform;
    • 4 ist eine Vorderansicht, die das Halbleiterbauteil gemäß der ersten Ausführungsform zeigt;
    • 5 ist eine Seitenansicht, die das Halbleiterbauteil gemäß der ersten Ausführungsform zeigt;
    • 6 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VI-VI in 3;
    • 7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linien VII-VII in 3;
    • 8 ist eine Draufsicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform;
    • 9 ist eine Draufsicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform;
    • 10 ist eine Bodenansicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform;
    • 11 ist eine Seitenansicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform;
    • 12 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XII-XII in 11;
    • 13 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XIII-XIII in 11;
    • 14 ist eine Draufsicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform;
    • 15 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XV-XV in 14;
    • 16 ist eine Querschnittsansicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform;
    • 17 ist eine Querschnittsansicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform;
    • 18 ist eine Draufsicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform;
    • 19 ist eine Draufsicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform;
    • 20 ist eine perspektivische Ansicht zur Beschreibung einer Montagestruktur gemäß der ersten Ausführungsform;
    • 21 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XXI-XXI in 20;
    • 22 ist eine Ansicht zur Beschreibung einer ersten Variation des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform;
    • 23 ist eine Ansicht zur Beschreibung einer zweiten Variation des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform;
    • 24 ist eine Draufsicht zur Beschreibung der zweiten Variation des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform;
    • 25 ist eine Ansicht zur Beschreibung einer dritten Variation des Halbleiterbauteils entsprechend der ersten Ausführungsform; und
    • 26 ist eine Draufsicht zur Beschreibung eines Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform.
  • MODUS BZW. AUSFÜHRUNGSFORM ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Im Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • Die Begriffe „erster“, „zweiter“, „dritter“ und dergleichen werden in der vorliegenden Offenbarung lediglich zur Unterscheidung von Objekten verwendet und sind nicht dazu gedacht, irgendwelche ordinalen Anforderungen zu begründen.
  • <Erste Ausführungsform; Halbleiterbauteil A1>
  • Die 1 bis 19 zeigen ein Halbleiterbauteil gemäß einer ersten Ausführungsform. Ein in den Figuren gezeigtes Halbleiterbauteil A1 weist eine Vielzahl von Anschlüssen 1 und 2 auf, eine Vielzahl von ersten Halbleiterelementen 3, eine Vielzahl von zweiten Halbleiterelementen 4, eine Vielzahl von dritten Halbleiterelementen 5, eine Vielzahl von elektronischen Komponenten 49, eine Vielzahl von Drähten 91, 92 und 93, ein Trägerelement 6 und ein Versiegelungsharz 7. Die Anwendung des Halbleiterbauteils A1 ist auf keine Weise begrenzt. Zum Beispiel ist das Halbleiterbauteil A1 als ein intelligentes Leistungsmodul (IPM) konfiguriert, das für die Antriebssteuerung eines Umrichter-Motors verwendet wird.
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils A1. 2 ist eine Draufsicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils A1. 3 ist eine Draufsicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils A1. 4 ist eine Vorderansicht, die das Halbleiterbauteil A1 zeigt. 5 ist eine Seitenansicht, die das Halbleiterbauteil A1 zeigt. 6 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linien VI-VI in 3. 7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linien VII-VII in 3. 8 ist eine Draufsicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils A1. 9 ist eine Draufsicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils A1. 10 ist eine Bodenansicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils A1. 11 ist eine Seitenansicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils A1. 12 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XII-XII in 11. 13 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linien XIII-XIII in 11. 14 ist eine Draufsicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils A1. 15 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XV-XV in 14. 16 ist eine Querschnittsansicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils A1. 17 ist eine Querschnittsansicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils A1. 18 ist eine Draufsicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils A1. 19 ist eine Draufsicht zur Beschreibung des Halbleiterbauteils A1.
  • Die Vielzahl der Anschlüsse 1 und 2 tragen die Vielzahl der ersten Halbleiterelemente 3, die Vielzahl der zweiten Halbleiterelemente 4 und die Vielzahl der dritten Halbleiterelemente 5 und bilden einen Leitungspfad zu diesen Halbleiterelementen. Die Anschlüsse 1 und 2 sind leitfähige Elemente und können z.B. mit Hilfe eines Leadframes gebildet werden. Die an die Vielzahl der Anschlüsse 1 angelegte Spannung ist höher als die an die Vielzahl der Anschlüsse 2 angelegte Spannung, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht hierauf beschränkt. Wenn z.B. das Halbleiterbauteil A1 als IPM konfiguriert ist, wird ein Treiberstrom für einen Motor an die Vielzahl der Anschlüsse 1 und ein Steuerstrom an die Vielzahl der Anschlüsse 2 angelegt. Dementsprechend wird an die Vielzahl der Anschlüsse 1 eine höhere Spannung angelegt als an die Vielzahl der Anschlüsse 2, und durch die Vielzahl der Anschlüsse 1 fließt ein größerer Strom. Daher kann die Vielzahl der Anschlüsse 1 als „Hochspannungsanschlüsse“ oder „Leistungsanschlüsse“ und die Vielzahl der Anschlüsse 2 als „Niederspannungsanschlüsse“ oder „Steueranschlüsse“ bezeichnet werden. Die Vielzahl der Anschlüsse 1 und 2 kann z.B. durch Schneiden und Biegen eines Plattenmaterials aus Metall (z.B. Cu) durch einen Stanzvorgang geformt werden.
  • Die Vielzahl der Anschlüsse 1 beinhaltet die Anschlüsse 1A bis 1G und 1Z. Die Vielzahl der Anschlüsse 2 beinhaltet die Anschlüsse 2A bis 2F und 2Z.
  • Wie in 3 dargestellt, ist die Gruppe der Anschlüsse 1A bis 1G und 1Z von der Gruppe der Anschlüsse 2A bis 2F und 2Z in y-Richtung getrennt.
  • Die Anschlüsse 1A bis 1G und 1Z nehmen je nach Bedarf verschiedene Formen hinsichtlich Form, Position und Leitfähigkeitsbeziehung zu Halbleiterelementen an. Im Folgenden werden die einzelnen Anschlüsse 1 beschrieben, wobei Beschreibungen hinsichtlich üblicher Merkmale gegebenenfalls weggelassen werden.
  • Wie in 1, 3, 4 und 6 bis 8 dargestellt, hat der Anschluss 1A („erster Anschluss“) einen ersten Abschnitt 101A, einen zweiten Abschnitt 102A, einen dritten Abschnitt 103A und einen vierten Abschnitt 104A.
  • Der erste Abschnitt 101A hat eine vordere Oberfläche 111A, eine hintere Oberfläche 112A, eine erste Oberfläche 121A, eine zweite Oberfläche 122A, eine dritte Oberfläche 123A, ein Paar vierte Oberflächen 124A, ein Paar fünfte Oberflächen 125A, ein Paar sechste Oberflächen 126A, ein Paar siebte Oberflächen 127A, eine Vielzahl von Vertiefungen 1111A, eine Vielzahl von Ausnehmungen 1112A und eine Vielzahl von Ausnehmungen 1113A.
  • Die vordere Oberfläche 111A ist einer ersten Seite in z-Richtung zugewandt, und ist mit Ausnahme der Vielzahl von Vertiefungen 1111A flach (im Folgenden wird eine Oberfläche, die insgesamt flach ist, selbst wenn die Fläche mit einer Vielzahl von Vertiefungen ausgebildet ist, als „flache Oberfläche“ bezeichnet). Die hintere Oberfläche 112A ist eine flache Oberfläche, die der der vorderen Oberfläche 111A gegenüberliegenden Seite in z-Richtung zugewandt ist. Die ersten Halbleiterelemente 3 und die dritten Halbleiterelemente 5 sind auf der vorderen Oberfläche 111A montiert. In dem abgebildeten Beispiel sind drei erste Halbleiterelemente 3 und drei dritte Halbleiterelemente 5 auf der vorderen Oberfläche 111A des ersten Abschnitts 101A montiert, aber die Anzahl der Halbleiterelemente ist nicht auf dieses Beispiel beschränkt. Es ist auch möglich, dass die dritten Halbleiterelemente 5 nicht auf dem ersten Abschnitt 101A montiert sind.
  • Die erste Oberfläche 121A befindet sich zwischen der vorderen Oberfläche 111A und der hinteren Oberfläche 112A in z-Richtung und weist einer ersten Seite in x-Richtung (rechte Seite in 3) als Ganzes gegenüber. Die erste Oberfläche 121A ist mit der vorderen Oberfläche 111A und der hinteren Oberfläche 112A verbunden. Wie in den 8 bis 10 dargestellt, hat die erste Oberfläche 121A eine Vielzahl von vorstehenden Bereichen 131A und eine Vielzahl von vertieften bzw. zurückgesetzten Bereichen 132A. Jeder der vorstehenden Bereiche 131A hat, in z-Richtung gesehen, eine vorstehende Form und ragt in x-Richtung hervor (rechte Seite in 9). Jeder der vertieften Bereiche 132A hat in z-Richtung gesehen eine vertiefte Form und ist relativ zu den vorstehenden Bereichen 131A (linke Seite in 9) vertieft. Die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131A und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132A sind abwechselnd angeordnet.
  • Die Formen der vorstehenden Bereiche 131A und der zurückgesetzten Bereiche sind nicht besonders beschränkt. Es reicht aus, dass die vorstehenden Bereiche 131A und die vertieften Bereiche 132A in z-Richtung gesehen vorstehende Formen bzw. vertiefte Formen haben, und die Grenzen zwischen diesen Bereichen können ggf. nicht klar erkennbar sein. In dem in 9 und 10 gezeigten Beispiel dient eine Oberfläche, die sich aus dem Durschnitt der Vertiefungen und Vorsprünge der ersten Oberfläche 121A ergibt, als Bezugsfläche (Durchschnittsfläche) 1210A, aus der Bezugsfläche 1210A hervorstehende Abschnitte werden als die vorstehenden Bereiche 131A, und aus der Bezugsfläche 1210A vertiefte Abschnitte als die vertieften Bereiche 132A betrachtet.
  • Im abgebildeten Beispiel ist jeder der vorstehenden Bereiche 131A und jeder der vertieften Bereiche 132A über die gesamte erste Oberfläche 121A in Breitenrichtung (z-Richtung) vorgesehen. Alternativ kann jeder der vorstehenden Bereiche 131A und/oder jeder der vertieften Bereiche 132A nur auf einem Abschnitt der ersten Oberfläche 121A in z-Richtung vorgesehen sein. Im dargestellten Beispiel ist die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131A und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132A über die gesamte erste Oberfläche 121A in y-Richtung vorgesehen, aber die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131A und/oder die Vielzahl der vertieften Bereiche 132A können stattdessen auch nur auf einem Abschnitt der ersten Oberfläche 121A in y-Richtung vorgesehen sein.
  • In dem gezeigten Beispiel haben die vorstehenden Bereiche 131A und die vertieften Bereiche 132A, in z-Richtung gesehen, jeweils eine bogenförmige Kontur. Der Krümmungsradius R1 jedes vorstehenden Bereichs 131A und der Krümmungsradius R2 jedes vertieften Bereichs 132A sind entsprechend eingestellt. Beispielsweise können der Krümmungsradius R1 und der Krümmungsradius R2 gleich oder unterschiedlich sein. Im dargestellten Beispiel ist der Krümmungsradius R1 kleiner als der Krümmungsradius R2.
  • Wie in 11 dargestellt, hat die erste Oberfläche 121A einen ersten Bereich 1211A und einen zweiten Bereich 1212A. Der erste Bereich 1211A ist im Vergleich zum zweiten Bereich 1212A eine raue Oberfläche (d.h. die Oberflächenrauigkeit ist relativ groß). Der erste Bereich 1211A befindet sich näher an der vorderen Oberfläche 111A als der zweite Bereich 1212A, wobei die vorliegende Offenbarung aber nicht hierauf beschränkt ist.
  • In dem gezeigten Beispiel variiert die Abmessung des ersten Bereichs 1211A in z-Richtung je nach Position in y-Richtung. Genauer gesagt ist im ersten Bereich 1211A die maximale Abmessung Zm1 eines Abschnitts, der in einem vorstehenden Bereich 131A in z-Richtung beinhaltet ist, größer als die minimale Abmessung Zm2 eines Abschnitts, der in einem vertieften Bereich 132A in z-Richtung beinhaltet ist.
  • Wie in 10 bis 13 dargestellt, hat die hintere Oberfläche 112A einen ersten Abschnitt 1121A und eine Vielzahl von zweiten Abschnitten 1122A. Der erste Abschnitt 1121A enthält Abschnitte, die in der Draufsicht mit den ersten Halbleiterelementen 3 überlappen. In dem gezeigten Beispiel ist der erste Abschnitt 1121A eine flache Oberfläche senkrecht zur z-Richtung. Die zweiten Abschnitte 1122A sind von der ersten Oberfläche 121A und einem Liniensegment Ls1 umgeben, das die Böden benachbarter vertiefter Bereiche 132A in z-Richtung gesehen verbindet. Wie in 12 und 13 gezeigt, sind die zweiten Abschnitte 1122A sanft gekrümmte vorstehende Oberflächen, die z.B. mit zunehmendem Abstand vom ersten Abschnitt 1121A in x-Richtung zur vorderen Oberfläche 111A in z-Richtung geneigt sind.
  • Der zweite Bereich 1212A hat eine Vielzahl von Vorsprüngen 1212Aa, eine Vielzahl von Vertiefungen 1212Ab, eine Vielzahl von Vorsprüngen 1212Ac und eine Vielzahl von Vertiefungen 1212Ad. Die Vorsprünge 1212Aa sind Abschnitte der Grenze zwischen dem zweiten Bereich 1212A und dem ersten Bereich 1211A und stehen auf der ersten Seite in z-Richtung (nach oben) vor. Die Vertiefungen 1212Ab sind Abschnitte der Grenze zwischen dem zweiten Bereich 1212A und dem ersten Bereich 1211A und sind auf einer zweiten Seite in z-Richtung (nach unten) vertieft. Die Vielzahl der Vorsprünge 1212Aa und die Vielzahl der Vertiefungen 1212Ab sind abwechselnd in y-Richtung angeordnet. Die Vorsprünge 1212Ac sind Abschnitte der Grenze zwischen dem zweiten Bereich 1212A und der hinteren Oberfläche 112A und ragen in z-Richtung (nach unten) zur zweiten Seite hin vor. Die Vertiefungen 1212Ad sind Abschnitte der Grenze zwischen dem zweiten Bereich 1212A und der hinteren Oberfläche 112A und sind zur ersten Seite in z-Richtung (nach oben) vertieft. Die Vielzahl der Vorsprünge 1212Ac und die Vielzahl der Vertiefungen 1212Ad sind abwechselnd in y-Richtung angeordnet. Die Vorsprünge 1212Aa und die Vorsprünge 1212Ac sind in z-Richtung nebeneinander angeordnet, und die Vertiefungen 1212Ab und die Vertiefungen 1212Ad sind in z-Richtung nebeneinander angeordnet. Die maximale Abmessung z3 zwischen einem Vorsprung 1212Aa und einem Vorsprung 1212Ac, die in z-Richtung nebeneinander liegen, ist größer als die minimale Abmessung z4 zwischen einer Vertiefung 1212Ab und einer Vertiefung 1212Ad, die in z-Richtung nebeneinander liegen.
  • Der erste Abschnitt 101A hat einen ersten Vorsprung 141A. Der erste Vorsprung 141A befindet sich zwischen der vorderen Oberfläche 111A und dem ersten Bereich 1211A der ersten Oberfläche 121A und ragt von der vorderen Oberfläche 111A in z-Richtung vor. Der erste Vorsprung 141A kann über die gesamte Länge der Grenze zwischen der vorderen Oberfläche 111A und dem ersten Bereich 1211A (erste Oberfläche 121A) oder auch nur auf einem Abschnitt der Grenze gebildet werden.
  • Die Konfiguration, in der die erste Oberfläche 121A die Vielzahl von vorstehenden Bereichen 131A und die Vielzahl von vertieften Bereichen 132A aufweist, kann alle oder nur einen der ersten Bereiche 1211A, den zweiten Bereich 1212A, die Vielzahl von zweiten Abschnitten 1122A und den ersten Vorsprung 141A enthalten, oder keinen dieser Bereiche einschließen. Wenn z.B. der Anschluss 1A durch Stanzen eines Plattenmaterials aus Metall geformt wird, wird in einem Stanzwerkzeug ein unebener Abschnitt, der den vorstehenden Bereichen 131A und den vertieften Bereichen 132A entspricht, geformt. Wenn ein Abschnitt des Plattenmaterials aus Metall, der der erste Abschnitt 101A sein soll, durch den unebenen Abschnitt des Werkzeugs gestanzt wird, das sich von der hinteren Oberfläche 112A zur vorderen Oberfläche 111A in z-Richtung bewegt, werden der erste Bereich 1211A und der zweite Bereich 1212A in der Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131A und der Vielzahl der vertieften Bereiche 132A geformt. Der zweite Bereich 1212A, der relativ glatt ist (d.h. die Oberflächenrauigkeit ist relativ gering), entspricht einem durch Scherung mit dem Werkzeug gebildeten Abschnitt. Der erste Bereich 1211A, der relativ rau ist, entspricht einer gebrochenen Oberfläche des Plattenmaterials. Die zweiten Abschnitte 1122A der hinteren Oberfläche 112A sind Abschnitte der hinteren Oberfläche 112A, die infolge des Stanzens mit dem Werkzeug in z-Richtung zur vorderen Oberfläche 111A hin verformt werden. Der erste Vorsprung 141A ist ein Abschnitt des Plattenmaterials, der infolge eines Bruchs des Plattenmaterials in z-Richtung gedehnt wurde.
  • Wie in 8 dargestellt, befindet sich die zweite Oberfläche 122A in x-Richtung gegenüber der ersten Oberfläche 121A und zeigt in x-Richtung zu einer zweiten Seite (linke Seite). Die zweite Oberfläche 122A befindet sich zwischen der vorderen Oberfläche 111A und der hinteren Oberfläche 112A in z-Richtung. In dem gezeigten Beispiel ist die zweite Oberfläche 122A mit der vorderen Oberfläche 111A und der hinteren Oberfläche 112A verbunden. Die zweite Oberfläche 122A ist glatter als die erste Oberfläche 121A.
  • Die dritte Oberfläche 123A befindet sich zwischen der ersten Oberfläche 121A und der zweiten Oberfläche 122A und ist einer ersten Seite in y-Richtung zugewandt (in 8 nach oben). Die dritte Oberfläche 123A befindet sich zwischen der vorderen Oberfläche 111A und der hinteren Oberfläche 112A in z-Richtung. Im gezeigten Beispiel ist die dritte Oberfläche 123A mit der vorderen Oberfläche 111A und der hinteren Oberfläche 112A verbunden. Die dritte Oberfläche 123A ist glatter als die erste Oberfläche 121A.
  • Das Paar der vierten Oberflächen 124A befindet sich in y-Richtung gegenüber der dritten Fläche 123A und ist einer zweiten Seite in y-Richtung zugewandt (in 8 nach unten). Das Paar der vierten Oberflächen 124A ist in x-Richtung voneinander getrennt. Die vierten Oberflächen 124A befinden sich zwischen der vorderen Oberfläche 111A und der hinteren Oberfläche 112A in z-Richtung. Im gezeigten Beispiel sind die vierten Oberflächen 124A mit der vorderen Oberfläche 111A und der hinteren Oberfläche 112A verbunden.
  • Das Paar der fünften Oberflächen 125A befindet sich zwischen der ersten Oberfläche 121A und der zweiten Oberfläche 122A in x-Richtung, und liegt auf der zweiten Seite in y-Richtung relativ zu der ersten Oberfläche 121A und der zweiten Oberfläche 122A. Das Paar der fünften Oberflächen 125A ist jeweils mit der ersten Oberfläche 121A bzw. der zweiten Oberfläche 122A verbunden. Die fünften Oberflächen 125A sind relativ zur x-Richtung geneigt. Die fünften Oberflächen 125A befinden sich zwischen der vorderen Oberfläche 111A und der hinteren Oberfläche 112A in z-Richtung. In dem gezeigten Beispiel sind die fünften Oberflächen 125A mit der vorderen Oberfläche 111A und der hinteren Oberfläche 112A verbunden.
  • Das Paar sechster Oberflächen 126A befindet sich zwischen dem Paar fünfter Oberflächen 125A in x-Richtung und liegt zwischen dem Paar fünfter Oberflächen 125A und der vierten Oberfläche 124A in y-Richtung. In dem gezeigten Beispiel ist jede der sechsten Oberflächen 126A mit einer des Paares der vierten Oberflächen 124A und einer des Paares der fünften Oberflächen 125A verbunden. Jede der sechsten Oberflächen 126A weist in x-Richtung. Die sechsten Oberflächen 126A liegen zwischen der vorderen Oberfläche 111A und der hinteren Oberfläche 112A in z-Richtung. In dem gezeigten Beispiel sind die sechsten Oberflächen 126A mit der vorderen Oberfläche 111A und der hinteren Oberfläche 112A verbunden.
  • Das Paar der siebten Oberflächen 127A befindet sich zwischen der ersten Oberfläche 121A und der dritten Oberfläche 123A in x-Richtung, bzw. zwischen der zweiten Oberfläche 122A und der dritten Oberfläche 123A in x-Richtung. Außerdem befindet sich jede der siebten Oberflächen 127A zwischen der dritten Oberfläche 123A und entweder der ersten Oberfläche 121A oder der zweiten Oberfläche 122A in y-Richtung. Die siebte Oberfläche 127A auf der ersten Seite in x-Richtung (rechte Seite in 8) ist mit der ersten Oberfläche 121A und der dritten Oberfläche 123A verbunden. Die siebte Oberfläche 127A auf der zweiten Seite in x-Richtung (linke Seite) ist mit der zweiten Oberfläche 122A und der dritten Oberfläche 123A verbunden. Im gezeigten Beispiel sind die siebten Oberflächen 127A, in z-Richtung gesehen, vorstehende gekrümmte Flächen. Die siebten Oberflächen 127A befinden sich, in z-Richtung, zwischen der vorderen Oberfläche 111A und der hinteren Oberfläche 112A. In dem gezeigten Beispiel sind die siebten Oberflächen 127A mit der vorderen Oberfläche 111A und der hinteren Oberfläche 112A verbunden.
  • Im gezeigten Beispiel sind die vierte Oberfläche 124A, die fünfte Oberfläche 125A und die sechste Oberfläche 126A auf der ersten Seite in x-Richtung (wo sich die erste Oberfläche 121A befindet) mit einer Vielzahl von vorstehenden Bereichen und einer Vielzahl von vertieften Bereichen ausgebildet. Diese Bereiche können z.B. ähnlich wie die vorstehenden Bereiche 131A und die vertieften Bereiche 132A der ersten Oberfläche 121A sein. Die vierten Oberflächen 124A, die fünften Oberflächen 125A und die sechsten Oberflächen 126A können ähnliche Bereiche wie der erste Bereich 1211A und der zweite Bereich 1212A der ersten Oberfläche 121A aufweisen. Darüber hinaus können die vierte Oberfläche 124A, die fünfte Oberfläche 125A und die sechste Oberfläche 126A den ersten Vorsprung 141A wie oben beschrieben aufweisen. Die hintere Oberfläche 112A kann eine Vielzahl von zweiten Abschnitten 1122A aufweisen, die den vorstehenden Bereichen 131A und den vertieften Bereichen 132A der vierten Oberfläche 124A, der fünften Oberfläche 125A und der sechsten Oberfläche 126A entsprechen.
  • Wie in 8 gezeigt, weist der erste Abschnitt 101A die Vielzahl von Vertiefungen 1111A, die Vielzahl von Ausnehmungen 1112A und die Vielzahl von Ausnehmungen 1113A auf.
  • Die Vielzahl der Vertiefungen 1111A ist von der vorderen Oberfläche 111A in z-Richtung vertieft. Die Formen der Vertiefungen 1111A, in z-Richtung gesehen, sind nicht besonders begrenzt. In dem in 9 gezeigten Beispiel hat jede der Vertiefungen 1111A eine rechteckige Form. In dem gezeigten Beispiel sind die mehreren Vertiefungen 1111A in einer Matrix angeordnet. Die Vielzahl der Vertiefungen 1111A ist in einem Abstand Px1 in x-Richtung angeordnet. Die Vielzahl der Vertiefungen 1111A ist in y-Richtung in einem Abstand Py1 angeordnet. Die Längen des Abstands Px1 und des Abstands Py1 sind entsprechend eingestellt und können gleich oder verschieden voneinander sein. In dem gezeigten Beispiel sind der Abstand Px1 und der Abstand Py1 gleich lang.
  • Ein Beispiel für die Querschnittsform jeder der Vertiefungen 1111A ist in 16 dargestellt. In dem gezeigten Beispiel hat die Vertiefung 1111A eine erste Oberfläche 1111Aa und eine Vielzahl von zweiten Oberflächen 1111Ab. Die erste Oberfläche 1111Aa befindet sich an der tiefsten Stelle in z-Richtung. Die erste Oberfläche 1111Aa ist beispielsweise eine flache rechteckige Fläche. Die Vielzahl der zweiten Oberflächen 1111Ab ist zwischen der ersten Oberfläche 1111Aa und der vorderen Oberfläche 111Aa angeordnet. Die Vielzahl der zweiten Oberflächen 1111Ab sind flache Flächen, die relativ zur z-Richtung geneigt sind. Im gezeigten Beispiel wird eine dritte Oberfläche 1111Ac um die Vertiefung 1111A herum gebildet. Die dritte Oberfläche 1111Ac ist gegenüber der vorderen Oberfläche 111A in z-Richtung erhöht. Die dritte Oberfläche 1111Ac ist ein Abschnitt, der die Vertiefung 1111A umgibt und der bei der Bildung der Vertiefung 1111A erhöht wird.
  • In dem in 8 gezeigten Beispiel sind die Ausnehmungen 1112A und die Ausnehmungen 1113A, in z-Richtung gesehen, ringförmig ausgebildet. Die Vertiefungen 1111A sind nicht in den Bereichen ausgebildet, die weiter innen liegen als die Ausnehmungen 1112A und die Ausnehmungen 1113A. In z-Richtung gesehen, umgeben die Ausnehmungen 1113A die Außenseiten der Ausnehmungen 1112A.
  • Wie in 14 und 15 dargestellt, sind die Ausnehmungen 1112A und die Ausnehmungen 1113A von der vorderen Oberfläche 111A in z-Richtung vertieft. In dem in 17 gezeigten Beispiel ist die Tiefe D2 der Ausnehmung 1112A größer als die Tiefe D3 der Ausnehmung 1113A.
  • Wie in 17 dargestellt, hat die Ausnehmung 1112A eine erste Oberfläche 1112Aa und ein Paar zweiter Oberflächen 1112Ab. Die erste Oberfläche 1112Aa befindet sich an der tiefsten Stelle in z-Richtung. Die erste Oberfläche 1112Aa ist beispielsweise eine flache, bandartige Oberfläche. Das Paar zweiter Oberflächen 1112Ab ist zwischen der ersten Oberfläche 1112Aa und der vorderen Oberfläche 111A angeordnet. Das Paar zweiter Oberflächen 1112Ab sind flache, bandartige Oberflächen, die relativ zur z-Richtung geneigt sind. In dem abgebildeten Beispiel wird eine dritte Oberfläche 1112Ac um die Ausnehmung 1112A herum gebildet. Die dritte Oberfläche 1112Ac ist gegenüber der vorderen Oberfläche 111A in z-Richtung erhöht. Die dritte Oberfläche 1112Ac ist ein Abschnitt, der die Ausnehmung 1112A umgibt und der bei der Bildung der Ausnehmung 1112A erhöht wird.
  • Die Ausnehmung 1113A hat ein Paar zweite Oberflächen 1113Ab. Das Paar von zweiten Oberflächen 1112Ab sind flache, bandartige Oberflächen, die relativ zur z-Richtung geneigt sind. In dem gezeigten Beispiel wird eine dritte Oberfläche 1113Ac um die Ausnehmung 1113A herum gebildet. Die dritte Oberfläche 1113Ac ist gegenüber der vorderen Oberfläche 111A in z-Richtung erhöht. Die dritte Oberfläche 1113Ac ist ein Abschnitt, der die Ausnehmung 1113A umgibt und der bei der Bildung der Ausnehmung 1113A erhöht wird.
  • Wie in 2 dargestellt, ist der zweite Abschnitt 102A ein Abschnitt des Anschlusses 1A, der aus dem Versiegelungsharz 7 herausragt. Der zweite Abschnitt 102A steht von der den Anschlüssen 2 gegenüberliegenden Seite in Bezug auf den ersten Abschnitt 101A in y-Richtung vor. Der zweite Abschnitt 102A wird beispielsweise verwendet, um das Halbleiterbauteil A1 mit einem externen Schaltkreis elektrisch zu verbinden. In dem gezeigten Beispiel ist der zweite Abschnitt 102A in z-Richtung nach oben gebogen (siehe z.B. 1).
  • Wie in 3 dargestellt, sind der dritte Abschnitt 103A und der vierte Abschnitt 104A zwischen dem ersten Abschnitt 101A und dem zweiten Abschnitt 102A eingefügt. Der dritte Abschnitt 103A und der vierte Abschnitt 104A sind mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt. Wie in 7 dargestellt, ist der vierte Abschnitt 104A in z-Richtung um eine Abmessung z1 relativ zum ersten Abschnitt 101A nach oben positioniert und mit dem zweiten Abschnitt 102A verbunden. Der dritte Abschnitt 103A ist mit dem ersten Abschnitt 101A und dem vierten Abschnitt 104A verbunden und ist relativ zur y-Richtung geneigt. In dem gezeigten Beispiel ist der dritte Abschnitt 103A mit einem Abschnitt des ersten Abschnitts 101A zwischen dem Paar der vierten Oberflächen 124A verbunden.
  • Wie in 3 dargestellt, sind die Anschlüsse 1B, 1C und 1D auf der zweiten Seite in x-Richtung (linke Seite) relativ zum Anschluss 1A angeordnet. Die Formen und Größen der Anschlüsse 1B bis 1D sind entsprechend eingestellt. Im gezeigten Beispiel haben die Anschlüsse 1B, 1C und 1D die gleiche Form und die gleiche Größe. Dementsprechend wird im Folgenden der Anschluss 1D beschrieben.
  • Wie in den 3, 6 und 18 dargestellt, hat der Anschluss 1D einen ersten Abschnitt 101D, einen zweiten Abschnitt 102D, einen dritten Abschnitt 103D und einen vierten Abschnitt 104D.
  • Der erste Abschnitt 101D hat eine vordere Oberfläche 111D, eine hintere Oberfläche 112D, eine erste Oberfläche 121D, eine zweite Oberfläche 122D, eine dritte Oberfläche 123D, eine vierte Oberfläche 124D, ein Paar siebter Oberflächen 127D, eine achte Oberfläche 128D, eine Vielzahl von Vertiefungen 1111D, eine Vielzahl von Ausnehmungen 1112D und eine Vielzahl von Ausnehmungen 1113D.
  • Die vordere Oberfläche 111D ist der ersten Seite in z-Richtung zugewandt und insgesamt flach. Die hintere Oberfläche 112D ist eine flache Fläche, die der der vorderen Oberfläche 111D gegenüberliegenden Seite zugewandt ist. Das erste Halbleiterelement 3 und das dritte Halbleiterelement 5 sind auf der vorderen Oberfläche 111D montiert. In dem gezeigten Beispiel sind ein erstes Halbleiterelement 3 und ein drittes Halbleiterelement auf der vorderen Oberfläche 111D des ersten Abschnitts 101D montiert, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht hierauf beschränkt. Das dritte Halbleiterelement 5 kann auch nicht auf den ersten Abschnitt 101D montiert sein.
  • Die erste Oberfläche 121D befindet sich zwischen der vorderen Oberfläche 111D und der hinteren Oberfläche 112D in z-Richtung, und ist der ersten Seite in x-Richtung zugewandt (rechte Seite in 3). In dem dargestellten Beispiel ist die erste Oberfläche 121D mit der vorderen Oberfläche 111D und der hinteren Oberfläche 112D verbunden.
  • Die zweite Oberfläche 122D befindet sich in x-Richtung gegenüber der ersten Oberfläche 121D. Die zweite Oberfläche 122D befindet sich in z-Richtung zwischen der vorderen Oberfläche 111D und der hinteren Oberfläche 112D und ist mit der vorderen Oberfläche 111D und der hinteren Oberfläche 112D verbunden.
  • Die dritte Oberfläche 123D befindet sich in x-Richtung zwischen der ersten Oberfläche 121D und der zweiten Oberfläche 122D und ist der ersten Seite in y-Richtung zugewandt (in 18 nach oben). Die dritte Oberfläche 123D befindet sich in z-Richtung zwischen der vorderen Oberfläche 111D und der hinteren Oberfläche 112D und ist mit der vorderen Oberfläche 111D und der hinteren Oberfläche 112D verbunden.
  • Die vierte Oberfläche 124D befindet sich in y-Richtung gegenüber der dritten Oberfläche 123D und ist der zweiten Seite in y-Richtung zugewandt (in 18 nach unten). Die vierte Fläche 124D befindet sich in z-Richtung zwischen der vorderen Oberfläche 111D und der hinteren Oberfläche 112D und ist mit der vorderen Oberfläche 111D und der hinteren Oberfläche 112D verbunden.
  • Das Paar siebter Oberflächen 127D befindet sich zwischen der ersten Oberfläche 121D und der dritten Oberfläche 123D bzw. zwischen der zweiten Oberfläche 122D und der dritten Oberfläche 123D in x-Richtung, und liegt jeweils zwischen der ersten und zweiten Oberfläche 121D, 122D und der dritten Oberfläche 123D. Die siebte Oberfläche 127D auf der ersten Seite in x-Richtung ist mit der ersten Oberfläche 121D und der dritten Oberfläche 123D verbunden, und die siebte Oberfläche 127D auf der zweiten Seite in x-Richtung ist mit der zweiten Oberfläche 122D und der dritten Oberfläche 123D verbunden. Die siebten Oberflächen 127D sind in z-Richtung gesehen vorstehende gekrümmte Oberflächen. Die siebten Oberflächen 127D befinden sich in z-Richtung zwischen der vorderen Oberfläche 111D und der hinteren Oberfläche 112D und sind mit der vorderen Oberfläche 111D und der hinteren Oberfläche 112D verbunden.
  • Die achte Oberfläche 128D liegt zwischen der zweiten Oberfläche 122D und der vierten Oberfläche 124D und ist mit der zweiten Oberfläche 122D und der vierten Oberfläche 124D verbunden. Die achte Oberfläche 128D ist in z-Richtung gesehen eine vorstehende gekrümmte Oberfläche. Die achte Oberfläche 128D befindet sich in z-Richtung zwischen der vorderen Oberfläche 111D und der hinteren Oberfläche 112D und ist mit der vorderen Oberfläche 111D und der hinteren Oberfläche 112D verbunden.
  • Der erste Abschnitt 101D wird nicht mit Bereichen gebildet, die den vorstehenden Bereichen 131A und den vertieften Bereichen 132A des ersten Abschnitts 101A entsprechen.
  • Der erste Abschnitt 101D weist die Vielzahl von Vertiefungen 1111D, die Vielzahl von Ausnehmungen 1112D und die Vielzahl von Ausnehmungen 1113D auf.
  • Die Vielzahl der Vertiefungen 1111D ist von der vorderen Oberfläche 111D in z-Richtung zurückgesetzt. Die Formen der Vertiefungen 1111D, in z-Richtung gesehen, sind nicht besonders begrenzt. Zum Beispiel kann jede der Vertiefungen 1111D eine rechteckige Form ähnlich den Vertiefungen 1111A haben. Die Vielzahl der Vertiefungen 1111D kann in einer Matrix angeordnet sein. Wie die Vielzahl der Vertiefungen 1111A sind auch die Vertiefungen 1111D im Abstand Px1 in x-Richtung angeordnet. Die Vielzahl der Vertiefungen 1111D ist in y-Richtung im Abstand Py1 angeordnet.
  • Die Formen des Querschnitts der Vertiefungen 1111D sind nicht besonders begrenzt. Zum Beispiel haben die Vertiefungen 1111D ähnliche Querschnittsformen wie die Vertiefungen 1111A.
  • Die Ausnehmungen 1112D und die Ausnehmungen 1113D sind in z-Richtung gesehen ringförmig ausgebildet. Die Vertiefungen 1111D sind nicht in dem Bereich ausgebildet, der weiter innen liegt als die Ausnehmungen 1112D und die Ausnehmungen 1113D. In z-Richtung gesehen umgeben die Ausnehmungen 1113D die Außenseiten der Ausnehmungen 1112D.
  • Die Ausnehmungen 1112D und die Ausnehmungen 1113D sind von der vorderen Oberfläche 111D in z-Richtung vertieft. Wie bei den Ausnehmungen 1112A und den Ausnehmungen 1113A ist die Tiefe D2 jeder Ausnehmung 1112D größer als die Tiefe D3 jeder Ausnehmung 1113D.
  • Die Ausnehmungen 1112D und die Ausnehmungen 1113D haben ähnliche Querschnittsformen wie die Ausnehmungen 1112A und die Ausnehmungen 1113A.
  • Der zweite Abschnitt 102D ist ein Abschnitt des Anschlusses 1D, der aus dem Versiegelungsharz 7 herausragt. Der zweite Abschnitt 102D ragt auf der den Anschlüssen 2 gegenüberliegenden Seite in Bezug auf den ersten Abschnitt 01D in y-Richtung vor. Der zweite Abschnitt 102D wird beispielsweise verwendet, um das Halbleiterbauteil A1 mit einem externen Schaltkreis elektrisch zu verbinden. Der zweite Abschnitt 102D ist in z-Richtung nach oben gebogen.
  • Der dritte Abschnitt 103D und der vierte Abschnitt 104D sind zwischen dem ersten Abschnitt 101D und dem zweiten Abschnitt 102D eingefügt. Der dritte Abschnitt 103D und der vierte Abschnitt 104D sind mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt. Wie der vierte Abschnitt 104A ist der vierte Abschnitt 104D in z-Richtung um die Abmessung z1 relativ zum ersten Abschnitt 101D nach oben versetzt und mit dem zweiten Abschnitt 102D verbunden. Der dritte Abschnitt 103D ist mit dem ersten Abschnitt 101D und dem vierten Abschnitt 104D verbunden, und ist relativ zur y-Richtung geneigt. Der dritte Abschnitt 103D ist mit einem Abschnitt des ersten Abschnitts 101D nahe der vierten Oberfläche 124D verbunden.
  • Wie in den 3 und 18 dargestellt, ist der Anschluss 1E auf der zweiten Seite in x-Richtung (linke Seite) relativ zum Anschluss 1D angeordnet. Der Anschluss 1E hat einen zweiten Abschnitt 102E und einen vierten Abschnitt 104E. Der Anschluss 1E hat keinen Abschnitt, auf dem ein Halbleiterelement montiert ist.
  • Der zweite Abschnitt 102E ist ein Abschnitt des Anschlusses 1E, der aus dem Versiegelungsharz 7 herausragt. Der zweite Abschnitt 102E ragt auf der den Anschlüssen 2 gegenüberliegenden Seite in Bezug auf den vierten Abschnitt 104E in y-Richtung vor. Der zweite Abschnitt 102E wird beispielsweise verwendet, um das Halbleiterbauteil A1 mit einem externen Schaltkreis elektrisch zu verbinden. Der zweite Abschnitt 102E ist in z-Richtung nach oben gebogen.
  • Der vierte Abschnitt 104E ist mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt und kann in z-Richtung gesehen eine rechteckige Form haben. Wie beim vierten Abschnitt 104D ist der vierte Abschnitt 104E in z-Richtung um die Abmessung z1 relativ zum ersten Abschnitt 101D nach oben versetzt und mit dem zweiten Abschnitt 102E verbunden.
  • Wie in 3 und 18 dargestellt, ist der Anschluss 1F auf der zweiten Seite in x-Richtung (linke Seite) relativ zum Anschluss 1E angeordnet. Der Anschluss 1F hat einen zweiten Abschnitt 102F und einen vierten Abschnitt 104F. Der Anschluss 1F hat keinen Abschnitt, auf dem ein Halbleiterelement montiert ist.
  • Der zweite Abschnitt 102F ist ein Abschnitt des Anschlusses 1F, der aus dem Versiegelungsharz 7 herausragt. Der zweite Abschnitt 102F ragt auf der den Anschlüssen 2 gegenüberliegenden Seite in Bezug auf den vierten Abschnitt 104F in y-Richtung vor bzw. heraus. Der zweite Abschnitt 102F wird beispielsweise verwendet, um das Halbleiterbauteil A1 mit einem externen Schaltkreis elektrisch zu verbinden. Der zweite Abschnitt 102F ist in z-Richtung nach oben gebogen.
  • Der vierte Abschnitt 104F ist mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt und kann in z-Richtung gesehen eine rechteckige Form haben. Wie beim vierten Abschnitt 104E ist der vierte Abschnitt 104F in z-Richtung um die Abmessung z1 relativ zum ersten Abschnitt 101D nach oben versetzt und mit dem zweiten Abschnitt 102F verbunden.
  • Wie in 3 und 18 dargestellt, ist der Anschluss 1G auf der zweiten Seite in x-Richtung (linke Seite) relativ zum Anschluss 1F angeordnet. Der Anschluss 1G hat einen zweiten Abschnitt 102G und einen vierten Abschnitt 104G. Der Anschluss 1G hat keinen Abschnitt, auf dem ein Halbleiterelement montiert ist.
  • Der zweite Abschnitt 102G ist ein Abschnitt des Anschlusses 1G, das aus dem Versiegelungsharz 7 herausragt. Der zweite Abschnitt 102G ragt auf der den Anschlüssen 2 gegenüberliegenden Seite in Bezug auf den vierten Abschnitt 104G in y-Richtung vor. Der zweite Abschnitt 102G wird beispielsweise verwendet, um das Halbleiterbauteil A1 mit einem externen Schaltkreis elektrisch zu verbinden. Der zweite Abschnitt 102G ist in z-Richtung nach oben gebogen.
  • Der vierte Abschnitt 104G ist mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt und kann in z-Richtung gesehen eine rechteckige Form haben. Wie der vierte Abschnitt 104F ist der vierte Abschnitt 104G in z-Richtung um die Abmessung z1 relativ zum ersten Abschnitt 101D nach oben versetzt und mit dem zweiten Abschnitt 102G verbunden.
  • Wie in 3 dargestellt, ist der Anschluss 1Z auf der ersten Seite in x-Richtung (rechte Seite) relativ zum Anschluss 1A angeordnet. Der Anschluss 1Z ist nicht elektrisch mit den ersten Halbleiterelementen 3, den zweiten Halbleiterelementen 4 oder den dritten Halbleiterelementen 5 verbunden. Der Anschluss 1Z hat einen zweiten Abschnitt 102Z und einen vierten Abschnitt 104Z.
  • Der zweite Abschnitt 102Z ist ein Abschnitt des Anschlusses 1Z, der aus dem Versiegelungsharz 7 herausragt. Der zweite Abschnitt 102Z ragt auf der den Anschlüssen 2 gegenüberliegenden Seite in Bezug auf den vierten Abschnitt 104Z in y-Richtung heraus. Der zweite Abschnitt 102Z ist in z-Richtung nach oben gebogen.
  • Der vierte Abschnitt 104Z ist mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt und kann in z-Richtung gesehen eine rechteckige Form haben. Wie der vierte Abschnitt 104A ist der vierte Abschnitt 104Z in z-Richtung um die Abmessung z1 relativ zum ersten Abschnitt 101A nach oben versetzt und mit dem zweiten Abschnitt 102Z verbunden.
  • Wie in 3 dargestellt, nehmen die Anschlüsse 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F und 2Z je nach Bedarf unterschiedliche Formen in Bezug auf Form, Position und Leitfähigkeitsbeziehung zu Halbleiterelementen oder elektronischen Komponenten an. Im Folgenden werden die einzelnen Anschlüsse 2 beschrieben, wobei Beschreibungen üblicher Merkmale gegebenenfalls weggelassen werden.
  • Wie z.B. in 3 dargestellt, hat der Anschluss 2A („zweiter Anschluss“) eine Vielzahl von ersten Abschnitten 201A, eine Vielzahl von zweiten Abschnitten 202A, eine Vielzahl von vierten Abschnitten 204A, einen fünften Abschnitt 205A, einen sechsten Abschnitt 206A, einen siebten Abschnitt 207A und einen achten Abschnitt 208A.
  • Wie in 7 dargestellt, hat jeder der ersten Abschnitte 201A eine vordere Oberfläche 211A und eine hintere Oberfläche 212A. Die vordere Oberfläche 211A ist eine flache Fläche, die der ersten Seite in z-Richtung zugewandt ist.
  • Die hintere Oberfläche 212A ist eine flache Fläche, die der der vorderen Oberfläche 211A gegenüberliegenden Seite in z-Richtung zugewandt ist. Die zweiten Halbleiterelemente 4 sind auf den vorderen Oberflächen 211A montiert. In dem abgebildeten Beispiel gibt es zwei erste Abschnitte 201A, und ein zweites Halbleiterelement 4 ist auf der vorderen Oberfläche 211A jedes der ersten Abschnitte 201A montiert. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die beiden ersten Abschnitte 201A sind in x-Richtung nebeneinander angeordnet. Der erste Abschnitt 201A auf der ersten Seite in x-Richtung (rechts in 3) liegt der dritten Oberfläche 123A des ersten Abschnitts 101A des Anschlusses 1A gegenüber. Der erste Abschnitt 201A auf der zweiten Seite (linke Seite) liegt einer dritten Oberfläche 123C des ersten Abschnitts 101C des Anschlusses 1C gegenüber. Die Formen der ersten Abschnitte 201A sind nicht besonders begrenzt. In dem abgebildeten Beispiel hat jeder der ersten Abschnitte 201A in z-Richtung gesehen eine rechteckige Form, genauer gesagt eine rechteckige Form, die in x-Richtung verlängert ist.
  • Wie in 7 dargestellt, sind die ersten Abschnitte 201A in z-Richtung um eine Abmessung z2 relativ zum ersten Abschnitt 101A des Anschlusses 1A nach oben versetzt. Die Abmessung z2 kann gleich oder verschieden von der Abmessung z1 sein. In dem gezeigten Beispiel ist die Abmessung z1 gleich der Abmessung z2.
  • In dem in 3 gezeigten Beispiel gibt es zwei zweite Abschnitte 202A, und jeder der zweiten Abschnitte 202A ist ein Abschnitt des Anschlusses 2A, der aus dem Versiegelungsharz 7 herausragt. Die zweiten Abschnitte 202A ragen auf der den Anschlüssen 1 gegenüberliegenden Seite in Bezug auf die ersten Abschnitte 201A in y-Richtung heraus bzw. vor. Die zweiten Abschnitte 202A werden beispielsweise verwendet, um das Halbleiterbauteil A1 mit einem externen Schaltkreis elektrisch zu verbinden. In dem abgebildeten Beispiel sind die zweiten Abschnitte 202A in z-Richtung nach oben gebogen. Zwei zweite Abschnitte 202A sind in der x-Richtung voneinander beabstandet angeordnet.
  • In dem in 3 gezeigten Beispiel gibt es zwei vierte Abschnitte 204A, und jeder der vierten Abschnitte 204A ist zwischen einem der ersten Abschnitte 201A (im abgebildeten Beispiel der erste Abschnitt 201A auf der linken Seite) und einem entsprechenden der zweiten Abschnitte 202A eingefügt. Die beiden vierten Abschnitte 204A werden mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt. Die Positionen der vierten Abschnitte 204A in z-Richtung sind die gleichen wie die der ersten Abschnitte 201A. Der vierte Abschnitt 204A auf der rechten Seite hat eine bandartige Form, die sich in y-Richtung verlängert. Der vierte Abschnitt 204A auf der linken Seite erstreckt sich mit einer Neigung relativ zur x-Richtung.
  • Der fünfte Abschnitt 205A ist zwischen den beiden ersten Abschnitten 201A eingefügt und mit diesen verbunden. Im abgebildeten Beispiel hat der fünfte Abschnitt 205A eine bandartige Form, die sich in x-Richtung erstreckt.
  • Der sechste Abschnitt 206A erstreckt sich vom ersten Abschnitt 201A auf der rechten Seite bis zur ersten Seite in x-Richtung. Im abgebildeten Beispiel hat der sechste Abschnitt 206A eine rechteckige Form, die sich in x-Richtung erstreckt.
  • Der siebte Abschnitt 207A hat eine bandartige Form, die sich vom rechten Ende des sechsten Abschnitts 206A in y-Richtung erstreckt.
  • Der achte Abschnitt 208A erstreckt sich in y-Richtung vom siebten Abschnitt 207A und ragt aus dem Versiegelungsharz 7 heraus.
  • Wie in 3 und 19 dargestellt, hat jeder der ersten Abschnitte 201A eine Vielzahl von Vertiefungen 2111A. Die Vertiefungen 2111A sind von der vorderen Oberfläche 211A in z-Richtung vertieft. Die Formen der Vertiefungen 2111A, in z-Richtung gesehen, sind nicht besonders begrenzt. In dem in 19 gezeigten Beispiel hat jede der Vertiefungen 2111A eine rechteckige Form. Die Vielzahl der Vertiefungen 2111A sind in einer Matrix angeordnet. Die Vielzahl der Vertiefungen 2111A sind in einem Abstand Px2 in x-Richtung angeordnet. Die Vielzahl der Vertiefungen 2111A sind in y-Richtung in einem Abstand Py2 angeordnet. Die Längen des Abstands Px2 und des Abstands Py2 können gleich oder verschieden voneinander sein. In dem abgebildeten Beispiel sind der Abstand Px2 und der Abstand Py2 gleich lang. Der Abstand Px2 und der Abstand Py2 sind größer als der Abstand Px1 und der Abstand Py1 der Vertiefungen 1111A in 9. Mit anderen Worten, die Vielzahl der Vertiefungen 1111A haben eine Anordnungsdichte (die Anzahl pro vorbestimmtem Bereich), die höher ist als die Vielzahl der Vertiefungen 2111A. Die Querschnittsformen der Vertiefungen 2111A sind nicht besonders begrenzt und können z.B. die gleichen sein wie die Querschnittsformen der Vertiefungen 1111A in 16.
  • Wie in 3 dargestellt, sind der Anschluss 2B, der Anschluss 2C und der Anschluss 2D in y-Richtung (nach oben) relativ zu einem Abschnitt des Anschlusses 2A angeordnet.
  • Der Anschluss 2B hat einen ersten Abschnitt 201B und einen zweiten Abschnitt 202B.
  • Eines der elektronischen Bauteile 49 (siehe 1) ist auf dem ersten Abschnitt 201B montiert. Die Form des ersten Abschnitts 201B ist nicht besonders begrenzt. Der erste Abschnitt 201B ist mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt. Die Position des ersten Abschnitts 201B in z-Richtung entspricht den Positionen der ersten Abschnitte 201A.
  • Der erste Abschnitt 201B hat eine Vielzahl von Vertiefungen 2111B und eine Vielzahl von Ausnehmungen 2112B.
  • Die Vielzahl der Vertiefungen 2111B ist in z-Richtung vertieft. Die Formen der Vertiefungen 2111B, in z-Richtung gesehen, sind nicht besonders begrenzt. In dem dargestellten Beispiel hat jede der Vertiefungen 2111B eine rechteckige Form, die den Vertiefungen 2111A ähnlich ist. Die Vielzahl der Vertiefungen 2111B ist in y-Richtung nebeneinander angeordnet. Zum Beispiel ist die Vielzahl der Vertiefungen 2111B im Abstand Py2 in y-Richtung angeordnet, ähnlich wie die Vielzahl der Vertiefungen 2111A. Die Querschnittsformen der Vertiefungen 2111B sind nicht besonders begrenzt. Im abgebildeten Beispiel haben die Vertiefungen 2111B ähnliche Querschnittsformen wie die Vertiefungen 2111A.
  • In dem abgebildeten Beispiel sind die Ausnehmungen 2112B gebildet, um die elektronische Komponente 49 von der Vielzahl der Vertiefungen 2111B, in z-Richtung gesehen, zu trennen. Die Ausnehmungen 2112B sind in z-Richtung vertieft. In dem abgebildeten Beispiel haben die Ausnehmungen 2112B eine ähnliche Querschnittsform wie die Ausnehmungen 1112A.
  • Der zweite Abschnitt 202B ist ein Abschnitt des Anschlusses 2B, der aus dem Versiegelungsharz 7 herausragt. Der zweite Abschnitt 202B ragt auf der den Anschlüssen 1 gegenüberliegenden Seite in Bezug auf den ersten Abschnitt 201B in y-Richtung heraus. Zum Beispiel wird der zweite Abschnitt 202B verwendet, um das Halbleiterbauteil A1 mit einem externen Schaltkreis elektrisch zu verbinden. Der zweite Abschnitt 202B ist in z-Richtung nach oben gebogen. Der erste Abschnitt 201B und der zweite Abschnitt 202B sind miteinander verbunden.
  • Der Anschluss 2C hat einen ersten Abschnitt 201C und einen zweiten Abschnitt 202C.
  • Eine der elektronischen Komponenten 49 ist auf dem ersten Abschnitt 201C montiert. Die Form des ersten Abschnitts 201C ist nicht besonders begrenzt. Der erste Abschnitt 201C ist mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt. Die Position des ersten Abschnitts 201C in z-Richtung entspricht den Positionen der ersten Abschnitte 201A.
  • Der erste Abschnitt 201C hat eine Vielzahl von Vertiefungen 2111C und eine Vielzahl von Ausnehmungen 2112C.
  • Die Vielzahl der Vertiefungen 2111C ist in z-Richtung vertieft. Die Formen der Vertiefungen 2111C in z-Richtung gesehen sind nicht besonders begrenzt. In dem gezeigten Beispiel hat jede der Vertiefungen 2111C eine rechteckige Form, die den Vertiefungen 2111A ähnlich ist. Auch ist in dem gezeigten Beispiel die Vielzahl der Vertiefungen 2111C in x-Richtung nebeneinander angeordnet. Wie bei der Vielzahl der Vertiefungen 2111A kann die Vielzahl der Vertiefungen 2111C im Abstand Px2 in x-Richtung angeordnet sein. Die Querschnittsformen der Vertiefungen 2111C sind nicht besonders begrenzt. In dem gezeigten Beispiel haben die Vertiefungen 2111C ähnliche Querschnittsformen wie die Vertiefungen 2111A.
  • Die Ausnehmungen 2112C sind so gebildet, dass sie die elektronische Komponente 49 von der Vielzahl der Vertiefungen 2111C in z-Richtung gesehen trennen. Die Ausnehmungen 2112C sind in z-Richtung gesehen vertieft. Im gezeigten Beispiel haben die Ausnehmungen 2112C ähnliche Querschnittsformen wie die Ausnehmungen 1112A.
  • Der zweite Abschnitt 202C ist ein Abschnitt des Anschlusses 2C, der aus dem Versiegelungsharz 7 herausragt. Der zweite Abschnitt 202C ragt auf der den Anschlüssen 1 gegenüberliegenden Seite in Bezug auf den ersten Abschnitt 201C in y-Richtung heraus. Der zweite Abschnitt 202C wird beispielsweise verwendet, um das Halbleiterbauteil A1 mit einem externen Schaltkreis elektrisch zu verbinden. Der zweite Abschnitt 202C ist in z-Richtung nach oben gebogen. Der erste Abschnitt 201C und der zweite Abschnitt 202C sind miteinander verbunden.
  • Der Anschluss 2D hat einen ersten Abschnitt 201D und einen zweiten Abschnitt 202D.
  • Eine der elektronischen Komponenten 49 ist auf dem ersten Abschnitt 201D montiert. Die Form des ersten Abschnitts 201D ist nicht besonders begrenzt. Der erste Abschnitt 201D ist mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt. Die Position des ersten Abschnitts 201D in z-Richtung entspricht den Positionen der ersten Abschnitte 201A.
  • Der erste Abschnitt 201D hat eine Vielzahl von Vertiefungen 2111D und eine Vielzahl von Ausnehmungen 2112D.
  • Die Vielzahl der Vertiefungen 2111D ist in z-Richtung vertieft. Die Formen der Vertiefungen 2111D sind in z-Richtung gesehen nicht besonders begrenzt. In dem dargestellten Beispiel hat jede der Vertiefungen 2111D eine rechteckige Form ähnlich der Vertiefungen 2111A. Die Vielzahl der Vertiefungen 2111D ist in X-Richtung nebeneinander angeordnet. Wie die Vielzahl der Vertiefungen 2111A kann auch die Vielzahl der Vertiefungen 2111D im Abstand Px2 in X-Richtung angeordnet sein. Die Querschnittsformen der Vertiefungen 2111D sind nicht besonders begrenzt. Die Vertiefungen 2111D haben ähnliche Querschnittsformen wie die Vertiefungen 2111A.
  • Die Ausnehmungen 2112D sind so gebildet, dass sie die elektronische Komponente 49 von der Vielzahl der Vertiefungen 2111D in z-Richtung gesehen trennen. Die Ausnehmungen 2112D sind in z-Richtung gesehen vertieft. Die Ausnehmungen 2112D haben ähnliche Querschnittsformen wie die Ausnehmungen 1112A.
  • Der zweite Abschnitt 202D ist ein Abschnitt Teil des Anschlusses 2D, der aus dem Versiegelungsharz 7 herausragt. Der zweite Abschnitt 202D ragt auf der den Anschlüssen 1 gegenüberliegenden Seite in Bezug auf den ersten Abschnitt 201D in y-Richtung heraus. Der zweite Abschnitt 202D wird beispielsweise verwendet, um das Halbleiterbauteil A1 mit einem externen Schaltkreis elektrisch zu verbinden. Der zweite Abschnitt 202D ist in z-Richtung nach oben gebogen. Der erste Abschnitt 201D und der zweite Abschnitt 202D sind miteinander verbunden.
  • Wie in 3 dargestellt, ist die Vielzahl der Anschlüsse 2E auf der linken Seite in x-Richtung relativ zum Anschluss 2D angeordnet.
  • Jede der Anschlüsse 2E hat einen ersten Abschnitt 201E, einen zweiten Abschnitt 202E und einen vierten Abschnitt 204E.
  • Der erste Abschnitt 201E ist ein Abschnitt, an den ein Draht 93 gebondet ist. Die Form des ersten Abschnitts 201E ist nicht besonders begrenzt. In dem abgebildeten Beispiel hat der erste Abschnitt 201E eine rechteckige Form. Der erste Abschnitt 201E ist mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt. Die Position des ersten Abschnitts 201E in z-Richtung ist die gleiche wie die Positionen der ersten Abschnitte 201A.
  • Der zweite Abschnitt 202E ist ein Abschnitt des Anschlusses 2E, der aus dem Versiegelungsharz 7 herausragt. Der zweite Abschnitt 202E ragt auf der den Anschlüssen 1 gegenüberliegenden Seite in Bezug auf den ersten Abschnitt 201E in y-Richtung heraus. Der zweite Abschnitt 202E wird beispielsweise verwendet, um das Halbleiterbauteil A1 mit einem externen Schaltkreis elektrisch zu verbinden. Der zweite Abschnitt 202E ist in z-Richtung nach oben gebogen.
  • Der vierte Abschnitt 204E ist zwischen dem ersten Abschnitt 201E und dem zweiten Abschnitt 202E eingefügt. Der vierte Abschnitt 204E wird mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt. Die Position des vierten Abschnitts 204E in z-Richtung ist die gleiche wie die des ersten Abschnitts 201E. Der vierte Abschnitt 204E ist mit dem ersten Abschnitt 201E und dem zweiten Abschnitt 202E verbunden. Der vierte Abschnitt 204E ist L-förmig.
  • Die zweiten Abschnitte 202E der Vielzahl der Anschlüsse 2E sind zwischen dem zweiten Abschnitt 202D des Anschlusses 2D und einem der zweiten Abschnitte 202A des Anschlusses 2A in x-Richtung angeordnet.
  • Wie in 3 dargestellt, ist die Vielzahl der Anschlüsse 2F auf der linken Seite in x-Richtung relativ zur Vielzahl der Anschlüsse 2E angeordnet.
  • Jede der Anschlüsse 2F hat einen ersten Abschnitt 201F, einen zweiten Abschnitt 202F und einen vierten Abschnitt 204F.
  • Der erste Abschnitt 201F ist ein Abschnitt, an den ein Draht 93 gebondet ist. Die Form des ersten Abschnitts 201F ist nicht besonders begrenzt. In dem abgebildeten Beispiel hat der erste Abschnitt 201F eine viereckige Form. Der erste Abschnitt 201F ist Seite an Seite mit den anderen ersten Abschnitten 201F der Vielzahl von Anschlüssen 2F in x-Richtung angeordnet. Der erste Abschnitt 201F ist mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt. Die Position des ersten Abschnitts 201F in z-Richtung ist die gleiche wie die Positionen der ersten Abschnitte 201A.
  • Der zweite Abschnitt 202F ist ein Abschnitt des Anschlusses 2F, der aus dem Versiegelungsharz 7 herausragt. Der zweite Abschnitt 202F ragt auf der den Anschlüssen 1 gegenüberliegenden Seite in Bezug auf den ersten Abschnitt 201F in y-Richtung heraus. Der zweite Abschnitt 202F wird beispielsweise verwendet, um das Halbleiterbauteil A1 mit einem externen Schaltkreis elektrisch zu verbinden. Der zweite Abschnitt 202F ist in z-Richtung nach oben gebogen.
  • Der vierte Abschnitt 204F ist zwischen dem ersten Abschnitt 201F und dem zweiten Abschnitt 202F eingefügt. Der vierte Abschnitt 204F wird mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt. Die Position des vierten Abschnitts 204F in z-Richtung ist die gleiche wie die Positionen der ersten Abschnitte 201A. Der vierte Abschnitt 204F ist zwischen dem ersten Abschnitt 201F und dem zweiten Abschnitt 202F angeordnet. Der vierte Abschnitt 204F hat eine längliche Form, die relativ zur y-Richtung geneigt ist.
  • In dem abgebildeten Beispiel sind die zweiten Abschnitte 202F der Vielzahl der Anschlüsse 2F zwischen den beiden zweiten Abschnitten 202A des Anschlusses 2A in x-Richtung angeordnet.
  • Wie in 3 dargestellt, ist der Anschluss 2Z auf der zweiten Seite in x-Richtung relativ zum Anschluss 2A angeordnet. Der Anschluss 2Z ist nicht elektrisch mit den ersten Halbleiterelementen 3, den zweiten Halbleiterelementen 4 oder den dritten Halbleiterelementen 5 verbunden. Der Anschluss 2Z hat einen ersten Abschnitt 201Z, einen zweiten Abschnitt 202Z und einen vierten Abschnitt 204Z.
  • Der erste Abschnitt 201Z ist auf der linken Seite eines der ersten Abschnitte 201A des Anschlusses 2A in x-Richtung angeordnet. Die Position des ersten Abschnitts 201Z in der z-Richtung ist die gleiche wie die Positionen der ersten Abschnitte 201A. Der erste Abschnitt 201Z ist mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt.
  • Der zweite Abschnitt 202Z ist ein Abschnitt des Anschlusses 2Z, der aus dem Versiegelungsharz 7 herausragt. Der zweite Abschnitt 202Z ragt auf der den Anschlüssen 1 gegenüberliegenden Seite in Bezug auf den ersten Abschnitt 201Z in y-Richtung heraus. Der zweite Abschnitt 202Z ist in z-Richtung nach oben gebogen.
  • Der vierte Abschnitt 204Z ist mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt und ist zwischen dem ersten Abschnitt 201Z und dem zweiten Abschnitt 202Z eingefügt. Der vierte Abschnitt 204Z ist in z-Richtung gesehen L-förmig. Der vierte Teil 204Z hat eine Vielzahl von Vertiefungen 2111Z.
  • Die Vielzahl der Vertiefungen 2111Z ist in z-Richtung vertieft. Die Formen der Vertiefungen 2111Z in z-Richtung gesehen sind nicht besonders begrenzt. In dem abgebildeten Beispiel hat jede der Vertiefungen 2111Z eine rechteckige Form ähnlich den Vertiefungen 2111A. Die Vielzahl der Vertiefungen 2111Z ist in einer Matrix angeordnet. Wie die Vielzahl der Vertiefungen 2111A kann auch die Vielzahl der Vertiefungen 2111Z im Abstand Px2 in x-Richtung angeordnet sein. Die Vielzahl der Vertiefungen 2111Z ist im Abstand Py2 in y-Richtung angeordnet, ähnlich wie die Vielzahl der Vertiefungen 2111A. Die Querschnittsformen der Vertiefungen 2111Z sind nicht besonders begrenzt. In dem abgebildeten Beispiel haben die Vertiefungen 2111Z ähnliche Querschnittsformen wie die Vertiefungen 2111A.
  • Wie in 3 dargestellt, sind der zweite Abschnitt 202B, der zweite Abschnitt 202C und der zweite Abschnitt 202D nebeneinander mit einem Abstand x1 in x-Richtung angeordnet. Die Vielzahl der zweiten Abschnitte 202E, die Vielzahl der zweiten Abschnitte 202F, die zwei zweiten Abschnitte 202A und der zweite Abschnitt 202Z sind nebeneinander mit einem Abstand x2 in x-Richtung angeordnet. Der Abstand x1 ist größer als der Abstand x2. Der Abstand zwischen dem zweiten Abschnitt 202D und dem benachbarten zweiten Abschnitt 202E beträgt x1.
  • Die ersten Halbleiterelemente 3 sind funktionale Elemente für das Halbleiterbauteil A1, das als IPM fungieren soll. Die ersten Halbleiterelemente 3 sind Leistungshalbleiterelemente. Zum Beispiel fließt ein dreiphasiger Wechselstrom, der ein Steuerziel im IPM ist, in die ersten Halbleiterelemente 3 hinein und aus ihnen heraus. Jedes der ersten Halbleiterelemente 3 ist typischerweise ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), ein Bipolartransistor, ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) oder ähnliches. Die ersten Halbleiterelemente 3 sind auf der vorderen Oberfläche 111A des ersten Abschnitts 101A des Anschlusses 1A, der vorderen Oberfläche 111B des ersten Abschnitts 101B des Anschlusses 1B, der vorderen Oberfläche 111C des ersten Abschnitts 101C des Anschlusses 1C und der vorderen Oberfläche 111D des ersten Abschnitts 101D des Anschlusses 1D montiert.
  • Die ersten Halbleiterelemente 3 haben erste Elektroden 31, zweite Elektroden 32 und dritte Elektroden 33. Die ersten Elektroden 31 sind so angeordnet, dass sie den vorderen Oberflächen 111A, 111B, 111C und 111D zugewandt sind (siehe 6). Die zweiten Elektroden 32 und die dritten Elektroden 33 sind in z-Richtung gegenüber den ersten Elektroden 31 angeordnet (siehe 3).
  • Wenn die ersten Halbleiterelemente 3 IGBTs sind, sind die ersten Elektroden 31 Kollektorelektroden, die zweiten Elektroden 32 Emitterelektroden und die dritten Elektroden 33 Gateelektroden. Wenn die ersten Halbleiterelemente 3 Bipolartransistoren sind, sind die ersten Elektroden 31 Kollektorelektroden, die zweiten Elektroden 32 Emitterelektroden und die dritten Elektroden 33 Basiselektroden. Wenn es sich bei den ersten Halbleiterelementen 3 um MOSFETs handelt, sind die ersten Elektroden 31 Drain-Elektroden, die zweiten Elektroden 32 Source-Elektroden und die dritten Elektroden 33 GateElektroden.
  • Wie in den 3 und 6 dargestellt, sind drei erste Halbleiterelemente 3 auf der vorderen Oberfläche 111A des ersten Abschnitts 101A des Anschlusses 1A montiert. Die Anordnung der drei ersten Halbleiterelemente 3 ist nicht besonders begrenzt. In dem dargestellten Beispiel sind die drei ersten Halbleiterelemente 3 in x-Richtung in gleichem Abstand nebeneinander angeordnet. Die ersten Halbleiterelemente 3 werden auf dem ersten Abschnitt 101A montiert, indem die ersten Elektroden 31 und die vordere Oberfläche 111A mit Bondingschichten 39 gebondet werden. Die Bondingschichten 39 bestehen aus leitenden Bondingmaterialien, die z.B. Ag enthalten.
  • Jeweils ein erstes Halbleiterelement 3 ist auf den vorderen Oberflächen 111B, 111C und 111D montiert. Die ersten Elektroden 31 der ersten Halbleiterelemente 3 werden z.B. mit den Bondingschichten 39 auf die vorderen Oberflächen 111B, 111C und 111D gebondet. Sechs erste Halbleiterelemente 3 auf den ersten Abschnitten 101A, 101B, 101C und 101D sind in x-Richtung nebeneinander angeordnet, und ihre Positionen in der y-Richtung sind gleich.
  • Die dritten Halbleiterelemente 5 sind Elemente, die z.B. die Funktionen der ersten Halbleiterelemente 3 unterstützen, und können schnelle Rückgewinnungsdioden (FRDs) zur Gleichrichtung eines Dreiphasen-Wechselstroms sein, der ein Kontrollziel im IPM ist. In dem abgebildeten Beispiel sind drei dritte Halbleiterelemente 5 auf der vorderen Oberflächen 111A des ersten Abschnitts 101A montiert. Ein drittes Halbleiterelement 5 ist auf jeder der vorderen Oberflächen 111B, 111C und 111D montiert. Die dritten Halbleiterelemente 5 sind auf der zweiten Seite in y-Richtung relativ zu den jeweiligen ersten Halbleiterelementen 3 angeordnet und mit diesen in y-Richtung ausgerichtet.
  • Die dritten Halbleiterelemente 5 haben erste Elektroden 51 und zweite Elektroden 52. Die ersten Elektroden 51 sind so angeordnet, dass sie den vorderen Oberflächen 111A, 111B, 111C und 111D zugewandt sind. Wie in 7 dargestellt, sind die ersten Elektroden 51 durch Bondingschichten 59 mit den vorderen Oberflächen 111A, 111B, 111C und 111D verbunden. Die Bondingschichten 59 bestehen aus leitfähigen Bondingmaterialien, die z.B. Ag enthalten.
  • Die zweiten Halbleiterelemente 4 sind Steuer-Halbleiterelemente zur Steuerung des Betriebs der ersten Halbleiterelemente 3 und können Treiber-ICs sein. Wie in 3 und 7 dargestellt, sind zwei zweite Halbleiterelemente 4 jeweils auf den beiden ersten Abschnitten 201A des Anschlusses 2A montiert. Die zweiten Halbleiterelemente 4 sind durch Bondingschichten 45 mit den vorderen Oberflächen 211A der ersten Abschnitte 201A verbunden. Die Bondingschichten 45 bestehen z.B. aus leitfähigen Bondingmaterialien oder isolierenden Bondingmaterialien.
  • Jedes der zweiten Halbleiterelemente 4 hat eine Vielzahl von ersten Elektroden 41 und eine Vielzahl von zweiten Elektroden 42. Die Vielzahl der ersten Elektroden 41 ist auf der Seite der Anschlüsse 1 (auf der Seite der ersten Halbleiterelemente 3) in y-Richtung angeordnet. Die Vielzahl der zweiten Elektroden 42 ist auf der ersten Seite in z-Richtung oder auf der zweiten Seite in x-Richtung relativ zu den Vielzahl der ersten Elektroden 41 vorgesehen.
  • Bei den elektronischen Bauelementen 49 handelt es sich um Elemente, die die Funktionen des zweiten Halbleiterelementes 4 unterstützen, z.B. um Dioden. Wie in 3 und 7 dargestellt, sind die elektronischen Komponenten 49 jeweils auf dem ersten Abschnitt 201B des Anschlusses 2B, dem ersten Abschnitt 201C des Anschlusses 2C und dem ersten Abschnitt 201D des Anschlusses 2D montiert. Die elektronischen Komponenten 49 sind an die ersten Abschnitte 201B, 201C und 201D durch Bondingschichten 491 gebondet. Die Bondingschichten 491 sind aus leitfähigen Bondingmaterialien, die z.B. Ag enthalten, hergestellt.
  • Die Drähte 91, 92 und 93 dienen zum elektrischen Verbinden der Vielzahl von Anschlüssen 1, der Vielzahl von Anschlüssen 2, der ersten Halbleiterelemente 3, der zweiten Halbleiterelemente 4 und der dritten Halbleiterelemente 5 in einer vorbestimmten Beziehung in geeigneter Weise. Das Material und die Größe jedes der Drähte 91, 92 und 93 sind nicht besonders begrenzt. In der vorliegenden Ausführungsform können die Drähte 91 z.B. aus Al und die Drähte 92 und 93 aus Au bestehen. Die Drähte 91 haben einen größeren Durchmesser als die Drähte 92 und 93. Die Drähte 91 können aus einem anderen Metall wie z.B. Au oder Cu hergestellt sein. Ebenso können die Drähte 92 und 93 aus einem anderen Metall als Au hergestellt sein.
  • Wie in 3 dargestellt, enthält das Halbleiterbauteil A1 sechs Drähte 91. Die Drähte 91 sind mit den zweiten Elektroden 32 der ersten Halbleiterelemente 3 und den zweiten Elektroden 52 der dritten Halbleiterelemente 5 verbunden. Auch von der ersten Seite (rechte Seite) zur anderen Seite in x-Richtung gesehen, sind die Drähte 91 mit den jeweiligen zweiten Elektroden 52 der entsprechenden dritten Halbleiterelemente 5 und weiter mit dem vierten Abschnitt 104B, dem vierten Abschnitt 104C, dem vierten Abschnitt 104D, dem vierten Abschnitt 104E, dem vierten Abschnitt 104F und dem vierten Abschnitt 104G verbunden.
  • Die Vielzahl der Drähte 92 ist mit den zweiten Elektroden 32 und den dritten Elektroden 33 der ersten Halbleiterelemente 3 und mit den ersten Elektroden 41 der zweiten Halbleiterelemente 4 verbunden. Die zweiten Elektroden 32 und die dritten Elektroden 33 der drei ersten Halbleiterelemente 3, die auf dem ersten Abschnitt 101A montiert sind, sind mit der Vielzahl der ersten Elektroden 41 des zweiten Halbleiterelements 4 auf der ersten Seite in x-Richtung (rechte Seite) durch die Vielzahl von Drähten 92 verbunden. Die dritten Elektroden 33 der drei ersten Halbleiterelemente 3, die jeweils auf den ersten Abschnitten 101B, 101C und 101D montiert sind, sind mit der Vielzahl von ersten Elektroden 41 des zweiten Halbleiterelements 4 auf der zweiten Seite in x-Richtung (linke Seite) durch die Vielzahl von Drähten 92 verbunden.
  • Die zweiten Elektroden 42 des zweiten Halbleiterelements 4 auf der ersten Seite in x-Richtung (rechte Seite) sind mit der Vielzahl der elektronischen Komponenten 49, den ersten Abschnitten 201B, 201C, 201D und 201E und dem fünften Abschnitt 205A durch die Vielzahl der Drähte 93 verbunden. Jeder der Abschnitte der ersten Abschnitte 201B, 201C, 201D und 201E und der fünfte Abschnitt 205A, an die die Drähte 93 gebondet sind, kann mit einer Plattierungsschicht z.B. aus Ag versehen werden.
  • Die zweiten Elektroden 42 des zweiten Halbleiterelements 4 auf der zweiten Seite in x-Richtung (linke Seite) sind mit den ersten Abschnitten 201F und den vierten Abschnitten 204A durch die Vielzahl von Drähten 93 verbunden. Jeder der Abschnitte der ersten Abschnitte 201F und der vierten Abschnitte 204A, an die die Drähte 93 gebondet sind, kann z.B. mit einer Plattierungsschicht aus Ag versehen werden.
  • Wie in 8 dargestellt, umschließt die Vielzahl der Ausnehmungen 1112A auf der ersten Seite in y-Richtung im ersten Abschnitt 101A drei Bereiche 1115A. In dem abgebildeten Beispiel hat jede der Flächen 1115A eine rechteckige Form, und in jeder der Flächen 1115A ist ein erstes Halbleiterelement 3 angeordnet. Die Vielzahl von Ausnehmungen 1112A, die die drei Bereiche 1115A umgeben, sind von der Vielzahl von Ausnehmungen 1113A umgeben. Auch im ersten Abschnitt 101A umgeben die mehreren Ausnehmungen 1112A auf der zweiten Seite in y-Richtung die drei Bereiche 1116A. Jeder der Bereiche 1116A hat eine rechteckige Form, und ein drittes Halbleiterelement 5 ist in jedem der Bereiche 1116A angeordnet. Die Vielzahl von Ausnehmungen 1112A, die die Bereiche 1116A umgeben, sind von der Vielzahl von Ausnehmungen 1113A umgeben.
  • Wie in 8 dargestellt, wird die Anzahl der Anordnungen von Vertiefungen 1111A in y-Richtung je nach Lage entsprechend gewählt. Zum Beispiel beträgt die Anzahl der Anordnungen M1 zwischen den vierten Oberflächen 124A und den Bereichen 1116A (dritte Halbleiterelemente 5) sieben. Die Anzahl der Anordnungen M2 zwischen dem Bereich 1116A (ein drittes Halbleiterelement 5) und dem Bereich 1115A (das entsprechende erste Halbleiterelement 3) beträgt zwei. Die Anzahl der Anordnungen M3 zwischen dem Bereich 1116A (ein weiteres drittes Halbleiterelement 5) und dem Bereich 1115A (das entsprechende erste Halbleiterelement 3) beträgt zwei. Die Anzahl der Anordnungen M4 zwischen den Bereichen 1115A (erstes Halbleiterelement 3) und der dritten Oberfläche 123A ist eins. In dem dargestellten Beispiel ist also M1 > M2 = M3 > M4. Auch die Anzahl der Anordnungen von Vertiefungen 1111A in X-Richtung wird je nach Lage entsprechend gewählt. Zum Beispiel ist die Anzahl der Arrays N1 zwischen der ersten Oberfläche 121A und dem Bereich 1116A (drittes Halbleiterelement 5), die Anzahl der Anordnungen N2 zwischen den benachbarten Bereichen 1116A (drittes Halbleiterelement 5) und die Anzahl der Anordnungen N3 zwischen der zweiten Oberfläche 122A und der Fläche 1116A (drittes Halbleiterelement 5) gleich, d.h. N1 = N2 = N3 = 3. Auf der anderen Seite ist die Anzahl der Anordnungen N4 zwischen der ersten Oberfläche 121A und dem Bereich 1115A (erstes Halbleiterelement 3) und die Anzahl der Anordnungen N5 zwischen der zweiten Oberfläche 122A und dem Bereich 1115A (erstes Halbleiterelement 3) gleich eins. Mit anderen Worten, in dem dargestellten Beispiel ist N1 = N2 = N3 > N4 = N5.
  • Das Trägerelement 6 trägt die Anschlüsse 1A, 1B, 1C und 1D und überträgt die Wärme über diese Anschlüsse z.B. von den ersten Halbleiterelementen 3 und den dritten Halbleiterelementen 5 auf die Außenseite des Halbleiterbauteils A1. Das Trägerelement 6 besteht aus Keramik und hat eine rechteckige, plattenartige Form. Es ist hinsichtlich der Festigkeit, des Wärmedurchgangskoeffizienten und der Isolierung bevorzugt, dass das Trägerelement 6 aus Keramik besteht. Das Material des Trägerelements 6 ist jedoch nicht hierauf beschränkt, und es können verschiedene andere Materialien verwendet werden, um das Trägerelement 6 zu bilden. Ein Trägerelement 6, das eine plattenartige Form hat, ist für die Ausdünnung des Halbleiterbauteils A1 vorzuziehen, aber das Trägerelement 6 kann verschiedene andere Formen haben.
  • Wie in den 3, 6 und 7 dargestellt, hat das Trägerelement 6 eine vordere Trägerelement-Oberfläche 61, eine hintere Trägerelement-Oberfläche 62, eine erste Trägerelement-Oberfläche 63, eine zweite Trägerelement-Oberfläche 64, eine dritte Trägerelement-Oberfläche 65 und eine vierte Trägerelement-Oberfläche 66.
  • Die vordere Trägerelement-Oberfläche 61 ist der ersten Seite in z-Richtung zugewandt und auch den Anschlüssen 1A, 1B, 1C und 1D zugewandt. Die hintere Trägerelement-Oberfläche 62 weist der Seite gegenüber der vorderen Trägerelement-Oberfläche 61 zu. Die hintere Trägerelement-Oberfläche 62 ist von dem Versiegelungsharz 7 freigelegt.
  • Die erste Trägerelement-Oberfläche 63 befindet sich zwischen der vorderen Trägerelement-Oberfläche 61 und der hinteren Trägerelement-Oberfläche 62 in z-Richtung und ist der ersten Seite in x-Richtung zugewandt. Die erste Trägerelement-Oberfläche 63 ist mit der vorderen Trägerelement-Oberfläche 61 und der hinteren Trägerelement-Oberfläche 62 verbunden.
  • Die zweite Trägerelement-Oberfläche 64 befindet sich zwischen der vorderen Trägerelement-Oberfläche 61 und der hinteren Trägerelement-Oberfläche 62 in z-Richtung und ist der zweiten Seite in x-Richtung zugewandt. Die zweite Trägerelement-Oberfläche 64 ist mit der vorderen Trägerelement-Oberfläche 61 und der hinteren Trägerelement-Oberfläche 62 verbunden.
  • Die dritte Trägerelement-Oberfläche 65 befindet sich zwischen der vorderen Trägerelement-Oberfläche 61 und der hinteren Trägerelement-Oberfläche 62 in z-Richtung und ist der ersten Seite in y-Richtung zugewandt. Die dritte Trägerelement-Oberfläche 65 ist mit der vorderen Trägerelement-Oberfläche 61 und der hinteren Trägerelement-Oberfläche 62 verbunden.
  • Die vierte Trägerelement-Oberfläche 66 befindet sich zwischen der vorderen Trägerelement-Oberfläche 61 und der hinteren Trägerelement-Oberfläche 62 in z-Richtung und ist der Seite gegenüber der dritten Trägerelement-Oberfläche 65 in y-Richtung zugewandt. Die vierte Trägerelement-Oberfläche 66 ist mit der vorderen Trägerelement-Oberfläche 61 und der hinteren Trägerelement-Oberfläche 62 verbunden.
  • Die hinteren Oberflächen 112A, 112B, 112C und 112D der Anschlüsse 1A, 1B, 1C und 1D sind über Bondingschichten 69 an die vordere Trägerelement-Oberfläche 61 des Trägerelements 6 gebondet. Es ist bevorzugt, dass die Bondingschichten 69 das Trägerelement 6, das aus z.B. Keramik hergestellt ist, mit den Anschlüssen 1A, 1B, 1C und 1D, die z.B. aus Cu hergestellt sind, in geeigneter Weise verbinden und eine relativ gute Wärmeleitfähigkeit aufweisen. Die Bondingschichten 69 können z.B. ein Harzkleber mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit sein.
  • Das Versiegelungsharz 7 bedeckt teilweise oder vollständig die Vielzahl der Anschlüsse 1, die Vielzahl der Anschlüsse 2, die Vielzahl der ersten Halbleiterelemente 3, die Vielzahl der zweiten Halbleiterelemente 4, die Vielzahl der dritten Halbleiterelemente 5, die Vielzahl der elektronischen Komponenten 49, die Vielzahl der Drähte 91, 92 und 93 und das Trägerelement 6. Das Versiegelungsharz 7 ist zum Beispiel ein schwarzes Epoxidharz.
  • Wie in den 3 bis 7 gezeigt, hat das Versiegelungsharz 7 eine vordere Harz-Oberfläche 71, eine hintere Harz-Oberfläche 72, eine erste Harz-Oberfläche 73, eine zweite Harz-Oberfläche 74, eine dritte Harz-Oberfläche 75 und eine vierte Harz-Oberfläche 76.
  • Die vordere Harz-Oberfläche 71 zeigt nach außen zur ersten Seite in z-Richtung, während sie auch nach innen zu den Anschlüssen 1A, 1B, 1C und 1D zeigt. Die hintere Harz-Oberfläche 72 ist der Seite gegenüber der vorderen Harz-Oberfläche 71 in z-Richtung zugewandt.
  • Die erste Harz-Oberfläche 73 befindet sich zwischen der vorderen Harz-Oberfläche 71 und der hinteren Harz-Oberfläche 72 in z-Richtung und ist der ersten Seite in x-Richtung zugewandt. Die erste Harz-Oberfläche 73 ist mit der vorderen Harz-Oberfläche 71 und der hinteren Harz-Oberfläche 72 verbunden.
  • Die zweite Harz-Oberfläche 74 befindet sich zwischen der vorderen Harz-Oberfläche 71 und der hinteren Harz-Oberfläche 72 in z-Richtung und ist der zweiten Seite in x-Richtung zugewandt. Die zweite Harz-Oberfläche 74 ist mit der vorderen Harz-Oberfläche 71 und der hinteren Harz-Oberfläche 72 verbunden.
  • Die dritte Harz-Oberfläche 75 befindet sich zwischen der vorderen Harz-Oberfläche 71 und der hinteren Harz-Oberfläche 72 in z-Richtung und ist der ersten Seite in y-Richtung zugewandt. Die dritte Harz-Oberfläche 75 ist mit der vorderen Harz-Oberfläche 71 und der hinteren Harz-Oberfläche 72 verbunden.
  • Die vierte Harz-Oberfläche 76 befindet sich in z-Richtung zwischen der vorderen Harz-Oberfläche 71 und der hinteren Harz-Oberfläche 72 und ist in y-Richtung der der dritten Harz-Oberfläche 75 gegenüberliegenden Seite zugewandt. Die vierte Harz-Oberfläche 76 ist mit der vorderen Harz-Oberfläche 71 und der hinteren Harz-Oberfläche 72 verbunden.
  • Das Versiegelungsharz 7 hat eine Aussparung 710, eine Aussparung 720 und eine Vielzahl von Aussparungen 730.
  • Wie in den 3 und 8 dargestellt, ist die Aussparung 710 in der x-Richtung aus der ersten Harz-Oberfläche 73 ausgespart und dient zur Fixierung des Halbleiterbauteils A1, wenn es montiert ist. Die Form der Aussparung 710 ist nicht besonders begrenzt. Im gezeigten Beispiel hat die Aussparung 710 eine erste Oberfläche 711 und ein Paar zweiter Oberflächen 712. Die erste Oberfläche 711 bildet die Bodenfläche der Aussparung 710 und ist z.B. eine ausgesparte gekrümmte Oberfläche. Das Paar von zweiten Oberflächen 712 verbindet sich mit den jeweiligen Enden der ersten Oberfläche 711 und mit der ersten Harz-Oberfläche 73. Das Paar der zweiten Oberflächen 712 sind beispielsweise Oberflächen entlang der x-Richtung. Die Position der Aussparung 710 in der y-Richtung fällt mit einem Abschnitt des ersten Abschnitts 101A zusammen. Mit anderen Worten, die Aussparung 710 überlappt mit dem ersten Abschnitt 101A in x-Richtung gesehen.
  • 8 zeigt ein Paar erster virtueller Linien L1. Das Paar erster virtueller Linien L1 erstreckt sich entlang der x-Richtung von den jeweiligen Enden der ersten Oberfläche 121A in y-Richtung bis zur ersten Harz-Oberfläche 73. In z-Richtung gesehen wird ein Bereich, der von der ersten Oberfläche 121A, der ersten Harz-Oberfläche 73, der Aussparung 710 und dem Paar erster virtueller Linien L1 umgeben ist, als erster Bereich bzw. Fläche S1 bezeichnet.
  • 8 zeigt ein Paar zweiter virtueller Linien L2. Das Paar zweiter virtueller Linien L2 erstreckt sich entlang der x-Richtung von den jeweiligen Enden der Aussparung 710 in y-Richtung (das Paar zweiter Flächen 712 im gezeigten Beispiel) bis zur ersten Oberfläche 121A. In z-Richtung gesehen wird ein Bereich, der von der ersten Fläche 121A, der Aussparung 710 und dem Paar zweiter virtueller Linien L2 umgeben ist, als zweiter Bereich bzw. Fläche S2 bezeichnet. Die zweite Fläche S2 ist in der ersten Fläche S1 als Teil der ersten Fläche S1 enthalten.
  • Die Vielzahl der Anschlüsse 1 ist in einem Bereich angeordnet, der den ersten Bereich S1 in z-Richtung gesehen vermeidet. Mit anderen Worten, keine der Vielzahl von Anschlüssen 1 ist in z-Richtung gesehen in der ersten Fläche S1 angeordnet. Die erste Oberfläche 121A des Anschlusses 1A grenzt an den ersten Bereich S1. Mit anderen Worten, die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131A und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132A grenzen an den ersten Bereich S1.
  • Die Vielzahl der Anschlüsse 1 sind in einem Bereich angeordnet, der den zweiten Bereich S2 in z-Richtung gesehen vermeidet. Mit anderen Worten, keine der Vielzahl der Anschlüsse 1 ist, in z-Richtung gesehen, im zweiten Bereich S2 angeordnet. Die erste Oberfläche 121A des Anschlusses 1A grenzt an die zweite Fläche S2. Mit anderen Worten, die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131A und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132A grenzen an den ersten Bereich S1.
  • Die erste Trägerelement-Oberfläche 63 des Trägerelements 6 befindet sich zwischen der ersten Oberfläche 121A und der ersten Harz-Oberfläche 73, gesehen in z-Richtung (in x-Richtung). Die erste Trägerelement-Oberfläche 63 schneidet sich, in z-Richtung gesehen, mit dem ersten Bereich S1. Die erste Trägerelement-Oberfläche 63 befindet sich zwischen der ersten Oberfläche 121A und der Aussparung 710 (erste Fläche 711), in z-Richtung (in x-Richtung) gesehen. Die erste Trägerelement-Oberfläche 63 schneidet sich, in z-Richtung gesehen, mit dem zweiten Bereich S2.
  • Wie in den 3 und 18 dargestellt, ist die Aussparung 720 in x-Richtung aus der zweiten Harz-Oberfläche 74 ausgespart und dient zur Fixierung des Halbleiterbauteils A1, wenn es montiert ist. Die Form der Aussparung 720 ist nicht besonders begrenzt. Im abgebildeten Beispiel hat die Aussparung 720 eine erste Oberfläche 721 und ein Paar zweiter Oberflächen 722. Die erste Oberfläche 721 bildet die Bodenfläche der Aussparung 720 und ist z.B. eine ausgesparte gekrümmte Fläche. Das Paar zweiter Oberflächen 722 ist mit den jeweiligen Enden der ersten Oberfläche 721 und mit der zweiten Harz-Oberfläche 74 verbunden. Das Paar zweiter Oberflächen 722 sind z.B. Oberflächen entlang der x-Richtung. Die Position der Aussparung 720 in y-Richtung fällt mit einem Abschnitt des ersten Abschnitts 101D zusammen. Mit anderen Worten, die Aussparung 720 überlappt mit dem ersten Teil 101D in x-Richtung gesehen.
  • 18 zeigt ein Paar dritter virtueller Linien L3. Das Paar dritter virtueller Linien L3 erstreckt sich entlang der x-Richtung von den jeweiligen Enden der zweiten Oberfläche 122D in y-Richtung bis zur zweiten Harz-Oberfläche 74. In z-Richtung gesehen wird ein Bereich, der von der zweiten Oberfläche 122D, der zweiten Harz-Oberfläche 74, der Aussparung 720 und dem Paar dritter virtueller Linien L3 umgeben ist, als dritter Bereich bzw. Fläche S3 bezeichnet.
  • 18 zeigt ein Paar von vierten virtuellen Linien L4. Das Paar vierter virtueller Linien L4 erstreckt sich entlang der x-Richtung von den jeweiligen Enden der Aussparung 720 in y-Richtung (das Paar zweiter Flächen 722 im gezeigten Beispiel) bis zur zweiten Oberfläche 122D. In z-Richtung gesehen wird ein Bereich, der von der zweiten Oberfläche 122D, der Aussparung 720 und dem Paar vierter virtueller Linien L4 umgeben ist, als ein vierter Bereich bzw. Fläche S4 bezeichnet. Der vierte Bereich S4 ist in dem dritten Bereich S3 als Teil des dritten Bereichs S3 enthalten.
  • Ein Abschnitt des vierten Teils 104G des Anschlusses 1G aus der Vielzahl der Anschlüsse 1 ist, in z-Richtung gesehen, innerhalb des dritten Bereichs S3 angeordnet. Mit anderen Worten, die Vielzahl der Anschlüsse 1 mit Ausnahme des Anschlusses 1G ist in einem Bereich angeordnet, der den dritten Bereich S3 in z-Richtung gesehen vermeidet. Die zweite Oberfläche 122D des Anschlusses 1D grenzt an den dritten Bereich S3.
  • Die Vielzahl der Anschlüsse 1 sind in einem Bereich angeordnet, der den vierten Bereich S4 in z-Richtung gesehen vermeidet. Mit anderen Worten, keine der Vielzahl von Anschlüssen 1 ist, in z-Richtung gesehen, im vierten Bereich S4 angeordnet. Die zweite Oberfläche 122D des Anschlusses 1D grenzt an den vierten Bereich S4.
  • Die zweite Trägerelement-Oberfläche 64 des Trägerelements 6 befindet sich zwischen der zweiten Oberfläche 122D und der zweiten Harz-Oberfläche 74, gesehen in z-Richtung (in x-Richtung). Die zweite Trägerelement-Oberfläche 64 des Trägerelements 64 schneidet sich in z-Richtung gesehen mit dem dritten Bereich S3 (in x-Richtung). Die zweite Trägerelement-Oberfläche 64 des Trägerelements befindet sich zwischen der zweiten Oberfläche 122D und der Aussparung 720 (erste Oberfläche 721), in z-Richtung (in x-Richtung) gesehen. Die zweite Trägerelement-Oberfläche 64 des Trägerelements schneidet sich in z-Richtung gesehen mit dem vierten Bereich S4.
  • <Erste Ausführungsform; Montagestruktur B1>
  • Die 20 und 21 zeigen eine Montagestruktur B1 entsprechend einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Montagestruktur B1 ist eine Form der Montagestruktur des Halbleiterbauteils A1 und ist auf einem Montageelement 81 montiert. Die Montagestruktur B1 umfasst ein Halbleiterbauteil A1, ein Montageelement 81, ein Zwischenelement 82 und Befestigungselemente 83.
  • Das Montageelement 81 ist ein Element, auf dem das Halbleiterbauteil A1 montiert ist. Das Material und die Form des Montageelements 81 sind nicht besonders begrenzt. Im dargestellten Beispiel ist das Montageelement 81 so geformt, dass es eine flache vordere Oberfläche 811 hat, die der ersten Seite in z-Richtung zugewandt ist. Das Material des Montageelements 81 ist ein Metall mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit, wie z.B. Al.
  • Das Zwischenelement 82 ist zwischen dem Halbleiterbauteil A1 und dem Montageelement 81 vorgesehen. In dem dargestellten Beispiel ist das Zwischenelement 82 zwischen der vorderen Oberfläche 811 des Montageelements 81 und der hinteren Trägerelement-Oberfläche 62 und der hinteren Harz-Oberfläche 72 des Halbleiterbauteils A1 angeordnet. Das Zwischenelement 82 füllt die Lücke zwischen der vorderen Oberfläche 811 und der hinteren Trägerelement-Oberfläche 62 aus. Das Zwischenelement 82 ist vorzugsweise aus einem isolierenden Material hergestellt und kann z.B. ein blattähnliches Material sein, das aus einem isolierenden Harz mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit besteht. Das Zwischenelement 82 hat eine Größe und Form, die in z-Richtung gesehen ungefähr mit dem Halbleiterbauteil A1 (Versiegelungsharz 7) übereinstimmt.
  • Die Befestigungselemente 83 befestigen das Halbleiterbauteil A1 an dem Montageelement 81 mit dem dazwischen angeordneten Zwischenelement 82. Die spezifische Struktur jedes der Befestigungselemente 83 ist nicht besonders begrenzt. In dem dargestellten Beispiel sind die Befestigungselemente 83 Bolzen. Genauer gesagt werden die Befestigungselemente 83 in Innenschrauben geschraubt, die im Montageelement 81 vorgesehen sind, so dass das Halbleiterbauteil A1 über das Zwischenelement 82 am Montageelement 81 befestigt wird. In z-Richtung gesehen werden Abschnitte der Befestigungselemente 83 von der Aussparung 710 und der Aussparung 720 aufgenommen. Die Befestigungskraft der Befestigungselemente 83 wird auf die vordere Harz-Oberfläche 71 des Versiegelungsharzes 7 angewandt.
  • Als nächstes werden die Vorteile des Halbleiterbauteils A1 und der Montagestruktur B1 beschrieben.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Oberfläche 121A mit der Vielzahl von vorstehenden Bereichen 131A und der Vielzahl von vertieften Bereichen 132A versehen. Die erste Oberfläche 121A ist rauer als z.B. die dritte Oberfläche 123A, wodurch die Bonding-Festigkeit zwischen der ersten Oberfläche 121A und dem Versiegelungsharz 7 erhöht werden kann. Dementsprechend kann das Halbleiterbauteil A1 Risse im Versiegelungsharz 7 unterdrücken und die Zuverlässigkeit des Versiegelungsharzes 7 verbessern.
  • Wie in 8 dargestellt, ist die erste Oberfläche 121A die Oberfläche, die der ersten Harz-Oberfläche 73 des Versiegelungsharzes 7 am nächsten liegt. Keine der Vielzahl der Anschlüsse 1 ist im ersten Bereich S1 zwischen der ersten Harz-Oberfläche 73 und der ersten Oberfläche 121A angeordnet. Dementsprechend kann ein Riss, der sich in der ersten Oberfläche 121A bildet, die erste Harzoberfläche 73 erreichen und nach außen freigelegt werden. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform sind die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131A und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132A vorgesehen, um Risse zu unterdrücken, die die erste Harzoberfläche 73 erreichen können.
  • Wie in 8 dargestellt, ist das Versiegelungsharz 7 mit der Aussparung 710 versehen. Der zweite Bereich S2 neben der Aussparung 710 ist ein Bereich, in dem sich die Abmessung in x-Richtung von der ersten Oberfläche 121A nach außen verringert. Die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131A und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132A grenzen an den zweiten Bereich S2, wie oben beschrieben. Dadurch ist es möglich, Risse im zweiten Bereich S2 zu unterdrücken.
  • Wie in 20 und 21 dargestellt, wird eines der Befestigungselemente 83 unter Verwendung der Aussparung 710 des Versiegelungsharzes 7 in der Montagestruktur B1 an dem Montageelement 81 befestigt. Die Befestigungskraft wird auf den zweiten Bereich S2 des Versiegelungsharzes 7 aufgebracht. Die daraus resultierende Spannung kann einen Riss im Versiegelungsharz 7 verursachen, beginnend im Abschnitt der ersten Oberfläche 121A, der an den ersten Bereich S1 und den zweiten Bereich S2 angrenzt. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform können die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131A und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132A die Rissbildung im Versiegelungsharz 7 aufgrund der Befestigungskraft des Befestigungselementes 83 unterdrücken.
  • In der Montagestruktur B1 ist das Zwischenelement 82 zwischen dem Trägerelement 6 und dem Montageelement 81 angeordnet. Wenn die Härte des blattförmigen Materials des Zwischenelements 82 zunimmt, ist es wahrscheinlicher, dass sich aufgrund der Befestigungskraft der Befestigungselemente 83 im ersten Bereich S1 und im zweiten Bereich S2 ein Riss im Versiegelungsharz 7 bildet. Die vorliegende Ausführungsform kann die Bildung eines solchen Risses unterdrücken.
  • Wieder Bezug nehmend auf 9: Wenn der Krümmungsradius R1 jedes vorstehenden Bereichs 131A und der Krümmungsradius R2 jedes vertieften Bereichs 132A voneinander verschieden sind, kann ein kontinuierliches Fortschreiten eines Risses über die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131A und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132A unterdrückt werden. Es ist vorteilhaft bei der Unterdrückung des Fortschreitens eines Risses, wenn der Krümmungsradius R1 kleiner als der Krümmungsradius R2 ist.
  • Wie in den 11 bis 13 dargestellt, weist die erste Oberfläche 121A den ersten Bereich 1211A und den zweiten Bereich 1212A auf. Der erste Bereich 1211A ist rauer als der zweite Bereich 1212A, und dies trägt zur Unterdrückung der Rissbildung bei. Darüber hinaus kann die Oberflächenrauigkeit, die der Vielzahl von vorstehenden Bereichen 131A und der Vielzahl von vertieften Bereichen 132A zugeschrieben wird (wobei die Oberflächenrauigkeit größer als die des ersten Bereichs 1211A ist), die Rissbildung zuverlässiger unterdrücken.
  • Da die maximale Abmessung Zm1 größer als die minimale Abmessung Zm2 ist, bildet die Grenze zwischen dem ersten Bereich 1211A und dem zweiten Bereich 1212A eine grob gewellte Linie, die der Anordnung der Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131A und der Vielzahl der vertieften Bereiche 132A entspricht. Dies ist bevorzugt, um das Fortschreiten eines Risses entlang der ersten Oberfläche 121A zu unterdrücken.
  • Die zweiten Abschnitte 1122A der hinteren Oberfläche 112A sind Oberflächen, die auf der ersten Seite in z-Richtung (zur vorderen Oberfläche 111A) gekrümmt sind. Eine Vielzahl solcher zweiter Abschnitte 1122A, die in y-Richtung angeordnet sind, kann die Bildung von Rissen unterdrücken.
  • Der erste Vorsprung 141A ragt in z-Richtung relativ zur vorderen Oberfläche 111A heraus. Dies ermöglicht eine weitere Erhöhung der Bondingfestigkeit zwischen dem ersten Vorsprung 101A und dem Versiegelungsharz 7 und ist daher zur Unterdrückung der Rissbildung im Versiegelungsharz 7 bevorzugt.
  • Die dritte Oberfläche 123A ist nicht mit der Vielzahl von vorstehenden Bereichen 131A und der Vielzahl von vertieften Bereichen 132A versehen und ist glatter als die erste Oberfläche 121A. Die dritte Oberfläche 123A liegt gegenüber dem Vorsprung 2A. Der Anschluss 1A und der Anschluss 2A weisen einen Unterschied in der an sie angelegten Spannung auf, und die Potentialdifferenz zwischen ihnen ist tendenziell groß. Es ist bevorzugt, dass die dritte Oberfläche 123A, wie oben beschrieben, glatt ist, um den Anschluss 1A und den Anschluss 2A zuverlässiger voneinander zu isolieren.
  • Wie in den 3, 8 und 9 dargestellt, wird die vordere Oberfläche 111A des ersten Abschnitts 101A mit der Vielzahl von Vertiefungen 1111A gebildet. Dadurch wird die Bondingfestigkeit zwischen der vorderen Oberfläche 111A und dem Versiegelungsharz 7 erhöht.
  • Wie in den 9 und 19 gezeigt, hat die Vielzahl der Vertiefungen 1111A eine höhere Anordnungsdichte als die Vielzahl der Vertiefungen 2111A. Die ersten Halbleiterelemente 3 auf dem Anschluss 1A erzeugen mehr Wärme als die zweiten Halbleiterelemente 4 auf dem Anschluss 2A. Der Anschluss 1A bewirkt das Ablösen des Versiegelungsharzes 7 aufgrund der Wärmeerzeugung vermutlich leichter, und daher kann eine Erhöhung der Anordnungsdichte der Vielzahl von Vertiefungen 1111A am Anschluss 1A das Ablösen des Versiegelungsharzes 7 unterdrücken.
  • Wie in den 3 und 8 dargestellt, ist das erste Halbleiterelement 3 und das dritte Halbleiterelement 5 von den Ausnehmungen 1112A und den Ausnehmungen 1113A umgeben. Dadurch kann verhindert werden, dass sich die Bondingschichten 39 und die Bondingschichten 59, die die ersten Halbleiterelemente 3 und die dritten Halbleiterelemente 5 bonden, während des Herstellungsprozesses zu ihren Rändern hin ausbreiten.
  • 3 zeigt ein Beispiel für die Anordnung der Befestigungselemente 83 in Bezug auf das Halbleiterbauteil A1 unter Verwendung einer imaginären Linie. Das dargestellte Beispiel ist der Fall, in welchem die Befestigungselemente 83 Schrauben und Unterlegscheiben enthalten, und zeigt die von diesen Unterlegscheiben belegten Flächen. Die Größe jedes Befestigungselements 83 einschließlich der Unterlegscheibe ist nicht besonders begrenzt, und 3 zeigt ein Beispiel, bei dem die Abmessung des Versiegelungsharzes 7 in x-Richtung 37 mm, seine Abmessung in y-Richtung 23 mm und der Durchmesser jeder Unterlegscheibe 8 mm beträgt. In dem gezeigten Beispiel schneiden sich die Befestigungselemente 83 mit der ersten Trägerelement-Oberfläche 63 und der zweiten Trägerelement-Oberfläche 64 des Trägerelements 6 in z-Richtung gesehen. Im abgebildeten Beispiel schneiden sich die Befestigungselemente 83 mit der ersten Oberfläche 121A des Anschlusses 1A und der zweiten Oberfläche 122D des Anschlusses 1D, in z-Richtung gesehen. In einem solchen Beispiel tendiert die Befestigungskraft des entsprechenden Befestigungselements 83 dazu, auf die erste Oberfläche 121A zu wirken, und die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131A und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132A verhindern wirksam das Ablösen des Versiegelungsharzes 7. Was die zweite Oberfläche 122D betrifft, so befindet sich ein Abschnitt des vierten Abschnitts 104G des Anschlusses 1G innerhalb des dritten Bereichs S3. Es wird davon ausgegangen, dass eine solche Struktur verhindert, dass die Befestigungskraft auf die zweite Oberfläche 122D wirkt und dass die Bildung von Rissen im Versiegelungsharz 7, beginnend von der zweiten Oberfläche 122D, verhindert wird.
  • Die 22 bis 26 zeigen Variationen und andere Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. In diesen Figuren sind Elemente, die denjenigen in der obigen Ausführungsform gleich oder ähnlich sind, mit den gleichen Bezugszeichen versehen wie in der obigen Ausführungsform.
  • <Erste Variation der ersten Ausführungsform; Halbleiterbauteil A11>
  • 22 zeigt eine erste Variation des Halbleiterbauteils A1. In einem Halbleiterbauteil A11 in 22 ist der erste Abschnitt 101D des Anschlusses 1D mit einer Vielzahl von vorstehenden Bereichen 131D und einer Vielzahl von vertieften Bereichen 132D versehen. Die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131D und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132D haben die gleichen Strukturen wie die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131A und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132A, die oben beschrieben sind.
  • In der vorliegenden Variation werden die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131D und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132D an der zweiten Oberfläche 122D, der vierten Oberfläche 124D und der achten Oberfläche 128D des ersten Abschnitts 101D gebildet. Mit anderen Worten, die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131D und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132D grenzen an den dritten Bereich S3 und den vierten Bereich S4.
  • Die vorliegende Variation kann auch die Zuverlässigkeit des Versiegelungsharzes 7 verbessern. Darüber hinaus kann die vorliegende Variation die Bildung von Rissen im Versiegelungsharz 7, beginnend von der zweiten Oberfläche 122D, verhindern.
  • <Zweite Variation der ersten Ausführungsform; Halbleiterbauteil A12>
  • Die 23 und 24 zeigen eine zweite Variation des Halbleiterbauteils A1. In einer Halbleiterbauteil A12, die in den Figuren gezeigt ist, sind die Oberflächen der ersten Abschnitte 101A, 101B, 101C und 101D, die die Formen dieser Teile in z-Richtung gesehen definieren, mit Ausnahme der dritten Oberflächen 123A, 123B, 123C und 123D, mit einer Vielzahl von vorstehenden Bereichen 131A, 131B, 131C und 131D und einer Vielzahl von vertieften Bereichen 132A, 132B, 132C und 132D versehen. Die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131B, 131C und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132B, 132C haben die gleichen Strukturen wie die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131A und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132A, die oben beschrieben wurden.
  • 24 zeigt den Anschluss 1A und den Anschluss 1B als Beispiel für Anschlüsse 1, die nebeneinander liegen. Die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131A und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132A, die für die zweite Oberfläche 122A vorgesehen sind, und die Vielzahl der vorstehenden Bereiche 131B und die Vielzahl der vertieften Bereiche 132B, die für die erste Oberfläche 121B vorgesehen sind, sind parallel zueinander angeordnet. Mit anderen Worten, in x-Richtung gesehen, überlappen sich die vorstehenden Bereiche 131A und die vertieften Bereiche 132B, und die vertieften Bereiche 132A und die vorstehenden Bereiche 131B überlappen einander. Eine Abmessung x3, die den Abstand zwischen den vorstehenden Bereichen 131A und den vertieften Bereichen 132B angibt, und eine Abmessung x4, die den Abstand zwischen den vertieften Bereichen 132A und den vorstehenden Bereichen 131B angibt, sind gleich. Wenn die Abmessung x3 und die Abmessung x4 gleich sind, wird eine Beziehung hergestellt, in der z.B. die Abmessung x3 und die Abmessung x4 beide größer sind als eine Abmessung x5, die die kleinste Abmessung zwischen den vorstehenden Bereichen 131A und den vorstehenden Bereichen 131B in der x-Richtung ist, und beide kleiner sind als eine Abmessung x6, die die größte Abmessung zwischen den vertieften Bereichen 132A und den vertieften Bereichen 132B in der x-Richtung ist.
  • Die vorliegende Variation kann auch die Zuverlässigkeit des Versiegelungsharzes 7 verbessern. Außerdem kann die vorliegende Variation die Bildung von Rissen im Versiegelungsharz 7 über größere Bereiche der ersten Abschnitte 101A, 101B, 101C und 101D verhindern. Wie in 24 gezeigt, ist es, da die zweite Oberfläche 122A und die erste Oberfläche 121B, die einander benachbart sind, ungefähr parallel zueinander liegen, möglich, die Rissbildung zu unterdrücken und gleichzeitig zu vermeiden, dass benachbarte Abschnitte des ersten Abschnitts 101A und des ersten Abschnitts 101B unangemessen nahe beieinander liegen.
  • <Dritte Variation der ersten Ausführungsform; Halbleiterbauteil A13>
  • 25 zeigt eine dritte Variation des Halbleiterbauteils A1. In einem in 25 gezeigten Halbleiterbauteil A13 sind alle Oberflächen der ersten Abschnitte 101A, 101B, 101C und 101D, die die Formen dieser Abschnitte in z-Richtung gesehen definieren, mit einer Vielzahl von vorstehenden Bereichen 131A, 131B, 131C und 131D und einer Vielzahl von vertieften Bereichen 132A, 132B, 132C und 132D versehen.
  • Die vorliegende Variation kann auch die Zuverlässigkeit des Versiegelungsharzes 7 verbessern. Darüber hinaus kann die vorliegende Variation die Bildung von Rissen im Versiegelungsharz 7 über noch größere Bereiche der ersten Abschnitte 101A, 101B, 101C und 101D verhindern.
  • <Zweite Ausführungsform; Halbleiterbauteil A2>
  • 26 zeigt ein Halbleiterbauteil entsprechend einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Ein in 26 dargestelltes Halbleiterbauteil A2 unterscheidet sich von dem in der obigen Ausführungsform in den Konfigurationen der ersten Halbleiterelemente 3.
  • Die ersten Halbleiterelemente 3 der vorliegenden Ausführungsform sind z.B. MOSFETs aus SiC. Jedes der ersten Halbleiterelemente 3 hat eine erste Elektrode 31, eine zweite Elektrode 32 und eine dritte Elektrode 33 und verfügt über einen eingebauten Abschnitt, der eine Funktion hat, die der der oben beschriebenen dritten Halbleiterelemente 5 entspricht. Dementsprechend enthält das Halbleiterbauteil A2 kein drittes Halbleiterelement 5.
  • Da das Halbleiterbauteil A2 kein drittes Halbleiterelement 5 enthält, hat der erste Abschnitt 101A eine andere Struktur als in der obigen Ausführungsform. Der erste Abschnitt 101A ist nicht mit den oben beschriebenen Bereichen 1116A versehen. Die Abmessung des ersten Abschnitts 101A in y-Richtung ist kleiner als die Abmessung des ersten Abschnitts 101A in der obigen Ausführungsform in y-Richtung. Es wird bemerkt, dass jeder der ersten Abschnitte 101B, 101C und 101D auch die gleiche Struktur wie der erste Abschnitt 101A haben kann, um den Konfigurationen der ersten Halbleiterelemente 3 zu entsprechen.
  • Es versteht sich, dass die vorliegende Ausführungsform die gleichen Vorteile wie die obige Ausführungsform hat und die Zuverlässigkeit des Versiegelungsharzes 7 verbessern kann. Darüber hinaus kann die vorliegende Ausführungsform die Abmessung des gesamten Halbleiterbauteils A2 in y-Richtung verringern, was zur Miniaturisierung vorteilhaft ist.
  • Das Halbleiterbauteil und dessen Montagestruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben genannten Ausführungsformen beschränkt. Es können verschiedene Konstruktionsänderungen an den spezifischen Strukturen der Elemente des Halbleiterbauteils und seiner Montagestruktur vorgenommen werden.
  • Klausel 1. Halbleiterbauteil mit:
    • einen ersten Anschluss;
    • ein erstes Halbleiterelement; und
    • ein Versiegelungsharz, das mindestens einen Abschnitt sowohl des ersten Anschlusses als auch des ersten Halbleiterelements bedeckt,
    • wobei der erste Anschluss einen ersten Abschnitt des ersten Anschlusses enthält, der aufweist: eine vordere Oberfläche des ersten Anschlusses, auf der das erste Halbleiterelement montiert ist; eine hintere Oberfläche des ersten Anschlusses, die der vorderen Oberfläche des ersten Anschlusses gegenüberliegt; und eine erste Oberfläche des ersten Anschlusses, die zwischen der vorderen Oberfläche des ersten Anschlusses und der hinteren Oberfläche des ersten Anschlusses in einer Dickenrichtung angeordnet ist, in der die vordere Oberfläche des ersten Anschlusses und die hintere Oberfläche des ersten Anschlusses voneinander getrennt sind,
    • das erste Halbleiterelement auf der vorderen Oberfläche des ersten Anschlusses montiert ist, und
    • die erste Oberfläche des ersten Anschlusses mit dem Versiegelungsharz bedeckt ist und mit einer Vielzahl von vorstehenden Bereichen und einer Vielzahl von vertieften Bereichen ausgebildet ist, die in Dickenrichtung gesehen abwechselnd angeordnet sind.
  • Klausel 2. Halbleiterbauteil nach Klausel 1, das ferner ein Trägerelement aufweist, an dem die hintere Oberfläche des ersten Anschlusses befestigt ist.
  • Klausel 3. Halbleiterbauteil nach Klausel 2, wobei das Versiegelungsharz eine vordere Harz-Oberfläche, die der gleichen Seite wie die vordere Oberfläche des ersten Anschlusses zugewandt ist, eine hintere Harz-Oberfläche, die der gleichen Seite wie die hintere Oberfläche des ersten Anschlusses zugewandt ist, und eine erste Harz-oberfläche aufweist, die zwischen der vorderen Harz-Oberfläche und der hinteren Harz-Oberfläche in Dickenrichtung angeordnet ist und die von der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses in einer ersten Richtung, die senkrecht zur Dickenrichtung verläuft, getrennt ist.
  • Klausel 4. Halbleiterbauteil nach Klausel 3, wobei die erste Oberfläche des ersten Anschlusses unter den Oberflächen des ersten Anschlusses der ersten Harz-Oberfläche am nächsten liegt.
  • Klausel 5. Halbleiterbauteil nach Klausel 4, wobei der Anschluss in einem Bereich vorgesehen ist, der einen ersten Bereich vermeidet, der von der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses, der ersten Harz-Oberfläche und einem Paar erster virtueller Linien umgeben ist, die sich entlang einer ersten Richtung von den jeweiligen Enden der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses zu der ersten Harz-Oberfläche erstrecken, in der Dickenrichtung gesehen.
  • Klausel 6. Halbleiterbauteil nach Klausel 5, wobei das Versiegelungsharz eine erste Harz-Aussparung aufweist, die von der ersten Harz-Oberfläche in Richtung der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses, in Dickenrichtung gesehen, ausgespart ist.
  • Klausel 7. Halbleiterbauteil nach Klausel 6, wobei die erste Harz-Aussparung den ersten Bereich zusammen mit der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses, der ersten Harz-Oberfläche und dem Paar erster virtueller Linien, in Dickenrichtung gesehen, umgibt.
  • Klausel 8. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 3 bis 7, wobei
    das Trägerelement eine vordere Trägerelement-Oberfläche, die derselben Seite wie die vordere Oberfläche des ersten Anschlusses zugewandt ist und an der die hintere Oberfläche des ersten Anschlusses befestigt ist, eine hintere Trägerelement-Oberfläche, die einer der vorderen Trägerelement-Oberfläche gegenüberliegenden Seite zugewandt ist, und eine erste Trägerelement-Oberfläche aufweist, die zwischen der vorderen Trägerelement-Oberfläche und der hinteren Trägerelement-Oberfläche in Dickenrichtung angeordnet ist, und
    wobei sich die erste Trägerelement-Oberfläche in Dickenrichtung zwischen der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses und der ersten Harz-Oberfläche befindet.
  • Klausel 9. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 3 bis 8, wobei
    die erste Oberfläche des ersten Anschlusses einen ersten Bereich der ersten Oberfläche und einen zweiten Bereich der ersten Oberfläche aufweist, die in einer Dickenrichtung nebeneinander liegen, und wobei
    der erste Bereich der ersten Oberfläche rauer ist als der zweite Bereich der ersten Oberfläche.
  • Klausel 10. Halbleiterbauteil nach Klausel 9, wobei der erste Bereich der ersten Oberfläche näher an der vorderen Oberfläche des ersten Anschlusses liegt als der zweite Bereich der ersten Oberfläche.
  • Klausel 11. Halbleiterbauteil nach Klausel 10, wobei der erste Anschluss einen ersten Vorsprung aufweist, der zwischen der vorderen Oberfläche des ersten Anschlusses und dem ersten Bereich der ersten Oberfläche angeordnet ist, und der von der vorderen Oberfläche des ersten Anschlusses in Dickenrichtung vorsteht.
  • Klausel 12. Halbleiterbauteil nach Klausel 10 oder 11, wobei
    die hintere Oberfläche des ersten Anschlusses einen ersten Abschnitt der hinteren Oberfläche und einen zweiten Abschnitt der hinteren Oberfläche beinhaltet, wobei der erste Abschnitt der hinteren Oberfläche einen Abschnitt enthält, der sich mit dem ersten Halbleiterelement in einer Dickenrichtung gesehen überlappt, wobei der zweite Abschnitt der hinteren Oberfläche von der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses und einem Liniensegment umgeben ist, das die Böden benachbarter der vertiefter Bereiche in Dickenrichtung gesehen verbindet, und wobei
    der zweite Abschnitt der hinteren Oberfläche in Richtung auf die vordere Oberfläche des ersten Anschlusses in Dickenrichtung mit zunehmendem Abstand vom ersten Abschnitt der hinteren Oberfläche in der ersten Richtung geneigt ist.
  • Klausel 13. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 2 bis 12, wobei ein Krümmungsradius jedes der vorstehenden Bereiche kleiner ist als ein Krümmungsradius jedes der vertieften Bereiche.
  • Klausel 14. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 2 bis 13, wobei die Vielzahl der vorstehenden Bereiche und die Vielzahl der vertieften Bereiche über die Gesamtheit der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses in einer Dickenrichtung vorgesehen sind.
  • Klausel 15. Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 2 bis 14, ferner aufweisend:
    • ein zweites Halbleiterelement zum Steuern des ersten Halbleiterelements; und einen zweiten Anschluss, an den das zweite Halbleiterelement montiert ist, wobei
    • eine an den ersten Anschluss angelegte Spannung höher ist als eine an den zweiten Anschluss angelegte Spannung.
  • Klausel 16. Halbleiterbauteil nach Klausel 15, wobei der zweite Anschluss einen ersten Abschnitt des zweiten Anschlusses aufweist, an den das zweite Halbleiterelement montiert ist, und wobei
    der erste Abschnitt des zweiten Anschlusses vom ersten Abschnitt des ersten Anschlusses in Dickenrichtung zu einer Seite hin versetzt ist, der die vordere Oberfläche des ersten Anschlusses zugewandt ist.
  • Klausel 17. Halbleiterbauteil nach Klausel 15 oder 16, wobei der erste Anschluss und der zweite Anschluss in einer zweiten Richtung voneinander getrennt sind, die sowohl zur Dickenrichtung als auch zur ersten Richtung senkrecht ist,
    der erste Anschluss einen zweiten Abschnitt des ersten Anschlusses aufweist, der aus dem Versiegelungsharz zu einer dem zweiten Anschluss gegenüberliegenden Seite in der zweiten Richtung vorsteht, und wobei
    der zweite Anschluss einen zweiten Abschnitt des zweiten Anschlusses aufweist, der aus dem Versiegelungsharz zu einer dem ersten Anschluss gegenüberliegenden Seite in der zweiten Richtung vorsteht.
  • Klausel 18. Montagestruktur eines Halbleiterbauteils mit:
    • einem Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 17;
    • einem Montageelement, auf dem das Halbleiterbauteil montiert ist;
    • einem Zwischenelement, das zwischen dem Trägerelement des Halbleiterbauteils und dem Montageelement angeordnet ist; und
    • einem Befestigungselement, das das Halbleiterbauteil und das Montageelement mit dem Zwischenelement fixiert.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2011243839 A [0003]

Claims (18)

  1. Halbleiterbauteil mit: einem ersten Anschluss; einem ersten Halbleiterelement; und einem Versiegelungsharz, das mindestens einen Abschnitt sowohl des ersten Anschlusses als auch des ersten Halbleiterelements bedeckt, wobei der erste Anschluss einen ersten Abschnitt des ersten Anschlusses enthält, der aufweist: eine vordere Oberfläche des ersten Anschlusses, auf der das erste Halbleiterelement montiert ist; eine hintere Oberfläche des ersten Anschlusses, die der vorderen Oberfläche des ersten Anschlusses gegenüberliegt; und eine erste Oberfläche des ersten Anschlusses, die zwischen der vorderen Oberfläche des ersten Anschlusses und der hinteren Oberfläche des ersten Anschlusses in einer Dickenrichtung angeordnet ist, in der die vordere Oberfläche des ersten Anschlusses und die hintere Oberfläche des ersten Anschlusses voneinander getrennt sind, und die erste Oberfläche des ersten Anschlusses mit dem Versiegelungsharz bedeckt ist und mit einer Vielzahl von vorstehenden Bereichen und einer Vielzahl von vertieften Bereichen ausgebildet ist, die in Dickenrichtung gesehen abwechselnd angeordnet sind.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, das ferner ein Trägerelement aufweist, an dem die hintere Oberfläche des ersten Anschlusses befestigt ist.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei das Versiegelungsharz eine vordere Harz-Oberfläche, die der gleichen Seite wie die vordere Oberfläche des ersten Anschlusses zugewandt ist, eine hintere Harz-Oberfläche, die der gleichen Seite wie die hintere Oberfläche des ersten Anschlusses zugewandt ist, und eine erste Harz-Oberfläche aufweist, die zwischen der vorderen Harz-Oberfläche und der hinteren Harz-Oberfläche in Dickenrichtung angeordnet ist und die von der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses in einer ersten Richtung, die senkrecht zur Dickenrichtung verläuft, getrennt ist.
  4. Halbleiterbauteil nach Anspruch 3, wobei die erste Oberfläche des ersten Anschlusses unter den Oberflächen des ersten Anschlusses der ersten Harz-Oberfläche am nächsten liegt.
  5. Halbleiterbauteil nach Anspruch 4, wobei der Anschluss in einem Bereich vorgesehen ist, der einen ersten Bereich vermeidet, der von der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses, der ersten Harz-Oberfläche und einem Paar erster virtueller Linien umgeben ist, die sich, in Dickenrichtung gesehen, entlang einer ersten Richtung von den jeweiligen Enden der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses zu der ersten Harz-Oberfläche erstrecken.
  6. Halbleiterbauteil nach Anspruch 5, wobei das Versiegelungsharz eine erste Harz-Aussparung aufweist, die von der ersten Harz-Oberfläche in Richtung der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses, in Dickenrichtung gesehen, ausgespart ist.
  7. Halbleiterbauteil nach Anspruch 6, wobei die erste Harz-Aussparung den ersten Bereich zusammen mit der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses, der ersten Harz-Oberfläche und dem Paar erster virtueller Linien, in Dickenrichtung gesehen, umgibt.
  8. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 3 bis 7, wobei das Trägerelement eine vordere Trägerelement-Oberfläche, die derselben Seite wie die vordere Oberfläche des ersten Anschlusses zugewandt ist und an der die hintere Oberfläche des ersten Anschlusses befestigt ist, eine hintere Trägerelement-Oberfläche, die einer der vorderen Trägerelement-Oberfläche gegenüberliegenden Seite zugewandt ist, und eine erste Trägerelement-Oberfläche aufweist, die zwischen der vorderen Trägerelement-Oberfläche und der hinteren Trägerelement-Oberfläche in Dickenrichtung angeordnet ist, und wobei sich die erste Trägerelement-Oberfläche in Dickenrichtung zwischen der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses und der ersten Harz-Oberfläche befindet.
  9. Halbleiterbauteil nach einer der Ansprüche 3 bis 8, wobei die erste Oberfläche des ersten Anschlusses einen ersten Bereich der ersten Oberfläche und einen zweiten Bereich der ersten Oberfläche aufweist, die in einer Dickenrichtung nebeneinander liegen, und wobei der erste Bereich der ersten Oberfläche rauer ist als der zweite Bereich der ersten Oberfläche.
  10. Halbleiterbauteil nach Anspruch 9, wobei der erste Bereich der ersten Oberfläche näher an der vorderen Oberfläche des ersten Anschlusses liegt als der zweite Bereich der ersten Oberfläche.
  11. Halbleiterbauteil nach Anspruch 10, wobei der erste Anschluss einen ersten Vorsprung aufweist, der zwischen der vorderen Oberfläche des ersten Anschlusses und dem ersten Bereich der ersten Oberfläche angeordnet ist, und der von der vorderen Oberfläche des ersten Anschlusses in Dickenrichtung vorsteht.
  12. Halbleiterbauteil nach Anspruch 10 oder 11, wobei die hintere Oberfläche des ersten Anschlusses einen ersten Abschnitt der hinteren Oberfläche und einen zweiten Abschnitt der hinteren Oberfläche beinhaltet, wobei der erste Abschnitt der hinteren Oberfläche einen Abschnitt enthält, der sich mit dem ersten Halbleiterelement in einer Dickenrichtung gesehen überlappt, wobei der zweite Abschnitt der hinteren Oberfläche von der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses und einem Liniensegment umgeben ist, das die Böden benachbarter der vertiefter Bereiche in Dickenrichtung gesehen verbindet, und wobei der zweite Abschnitt der hinteren Oberfläche in Richtung auf die vordere Oberfläche des ersten Anschlusses in Dickenrichtung mit zunehmendem Abstand vom ersten Abschnitt der hinteren Oberfläche in der ersten Richtung geneigt ist.
  13. Halbleiterbauteil nach einer der Ansprüche 2 bis 12, wobei ein Krümmungsradius jedes der vorstehenden Bereiche kleiner ist als ein Krümmungsradius jedes der vertieften Bereiche.
  14. Halbleiterbauteil nach einer der Ansprüche 2 bis 13, wobei die Vielzahl der vorstehenden Bereiche und die Vielzahl der vertieften Bereiche über die Gesamtheit der ersten Oberfläche des ersten Anschlusses in einer Dickenrichtung vorgesehen sind.
  15. Halbleiterbauteil nach einer der Ansprüche 2 bis 14, ferner aufweisend: ein zweites Halbleiterelement zum Steuern des ersten Halbleiterelements; und einen zweiten Anschluss, an den das zweite Halbleiterelement montiert ist, wobei eine an den ersten Anschluss angelegte Spannung höher ist als eine an den zweiten Anschluss angelegte Spannung.
  16. Halbleiterbauteil nach Anspruch 15, wobei der zweite Anschluss einen ersten Abschnitt des zweiten Anschlusses aufweist, an den das zweite Halbleiterelement montiert ist, und wobei der erste Abschnitt des zweiten Anschlusses vom ersten Abschnitt des ersten Anschlusses in Dickenrichtung zu einer Seite hin versetzt ist, der die vordere Oberfläche des ersten Anschlusses zugewandt ist.
  17. Halbleiterbauteil nach Anspruch 15 oder 16, wobei der erste Anschluss und der zweite Anschluss in einer zweiten Richtung voneinander getrennt sind, die sowohl zur Dickenrichtung als auch zur ersten Richtung senkrecht ist, der erste Anschluss einen zweiten Abschnitt des ersten Anschlusses aufweist, der aus dem Versiegelungsharz zu einer dem zweiten Anschluss gegenüberliegenden Seite in der zweiten Richtung vorsteht, und wobei der zweite Anschluss einen zweiten Abschnitt des zweiten Anschlusses aufweist, der aus dem Versiegelungsharz zu einer dem ersten Anschluss gegenüberliegenden Seite in der zweiten Richtung vorsteht.
  18. Montagestruktur eines Halbleiterbauteils mit: einem Halbleiterbauteil gemäß einem der Ansprüche 1 bis 17; einem Montageelement, auf dem das Halbleiterbauteil montiert ist; einem Zwischenelement, das zwischen dem Trägerelement des Halbleiterbauteils und dem Montageelement angeordnet ist; und einem Befestigungselement, das das Halbleiterbauteil und das Montageelement mit dem Zwischenelement fixiert.
DE112019001311.4T 2018-03-12 2019-03-08 Halbleiterbauteil und montagestruktur für halbleiterbauteil Pending DE112019001311T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-044025 2018-03-12
JP2018044025 2018-03-12
PCT/JP2019/009388 WO2019176783A1 (ja) 2018-03-12 2019-03-08 半導体装置、および半導体装置の実装構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112019001311T5 true DE112019001311T5 (de) 2020-12-10

Family

ID=67908245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112019001311.4T Pending DE112019001311T5 (de) 2018-03-12 2019-03-08 Halbleiterbauteil und montagestruktur für halbleiterbauteil

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11322459B2 (de)
JP (1) JP7257380B2 (de)
CN (1) CN111868919B (de)
DE (1) DE112019001311T5 (de)
WO (1) WO2019176783A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD981356S1 (en) * 2020-01-28 2023-03-21 Rohm Co., Ltd. Semiconductor module
USD971863S1 (en) * 2020-01-28 2022-12-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor module
USD972516S1 (en) * 2020-01-28 2022-12-13 Rohm Co., Ltd. Semiconductor module
WO2023063025A1 (ja) * 2021-10-13 2023-04-20 ローム株式会社 半導体装置
US20230363097A1 (en) * 2022-05-04 2023-11-09 Wolfspeed, Inc. Dual inline power module

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4460917A (en) * 1982-06-03 1984-07-17 Motorola, Inc. Molded-in isolation bushing for semiconductor devices
JPS5988857A (ja) * 1982-11-12 1984-05-22 Toshiba Corp 半導体装置
JP2003332512A (ja) 2002-05-14 2003-11-21 Hitachi Ltd 電子回路装置
JP5062189B2 (ja) 2009-01-21 2012-10-31 株式会社デンソー 半導体装置の実装構造
JP2011243839A (ja) 2010-05-20 2011-12-01 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP2013070026A (ja) * 2011-09-08 2013-04-18 Rohm Co Ltd 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の実装構造、およびパワー用半導体装置
JP6076675B2 (ja) * 2011-10-31 2017-02-08 ローム株式会社 半導体装置
JP5948881B2 (ja) 2012-01-16 2016-07-06 大日本印刷株式会社 半導体装置用リードフレーム
JP2014207430A (ja) * 2013-03-21 2014-10-30 ローム株式会社 半導体装置
JP2014187209A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Toshiba Corp 半導体装置
JP7029223B2 (ja) * 2016-07-13 2022-03-03 ローム株式会社 半導体発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2019176783A1 (ja) 2021-02-25
CN111868919A (zh) 2020-10-30
JP7257380B2 (ja) 2023-04-13
CN111868919B (zh) 2024-02-27
US11322459B2 (en) 2022-05-03
US20200388580A1 (en) 2020-12-10
WO2019176783A1 (ja) 2019-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112019001311T5 (de) Halbleiterbauteil und montagestruktur für halbleiterbauteil
DE112012005920B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE102007012154B4 (de) Halbleitermodul mit Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung desselben
DE19939933B4 (de) Elektronische Leistungs-Moduleinheit
EP2080232B1 (de) Zellverbinder zur elektrischen Kontaktierung von flächigen Stromquellen sowie dessen Verwendung dessen
EP1061783A2 (de) Keramik-Metall-Substrat, insbesondere Mehrfachsubstrat
DE2301214A1 (de) Halbleiteranordnung
EP0149232A2 (de) Halbleiterbauelement mit einem metallischen Sockel
DE102015101086B4 (de) Leistungshalbleitermodulanordnung
DE102008062514A1 (de) Halbleitermodul-Montagekonstruktion
DE112018002137T5 (de) Halbleiterbauteil
DE112018001927T5 (de) Halbleiterbauelement
DE4111054C2 (de)
DE19739494C2 (de) Piezoelektrisches Element und Verfahren zur Herstellung desselben
EP1065735A2 (de) Piezoaktor mit einer elektrisch leitenden Mehrschichtfolie und Verfahren zur Herstellung der Mehrschichtfolie
DE102018210867A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE112017005289T5 (de) Elektrische Maschine mit eingepresstem Elektronikmodul
EP2408279A1 (de) Verbiegbare Metallkernleiterplatte
DE102019135373A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE10357789B4 (de) Leistungs-Halbleitervorrichtung
DE112019005065T5 (de) Leistungswandlungsbauteil
DE102017209904B4 (de) Elektronisches Bauelement, Leadframe für ein elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements und eines Leadframes
DE102021209656B3 (de) Thermoelektrisches Element, thermoelektrischer Generator und Verfahren zu deren Herstellung
DE112021002959T5 (de) Montagestruktur für halbleitermodule
DE10339239A1 (de) Leistungs-Halbleitereinrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication