DE112018006906T5 - Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und Leistungsumwandlungsvorrichtung - Google Patents
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Abstract
Ein erstes Ausrichtungsharz (4) ist in einer Ringform auf einer Elektrode (3) eines Isoliersubstrats (1) ausgebildet. Ein erstes plattenförmiges Lötmetall (5) mit einer Dicke, die dünner als diejenige des ersten Ausrichtungsharzes (4) ist, ist auf einer Innenseite der Ringform des ersten Ausrichtungsharzes (4) auf der Elektrode (3) angeordnet. Ein Halbleiterchip (6) ist auf dem ersten plattenförmigen Lötmetall (5) angeordnet. Das erste plattenförmige Lötmetall (5) lässt man schmelzen, um eine untere Oberfläche des Halbleiterchips (6) an die Elektrode (3) zu bonden.
Description
- Gebiet
- Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung, ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und eine Leistungsumwandlungsvorrichtung.
- Hintergrund
- Einhergehend mit der Entwicklung von Industriemaschinen, elektrischen Eisenbahnen und Automobilen nimmt auch eine Betriebstemperatur einer in solch einer Einrichtung genutzten Halbleitervorrichtung zu. In den letzten Jahren wurde eine Halbleitervorrichtung, die auch bei hoher Temperatur arbeitet, energetisch entwickelt, und die Halbleitervorrichtung ist kleiner geworden, kann einer höheren Spannung standhalten und weist eine höhere Stromdichte auf. Da ein Halbleiter mit breiter Bandlücke wie etwa SiC und GaN eine größere Bandlücke als diejenige von Si aufweist, erwartet man insbesondere eine Realisierung einer einen Halbleiter mit breiter Bandlücke nutzenden Halbleitervorrichtung, die einer höheren Spannung standhalten kann, deren Größe kleiner ist, die eine höhere Stromdichte aufweist und die bei einer höheren Temperatur arbeiten kann.
- In solch einer Halbleitervorrichtung wird ein Halbleiterchip unter Verwendung eines Lötmetalls an eine Elektrode auf einem Isoliersubstrat gebondet. Zu dieser Zeit ist es möglich, eine Nassausbreitung schmelzenden Lötmetalls zu unterdrücken, indem ein Lötmetallresist um eine Position herum, wo der Halbleiterchip montiert wird, vorgesehen wird (siehe zum Beispiel PTL 1).
- Zitatliste
- Patentliteratur
- [PTL 1]
JP 2001-298033A - Zusammenfassung
- Technisches Problem
- Mit einem typischen Lötmetallresist ist es jedoch unmöglich, ein plattenförmiges Lötmetall vor einem Schmelzen zu positionieren. Daher werden herkömmlicherweise ein Halbleiterchip und ein plattenförmiges Lötmetall vorwiegend unter Verwendung einer Haltevorrichtung aus Kohlenstoff positioniert. Um andere Typen von Halbleiterchips herzustellen, deren Formen und Anordnung verschieden sind, bestehen jedoch, da es notwendig ist, jedes Mal eine Haltevorrichtung herzustellen, Probleme, dass die Produktionskosten hoch sind und die Produktivität gering ist.
- Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um Probleme wie oben beschrieben zu lösen, und ist darauf gerichtet, eine Halbleitervorrichtung, die imstande ist, Produktionskosten zu reduzieren und eine Produktivität zu verbessern, und ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und eine Leistungsumwandlungsvorrichtung bereitzustellen.
- Lösung für das Problem
- Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung umfasst: ein Ausbilden eines ersten Ausrichtungsharzes in einer Ringform auf einer Elektrode eines Isoliersubstrats; ein Anordnen eines ersten plattenförmigen Lötmetalls mit einer Dicke, die dünner als diejenige des ersten Ausrichtungsharzes ist, auf der Elektrode auf einer Innenseite der Ringform des ersten Ausrichtungsharzes; ein Anordnen eines Halbleiterchips auf dem ersten plattenförmigen Lötmetall; und ein Schmelzenlassen des ersten plattenförmigen Lötmetalls, um eine untere Oberfläche des Halbleiterchips an die Elektrode zu bonden.
- Vorteilhafte Effekte der Erfindung
- In der vorliegenden Offenbarung wird das erste plattenförmige Lötmetall mit einer Dicke, die dünner als diejenige des ersten Ausrichtungsharzes ist, auf der Elektrode auf einer Innenseite der Ringform des ersten Ausrichtungsharzes angeordnet. Auf diese Weise ist es möglich, das erste plattenförmige Lötmetall unter Verwendung des ersten Ausrichtungsharzes ohne Verwendung einer zweckbestimmten Haltevorrichtung zu positionieren. Infolgedessen ist es möglich, Produktionskosten zu reduzieren und eine Produktivität zu verbessern.
- Figurenliste
-
-
1 ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 1 veranschaulicht. -
2 ist eine Draufsicht, die erste und zweite Ausrichtungsharze gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht. -
3 ist eine Querschnittsansicht, die ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht. -
4 ist eine Querschnittsansicht, die ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht. -
5 ist eine Draufsicht, die das erste Ausrichtungsharz gemäß einer Ausführungsform 2 veranschaulicht. -
6 ist ein Blockdiagramm, das eine Konfiguration eines elektrischen Leistungsumwandlungssystems veranschaulicht, für das die elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform 3 verwendet wird. - Beschreibung von Ausführungsformen
- Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen werden eine Halbleitervorrichtung, ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und eine Leistungsumwandlungsvorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Die gleichen Komponenten werden mit den gleichen Symbolen bezeichnet, und deren wiederholte Beschreibung kann unterlassen werden.
- Ausführungsform 1
-
1 ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 1 veranschaulicht.2 ist eine Draufsicht, die erste und zweite Ausrichtungsharze gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht. Die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist beispielsweise ein Leistungsmodul, das für ein Haushaltsgerät, zur industriellen Nutzung, für Automobile, für Züge oder dergleichen weithin verwendet wird. - Eine Elektrode
2 ist auf einer unteren Oberfläche eines Isoliersubstrats1 vorgesehen, und eine Elektrode3 ist auf einer oberen Oberfläche vorgesehen. Auf der Elektrode3 des Isoliersubstrats1 ist ein erstes Ausrichtungsharz4 in einer Ringform vorgesehen. Eine untere Oberfläche eines Halbleiterchips6 ist auf einer Innenseite der Ringform des ersten Ausrichtungsharzes4 unter Verwendung eines ersten plattenförmigen Lötmetalls5 an die Elektrode3 gebondet. Der Halbleiterchip6 ist ein IGBT, ein MOSFET, eine Diode oder dergleichen. Auf einer oberen Oberfläche des Halbleiterchips6 ist ebenfalls ein zweites Ausrichtungsharz7 in einer Ringform vorgesehen. Eine Verdrahtungselektrode9 ist unter Verwendung eines zweiten plattenförmigen Lötmetalls8 an die obere Oberfläche des Halbleiterchips6 gebondet. - Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben.
3 und4 sind Querschnittsansichten, die das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulichen. - Wie in
3 veranschaulicht ist, wird das erste Ausrichtungsharz4 in einer Ringform auf der Elektrode3 des Isoliersubstrats1 ausgebildet. Das erste plattenförmige Lötmetall5 mit einer Dicke, die dünner als diejenige des ersten Ausrichtungsharzes4 ist, wird dann auf der Elektrode3 auf einer Innenseite der Ringform des ersten Ausrichtungsharzes4 angeordnet. - Wie in
4 veranschaulicht ist, wird danach der Halbleiterchip6 auf dem ersten plattenförmigen Lötmetall5 angeordnet. Das erste plattenförmige Lötmetall5 lässt man schmelzen, um die untere Oberfläche des Halbleiterchips6 an die Elektrode3 zu bonden. Das zweite Ausrichtungsharz7 wird dann auf der oberen Oberfläche des Halbleiterchips6 ausgebildet. Ein zweites plattenförmiges Lötmetall8 mit einer Dicke, die dünner als diejenige des zweiten Ausrichtungsharzes7 ist, wird dann auf der oberen Oberfläche des Halbleiterchips6 auf einer Innenseite der Ringform des zweiten Ausrichtungsharzes7 angeordnet. - Auf dem zweiten plattenförmigen Lötmetall
8 wird danach eine Verdrahtungselektrode9 angeordnet. Wie in1 veranschaulicht ist, lässt man dann das zweite plattenförmige Lötmetall8 schmelzen, um die Verdrahtungselektrode9 unter Ausnutzung des zweiten plattenförmigen Lötmetalls8 , das schmilzt und durch Oberflächenspannung anschwillt, an die obere Oberfläche des Halbleiterchips6 zu bonden. - In der vorliegenden Ausführungsform ist das erste plattenförmige Lötmetall
5 mit einer Dicke, die dünner als diejenige des ersten Ausrichtungsharzes4 ist, auf der Elektrode3 auf einer Innenseite der Ringform des ersten Ausrichtungsharzes4 angeordnet. Auf diese Weise ist es möglich, das erste plattenförmige Lötmetall5 unter Verwendung des ersten Ausrichtungsharzes4 ohne Verwendung einer zweckbestimmten Haltevorrichtung zu positionieren. Infolgedessen ist es möglich, Produktionskosten zu reduzieren und eine Produktivität zu verbessern. Ferner ist es möglich, eine gelötete Position des Halbleiterchips6 gemäß Typen von Produkten frei einzustellen, indem nur eine Position, wo das erste Ausrichtungsharz4 aufgebracht wird, geändert wird. - Ferner ist die Kontur des Halbleiterchips
6 kleiner als die Ringform des ersten Ausrichtungsharzes4 und ist auf einer Innenseite der Ringform des ersten Ausrichtungsharzes4 gelegen. Auf diese Weise ist es möglich, den Halbleiterchip6 unter Verwendung des ersten Ausrichtungsharzes4 ohne Verwendung einer zweckbestimmten Haltevorrichtung zu positionieren. Überdies ist es möglich, den Halbleiterchip6 zu positionieren, ohne durch eine Wölbung bzw. einen Verzug des Isoliersubstrats1 beeinflusst zu werden. - Das zweite plattenförmige Lötmetall
8 mit einer Dicke, die dünner als diejenige des zweiten Ausrichtungsharzes7 ist, ist ferner auf der oberen Oberfläche des Halbleiterchips6 auf einer Innenseite der Ringform des zweiten Ausrichtungsharzes7 angeordnet. Auf diese Weise ist es möglich, das zweite plattenförmige Lötmetall8 ohne Verwendung einer zweckbestimmten Haltevorrichtung zu positionieren. Da es möglich ist, eine Dicke eines Lötmetalls bei einem Zielwert einzustellen, indem man die Dicke des zweiten Ausrichtungsharzes7 steuert, ist es weiter möglich, eine Zuverlässigkeit sicherzustellen. - Ausführungsform 2
-
5 ist eine Draufsicht, die das erste Ausrichtungsharz gemäß einer Ausführungsform 2 veranschaulicht. Während das erste Ausrichtungsharz4 über einen ganzen Umfang des Chips in2 linear angeordnet ist, ist das erste Ausrichtungsharz4 in5 als eine Vielzahl von Punkten angeordnet. Die übrigen Konfigurationen sind ähnlichen jenen in der Ausführungsform1 . Auch in diesem Fall ist es möglich, das erste plattenförmige Lötmetall5 zu positionieren. Ferner ist es möglich, Kosten zu reduzieren, indem eine Auftragungsmenge des Harzes reduziert wird, und eine Produktivität zu verbessern, indem eine Auftragungszeitspanne reduziert wird. Man beachte, dass das zweite Ausrichtungsharz7 in ähnlicher Weise ebenfalls als eine Vielzahl von Punkten angeordnet werden kann. - Der Halbleiterchip
6 ist nicht auf einen aus Silizium gebildeten Chip beschränkt, sondern kann stattdessen aus einem Halbleiter mit breiter Bandlücke gebildet sein, der eine breitere Bandlücke als diejenige von Silizium aufweist. Der Halbleiter mit breiter Bandlücke ist beispielsweise ein Siliziumcarbid, ein Material auf Gallium-Nitrid-Basis oder Diamant. Ein aus solch einem Halbleiter mit breiter Bandlücke gebildeter Halbleiterchip weist eine hohe Spannungsfestigkeit und eine hohe zulässige Stromdichte auf und kann somit miniaturisiert werden. Die Verwendung solch eines miniaturisierten Halbleiterchips ermöglicht die Miniaturisierung und hohe Integration der Halbleitervorrichtung, in der der Halbleiterchip integriert ist. Da der Halbleiterchip eine hohe Wärmebeständigkeit aufweist, kann ferner eine Abstrahllamelle eines Kühlkörpers miniaturisiert werden, und ein wassergekühlter Teil kann luftgekühlt werden, was zu einer weiteren Miniaturisierung der Halbleitervorrichtung führt. Da der Halbleiterchip einen geringen Leistungsverlust und einen hohen Wirkungsgrad aufweist, kann weiter eine hocheffiziente Halbleitervorrichtung erreicht werden. - Ausführungsform 3
- In dieser Ausführungsform wird die Halbleitervorrichtung gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform 1 oder 2 für eine elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung verwendet. Die elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung ist beispielsweise eine Invertervorrichtung, eine Wandlervorrichtung, ein Servo-Verstärker oder eine Stromversorgungseinheit. Obgleich die vorliegende Offenbarung nicht auf eine spezifische elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung beschränkt ist, wird im Folgenden ein Fall beschrieben, in dem die vorliegende Offenbarung für einen Dreiphasen-Inverter verwendet wird.
-
6 ist ein Blockdiagramm, das eine Konfiguration eines elektrischen Leistungsumwandlungssystems veranschaulicht, für das die elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform 3 verwendet wird. Dieses elektrische Leistungsumwandlungssystem umfasst eine Stromversorgung100 , eine elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung200 und eine Last300 . Die Stromversorgung100 ist eine DC-Stromversorgung und stellt der elektrischen Leistungsumwandlungsvorrichtung200 DC-Leistung bereit. Die Stromversorgung100 kann aus verschiedenen Komponenten bestehen. Beispielsweise kann die Stromversorgung100 aus einem DC-System, einer Solarzelle oder einer Speicherbatterie bestehen oder kann aus einem Gleichrichter oder einem AC/DC-Wandler bestehen, der mit einem AC-System verbunden ist. Alternativ dazu kann die Stromversorgung100 aus einem DC/DC-Wandler bestehen, der von einem DC-System abgegebene DC-Leistung in eine vorbestimmte Leistung umwandelt. - Die elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung
200 ist ein mit einem Knoten zwischen der Stromversorgung100 und der Last300 verbundener Dreiphasen-Inverter, wandelt von der Stromversorgung100 bereitgestellte DC-Leistung in AC-Leistung um und stellt der Last300 die AC-Leistung bereit. Die elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung200 enthält eine Hauptumwandlungsschaltung201 , die DC-Leistung in AC-Leistung umwandelt und die AC-Leistung abgibt, und eine Steuerungsschaltung203 , die ein Steuerungssignal zum Steuern der Hauptumwandlungsschaltung201 an die Hauptumwandlungsschaltung201 abgibt. - Die Last
300 ist ein Dreiphasen-Elektromotor, der durch von der elektrischen Leistungsumwandlungsvorrichtung200 bereitgestellte AC-Leistung angetrieben wird. Die Last300 ist nicht auf eine spezifische Anwendung beschränkt. Die Last wird als Elektromotor, der an verschiedenen elektrischen Vorrichtungen montiert ist, wie etwa ein Elektromotor für beispielsweise ein Hybridfahrzeug, ein Elektrofahrzeug, ein Schienenfahrzeug, einen Lift oder eine Klimaanlage genutzt. - Im Folgenden wird die elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung
200 im Detail beschrieben. Die Hauptumwandlungsschaltung201 enthält eine Schaltvorrichtung und eine Reflux-Diode (nicht veranschaulicht). Wenn die Schaltvorrichtung geschaltet wird, wandelt die Hauptumwandlungsschaltung201 von der Stromversorgung100 bereitgestellte DC-Leistung in AC-Leistung um und stellt der Last300 die AC-Leistung bereit. Die Hauptumwandlungsschaltung201 kann verschiedene Typen spezifischer Schaltungskonfigurationen aufweisen. Die Hauptumwandlungsschaltung201 gemäß dieser Ausführungsform ist eine Dreiphasen-Vollbrückenschaltung mit zwei Niveaus, welche aus sechs Schaltvorrichtungen und sechs Reflux-Dioden, die mit den jeweiligen Schaltvorrichtungen antiparallel verbunden sind, bestehen kann. Jede Schaltvorrichtung und jede Reflux-Diode der Hauptumwandlungsschaltung201 bestehen aus einer Halbleitervorrichtung202 , die einer der oben beschriebenen Ausführungsformen 1 bis 2 entspricht. Je zwei Schaltvorrichtungen der sechs Schaltvorrichtungen sind in Reihe geschaltet und bilden einen vertikalen Arm. Jeder vertikale Arm bildet eine jeweilige Phase (U-Phase, V-Phase, W-Phase) der Vollbrückenschaltung. Ausgangsanschlüsse jedes vertikalen Arms, d.h. drei Ausgangsanschlüsse der Hauptumwandlungsschaltung201 , sind mit der Last300 verbunden. - Ferner enthält die Hauptumwandlungsschaltung
201 eine (nicht veranschaulichte) Ansteuerungsschaltung, die jede Schaltvorrichtung ansteuert. Die Ansteuerungsschaltung kann in der Halbleitervorrichtung202 integriert sein. Eine von der Halbleitervorrichtung202 verschiedene andere Ansteuerungsschaltung kann vorgesehen werden. Die Ansteuerungsschaltung erzeugt ein Ansteuerungssignal zum Ansteuern jeder Schaltvorrichtung der Hauptumwandlungsschaltung201 und stellt das erzeugte Ansteuerungssignal einer Steuerungselektrode jeder Schaltvorrichtung der Hauptumwandlungsschaltung201 bereit. Konkret gibt die Ansteuerungsschaltung an die Steuerungselektrode jeder Schaltvorrichtung ein Ansteuerungssignal zum Einschalten jeder Schaltvorrichtung und ein Ansteuerungssignal zum Ausschalten jeder Schaltvorrichtung gemäß dem Steuerungssignal ab, das von der Steuerungsschaltung203 abgegeben wird, die später beschrieben wird. Wenn der EIN-Zustand jeder Schaltvorrichtung beibehalten wird, ist das Ansteuerungssignal ein Spannungssignal (EIN-Signal) mit einer Spannung, die gleich einer Schwellenspannung der Schaltvorrichtung oder höher ist. Wenn der AUS-Zustand jeder Schaltvorrichtung beibehalten wird, ist das Ansteuerungssignal ein Spannungssignal (AUS-Signal) mit einer Spannung, die gleich der Schwellenspannung der Schaltvorrichtung oder niedriger ist. - Die Steuerungsschaltung
203 steuert jede Schaltvorrichtung der Hauptumwandlungsschaltung201 , um der Last300 eine gewünschte Leistung bereitzustellen. Konkret berechnet die Steuerungsschaltung203 eine Periode (EIN-Periode), in der jede Schaltvorrichtung der Hauptumwandlungsschaltung201 im EIN-Zustand ist, basierend auf der der Last300 bereitzustellenden Leistung. Beispielsweise kann die Hauptumwandlungsschaltung201 durch eine PWM-Steuerung zum Modulieren der EIN-Periode jeder Schaltvorrichtung in Abhängigkeit von der abzugebenden Spannung gesteuert werden. Ferner gibt die Steuerungsschaltung203 einen Steuerungsbefehl (Steuerungssignal) an die in der Hauptumwandlungsschaltung201 enthaltene Ansteuerungsschaltung aus, so dass zu jedem Zeitpunkt das EIN-Signal an jede einzuschaltende Schaltvorrichtung abgegeben wird und ein AUS-Signal an jede auszuschaltende Schaltvorrichtung abgegeben wird. Die Ansteuerungsschaltung gibt das EIN-Signal oder AUS-Signal als das Ansteuerungssignal an die Steuerungselektrode jeder Schaltvorrichtung gemäß dem Steuerungssignal ab. - In der elektrischen Leistungsumwandlungsvorrichtung gemäß dieser Ausführungsform werden die Halbleitervorrichtungen gemäß der Ausführungsform 1 oder 2 als die Halbleitervorrichtung
202 verwendet. Dementsprechend ist es möglich, Produktionskosten zu reduzieren und eine Produktivität zu verbessern. - Obgleich diese Ausführungsform ein Beispiel veranschaulicht, in welchem die vorliegende Offenbarung für einen Dreiphasen-Inverter mit zwei Niveaus verwendet wird, ist die vorliegende Offenbarung nicht auf diesen beschränkt und kann für verschiedene elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtungen verwendet werden. Während diese Ausführungsform eine elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung mit zwei Niveaus veranschaulicht, kann die vorliegende Offenbarung auch für eine elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung mit drei Niveaus oder mehr Niveaus verwendet werden. Wenn einer einphasigen Last Leistung bereitgestellt wird, kann die vorliegende Offenbarung für einen einphasigen Inverter verwendet werden. Die vorliegende Offenbarung kann auch für einen DC/DC-Wandler oder einen AC/DC-Wandler verwendet werden, wenn einer DC-Last oder dergleichen Leistung bereitgestellt wird.
- Ferner ist in der elektrischen Leistungsumwandlungsvorrichtung, für die die vorliegende Offenbarung verwendet wird, die oben erwähnte Last nicht auf einen Elektromotor beschränkt. Beispielsweise kann die Last auch als Stromversorgungsvorrichtung für eine Elektroerodiermaschine, eine Laserstrahlmaschine, eine Kocheinrichtung mit Induktionsheizung oder ein System zur berührungsfreien Einspeisung einer Vorrichtungsleistung verwendet werden. Alternativ kann die elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung auch als Leistungskonditionierer für ein Fotovoltaikleistung erzeugendes System, ein System zur Speicherung von Elektrizität oder dergleichen genutzt werden.
- Bezugszeichenliste
-
- 1
- Isoliersubstrat;
- 3
- Elektrode;
- 4
- erstes Ausrichtungsharz;
- 5
- erstes plattenförmiges Lötmetall;
- 6
- Halbleiterchip;
- 7
- zweites Ausrichtungsharz;
- 8
- zweites plattenförmiges Lötmetall;
- 9
- Verdrahtungselektrode;
- 200
- elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung;
- 201
- Hauptumwandlungsschaltung;
- 202
- Halbleitervorrichtung;
- 203
- Steuerungsschaltung
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- JP 2001298033 A [0004]
Claims (7)
- Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, aufweisend: ein Ausbilden eines ersten Ausrichtungsharzes in einer Ringform auf einer Elektrode eines Isoliersubstrats; ein Anordnen eines ersten plattenförmigen Lötmetalls mit einer Dicke, die dünner als diejenige des ersten Ausrichtungsharzes ist, auf der Elektrode auf einer Innenseite der Ringform des ersten Ausrichtungsharzes; ein Anordnen eines Halbleiterchips auf dem ersten plattenförmigen Lötmetall; und ein Schmelzenlassen des ersten plattenförmigen Lötmetalls, um eine untere Oberfläche des Halbleiterchips an die Elektrode zu bonden.
- Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 1 , wobei der Halbleiterchip auf einer Innenseite der Ringform des ersten Ausrichtungsharzes gelegen ist. - Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 1 oder2 , wobei das erste Ausrichtungsharz als eine Vielzahl von Punkten angeordnet ist. - Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis3 , ferner aufweisend: ein Ausbilden eines zweiten Ausrichtungsharzes in einer Ringform auf einer oberen Oberfläche des Halbleiterchips; ein Anordnen eines zweiten plattenförmigen Lötmetalls mit einer Dicke, die dünner als diejenige des zweiten Ausrichtungsharzes ist, auf der oberen Oberfläche des Halbleiterchips auf einer Innenseite der Ringform des zweiten Ausrichtungsharzes; ein Anordnen einer Verdrahtungselektrode auf dem zweiten plattenförmigen Lötmetall; und ein Schmelzenlassen des zweiten plattenförmigen Lötmetalls, um die Verdrahtungselektrode an die obere Oberfläche des Halbleiterchips zu bonden. - Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis4 , wobei der Halbleiterchip aus einem Halbleiter mit breiter Bandlücke geschaffen ist. - Halbleitervorrichtung, aufweisend: ein Isoliersubstrat, das eine Elektrode enthält; ein Ausrichtungsharz, das in einer Ringform auf der Elektrode vorgesehen ist; ein Lötmetall, das eine Dicke hat, die dünner als diejenige des Ausrichtungsharzes ist, und auf der Elektrode auf einer Innenseite der Ringform des Ausrichtungsharzes angeordnet ist; und einen Halbleiterchip, der unter Verwendung des Lötmetalls an die Elektrode gebondet ist, wobei das Ausrichtungsharz als eine Vielzahl von Punkten angeordnet ist.
- Elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung, aufweisend: eine Hauptumwandlungsschaltung, die die Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 6 enthält, eingespeiste Leistung umwandelt und umgewandelte Leistung abgibt; und eine Steuerungsschaltung, die ein Steuerungssignal zum Steuern der Hauptumwandlungsschaltung an die Hauptumwandlungsschaltung abgibt.
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