DE112016006998T5

DE112016006998T5 - Leiterplattensubstrat

Info

Publication number: DE112016006998T5
Application number: DE112016006998.7T
Authority: DE
Inventors: Norihiko AKASHI; Hiroyuki Ono; Hiroshi Mihara; Yoshiaki Irifune; Daisuke Koyama; Yudai YONEOKA; Takashi Miyasaka; Shimpei Kasahara
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2016-06-24
Filing date: 2016-12-08
Publication date: 2019-02-28
Also published as: CN109417846A; CN109417846B; KR102165964B1; US10827603B2; US20190394872A1; WO2017221443A1; KR20190007007A

Abstract

Ein Leiterplattensubstrat (1) beinhaltet eine Schaltungseinheit (2), eine erste Hauptgehäusemasseverbindung (10), eine erste Nebengehäusemasseverbindung (15), die von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung (10) in einer ersten Richtung beabstandet ist, und eine erste leitfähige Durchkontaktierung (20), welche die erste Hauptgehäusemasseverbindung (10) und die erste Nebengehäusemasseverbindung (15) miteinander verbindet. In Draufsicht von der ersten Richtung ist ein zweiter Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung (15) durch einen ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung (10) umgeben. So kann ein Leiterplattensubstrat (1) bereitgestellt werden, das eine Fehlfunktion der Schaltungseinheit (2) verhindern kann.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leiterplattensubstrat.
STAND DER TECHNIK
In den letzten Jahren ist eine Schaltungseinheit auf einem Leiterplattensubstrat verkleinert worden, wobei hochdichte Signalverbindungen und Schaltungskomponenten (z. B. IC-Komponenten) auf der Schaltungseinheit montiert sind. Dementsprechend neigt ein elektromagnetisches Rauschen, wie z. B. statische Elektrizität, dazu, sich von außerhalb des Leiterplattensubstrats zur Schaltungseinheit auszubreiten und eine Fehlfunktion der Schaltungseinheit herbeizuführen. Um ein elektromagnetisches Rauschen zu verringern, das sich auf eine Schaltungseinheit ausbreitet, offenbart PTL 1 ein Leiterplattensubstrat mit einem Spalt zwischen einer Gehäusemasseverbindung und einer Signalmasseverbindung.
ENTGEGENHALTUNGSLISTE
PATENTLITERATUR
PTL 1: Japanische Offenlegungsschrift
JP 2010-50298 A
KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
TECHNISCHES PROBLEM
In dem in PTL 1 offenbarten Leiterplattensubstrat breitet sich ein Teil eines elektromagnetischen Rauschens, das sich auf ein eine externe Schnittstelle enthaltendes Gehäuse ausgebreitet hat, über eine Gehäusemasseverbindung zu einem stabilen elektrischen Potenzial aus, das mit der Gehäusemasseverbindung verbunden ist. Der verbleibende Teil des elektromagnetischen Rauschens, das sich auf das die externe Schnittstelle enthaltende Gehäuse ausgebreitet hat, wird jedoch räumlich an eine Schaltungseinheit auf dem Leiterplattensubstrat von der Gehäusemasseverbindung gekoppelt. Das an die Schaltungseinheit räumlich gekoppelte elektromagnetische Rauschen kann zu einer Fehlfunktion der Schaltungseinheit führen. Die vorliegende Erfindung wurde angesichts eines derartigen Problems entwickelt und hat zum Ziel, ein Leiterplattensubstrat bereitzustellen, das verhindern kann, dass eine Schaltungseinheit eine Fehlfunktion aufweist.
LÖSUNG DES PROBLEMS
Ein Leiterplattensubstrat der vorliegenden Erfindung beinhaltet eine Schaltungseinheit, eine erste Hauptgehäusemasseverbindung, eine erste Nebengehäusemasseverbindung, die von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung in einer ersten Richtung beabstandet ist, und eine erste leitfähige Durchkontaktierung, welche die erste Hauptgehäusemasseverbindung und die erste Nebengehäusemasseverbindung miteinander verbindet. In Draufsicht von der ersten Richtung ist ein zweiter Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung durch einen ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung umgeben.
VORTEILHAFTE WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
In dem Leiterplattensubstrat der vorliegenden Erfindung ist die erste Nebengehäusemasseverbindung mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung über die erste leitfähige Durchkontaktierung verbunden. In Draufsicht von der ersten Richtung ist der zweite Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung umgeben. Dementsprechend wird ein elektromagnetisches Rauschen, das sich über die erste Hauptgehäusemasseverbindung ausbreitet, an die erste Nebengehäusemasseverbindung gekoppelt. Ein großer Teil eines elektromagnetischen Rauschens, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung gekoppelt ist, wird in Wärme umgewandelt, ohne an die Schaltungseinheit räumlich gekoppelt zu werden. Das Leiterplattensubstrat der vorliegenden Erfindung kann verhindern, dass die Schaltungseinheit eine Fehlfunktion aufweist.
Figurenliste

1 ist eine perspektivische Ansicht eines Leiterplattensubstrats gemäß einer Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung.
2 ist eine schematische, teilweise vergrößerte Draufsicht eines in 1 dargestellten Bereichs II eines Leiterplattensubstrats gemäß Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung.
3 zeigt ein halblogarithmisches Diagramm, das die Ergebnisse einer Analyse der Menge an elektromagnetischer Rauschausbreitung in einem Leiterplattensubstrat gemäß Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung wiedergibt.
4 ist eine perspektivische Ansicht eines Leiterplattensubstrats gemäß einer Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung.
5 ist eine schematische, teilweise vergrößerte Draufsicht eines in 4 dargestellten Bereichs V eines Leiterplattensubstrats gemäß Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung.
6 ist eine perspektivische Ansicht eines Leiterplattensubstrats gemäß einer Ausführungsform 3 der vorliegenden Erfindung.
7 ist eine schematische, teilweise vergrößerte Draufsicht eines in 6 dargestellten Bereichs VII eines Leiterplattensubstrats gemäß Ausführungsform 3 der vorliegenden Erfindung.
8 ist eine perspektivische Ansicht eines Leiterplattensubstrats gemäß einer Ausführungsform 4 der vorliegenden Erfindung.
9 ist eine schematische, teilweise vergrößerte Draufsicht eines in 8 dargestellten Bereichs IX eines Leiterplattensubstrats gemäß Ausführungsform 4 der vorliegenden Erfindung.
10 ist eine perspektivische Ansicht eines Leiterplattensubstrats gemäß einer Ausführungsform 5 der vorliegenden Erfindung.
11 ist eine schematische, teilweise vergrößerte Draufsicht eines in 10 dargestellten Bereichs XI eines Leiterplattensubstrats gemäß Ausführungsform 5 der vorliegenden Erfindung.
12 ist eine perspektivische Ansicht eines Leiterplattensubstrats gemäß einer Ausführungsform 6 der vorliegenden Erfindung.
13 ist eine schematische, teilweise vergrößerte Draufsicht eines in 12 dargestellten Bereichs XIII eines Leiterplattensubstrats gemäß Ausführungsform 6 der vorliegenden Erfindung.
14 ist eine teilweise vergrößerte perspektivische Ansicht eines Leiterplattensubstrats gemäß einer Ausführungsform 7 der vorliegenden Erfindung.
15 ist eine perspektivische Ansicht eines Leiterplattensubstrats gemäß einer Ausführungsform 8 der vorliegenden Erfindung.

BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind nachfolgend beschrieben. Identische Komponenten sind identisch gekennzeichnet und deren Erläuterung wird nicht wiederholt.
Ausführungsform 1
In Bezug auf 1 und 2 wird ein Leiterplattensubstrat 1 gemäß Ausführungsform 1 beschrieben. Das Leiterplattensubstrat 1 beinhaltet in der vorliegenden Ausführungsform hauptsächlich eine dielektrische Schicht 6, eine externe Schnittstelle 8, ein Gehäuse 9, eine Schaltungseinheit 2, eine erste Hauptgehäusemasseverbindung 10, eine erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und eine erste leitfähige Durchkontaktierung 20.
Die externe Schnittstelle 8 kann z. B. ein Steckverbinder oder ein Schalter sein. Das Gehäuse 9 enthält die externe Schnittstelle 8.
Die Schaltungseinheit 2 ist mit der externen Schnittstelle 8 elektrisch verbunden. Ein Signal wird von außerhalb des Leiterplattensubstrats 1 an die Schaltungseinheit 2 durch die externe Schnittstelle 8 übertragen. Die Schaltungseinheit 2 beinhaltet eine erste Schaltungsuntereinheit 3 und eine zweite Schaltungsuntereinheit 4. Die erste Schaltungsuntereinheit 3 kann auf einer ersten Fläche der dielektrischen Schicht 6 bereitgestellt sein. Die zweite Schaltungsuntereinheit 4 kann auf einer zweiten Fläche der dielektrischen Schicht 6 gegenüber der ersten Fläche bereitgestellt sein. Die erste Schaltungsuntereinheit 3 und die zweite Schaltungsuntereinheit 4 beinhalten jeweils Schaltungskomponenten, wie z. B. eine Signalverbindung, eine Stromversorgungsverbindung, eine Signalmasseverbindung und eine IC-Komponente.
Die zweite Schaltungsuntereinheit 4 kann von der ersten Schaltungsuntereinheit 3 in einer ersten Richtung (z. B. z-Richtung) beabstandet sein. Die erste Schaltungsuntereinheit 3 und die zweite Schaltungsuntereinheit 4 können sich jeweils in einer zweiten Richtung (z. B. x-Richtung) und einer dritten Richtung (z. B. y-Richtung) erstrecken. Die zweite Richtung ist eine Richtung, welche die erste Richtung kreuzt. Insbesondere ist die zweite Richtung eine Richtung, die senkrecht zu der ersten Richtung ist. Die dritte Richtung ist eine Richtung, welche die erste Richtung und die zweite Richtung kreuzt. Insbesondere ist die dritte Richtung senkrecht zu der ersten Richtung und der zweiten Richtung.
Die Schaltungseinheit 2 ist von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10, der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 und der ersten leitfähigen Durchkontaktierung 20 in der zweiten Richtung, welche die erste Richtung kreuzt, beabstandet. In Draufsicht von der ersten Richtung kann die Schaltungseinheit 2 in dem mittleren Bereich des Leiterplattensubstrats 1 angeordnet sein.
Die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ist mit dem Gehäuse 9 elektrisch verbunden. Insbesondere ist die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 mit dem Gehäuse 9 an einem Ende der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 verbunden. Die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ist mit einem stabilen elektrischen Potenzial 12 verbunden. Insbesondere ist die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 mit dem stabilen elektrischen Potenzial 12 an dem anderen Ende der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 gegenüber dem einen Ende verbunden. Bei dem stabilen elektrischen Potenzial 12 kann es sich z. B. um ein elektrisches Erdpotenzial handeln oder kann es sich um ein elektrisches Potenzial einer Einhäusung (nicht dargestellt), die das Leiterplattensubstrat 1 enthält, handeln.
Die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ist von der Schaltungseinheit 2 in der zweiten Richtung (z. B. x-Richtung), welche die erste Richtung kreuzt, beabstandet. Wie in 2 dargestellt, ist in Draufsicht von der ersten Richtung die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 von der Schaltungseinheit 2 in einem Abstand von d₁ beabstandet. Die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 kann auf der ersten Fläche der dielektrischen Schicht 6 bereitgestellt sein. Die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 kann koplanar mit der ersten Schaltungsuntereinheit 3 sein. In Draufsicht von der ersten Richtung kann die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 in einem Randbereich des Leiterplattensubstrats 1 angeordnet sein. In Draufsicht von der ersten Richtung kann die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 z. B. eine L-Form aufweisen, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 ist von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 in der ersten Richtung beabstandet, sodass sie der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 gegenüberliegt. Wie in 2 dargestellt, ist in Draufsicht von der ersten Richtung die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 von der Schaltungseinheit 2 in einem Abstand von d₂ beabstandet. Der Abstand d₂ kann größer als der Abstand d₁ sein. Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 kann auf der zweiten Fläche der dielektrischen Schicht 6 bereitgestellt sein. Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 kann koplanar mit der zweiten Schaltungsuntereinheit 4 sein. In Draufsicht von der ersten Richtung kann die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 in einem Randbereich des Leiterplattensubstrats 1 angeordnet sein.
In Bezug auf 2 deckt sich in Draufsicht von der ersten Richtung die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 bezüglich ihrer Position mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10. In Draufsicht von der ersten Richtung ist ein zweiter Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 durch einen ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 umgeben. Eine Länge L₂ der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 in der Längsrichtung kann kürzer sein als eine Länge L₁ der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 in der Längsrichtung. Eine Breite w₂ der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 kann schmaler sein als eine Breite w₁ der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10. In Draufsicht von der ersten Richtung kann die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 flächenmäßig kleiner sein als die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10.
Die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 verbindet die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 und die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 miteinander. Die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 ist mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 zwischen einem Ende (dem Ende auf der Seite des Gehäuses 9) und dem anderen Ende (dem Ende auf der Seite des stabilen elektrischen Potenzials 12) der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 verbunden. Die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 kann derart ausgebildet sein, dass sie durch die dielektrische Schicht 6 verläuft.
Das Leiterplattensubstrat 1 kann in der vorliegenden Ausführungsform verhindern, dass sich ein elektromagnetisches Rauschen, das sich auf ein die externe Schnittstelle 8 enthaltendes Gehäuse 9 ausbreitet, an die Schaltungseinheit 2 räumlich koppelt. Konkret breitet sich ein elektromagnetisches Rauschen, das sich auf das Gehäuse 9 ausbreitet, über die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 aus, die mit dem Gehäuse 9 elektrisch verbunden ist. Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 ist mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 durch die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 verbunden. Dementsprechend wird ein großer Teil eines elektromagnetischen Rauschens, das sich von dem die externe Schnittstelle 8 enthaltenden Gehäuse 9 durch die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 gekoppelt, ohne an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt zu werden.
Insbesondere kann die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 derart ausgelegt sein, dass ein elektromagnetisches Rauschen, das sich über die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 resonanzgekoppelt wird. Die derart ausgelegte erste Nebengehäusemasseverbindung 15 kann ein elektromagnetisches Rauschen, das sich über die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, stärker an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 elektrisch koppeln und kann ein elektromagnetisches Rauschen, das sich über die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, stärker auf das Innere der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 begrenzen. Daher kann die erste Nebengehäusemasseverbindung 15, die dazu ausgelegt ist, es zu ermöglichen, dass ein elektromagnetisches Rauschen, das sich über die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 resonanzgekoppelt wird, zuverlässiger verhindern, dass ein elektromagnetisches Rauschen, das sich über die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird.
Durch geeignetes Bestimmen von z. B. einer Kapazität zwischen der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 und eines elektrischen Widerstands der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 kann die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 derart ausgelegt werden, dass ein elektromagnetisches Rauschen, das sich über die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 resonanzgekoppelt wird. Beispielsweise kann durch geeignetes Bestimmen der Länge L₂ und Breite w₂ der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15, der Position der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 im Verhältnis zu der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und der Position der ersten leitfähigen Durchkontaktierung 20 im Verhältnis zu der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 derart ausgelegt werden, dass ein elektromagnetisches Rauschen, das sich über die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 resonanzgekoppelt wird.
Ein elektromagnetisches Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 gekoppelt (bevorzugt resonanzgekoppelt) wird, wird in Wärme in Reaktion auf einen Leiterwiderstandsverlust an der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 und einen dielektrischen Verlust an der dielektrischen Schicht 6 um die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 umgewandelt. So kann verhindert werden, dass ein elektromagnetisches Rauschen, das sich von dem die externe Schnittstelle 8 enthaltenden Gehäuse 9 zu der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird. Das Leiterplattensubstrat 1 in der vorliegenden Ausführungsform kann verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
Ein elektromagnetisches Rauschen kann z. B. statische Elektrizität sein. Ein elektromagnetisches Rauschen kann eine Frequenz von z. B. nicht weniger als 1 kHz und nicht mehr als 10 GHz aufweisen. Ein teilweises elektromagnetisches Rauschen, das nicht an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 gekoppelt wurde, breitet sich zu dem stabilen elektrischen Potenzial 12 durch die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 aus. Ein teilweises elektromagnetisches Rauschen, das nicht an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 gekoppelt wurde, kann daran gehindert werden, an die Schaltungseinheit 2 gekoppelt zu werden.
3 zeigt die Ergebnisse einer Analyse der Menge an elektromagnetischer Rauschausbreitung in dem Leiterplattensubstrat 1 in der vorliegenden Ausführungsform. Die vertikale Achse gibt das Verhältnis der Menge an elektromagnetischer Rauschausbreitung zur Schaltungseinheit 2 wieder und die horizontale Achse gibt die Frequenz wieder, die auf einer logarithmischen Skala dargestellt ist. Das Verhältnis der Menge an elektromagnetischer Rauschausbreitung zur Schaltungseinheit 2 ist als ein Logarithmus eines Werts definiert, der durch Teilen einer Menge an elektromagnetischer Rauschausbreitung zur Schaltungseinheit 2 in dem Leiterplattensubstrat 1 in der vorliegenden Ausführungsform durch eine Menge an elektromagnetischer Rauschausbreitung zur Schaltungseinheit 2 in einem Leiterplattensubstrat bei einem Vergleichsbeispiel ohne die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und ohne die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 erhalten wird. Wenn das Verhältnis der Menge an elektromagnetischer Rauschausbreitung zur Schaltungseinheit 2 in dem Leiterplattensubstrat 1 in der vorliegenden Ausführungsform 0 dB beträgt, bedeutet das, dass die Menge an elektromagnetischer Rauschausbreitung zur Schaltungseinheit 2 in dem Leiterplattensubstrat 1 in der vorliegenden Ausführungsform gleich der Menge an elektromagnetischer Rauschausbreitung zur Schaltungseinheit 2 in einem Leiterplattensubstrat bei einem Vergleichsbeispiel ist.
Wie in 3 dargestellt, ist die Menge an elektromagnetischer Rauschausbreitung zur Schaltungseinheit 2 in dem Leiterplattensubstrat 1 in der vorliegenden Ausführungsform über ein breites Frequenzband kleiner als die Menge an elektromagnetischer Rauschausbreitung zur Schaltungseinheit 2 in einem Leiterplattensubstrat bei einem Vergleichsbeispiel. Das Leiterplattensubstrat 1 in der vorliegenden Ausführungsform kann verhindern, dass sich ein elektromagnetisches Rauschen (z. B. statische Elektrizität) zur Schaltungseinheit 2 ausbreitet, und kann damit verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
Die vorteilhaften Wirkungen des Leiterplattensubstrats 1 in der vorliegenden Ausführungsform werden beschrieben.
Das Leiterplattensubstrat 1 in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet die externe Schnittstelle 8, das Gehäuse 9, das die externe Schnittstelle 8 enthält, die Schaltungseinheit 2, die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10, die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und die erste leitfähige Durchkontaktierung 20. Die Schaltungseinheit 2 ist mit der externen Schnittstelle 8 elektrisch verbunden. Die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ist mit dem Gehäuse 9 elektrisch verbunden. Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 ist von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 in der ersten Richtung beabstandet, sodass sie der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 gegenüberliegt. Die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 verbindet die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 und die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 miteinander. Die Schaltungseinheit 2 ist von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10, der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 und der ersten leitfähigen Durchkontaktierung 20 in der zweiten Richtung, welche die erste Richtung kreuzt, beabstandet. In Draufsicht von der ersten Richtung ist der zweite Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 umgeben.
In dem Leiterplattensubstrat 1 in der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 durch die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 verbunden. In Draufsicht von der ersten Richtung ist der zweite Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 umgeben. Daher wird ein großer Teil eines elektromagnetischen Rauschens, das sich von dem Gehäuse 9 durch die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 gekoppelt, ohne an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt zu werden. Ein elektromagnetisches Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 gekoppelt wird, wird in Wärme in Reaktion auf einen Leiterwiderstandsverlust an der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 und einen dielektrischen Verlust an der dielektrischen Schicht 6 um die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 umgewandelt. So kann verhindert werden, dass ein elektromagnetisches Rauschen, das sich von dem die externe Schnittstelle 8 enthaltenden Gehäuse 9 zu der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird. Das Leiterplattensubstrat 1 in der vorliegenden Ausführungsform kann verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
In dem Leiterplattensubstrat 1 in der vorliegenden Ausführungsform ist in Draufsicht von der ersten Richtung der zweite Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 umgeben. Die Schaltungseinheit 2, die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 und die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 können kompakt angeordnet sein. Das Leiterplattensubstrat 1 in der vorliegenden Ausführungsform kann verkleinert sein.
In dem Leiterplattensubstrat 1 in der vorliegenden Ausführungsform kann die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 derart ausgelegt sein, dass ein elektromagnetisches Rauschen, das sich über die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 resonanzgekoppelt wird. Die derart ausgelegte erste Nebengehäusemasseverbindung 15 kann ein elektromagnetisches Rauschen, das sich über die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, stärker an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 elektrisch koppeln und kann ein elektromagnetisches Rauschen, das sich über die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, stärker auf das Innere der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 begrenzen. Daher kann die erste Nebengehäusemasseverbindung 15, die dazu ausgelegt ist, es zu ermöglichen, dass ein elektromagnetisches Rauschen, das sich über die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 resonanzgekoppelt wird, zuverlässiger verhindern, dass ein elektromagnetisches Rauschen, das sich über die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird. Das Leiterplattensubstrat 1 in der vorliegenden Ausführungsform kann zuverlässiger verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
Ausführungsform 2
In Bezug auf 4 und 5 wird ein Leiterplattensubstrat 1a gemäß Ausführungsform 2 beschrieben. Das Leiterplattensubstrat 1a in der vorliegenden Ausführungsform weist eine ähnliche Konfiguration wie das Leiterplattensubstrat 1 in Ausführungsform 1 auf, unterscheidet sich von Letzterem jedoch hauptsächlich in den folgenden Punkten.
Das Leiterplattensubstrat 1a in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ferner eine zweite leitfähige Durchkontaktierung 21, welche die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 und eine erste Nebengehäusemasseverbindung 15a miteinander verbindet. Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15a ist mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 durch die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 und die zweite leitfähige Durchkontaktierung 21 verbunden. Die zweite leitfähige Durchkontaktierung 21 kann derart ausgebildet sein, dass sie durch die dielektrische Schicht 6 verläuft.
Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15a in der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich in der Form von der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 in Ausführungsform 1. Konkret ist die Länge L₂ der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15a in der vorliegenden Ausführungsform in der Längsrichtung kürzer als die Länge L₂ der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 in Ausführungsform 1 in der Längsrichtung.
Das Leiterplattensubstrat 1a in der vorliegenden Ausführungsform bringt die folgenden vorteilhaften Wirkungen neben den vorteilhaften Wirkungen des Leiterplattensubstrats 1 in Ausführungsform 1 mit sich.
Das Leiterplattensubstrat 1a in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ferner die zweite leitfähige Durchkontaktierung 21, welche die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 und die erste Nebengehäusemasseverbindung 15a miteinander verbindet. Durch die zweite leitfähige Durchkontaktierung 21 kann die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15a gekoppelt (bevorzugt resonanzgekoppelt) wird, anders sein als die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 in Ausführungsform 1 gekoppelt (bevorzugt resonanzgekoppelt) wird. Die zweite leitfähige Durchkontaktierung 21 kann ein elektromagnetisches Rauschen, das sich über die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, stärker an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15a elektrisch koppeln. Gemäß dem Leiterplattensubstrat 1a in der vorliegenden Ausführungsform kann die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15a gekoppelt wird, angepasst werden und kann ein elektromagnetisches Rauschen, das an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird, weiter verringert werden. Das Leiterplattensubstrat 1a in der vorliegenden Ausführungsform kann zuverlässiger verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15a in der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich in der Form von der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 in Ausführungsform 1. Durch die erste Nebengehäusemasseverbindung 15a kann die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15a gekoppelt (bevorzugt resonanzgekoppelt) wird, anders sein als die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 in Ausführungsform 1 gekoppelt (bevorzugt resonanzgekoppelt) wird. Gemäß dem Leiterplattensubstrat 1a in der vorliegenden Ausführungsform kann die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15a gekoppelt wird, angepasst werden und kann ein elektromagnetisches Rauschen, das an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird, weiter verringert werden. Das Leiterplattensubstrat 1a in der vorliegenden Ausführungsform kann zuverlässiger verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
Ausführungsform 3
In Bezug auf 6 und 7 wird ein Leiterplattensubstrat 1b gemäß Ausführungsform 3 beschrieben. Das Leiterplattensubstrat 1b in der vorliegenden Ausführungsform weist eine ähnliche Konfiguration wie das Leiterplattensubstrat 1 in Ausführungsform 1 auf, unterscheidet sich von Letzterem jedoch hauptsächlich in den folgenden Punkten.
Das Leiterplattensubstrat 1b in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ferner eine zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 und eine dritte leitfähige Durchkontaktierung 22.
Die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 ist von der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 in der ersten Richtung beabstandet, sodass sie der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 gegenüberliegt. Die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 ist von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 in der ersten Richtung beabstandet, sodass sie der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 gegenüberliegt. Wie in 7 dargestellt, ist in Draufsicht von der ersten Richtung die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 von der Schaltungseinheit 2 in einem Abstand von d₃ beabstandet. Der Abstand d₃ kann größer als der Abstand d₁ sein. Der Abstand d₃ kann gleich dem Abstand d₂ oder davon verschieden sein. Die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 kann auf der zweiten Fläche der dielektrischen Schicht 6 bereitgestellt sein. Die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 kann koplanar mit der zweiten Schaltungsuntereinheit 4 sein. In Draufsicht von der ersten Richtung kann die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 in einem Randbereich des Leiterplattensubstrats 1b angeordnet sein.
Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 ist zwischen der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16 angeordnet. Beispielsweise kann sich die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 unmittelbar zwischen der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16 in der ersten Richtung befinden. Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 kann in die dielektrische Schicht 6 eingebettet sein. Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 kann an einem Zwischenabschnitt der dielektrischen Schicht 6 in der ersten Richtung angeordnet sein.
In Bezug auf 7 deckt sich in Draufsicht von der ersten Richtung die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 bezüglich ihrer Position mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10. In Draufsicht von der ersten Richtung ist ein dritter Außenumfang der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16 durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 umgeben. Eine Länge L₃ der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16 in der Längsrichtung kann kürzer sein als die Länge L₁ der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 in der Längsrichtung. Eine Breite w₃ der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16 kann schmaler sein als die Breite w₁ der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10. In Draufsicht von der ersten Richtung kann die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 flächenmäßig kleiner sein als die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10.
In Draufsicht von der ersten Richtung kann die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 eine andere oder die gleiche Form wie die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 aufweisen. In Draufsicht von der ersten Richtung kann die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 eine andere oder die gleiche Fläche wie die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 aufweisen.
Die dritte leitfähige Durchkontaktierung 22 verbindet die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 miteinander. In Draufsicht von der ersten Richtung kann sich die dritte leitfähige Durchkontaktierung 22 bezüglich ihrer Position mit der ersten leitfähigen Durchkontaktierung 20 decken. Die dritte leitfähige Durchkontaktierung 22 kann in die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 integriert sein.
Das Leiterplattensubstrat 1b in der vorliegenden Ausführungsform bringt die folgenden vorteilhaften Wirkungen neben den vorteilhaften Wirkungen des Leiterplattensubstrats 1 in Ausführungsform 1 mit sich.
Das Leiterplattensubstrat 1b in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ferner die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 und die dritte leitfähige Durchkontaktierung 22. Die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 ist von der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 in der ersten Richtung beabstandet, sodass sie der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 gegenüberliegt. Die dritte leitfähige Durchkontaktierung 22 verbindet die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 miteinander. Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 ist zwischen der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16 angeordnet. In Draufsicht von der ersten Richtung ist der dritte Außenumfang der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16 durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 umgeben.
In dem Leiterplattensubstrat 1b in der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 durch die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 verbunden. Die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 ist mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 durch die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 und die dritte leitfähige Durchkontaktierung 22 verbunden. In Draufsicht von der ersten Richtung sind der zweite Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 und der dritte Außenumfang der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16 durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 umgeben. Dementsprechend wird ein großer Teil eines elektromagnetischen Rauschens, das sich von dem Gehäuse 9 durch die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 gekoppelt, ohne an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt zu werden.
Ein elektromagnetisches Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 gekoppelt ist, wird in Wärme in Reaktion auf einen Leiterwiderstandsverlust an der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 und der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16 und in Reaktion auf einen dielektrischen Verlust an der dielektrischen Schicht 6 um die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 umgewandelt. So kann verhindert werden, dass ein elektromagnetisches Rauschen, das sich von dem die externe Schnittstelle 8 enthaltenden Gehäuse 9 zu der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird. Das Leiterplattensubstrat 1b in der vorliegenden Ausführungsform kann zuverlässiger verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
Das Leiterplattensubstrat 1b in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 zusätzlich zu der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15. Durch die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 kann die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 gekoppelt (bevorzugt resonanzgekoppelt) wird, anders sein als die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 in Ausführungsform 1 gekoppelt (bevorzugt resonanzgekoppelt) wird. Gemäß dem Leiterplattensubstrat 1b in der vorliegenden Ausführungsform kann die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 gekoppelt wird, angepasst werden und kann ein elektromagnetisches Rauschen, das an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird, weiter verringert werden. Das Leiterplattensubstrat 1b in der vorliegenden Ausführungsform kann zuverlässiger verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
In dem Leiterplattensubstrat 1b in der vorliegenden Ausführungsform kann in Draufsicht von der ersten Richtung die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 eine andere Form als die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 aufweisen. Dadurch, dass die Form der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16 anders ist als die der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15, ist eine Anpassung der Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 gekoppelt wird, über einen breiteren Frequenzbereich möglich und ist ferner eine Verringerung des elektromagnetischen Rauschens möglich, das an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird. Das Leiterplattensubstrat 1b in der vorliegenden Ausführungsform kann zuverlässiger verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
In dem Leiterplattensubstrat 1b in der vorliegenden Ausführungsform sind in Draufsicht von der ersten Richtung der zweite Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 und der dritte Außenumfang der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16 durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 umgeben. Die Schaltungseinheit 2, die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10, die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16 können kompakt angeordnet sein. Das Leiterplattensubstrat 1b in der vorliegenden Ausführungsform kann verkleinert sein.
Ausführungsform 4
In Bezug auf 8 und 9 wird ein Leiterplattensubstrat 1c gemäß Ausführungsform 4 beschrieben. Das Leiterplattensubstrat 1c in der vorliegenden Ausführungsform weist eine ähnliche Konfiguration wie das Leiterplattensubstrat 1 in Ausführungsform 1 auf, unterscheidet sich von Letzterem jedoch hauptsächlich in den folgenden Punkten.
Eine erste Nebengehäusemasseverbindung 15c in der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich in der Form von der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 in Ausführungsform 1. Konkret ist die Länge L₂ der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15c in der vorliegenden Ausführungsform in der Längsrichtung kürzer als die Länge L₂ der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 in Ausführungsform 1 in der Längsrichtung.
Das Leiterplattensubstrat 1c in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ferner eine zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c und eine dritte leitfähige Durchkontaktierung 22c.
Die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c ist von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 in der ersten Richtung beabstandet, sodass sie der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 gegenüberliegt. Die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c ist von der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15c in der dritten Richtung (y-Richtung) beabstandet, welche die erste Richtung (z-Richtung) und die zweite Richtung (x-Richtung) kreuzt. Wie in 9 dargestellt, ist in Draufsicht von der ersten Richtung die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c von der Schaltungseinheit 2 in einem Abstand von d₃ beabstandet. Der Abstand d₃ kann größer als der Abstand d₁ sein. Der Abstand d₃ kann gleich dem Abstand d₂ oder davon verschieden sein.
Die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c kann auf der zweiten Fläche der dielektrischen Schicht 6 bereitgestellt sein. Die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c kann koplanar mit der zweiten Schaltungsuntereinheit 4 sein. Die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c kann koplanar mit der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15c sein. In Draufsicht von der ersten Richtung kann die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c in einem Randbereich des Leiterplattensubstrats 1c angeordnet sein.
In Bezug auf 9 decken sich in Draufsicht von der ersten Richtung die erste Nebengehäusemasseverbindung 15c und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c bezüglich ihrer Position mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10. In Draufsicht von der ersten Richtung sind der zweite Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15c und der dritte Außenumfang der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16c durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 umgeben. Die Länge L₂ der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15c in der Längsrichtung und die Länge L₃ der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16c in der Längsrichtung können jeweils kürzer sein als die Länge L₁ der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 in der Längsrichtung. Die Breite w₂ der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15c und die Breite w₃ der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16c können jeweils schmaler sein als die Breite w₁ der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10. In Draufsicht von der ersten Richtung können die erste Nebengehäusemasseverbindung 15c und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c jeweils flächenmäßig kleiner sein als die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10.
In Draufsicht von der ersten Richtung kann die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c eine andere oder die gleiche Form wie die erste Nebengehäusemasseverbindung 15c aufweisen. In Draufsicht von der ersten Richtung kann die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c eine andere oder die gleiche Fläche wie die erste Nebengehäusemasseverbindung 15c aufweisen.
Die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 verbindet die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 und die erste Nebengehäusemasseverbindung 15c miteinander. Die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 ist mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 zwischen einem Ende (dem Ende auf der Seite des Gehäuses 9) und dem anderen Ende (dem Ende auf der Seite des stabilen elektrischen Potenzials 12) der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 verbunden.
Die dritte leitfähige Durchkontaktierung 22c verbindet die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c miteinander. Die dritte leitfähige Durchkontaktierung 22c ist mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 zwischen einem Ende (dem Ende auf der Seite des Gehäuses 9) und dem anderen Ende (dem Ende auf der Seite des stabilen elektrischen Potenzials 12) der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 verbunden. Die dritte leitfähige Durchkontaktierung 22c kann derart ausgebildet sein, dass sie durch die dielektrische Schicht 6 verläuft.
Das Leiterplattensubstrat 1c in der vorliegenden Ausführungsform bringt die folgenden vorteilhaften Wirkungen neben den vorteilhaften Wirkungen des Leiterplattensubstrats 1 in Ausführungsform 1 mit sich.
Das Leiterplattensubstrat 1c in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ferner die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c und die dritte leitfähige Durchkontaktierung 22c. Die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c ist von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 in der ersten Richtung beabstandet, sodass sie der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 gegenüberliegt. Die dritte leitfähige Durchkontaktierung 22c verbindet die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c miteinander. Die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c ist von der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15c in der dritten Richtung beabstandet, welche die erste Richtung und die zweite Richtung kreuzt. In Draufsicht von der ersten Richtung ist der dritte Außenumfang der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16c durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 umgeben.
In dem Leiterplattensubstrat 1c in der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Nebengehäusemasseverbindung 15c mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 durch die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 verbunden. Die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c ist mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 durch die dritte leitfähige Durchkontaktierung 22c verbunden. In Draufsicht von der ersten Richtung sind der zweite Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15c und der dritte Außenumfang der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16c durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 umgeben. Dementsprechend wird ein großer Teil eines elektromagnetischen Rauschens, das sich von dem Gehäuse 9 durch die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15c und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c gekoppelt, ohne an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt zu werden.
Ein elektromagnetisches Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15c und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c gekoppelt ist, wird in Wärme in Reaktion auf einen Leiterwiderstandsverlust an der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15c und der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16c und in Reaktion auf einen dielektrischen Verlust an der dielektrischen Schicht 6 um die erste Nebengehäusemasseverbindung 15c und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c umgewandelt. So kann verhindert werden, dass ein elektromagnetisches Rauschen, das sich von dem die externe Schnittstelle 8 enthaltenden Gehäuse 9 zu der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 ausbreitet, an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird. Das Leiterplattensubstrat 1c in der vorliegenden Ausführungsform kann zuverlässiger verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
Das Leiterplattensubstrat 1c in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c zusätzlich zu der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15c. Durch die erste Nebengehäusemasseverbindung 15c und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c kann die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15c und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c gekoppelt (bevorzugt resonanzgekoppelt) wird, anders sein als die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 in Ausführungsform 1 gekoppelt (bevorzugt resonanzgekoppelt) wird. Gemäß dem Leiterplattensubstrat 1c in der vorliegenden Ausführungsform kann die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15c und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c gekoppelt wird, angepasst werden und kann ein elektromagnetisches Rauschen, das an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird, weiter verringert werden. Das Leiterplattensubstrat 1c in der vorliegenden Ausführungsform kann zuverlässiger verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
In dem Leiterplattensubstrat 1c in der vorliegenden Ausführungsform kann in Draufsicht von der ersten Richtung die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c eine andere Form als die erste Nebengehäusemasseverbindung 15c aufweisen. Dadurch, dass die Form der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16c anders ist als die der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15c, ist eine Anpassung der Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15c und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c gekoppelt wird, über einen breiteren Frequenzbereich möglich und ist ferner eine Verringerung des elektromagnetischen Rauschens möglich, das an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird. Das Leiterplattensubstrat 1c in der vorliegenden Ausführungsform kann zuverlässiger verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
In dem Leiterplattensubstrat 1c in der vorliegenden Ausführungsform sind in Draufsicht von der ersten Richtung der zweite Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15c und der dritte Außenumfang der zweiten Nebengehäusemasseverbindung 16c durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 umgeben. Die Schaltungseinheit 2, die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10, die erste Nebengehäusemasseverbindung 15c und die zweite Nebengehäusemasseverbindung 16c können kompakt angeordnet sein. Das Leiterplattensubstrat 1c in der vorliegenden Ausführungsform kann verkleinert sein.
Ausführungsform 5
In Bezug auf 10 und 11 wird ein Leiterplattensubstrat 1d gemäß Ausführungsform 5 beschrieben. Das Leiterplattensubstrat 1d in der vorliegenden Ausführungsform weist eine ähnliche Konfiguration wie das Leiterplattensubstrat 1 in Ausführungsform 1 auf, unterscheidet sich von Letzterem jedoch hauptsächlich in den folgenden Punkten.
In dem Leiterplattensubstrat 1d in der vorliegenden Ausführungsform weist in Draufsicht von der ersten Richtung eine erste Nebengehäusemasseverbindung 15d eine gewundene Form auf. In Bezug auf 11 deckt sich in Draufsicht von der ersten Richtung die erste Nebengehäusemasseverbindung 15d bezüglich ihrer Position mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10. In Draufsicht von der ersten Richtung ist der zweite Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15d durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 umgeben. Die Länge L₂ der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15d in der Längsrichtung kann kürzer sein als die Länge L₁ der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 in der Längsrichtung. Die Breite w₂ der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15d kann schmaler sein als die Breite w₁ der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10.
Das Leiterplattensubstrat 1d in der vorliegenden Ausführungsform bringt die folgenden vorteilhaften Wirkungen neben den vorteilhaften Wirkungen des Leiterplattensubstrats 1 in Ausführungsform 1 mit sich. In dem Leiterplattensubstrat 1d in der vorliegenden Ausführungsform weist die erste Nebengehäusemasseverbindung 15d eine gewundene Form auf. Dadurch, dass die erste Nebengehäusemasseverbindung 15d in der vorliegenden Ausführungsform eine andere Form aufweist als die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 in Ausführungsform 1, kann die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15d gekoppelt (bevorzugt resonanzgekoppelt) wird, anders sein als die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 in Ausführungsform 1 gekoppelt (bevorzugt resonanzgekoppelt) wird. Gemäß dem Leiterplattensubstrat 1d in der vorliegenden Ausführungsform kann die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15d gekoppelt wird, angepasst werden und kann ein elektromagnetisches Rauschen, das an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird, weiter verringert werden. Das Leiterplattensubstrat 1d in der vorliegenden Ausführungsform kann zuverlässiger verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
Ausführungsform 6
In Bezug auf 12 und 13 wird ein Leiterplattensubstrat 1e gemäß Ausführungsform 6 beschrieben. Das Leiterplattensubstrat 1e in der vorliegenden Ausführungsform weist eine ähnliche Konfiguration wie das Leiterplattensubstrat 1 in Ausführungsform 1 auf, unterscheidet sich von Letzterem jedoch hauptsächlich in den folgenden Punkten.
Das Leiterplattensubstrat 1e in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ferner eine zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11, eine Vielzahl von vierten leitfähigen Durchkontaktierungen 25 und eine fünfte leitfähige Durchkontaktierung 26.
Die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 ist von der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 in der ersten Richtung beabstandet, sodass sie der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 gegenüberliegt. Wie in 13 dargestellt, ist in Draufsicht von der ersten Richtung die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 von der Schaltungseinheit 2 in einem Abstand von d₄ beabstandet. In Draufsicht von der ersten Richtung kann der Abstand d₄ gleich dem Abstand d₁ oder davon verschieden sein. Die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 kann auf der zweiten Fläche der dielektrischen Schicht 6 bereitgestellt sein. Die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 kann koplanar mit der zweiten Schaltungsuntereinheit 4 sein. In Draufsicht von der ersten Richtung kann die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 in einem Randbereich des Leiterplattensubstrats 1e angeordnet sein.
Die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 ist derart ausgelegt, dass die Kopplung von elektromagnetischem Rauschen von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 zu der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11 schwächer ist als die Kopplung von elektromagnetischem Rauschen von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 zu der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15. Durch geeignetes Bestimmen von z. B. der Länge L₂ und der Breite w₂ der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15, der Länge L₄ und der Breite w₄ der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11, der Position der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 im Verhältnis zu der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10, der Position der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11 im Verhältnis zu der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und der Positionen der ersten leitfähigen Durchkontaktierung 20, der vierten leitfähigen Durchkontaktierungen 25 und der fünften leitfähigen Durchkontaktierung 26 kann die Kopplung von elektromagnetischem Rauschen von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 zu der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11 schwächer ausgeführt werden als die Kopplung von elektromagnetischem Rauschen von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 zu der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15.
In Draufsicht von der ersten Richtung kann die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 eine andere oder die gleiche Form wie die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 aufweisen. In Draufsicht von der ersten Richtung kann die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 eine andere oder die gleiche Fläche wie die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 aufweisen. In Draufsicht von der ersten Richtung kann sich ein vierter Außenumfang der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11 bezüglich ihrer Position mit dem ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 decken oder nicht.
Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 ist zwischen der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11 angeordnet. Insbesondere kann sich die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 unmittelbar zwischen der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11 in der ersten Richtung befinden. Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 kann in die dielektrische Schicht 6 eingebettet sein. Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 kann an einem Zwischenabschnitt der dielektrischen Schicht 6 in der ersten Richtung angeordnet sein.
In Bezug auf 13 deckt sich in Draufsicht von der ersten Richtung die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 bezüglich ihrer Position mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11. In Draufsicht von der ersten Richtung ist der zweite Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und durch den vierten Außenumfang der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11 umgeben. In Draufsicht von der ersten Richtung ist die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 von der Schaltungseinheit 2 in einem Abstand von d₂ beabstandet. Der Abstand d₂ kann größer sein als der Abstand d₁ und der Abstand d₄ . Die Länge L₂ der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 in der Längsrichtung kann kürzer sein als die Länge L₁ der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 in der Längsrichtung und als die Länge L₄ der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11 in der Längsrichtung. Die Breite w₂ der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 kann schmaler sein als die Breite w₁ der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und als die Breite w₄ der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11.
In Draufsicht von der ersten Richtung kann die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 eine andere Form aufweisen als jede von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11. In Draufsicht von der ersten Richtung kann die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 flächenmäßig kleiner sein als jede von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11.
Eine Vielzahl von vierten leitfähigen Durchkontaktierungen 25 verbindet die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 und die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 miteinander. Eine Vielzahl von vierten leitfähigen Durchkontaktierungen 25 ist von der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 und der Schaltungseinheit 2 beabstandet. Eine Vielzahl von vierten leitfähigen Durchkontaktierungen 25 kann einen ersten Randkantenabschnitt der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und einen zweiten Randkantenabschnitt der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11 miteinander verbinden. Eine Vielzahl von vierten leitfähigen Durchkontaktierungen 25 kann derart ausgebildet sein, dass sie durch die dielektrische Schicht 6 verläuft. In Draufsicht von der ersten Richtung kann eine Vielzahl von vierten leitfähigen Durchkontaktierungen 25 die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 umgeben. Eine Vielzahl von vierten leitfähigen Durchkontaktierungen 25 kann ferner die fünfte leitfähige Durchkontaktierung 26 umgeben.
Die fünfte leitfähige Durchkontaktierung 26 verbindet die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 miteinander. In Draufsicht von der ersten Richtung kann sich die fünfte leitfähige Durchkontaktierung 26 bezüglich ihrer Position mit der ersten leitfähigen Durchkontaktierung 20 decken. Die fünfte leitfähige Durchkontaktierung 26 kann in die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 integriert sein.
Das Leiterplattensubstrat 1e in der vorliegenden Ausführungsform bringt die folgenden vorteilhaften Wirkungen neben den vorteilhaften Wirkungen des Leiterplattensubstrats 1 in Ausführungsform 1 mit sich.
Das Leiterplattensubstrat 1e in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ferner die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 und eine Vielzahl von vierten leitfähigen Durchkontaktierungen 25. Die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 ist von der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 in der ersten Richtung beabstandet, sodass sie der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 gegenüberliegt. Eine Vielzahl von vierten leitfähigen Durchkontaktierungen 25 verbindet die Hauptgehäusemasseverbindung 10 und die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 miteinander. Die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 ist zwischen der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11 angeordnet. In Draufsicht von der ersten Richtung ist der zweite Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und durch den vierten Außenumfang der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11 umgeben. In Draufsicht von der ersten Richtung umgibt eine Vielzahl von vierten leitfähigen Durchkontaktierungen 25 die erste Nebengehäusemasseverbindung 15.
In dem Leiterplattensubstrat 1e in der vorliegenden Ausführungsform ist in Draufsicht von der ersten Richtung der zweite Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und durch den vierten Außenumfang der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11 umgeben. In Draufsicht von der ersten Richtung umgibt eine Vielzahl von vierten leitfähigen Durchkontaktierungen 25 die erste Nebengehäusemasseverbindung 15. Dementsprechend kann elektromagnetisches Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 gekoppelt wird, durch die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 und die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 blockiert werden. Gemäß dem Leiterplattensubstrat 1e in der vorliegenden Ausführungsform kann ein elektromagnetisches Rauschen, das an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird, weiter verringert werden. Das Leiterplattensubstrat 1e in der vorliegenden Ausführungsform kann zuverlässiger verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
In dem Leiterplattensubstrat 1e in der vorliegenden Ausführungsform ist in Draufsicht von der ersten Richtung der zweite Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung 15 durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und durch den vierten Außenumfang der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung 11 umgeben. Die Schaltungseinheit 2, die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10, die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 können kompakt angeordnet sein. Das Leiterplattensubstrat 1e in der vorliegenden Ausführungsform kann verkleinert sein.
Das Leiterplattensubstrat 1e in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ferner die fünfte leitfähige Durchkontaktierung 26. Die fünfte leitfähige Durchkontaktierung 26 verbindet die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 und die zweite Hauptgehäusemasseverbindung 11 miteinander. Die fünfte leitfähige Durchkontaktierung 26 kann die Frequenz von elektromagnetischen Rauschen verändern, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 gekoppelt wird. Gemäß dem Leiterplattensubstrat 1e in der vorliegenden Ausführungsform kann die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 gekoppelt wird, angepasst werden und kann ein elektromagnetisches Rauschen, das an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird, weiter verringert werden. Das Leiterplattensubstrat 1e in der vorliegenden Ausführungsform kann zuverlässiger verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
Ausführungsform 7.
In Bezug auf 14 wird ein Leiterplattensubstrat 1f gemäß Ausführungsform 7 beschrieben. Das Leiterplattensubstrat 1f in der vorliegenden Ausführungsform weist eine ähnliche Konfiguration wie das Leiterplattensubstrat 1 in Ausführungsform 1 auf, unterscheidet sich von Letzterem jedoch hauptsächlich in den folgenden Punkten.
Das Leiterplattensubstrat 1f in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ferner eine erste elektronische Komponente 30. Bei der ersten elektronischen Komponente 30 kann es sich u. a. beispielsweise um einen Ableiter handeln.
In dem Leiterplattensubstrat 1f in der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 mit der ersten leitfähigen Durchkontaktierung 20 durch die erste elektronische Komponente 30 verbunden. Insbesondere isoliert ein Isolierabschnitt 28 die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 elektrisch von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10. Der Isolierabschnitt 28 kann z. B. durch Luft oder einen Isolator ausgebildet sein. Die erste elektronische Komponente 30 ist derart angeordnet, dass sie den Isolierabschnitt 28 überspannt. Die erste elektronische Komponente 30 verbindet die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 elektrisch mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10.
Weiterhin ist die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 mit einem leitfähige Abschnitt 27 verbunden. Der leitfähige Abschnitt 27 kann aus dem gleichen Material hergestellt sein wie die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10, wie z. B. Kupfer oder Aluminium. Der Isolierabschnitt 28 isoliert die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 und den leitfähigen Abschnitt 27 elektrisch von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10. Die erste elektronische Komponente 30 ist derart angeordnet, dass sie den Isolierabschnitt 28 überspannt. Die erste elektronische Komponente 30 kann die erste leitfähige Durchkontaktierung 20 und den leitfähigen Abschnitt 27 elektrisch mit der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 verbinden.
Das Leiterplattensubstrat 1f in der vorliegenden Ausführungsform bringt die folgenden vorteilhaften Wirkungen neben den vorteilhaften Wirkungen des Leiterplattensubstrats 1 in Ausführungsform 1 mit sich.
Das Leiterplattensubstrat 1f in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ferner die erste elektronische Komponente 30. Die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 ist mit der ersten leitfähigen Durchkontaktierung 20 durch die erste elektronische Komponente 30 verbunden. Durch die erste elektronische Komponente 30 kann die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 gekoppelt (bevorzugt resonanzgekoppelt) wird, anders sein als die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 in Ausführungsform 1 gekoppelt (bevorzugt resonanzgekoppelt) wird. Gemäß dem Leiterplattensubstrat 1f in der vorliegenden Ausführungsform kann die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 gekoppelt wird, angepasst werden und kann ein elektromagnetisches Rauschen, das an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird, weiter verringert werden. Das Leiterplattensubstrat 1f in der vorliegenden Ausführungsform kann zuverlässiger verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
Das Leiterplattensubstrat 1f in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ferner die erste elektronische Komponente 30. Die erste elektronische Komponente 30 kann die elektrische Funktion des Leiterplattensubstrats 1f in der vorliegenden Ausführungsform verändern. Das Leiterplattensubstrat 1f in der vorliegenden Ausführungsform weist eine andere elektrische Funktion als das Leiterplattensubstrat 1 in Ausführungsform 1 auf.
Ausführungsform 8
In Bezug auf 15 wird ein Leiterplattensubstrat 1g gemäß Ausführungsform 8 beschrieben. Das Leiterplattensubstrat 1g in der vorliegenden Ausführungsform weist eine ähnliche Konfiguration wie das Leiterplattensubstrat 1 in Ausführungsform 1 auf, unterscheidet sich von Letzterem jedoch hauptsächlich in den folgenden Punkten.
Das Leiterplattensubstrat 1g in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ferner zweite elektronische Komponenten 32, 33. Bei den zweiten elektronischen Komponenten 32, 33 kann es sich jeweils u. a. beispielsweise um einen Varistor oder einen Ableiter handeln. Die zweite elektronische Komponente 33 kann gleich der zweiten elektronischen Komponente 32 oder davon verschieden sein.
In dem Leiterplattensubstrat 1g in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 einen ersten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 41, einen zweiten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 42 und einen dritten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 43. Der erste Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 41 ist mit dem Gehäuse 9 elektrisch verbunden. Der zweite Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 42 ist von dem ersten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 41 beabstandet. Der dritte Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 43 ist von dem zweiten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 42 beabstandet. Der dritte Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 43 ist mit dem stabilen elektrischen Potenzial 12 elektrisch verbunden.
Der erste Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 41 ist mit dem zweiten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 42 durch die zweite elektronische Komponente 32 verbunden. Die zweite elektronische Komponente 32 kann zwischen einem Ende (dem Ende auf der Seite des Gehäuses 9) der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 und dem Abschnitt der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10, der mit der ersten leitfähigen Durchkontaktierung 20 verbunden ist, angeordnet sein.
Der zweite Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 42 ist mit dem dritten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 43 durch die zweite elektronische Komponente 33 verbunden. Die zweite elektronische Komponente 33 kann zwischen dem Abschnitt der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10, der mit der ersten leitfähigen Durchkontaktierung 20 verbunden ist, und dem anderen Ende (dem Ende auf der Seite des stabilen elektrischen Potenzials 12) der ersten Hauptgehäusemasseverbindung 10 angeordnet sein.
Das Leiterplattensubstrat 1g in der vorliegenden Ausführungsform bringt die folgenden vorteilhaften Wirkungen neben den vorteilhaften Wirkungen des Leiterplattensubstrats 1 in Ausführungsform 1 mit sich.
Das Leiterplattensubstrat 1g in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ferner die zweite elektronische Komponente 32 (zweite elektronische Komponente 33). Die erste Hauptgehäusemasseverbindung 10 beinhaltet den ersten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 41 (zweiten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 42) und beinhaltet den zweiten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 42 (dritten Hauptgehäusemasseverbindungsab schnitt 43), der von dem ersten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 41 (zweiten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 42) beabstandet ist. Der erste Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 41 (zweite Hauptgehäusemasseverbindungsab schnitt 42) ist mit dem zweiten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 42 (dritten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt 43) durch die zweite elektronische Komponente 32 (zweite elektronische Komponente 33) verbunden.
Durch die zweite elektronische Komponente 32 (zweite elektronische Komponente 33) kann die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 gekoppelt (bevorzugt resonanzgekoppelt) wird, anders sein als die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 in Ausführungsform 1 gekoppelt (bevorzugt resonanzgekoppelt) wird. Gemäß dem Leiterplattensubstrat 1g in der vorliegenden Ausführungsform kann die Frequenz von elektromagnetischem Rauschen, das an die erste Nebengehäusemasseverbindung 15 gekoppelt wird, angepasst werden und kann ein elektromagnetisches Rauschen, das an die Schaltungseinheit 2 räumlich gekoppelt wird, weiter verringert werden. Das Leiterplattensubstrat 1g in der vorliegenden Ausführungsform kann zuverlässiger verhindern, dass die Schaltungseinheit 2 eine Fehlfunktion aufweist.
Das Leiterplattensubstrat 1g in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ferner zweite elektronische Komponenten 32, 33. Die zweiten elektronischen Komponenten 32, 33 können die elektrische Funktion des Leiterplattensubstrats 1g in der vorliegenden Ausführungsform verändern. Das Leiterplattensubstrat 1g in der vorliegenden Ausführungsform weist eine andere elektrische Funktion als das Leiterplattensubstrat 1 in Ausführungsform 1 auf.
Es versteht sich, dass die hier offenbarten Ausführungsformen 1 bis 8 in jeder Hinsicht veranschaulichend und nicht einschränkend sind. Mindestens zwei der hier offenbarten Ausführungsformen 1 bis 8 lassen sich, sofern kompatibel, kombinieren. Der Umfang der vorliegenden Erfindung ist nicht durch die vorstehende Beschreibung, sondern durch den Inhalt der Ansprüche definiert und soll eine jede Modifikation einschließen, die dem Sinne und Umfang nach zu dem Inhalt der Ansprüche äquivalent ist.
Bezugszeichenliste

1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f, 1g:: Leiterplattensubstrat;
2:: Schaltungseinheit;
3:: erste Schaltungsuntereinheit;
4:: zweite Schaltungsuntereinheit;
6:: dielektrische Schicht;
8:: externe Schnittstelle;
9:: Gehäuse;
10:: erste Hauptgehäusemasseverbindung;
11:: zweite Hauptgehäusemasseverbindung;
12:: stabiles elektrisches Potenzial;
15, 15a, 15c, 15d:: erste Nebengehäusemasseverbindung;
16, 16c:: zweite Nebengehäusemasseverbindung;
20:: erste leitfähige Durchkontaktierung;
21:: zweite leitfähige Durchkontaktierung;
22, 22c:: dritte leitfähige Durchkontaktierung;
25:: vierte leitfähige Durchkontaktierung;
26:: fünfte leitfähige Durchkontaktierung;
27:: leitfähiger Abschnitt;
28:: Isolierabschnitt;
30:: erste elektronische Komponente;
32, 33:: zweite elektronische Komponente;
41:: erster Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt;
42:: zweiter Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt;
43:: dritter Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

JP 201050298 A [0003]

Claims

Leiterplattensubstrat, umfassend: - eine externe Schnittstelle; - ein Gehäuse, das die externe Schnittstelle enthält; - eine Schaltungseinheit, die mit der externen Schnittstelle elektrisch verbunden ist; - eine erste Hauptgehäusemasseverbindung, die mit dem Gehäuse elektrisch verbunden ist; - eine erste Nebengehäusemasseverbindung, die von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung in einer ersten Richtung beabstandet ist, sodass sie der ersten Hauptgehäusemasseverbindung gegenüberliegt; und - eine erste leitfähige Durchkontaktierung, welche die erste Hauptgehäusemasseverbindung und die erste Nebengehäusemasseverbindung miteinander verbindet, wobei die Schaltungseinheit von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung, der ersten Nebengehäusemasseverbindung und der ersten leitfähigen Durchkontaktierung in einer zweiten Richtung, welche die erste Richtung kreuzt, beabstandet ist, wobei in Draufsicht von der ersten Richtung ein zweiter Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung durch einen ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung umgeben ist.
Leiterplattensubstrat nach Anspruch 1, wobei die erste Nebengehäusemasseverbindung derart ausgelegt ist, dass ein elektromagnetisches Rauschen, das sich über die erste Hauptgehäusemasseverbindung ausbreitet, an die erste Nebengehäusemasseverbindung resonanzgekoppelt wird.
Leiterplattensubstrat nach Anspruch 1 oder 2, ferner umfassend eine zweite leitfähige Durchkontaktierung, welche die erste Hauptgehäusemasseverbindung und die erste Nebengehäusemasseverbindung miteinander verbindet.
Leiterplattensubstrat nach Anspruch 1 oder 2, ferner umfassend: - eine zweite Nebengehäusemasseverbindung, die von der ersten Nebengehäusemasseverbindung in der ersten Richtung beabstandet ist, sodass sie der ersten Nebengehäusemasseverbindung gegenüberliegt; und - eine dritte leitfähige Durchkontaktierung, welche die erste Nebengehäusemasseverbindung und die zweite Nebengehäusemasseverbindung miteinander verbindet, wobei die erste Nebengehäusemasseverbindung zwischen der ersten Hauptgehäusemasseverbindung und der zweiten Nebengehäusemasseverbindung angeordnet ist, wobei in der Draufsicht von der ersten Richtung ein dritter Außenumfang der zweiten Nebengehäusemasseverbindung durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung umgeben ist.
Leiterplattensubstrat nach Anspruch 1 oder 2, ferner umfassend: - eine zweite Nebengehäusemasseverbindung, die von der ersten Hauptgehäusemasseverbindung in der ersten Richtung beabstandet ist, sodass sie der ersten Hauptgehäusemasseverbindung gegenüberliegt; und eine dritte leitfähige Durchkontaktierung, welche die erste Hauptgehäusemasseverbindung und die zweite Nebengehäusemasseverbindung miteinander verbindet, wobei die zweite Nebengehäusemasseverbindung von der ersten Nebengehäusemasseverbindung in einer dritten Richtung, welche die erste Richtung und die zweite Richtung kreuzt, beabstandet ist, wobei in der Draufsicht von der ersten Richtung ein dritter Außenumfang der zweiten Nebengehäusemasseverbindung durch den ersten Außenumfang der ersten Hauptgehäusemasseverbindung umgeben ist.
Leiterplattensubstrat nach Anspruch 4 oder 5, wobei in der Draufsicht von der ersten Richtung die zweite Nebengehäusemasseverbindung eine andere Form als die erste Nebengehäusemasseverbindung aufweist.
Leiterplattensubstrat nach Anspruch 1 oder 2, ferner umfassend: - eine zweite Hauptgehäusemasseverbindung, die von der ersten Nebengehäusemasseverbindung in der ersten Richtung beabstandet ist, sodass sie der ersten Nebengehäusemasseverbindung gegenüberliegt; und - eine Vielzahl von vierten leitfähigen Durchkontaktierungen, welche die erste Hauptgehäusemasseverbindung und die zweite Hauptgehäusemasseverbindung miteinander verbindet, wobei die erste Nebengehäusemasseverbindung zwischen der ersten Hauptgehäusemasseverbindung und der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung angeordnet ist, wobei in der Draufsicht von der ersten Richtung der zweite Außenumfang der ersten Nebengehäusemasseverbindung durch einen vierten Außenumfang der zweiten Hauptgehäusemasseverbindung umgeben ist, wobei in der Draufsicht von der ersten Richtung die Vielzahl von vierten leitfähigen Durchkontaktierungen die erste Nebengehäusemasseverbindung umgibt.
Leiterplattensubstrat nach Anspruch 7, ferner umfassend eine fünfte leitfähige Durchkontaktierung, welche die erste Nebengehäusemasseverbindung und die zweite Hauptgehäusemasseverbindung miteinander verbindet.
Leiterplattensubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die erste Nebengehäusemasseverbindung eine gewundene Form aufweist.
Leiterplattensubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 9, ferner umfassend eine erste elektronische Komponente, wobei die erste Hauptgehäusemasseverbindung mit der ersten leitfähigen Durchkontaktierung durch die erste elektronische Komponente verbunden ist.
Leiterplattensubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 10, ferner umfassend eine zweite elektronische Komponente, wobei die erste Hauptgehäusemasseverbindung Folgendes beinhaltet: - einen ersten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt; und - einen zweiten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt, der von dem ersten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt beabstandet ist, wobei der erste Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt mit dem zweiten Hauptgehäusemasseverbindungsabschnitt durch die zweite elektronische Komponente verbunden ist.