DE112009000842T5 - Verbessertes Relais der Form C und Baustein unter Verwendung desselben - Google Patents
Verbessertes Relais der Form C und Baustein unter Verwendung desselben Download PDFInfo
- Publication number
- DE112009000842T5 DE112009000842T5 DE112009000842T DE112009000842T DE112009000842T5 DE 112009000842 T5 DE112009000842 T5 DE 112009000842T5 DE 112009000842 T DE112009000842 T DE 112009000842T DE 112009000842 T DE112009000842 T DE 112009000842T DE 112009000842 T5 DE112009000842 T5 DE 112009000842T5
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- reed switch
- reed
- signal
- ground
- signal output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 claims abstract description 174
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 241000530268 Lycaena heteronea Species 0.000 description 1
- 240000008950 Neyraudia reynaudiana Species 0.000 description 1
- 244000089486 Phragmites australis subsp australis Species 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000002105 tongue Anatomy 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/64—Protective enclosures, baffle plates, or screens for contacts
- H01H1/66—Contacts sealed in an evacuated or gas-filled envelope, e.g. magnetic dry-reed contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H51/00—Electromagnetic relays
- H01H51/28—Relays having both armature and contacts within a sealed casing outside which the operating coil is located, e.g. contact carried by a magnetic leaf spring or reed
- H01H51/281—Mounting of the relay; Encapsulating; Details of connections
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
Reed-Relais-Vorrichtung mit:
einem Trägersubstrat mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite;
einem ersten Reed-Schalter mit einem Hauptkörper mit einem Signaleingang und einem Signalausgang;
einem zweiten Reed-Schalter mit einem Hauptkörper mit einem Signaleingang und einem Signalausgang;
einer ersten Masseabschirmung, die den Hauptkörper des ersten Reed-Schalters umgibt;
einer zweiten Masseabschirmung, die den Hauptkörper des zweiten Reed-Schalters umgibt;
einer Vielzahl von Masseanschlüssen auf der ersten Seite des Trägersubstrats, die mit der ersten Masseabschirmung verbunden sind;
einer Vielzahl von Masseanschlüssen auf der ersten Seite des Trägersubstrats, die mit der zweiten Masseabschirmung verbunden sind;
einem ersten Signalkontaktloch, das durch das Substrat geleitet ist und mit dem Signalausgang des ersten Reed-Schalters verbunden ist;
einem zweiten Signalkontaktloch, das durch das Substrat geleitet ist und mit dem Signalausgang des zweiten Reed-Schalters verbunden ist;
einer ersten Vielzahl von Massekontaktlöchern, die durch das Substrat geleitet sind und mit der...
einem Trägersubstrat mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite;
einem ersten Reed-Schalter mit einem Hauptkörper mit einem Signaleingang und einem Signalausgang;
einem zweiten Reed-Schalter mit einem Hauptkörper mit einem Signaleingang und einem Signalausgang;
einer ersten Masseabschirmung, die den Hauptkörper des ersten Reed-Schalters umgibt;
einer zweiten Masseabschirmung, die den Hauptkörper des zweiten Reed-Schalters umgibt;
einer Vielzahl von Masseanschlüssen auf der ersten Seite des Trägersubstrats, die mit der ersten Masseabschirmung verbunden sind;
einer Vielzahl von Masseanschlüssen auf der ersten Seite des Trägersubstrats, die mit der zweiten Masseabschirmung verbunden sind;
einem ersten Signalkontaktloch, das durch das Substrat geleitet ist und mit dem Signalausgang des ersten Reed-Schalters verbunden ist;
einem zweiten Signalkontaktloch, das durch das Substrat geleitet ist und mit dem Signalausgang des zweiten Reed-Schalters verbunden ist;
einer ersten Vielzahl von Massekontaktlöchern, die durch das Substrat geleitet sind und mit der...
Description
- RÜCKVERWEISUNG AUF VERWANDTE ANMELDUNG
- Diese Anmeldung bezieht sich auf und beansprucht die Priorität von der früher eingereichten vorläufigen Patentanmeldung Seriennr. 61/045 174, eingereicht am 15. April 2008, deren gesamter Inhalt durch den Hinweis hierin aufgenommen wird.
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen Schaltvorrichtungen. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine verbesserte Einkapselungs- und Schaltungsintegration für elektromagnetische Vorrichtungen, wie z. B. Reed-Schalter und elektromagnetische Vorrichtungen wie z. B. Reed-Relais.
- Elektromagnetische Relais waren in der Elektronikindustrie für viele Jahre bekannt. Solche elektromagnetischen Relais umfassen das Reed-Relais, das einen Reed-Schalter beinhaltet. Ein Reed-Schalter ist typischerweise eine magnetisch aktivierte Vorrichtung, die typischerweise zwei flache Kontaktzungen umfasst, die in einer hermetisch abgedichteten Glasröhre vereinigt sind, die mit einem Schutzinertgas oder Vakuum gefüllt ist. Der Schalter wird durch ein extern erzeugtes Magnetfeld entweder von einer Spule oder von einem Permanentmagneten betätigt. Wenn das externe Magnetfeld aktiviert wird, ziehen sich die überlappenden Kontaktzungenenden gegenseitig an und kommen schließlich in Kontakt, um den Schalter zu schließen. Wenn das Magnetfeld entfernt wird, entmagnetisieren sich die Kontaktzungen und federn zurück, um in ihre Ruhepositionen zurückzukehren, wobei somit der Schalter geöffnet wird. Es ist auch möglich, dass der Schalter keine Glashülle aufweist und nicht durch eine Magnetkraft betätigt wird. Die Hülle kann beispielsweise aus anderen Materialien wie z. B. Kupfer bestehen und kann durch andere Kräfte wie z. B. Zentripetal-, Zentrifugal- und Beschleunigungskräfte betätigt werden.
- Reed-Schalter, die durch eine Magnetspule betätigt werden, sind typischerweise innerhalb eines Spulenkörpers oder eines spulenartigen Elements aufgenommen. Eine Drahtspule ist um die Außenseite des Spulenkörpers gewickelt und mit einer Quelle für elektrischen Strom verbunden. Der durch die Spule fließende Strom erzeugt das gewünschte Magnetfeld, um den Reed-Schalter innerhalb des Spulenkörpergehäuses zu betätigen.
-
1 –3 zeigen weitere Details der Konfiguration einer solchen vorstehend erörterten Reed-Schalter-Vorrichtung des Standes der Technik. Wenn man sich zuerst1 zuwendet, ist eine perspektivische Ansicht einer Reed-Schalter-Konfiguration10 des Standes der Technik gezeigt. Ein bekannter Reed-Schalter11 umfasst vorzugsweise eine Glashülle12 sowie zwei Signalzuleitungen14 , die von entgegengesetzten Enden des Reed-Schalters11 ausgehen, und Spulenanschlusszuleitungen15 . Die Signalzuleitungen sind mit einem Paar von Metallkontakten13 verbunden. Es sollte beachtet werden, dass andere Hüllen wie z. B. Metall in einem Schalter verwendet werden können, der durch andere Kräfte, wie z. B. Zentripetal-, Zentrifugal- und andere Beschleunigungskräfte betätigt wird. Die Konstruktion eines Reed-Schalters11 ist auf dem Fachgebiet so gut bekannt, dass dessen Details nicht erörtert werden müssen. Ein Abschirmungsleiter16 , der üblicherweise aus Messing oder Kupfer besteht, ist in Form einer zylindrischen Hülse vorgesehen, die den Reed-Schalter11 aufnimmt und unterbringt. Der Reed-Schalter11 und die Abschirmung16 sind innerhalb der zentralen Bohrung18 eines Spulenkörpers oder einer Spule20 aufgenommen. Um den Spulenkörper20 ist ein leitender Draht22 gewickelt. Folglich ist eine koaxiale Anordnung gebildet, um die Vorrichtung des Reed-Schalters11 zu schützen und die Impedanz der Umgebung zu steuern und die Gesamtübertragung des Signals zu verbessern. Der Reed-Schalter11 , der Abschirmungsleiter16 und der Spulenkörper20 sind im Allgemeinen als in der Konfiguration zylindrisch gezeigt. Es sollte selbstverständlich sein, dass verschiedene andere Konfigurationen wie z. B. jene mit ovalem Querschnitt verwendet werden können und immer noch innerhalb des Schutzbereichs der vorliegenden Erfindung liegen. - Wie im Stand der Technik verständlich und bekannt sein kann, sind die freien Enden der Drahtspule
22 , der Abschirmung16 und der Signalanschlüsse14 des Reed-Schalters11 mit einer Schaltung elektrisch verbunden, wie erwünscht. Die jeweiligen Komponenten der Konfiguration des Reed-Schalters11 sind mit einer Schaltung durch einen Leiterrahmen oder eine andere elektrische Verbindung (nicht dargestellt) verbunden. Der Leiterrahmen oder die andere elektrische Verbindung führt eine Diskontinuität der gewünschten koaxialen Umgebung ein. - Wie vorstehend beschrieben, muss die gesamte Reed-Schalter-Vorrichtung
10 so konstruiert sein, dass sie leicht innerhalb einer Schaltung eines Benutzers aufgenommen wird. Eine Schaltung, die zum Betrieb bei hoher Frequenz verwendet wird, ist beispielsweise mit einer definierten Umgebung einer charakteristischen Impedanz konstruiert. Das Ziel der Konstruktion und Herstellung einer Reed-Vorrichtung10 mit den Spezifikationen eines Schaltungskunden besteht darin, die gewünschte Impedanz der Vorrichtung10 an die Schaltungsumgebung so eng wie möglich anzupassen. Es ist bevorzugt, dass keine Impedanzdiskontinuität von der Reed-Vorrichtung10 selbst zu einer Leiterplatten-Leiterbahn der Schaltung besteht, die die Vorrichtung10 aufnimmt. Die charakteristische Impedanz Z1 ist im Allgemeinen eine Funktion des Außendurchmessers des Signalleiters14 , des Innendurchmessers der Abschirmung16 und der Dielektrizitätskonstante der Isolierung (nicht dargestellt) zwischen dem Signalleiter14 und der Abschirmung16 . - Eine weitere Modifikation des Reed-Schalter-Bausteins von
1 ist in2 –3 gezeigt. Eine Reed-Schalter-Vorrichtung103 wird so bereitgestellt, dass sie einen äußeren Spulenkörper102 mit einer um ihn gewickelten Spule109 zum Einführen des erforderlichen Magnetfeldes zum Betätigen des Reed-Schalters111 umfasst. Enden des Drahts109 können mit Pfosten, Stiften oder dergleichen (nicht dargestellt) verbunden sein, die mit dem Spulenkörper102 verbunden sind, um eine elektrische Verbindung des Magnetfeldstroms bereitzustellen. Vom Reed-Schalter111 gehen zwei Signalzuleitungen106 aus, die entgegengesetzten Seiten des Reed-Schalters111 entsprechen. Vom Spulenkörper102 gehen auch ein Paar von Abschirmungs- oder Massestreifen108 auf jeder Seite des Spulenkörpers102 aus, die, wie in6 gezeigt, mit den Enden der inneren Abschirmungshülse110 elektrisch verbunden sind. Wie in3 , einer perspektivische Ansicht des Reed-Schalters111 von2 in auseinandergezogener Anordnung, gezeigt, sind diese Massestreifen108 Verlängerungen von der Abschirmungshülse110 selbst auf entgegengesetzten Seiten derselben. - Insbesondere umfasst der Reed-Schalter
111 einen Signalleiter106 innerhalb einer Glaskapsel126 mit einem Inertgas oder Vakuum128 , das ihn umgibt. Um die Glaskapsel126 ist eine Masseabschirmung130 angeordnet, die vorzugsweise eine zylindrische oder röhrenförmige Konfiguration aufweist, kann jedoch einen ovalen Querschnitt aufweisen, um bestimmte Reed-Schalter111 oder mehrere Reed-Schalter in einer Umgebung mit mehreren Kanälen aufzunehmen. Die vorangehende Anordnung ist innerhalb des Spulenkörpers102 aufgenommen, der eine Erregungsspule109 umfasst. - Einige Anwendungen von Reed-Vorrichtungen erfordern, dass der Schalter Signale mit Frequenzen oberhalb 500 MHz überträgt. Es besteht jedoch ein anhaltender Bedarf an Reed-Relais zum Übertragen von immer höheren Frequenzen ohne signifikante Dämpfung der übertragenen Signalleistung. Derzeitige Reed-Relais können bis zum Bereich von 8–10 GHz arbeiten.
- Es besteht jedoch noch ein weiterer Bedarf, diese Betriebsbandbreitenbereiche auf 18 GHz und möglicherweise noch höher zu steigern. Im Allgemeinen besteht ein Bedarf, dass ein Reed-Relais eine sehr hohe HF-Leistung aufweist, wobei der HF-Pfad optimiert ist, um Impedanzdiskontinuitäten über den ganzen Signalpfad zu minimieren und die Stichleitungskapazität zu verringern.
- Im Stand der Technik ist es üblich, dass individuelle Reed-Schalter verwendet werden, um verschiedene Arten von Schaltfunktionen zu bilden, so dass sie in eine Schaltung wie z. B. eine Leiterplatte für eine automatisierte Testausrüstung (ATE) eingebaut werden können. Wie in
4 kann beispielsweise ein Reed-Schalter als Ausschaltvorrichtung50 mit einem einzelnen Pol52 verwendet werden. Dies ist als Konfiguration der ”Form A” bekannt. Eine Schaltumgebung der Form C ist auch möglich, wie in5 gezeigt, wobei ein einzelner Schalter54 zu zwei verschiedenen Polen56 ,58 umschalten kann. Es kann verständlich sein, dass ein solches mehrpoliges Umschalten Komplexität zur Vorrichtung mit höheren Kosten hinzufügt. Um dies anzugehen, werden im Stand der Technik üblicherweise Konfigurationen der ”Pseudo”-Form C verwendet, um das Schalten zu vereinfachen und die Verwendung von individuellen Reed-Schalter-Vorrichtungen zu ermöglichen, die leicht mit relativ niedrigen Kosten erhältlich sind. Eine solche Schaltkonfiguration der ”Pseudo”-Form C ist in der in6 zu sehenden Schaltanordnung60 gezeigt. Zwei Schalter62 ,64 der Form A werden mit einer Brücke66 verwendet, um diese Konfiguration zu erreichen. Wie verständlich sein kann, kann mit der geeigneten Verbindung, die aus den Zuleitungen der Schalter und Leiterbahnen auf einer Leiterplatte besteht, die geeignete Schaltfähigkeit in eine Schaltung auf einer Leiterplatte wie z. B. in einer automatisierten Testausrüstung (ATE) integriert werden. - Wie auf dem Fachgebiet gut bekannt ist, führt jedoch dies zu einer langen, ungeschützten und angreifbaren Verbindung zwischen den Anschlüssen der Reed-Schalter und der Leiterplatte, die üblicherweise ”Stichleitungsverbindung” genannt wird. Infolge dieser langen, ungeschützten Stichleitungsverbindung ist eine signifikante parasitäre Kapazität C zur Masse vorhanden. Diese wird ”Stichleitungskapazität” genannt und wirkt zum Belasten des Hochfrequenzpfades, was folglich die Frequenz der Schaltung auf einen Wert im Bereich von beispielsweise etwa 5,0 GHz begrenzt. Um sehr schnelle Prüflinge (DUT) korrekt zu testen, wie z. B. Mikroprozessoren mit hoher Geschwindigkeit, muss jedoch die Frequenz der Testschaltung den Bereich von 7 GHz und noch höher, wie z. B. 18 GHz und darüber, erreichen. Leider umfassen Reed-Schalter-Vorrichtungskonfigurationen des Standes der Technik eine Stichleitungsverbindung auf der Leiterplatte, die die Vorrichtung im Wesentlichen unfähig macht, Vorrichtungen mit hoher Geschwindigkeit zu testen.
- Die vorangehenden Mängel im Stand der Technik können nach dem Betrachten einer tatsächlichen Schaltung, in die eine solche Anordnung von Reed-Schaltern der Form C oder ”Pseudo”-Form C integriert ist, leicht verstanden werden.
7 und8 stellen eine solche Beispielschaltungsumgebung dar. Die Schaltung300 ist eine, die üblicherweise in einer ATE (automatisierten Testausrüstung) für den Zweck des Testens von Schaltungsvorrichtungen, die im Allgemeinen als313 bezeichnet sind, und dergleichen verwendet wird. Diese Schaltung300 legt eine Vorrichtung mit drei Anschlüssen dar, die in Abhängigkeit von der Anwendung in Reihe, Ende an Ende ”stapelbar” sein kann. Eine Vorrichtung306 mit drei Anschlüssen mit einem ersten Reed-Schalter302 und einem zweiten Reed-Schalter304 ist in7 gezeigt, wie im Allgemeinen mit den gestrichelten Linien angegeben. Die erste Reed-Schalter-Vorrichtung302 stellt beispielsweise eine Verbindung für ein Wechselspannungssignal mit hoher Frequenz bereit, während der zweite Reed-Schalter304 eine Verbindung für ein Gleichspannungssignal oder ein Wechselspannungssignal mit niedriger Frequenz bereitstellt. - Insbesondere ist ein Signalgenerator
308 mit dem ersten Anschluss310 des ersten Reed-Schalters302 verbunden. Ein zweiter Reed-Schalter304 ist mit einem ersten Anschluss312 und einem zweiten Anschluss314 versehen. Ein zweiter Anschluss316 des ersten Reed-Schalters302 ist mit dem zweiten Anschluss314 des zweiten Reed-Schalters304 am Knoten318 verbunden. Dieser Knoten318 wird zum Ausgangsanschluss326 zur Vorrichtung306 . Ein zweites Paar von Reed-Schaltern320 ,322 wird verwendet, um den Reiz vom Prüfling (DUT)313 zu empfangen. Ein Empfänger317 empfängt das Ausgangssignal vom zweiten Paar von Reed-Schaltern320 ,322 . Die serielle Art des Paars von Schaltern ermöglicht, dass eine Schaltung mit einer Anzahl von verschiedenen Testoperationen für eine unterschiedliche Anzahl von DUTs konstruiert wird, die unabhängig auswählbar und isolierbar sind.8 stellt ein figürliches Diagramm von einem des Paars von Reed-Relais dar, die den Schaltplan von7 ausführen. - Um diese Schaltung auszuführen, sind zwei individuelle Reed-Schalter mit einer Leiterplatte (nicht dargestellt) mit der geeigneten Verbindung
324 verbunden, die aus den Zuleitungen der Schalter und der Leiterbahn auf der Leiterplatte dazwischen besteht. Dies führt zu einer langen, ungeschützten und angreifbaren Verbindung zwischen den Anschlüssen der Reed-Schalter und der Leiterplatte, die üblicherweise ”Stichleitungsverbindung” genannt wird. Infolge dieser langen, ungeschützten Stichleitungsverbindung324 ist eine signifikante parasitäre Kapazität C zur Masse vorhanden. Diese wird ”Stichleitungskapazität” genannt und wirkt zur Belastung des Hochfrequenzpfades, was folglich die Frequenz der Schaltung auf einen Wert im Bereich von beispielsweise etwa 5,0 GHz begrenzt. Um sehr schnelle Prüflinge (DUT) wie z. B. Mikroprozessoren mit hoher Geschwindigkeit korrekt zu testen, muss jedoch die Frequenz der Testschaltung den Bereich von 7 GHz und höher, wie z. B. 18 GHz, in der Zukunft erreichen. Mit einer Montage der Reed-Schalter302 ,304 des Standes der Technik und der Stichleitungsverbindung324 auf der Leiterplatte ist daher diese Schaltungsanordnung300 außerstande, Vorrichtungen mit hoher Geschwindigkeit zu testen. Der Schutz dieser Stichleitungsverbindung ist ein Beispiel von vielen verschiedenen Weisen zur Verwendung der vorliegenden Erfindung. - Eine weitere Sorge in der Industrie betrifft den Impedanzabgleich des Schalters mit der Schaltung, in der er installiert wird. Derzeit erhältliche Reed-Vorrichtungen werden von Benutzern in eine gegebene Schaltungsumgebung eingebaut. Für die Anwendung bei höheren Frequenzen, wie z. B. im Bereich von 18 GHz und höher, wie auf dem Fachgebiet gut bekannt ist, ist ein Reed-Schalter idealerweise so konfiguriert, dass er den gewünschten Impedanzanforderungen der Schaltung so eng wie möglich entspricht, wie z. B. 50 Ohm, in der er installiert ist.
- Um diese Impedanzabgleichbedürfnisse anzugehen, ist innerhalb einer Schaltungsumgebung eine koaxiale Anordnung in der ganzen Umgebung bevorzugt, um die Schaltungsintegrität und die gewünschte abgeglichene Impedanz aufrechtzuerhalten. Wie vorstehend angegeben, umfasst der Körper eines Reed-Schalters die erforderliche koaxiale Umgebung. Außerdem umfasst die Signalleiterbahn auf der Leiterplatte des Benutzers üblicherweise einen ”geerdeten koplanaren Wellenleiter”, wobei zwei Massezuleitungen sich auf entgegengesetzten Seiten der Signalzuleitung und in derselben Ebene befinden, oder einen ”Streifenleiter”, wobei sich eine Masseebene unter der Ebene des Signalleiters befindet. Diese Techniken schaffen zweckmäßig verwendet eine Übertragungsleitung mit gesteuerter Impedanz, die zum Aufrechterhalten der gewünschten Impedanz für eine korrekte Schaltungsfunktion annehmbar ist.
- Dies liegt beispielsweise an der Tatsache, dass der Reed-Schalter selbst physikalisch gepackt und elektrisch mit einer Leiterplatte verbunden werden muss, die eine gegebene Schaltungskonfiguration trägt. Es ist üblich, die Abschirmungs- und Signalanschlüsse an einer Leiterrahmenarchitektur abzuschließen und die ganze Anordnung in einem dielektrischen Material wie Kunststoff für eine leichte Herstellung und Einkapselung einzuschließen. Diese Zuleitungen können in einer L-förmig abgewinkelten oder ”J”-Form für Oberflächenmontagefähigkeit ausgebildet sein. Die Signalzuleitungen oder -anschlüsse treten aus dem Reed-Schalter-Körper und in die Luft aus, um die elektrische Verbindung mit der Leiterplatte herzustellen. Dieser Übergang der Signalzuleitungen vom Kunststoffdielektrikum zur Luft erzeugt eine unerwünschte Diskontinuität der koaxialen Schutzumgebung, die innerhalb des Körpers des Schalters selbst zu finden ist. Eine solche Diskontinuität erzeugt eine Ungenauigkeit und Unsicherheit in der Impedanz der Reed-Schalter-Vorrichtung.
- Folglich müssen Schaltungsentwickler dieses Problem durch spezifisches Konstruieren ihrer Schaltungen kompensieren, um sich auf die innewohnenden Probleme einzustellen und diese vorherzusehen, die mit der Diskontinuität der koaxialen Schutzumgebung und der Verschlechterung der Nennimpedanz der Reed-Schalter-Vorrichtung verbunden sind. Die Schaltung kann beispielsweise abgestimmt werden, um die Diskontinuität zu kompensieren, indem eine parasitäre Induktivität und Kapazität hinzugefügt werden. Dieses Verfahren zur Diskontinuitätskompensation ist nicht bevorzugt, da es den Konstruktionsprozess kompliziert macht und verlangsamt und die Integrität der Schaltung verschlechtern kann. Dies ist bei Schaltungsumgebungen mit sehr hoher Frequenz besonders problematisch, wie z. B. jenen, die mit 18 GHz und höher arbeiten.
- Solche Abstimmkompensationsschemen funktionieren jedoch nur über einen relativ schmalen Frequenzbereich. Es besteht ein Bedarf, die Notwendigkeit zur Abstimmung der Schaltung zu verringern, wie vorstehend beschrieben. Der Stand der Technik verwendet eine Struktur von sorgfältig konstruierten Kontaktlöchern, die aufwändig und schwierig herzustellen sind, um die Impedanz des Übergangs vom Relais zur Platte zu steuern.
- Angesichts des Vorangehenden besteht ein Bedarf an einer Reed-Schalter-Vorrichtung, die die parasitäre Stichleitungskapazität verringern kann, um Signale mit höherer Frequenz zu erreichen, wie z. B. jene im Bereich von 18 GHz und höher. Es besteht ein weiterer Bedarf, die HF-Leistung in einer solchen Reed-Schalter-Vorrichtungsumgebung zu erhöhen. Es besteht auch ein Bedarf an einer Reed-Schalter-Vorrichtung, die eine Umgebung mit gesteuerter Impedanz durch den ganzen Körper des Bausteins zur Verbindung mit einer Schaltung umfasst. Es besteht ein spezieller Bedarf, dass eine Reed-Schalter-Vorrichtung für die Installation in kleinen Räumen und für eine Leiterplattenstapelung kompakt ist und ein niedriges Profil aufweist. Es besteht ein weiterer Bedarf an Reed-Schalter-Vorrichtungen, die eine Oberflächenmontage-Konfiguration aufweisen, um die hohe Frequenz der Leistung des Systems zu optimieren. Ferner besteht ein Bedarf an einer Reed-Schalter-Vorrichtung, die die Notwendigkeit, eine Schaltung abzustimmen, um eine Umgebung mit ungesteuerter Impedanz zu kompensieren, verringern kann. Es besteht auch ein Bedarf an einer Reed-Schalter-Vorrichtung, die eine kleine Grundfläche aufweist und eine Standardform und -konfiguration für eine vereinfachte Herstellung und Installation aufweist.
- Noch ferner besteht ein Bedarf an einer Reed-Schalter-Vorrichtung, die in der Lage ist, viel schneller zu arbeiten als Reed-Schalter-Vorrichtungen des Standes der Technik, wie z. B. im Bereich von 18 GHz und noch höher. Es besteht ein Bedarf an einer Reed-Schalter-Vorrichtung, die für Anwendungen der Form C und Form A geeignet ist. Es besteht ein Bedarf, die Hochfrequenz im GHz-Bereich für einen verbesserten Betrieb der Vorrichtung bei sehr hohen Frequenzen, wie z. B. jenen im Bereich von 18 GHz und höher, auszufiltern. Es besteht ein spezieller Bedarf, den Grad der Dämpfung von Hochfrequenzsignalen zu verringern. Es besteht ein Wunsch, die Vorrichtung an eine gegebene Schaltung anzupassen und mit dieser zu verbinden, wie z. B. eine, die im Bereich von 50 Ohm arbeitet. Es besteht ein Bedarf, den Betrieb der Schaltung, in der die Reed-Schalter-Vorrichtung installiert wird, zu optimieren, um eine koaxiale Umgebung zu simulieren. Es besteht auch ein Bedarf, eine Gleichspannung zum Hochfrequenzsignal hinzufügen zu können. Es besteht noch ein weiterer Bedarf im Stand der Technik, Impedanzdiskontinuitäten durch Ändern der Konfiguration der Abschirmung der Vorrichtung zu minimieren.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung bewahrt die Vorteile von elektromagnetischen Schaltvorrichtungen des Standes der Technik wie z. B. Reed-Relais. Außerdem stellt sie neue Vorteile bereit, die in derzeit erhältlichen Schaltvorrichtungen nicht zu finden sind, und beseitigt viele Nachteile von solchen derzeit erhältlichen Vorrichtungen.
- Die Erfindung richtet sich im Allgemeinen auf die neue und einzigartige Reed-Relais-Vorrichtung und den neuen und einzigartigen Reed-Relais-Baustein mit spezieller Anwendung beim effektiven Verbinden einer Reed-Schalter-Vorrichtung mit einer Schaltung auf einer Leiterplatte in einer Konfiguration mit niedrigem Profil. Der Reed-Schalter-Baustein der vorliegenden Erfindung ermöglicht die effiziente und effektive Verbindung mit einer Leiterplatte, während er eine kostengünstige Konstruktion aufweist.
- Insbesondere eine neue Relais-Vorrichtung der ”Pseudo”-Form C, die leicht bei Frequenzen gut oberhalb des Bereichs von 8–10 GHz, wie z. B. im Bereich von 18 GHz und darüber, arbeiten kann, um sich auf das Testen der neuesten Vorrichtungen mit hoher Geschwindigkeit unter Verwendung der neuesten ATE einzustellen. Die Stichleitungskapazität wird durch einzigartige Verwendung von Tiefpassfilterbrücken zum Blockieren von hohen Frequenzen im GHz-Bereich signifikant verringert. Dies verringert effektiv die Dämpfung der Hochfrequenzsignale, um dadurch die Auswirkung der Stichleitungskapazität zu verringern. Mit der vorliegenden Erfindung kann die Stichleitungskapazität folglich besser gesteuert und kompensiert werden, um die HF-Leistung zu verbessern. Mit der vorliegenden Erfindung ist es auch möglich, dass eine Gleichspannung zum Hochfrequenzsignal hinzugefügt werden kann.
- Der Hochfrequenzpfad wird unter Verwendung der simulierten koaxialen Signalschutzumgebung auch geschützt. Ein auf der Platine montierbarer Reed-Relais-Baustein mit niedrigem Profil wird von der vorliegenden Erfindung bereitgestellt. Ein Teil des Reed-Schalters erstreckt sich durch eine Öffnung im Relaissubstrat. Das Substrat umfasst eine Reihe von elektrischen Kontakten, wie z. B. eine Lötkugelmatrix (BGA), eine Steggittermatrix (LGA), eine Spaltengittermatrix (CGA) oder eine Stiftgittermatrix (PGA), die auf derselben Seite des Substrats montiert sind, an der das Relais montiert ist, um mit der Hauptleiterplatte elektrisch zu verbinden. Der Reed-Schalter oder die Reed-Schalter, wie z. B. in einem Baustein mit zwei Kanälen, sind direkt mit den elektrischen Kontakten über Signalleiterbahnen und zusätzliche elektrische Leiterbahnen, die sich auf der Unterseite des Relaissubstrats befinden, die mit der Abschirmung des Relais verbinden, elektrisch verbunden. Diese zusätzlichen Leiterbahnen sind in einer parallelen Position auf beiden Seiten der Signalleiterbahnen geführt, um einen koplanaren Wellenleiter bereitzustellen, um die gewünschte Impedanz des Signalpfades aufrechtzuerhalten. Die Reed-Relais-Vorrichtung ist vorzugsweise in einem BGA-Gehäuse für eine leichte Montage an einer Leiterplatte in einer automatisierten Testausrüstung (ATE) vorgesehen.
- Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen kompakten Reed-Schalter-Baustein mit niedrigem Profil bereitzustellen.
- Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Reed-Schalter-Vorrichtung bereitzustellen, die eine verbesserte HF-Leistung aufweist.
- Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Reed-Schalter-Vorrichtung bereitzustellen, die die parasitäre Stichleitungskapazität zwischen Kanälen besser steuert und kompensiert, um die Übertragung einer höheren Frequenzbandbreite von Signalen zu ermöglichen.
- Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Reed-Schalter-Vorrichtung mit einer gesteuerten Impedanzumgebung über den ganzen Baustein bereitzustellen.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Reed-Schalter-Vorrichtung bereitzustellen, die eine pseudokoaxiale Umgebung aufweist, um eine Signalpfadumgebung von 50 Ohm aufrechtzuerhalten.
- Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Reed-Schalter-Baustein bereitzustellen, der leicht an die Impedanz einer existierenden Schaltungsumgebung angepasst wird.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen Reed-Schalter-Baustein bereitzustellen, der in der Lage ist, Signale mit sehr hoher Frequenz effizient zu leiten.
- Es ist noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Reed-Schalter-Baustein mit einer kleinen Grundfläche bereitzustellen.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen Reed-Schalter-Baustein bereitzustellen, der leicht an einer Hauptleiterplatte, wie z. B. einer, die für eine automatisierte Testausrüstung verwendet wird, an der Oberfläche montiert werden kann.
- Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, Reed-Schalter-Vorrichtungsbausteine bereitzustellen, die in der Lage sind, viel schneller zu arbeiten als Reed-Schalter-Vorrichtungen des Standes der Technik, wie z. B. im Bereich von 18 GHz und noch höher.
- Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen Reed-Schalter-Vorrichtungsbaustein bereitzustellen, der für Anwendungen der Form C und Form A geeignet ist.
- Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, die hohe Frequenz im GHz-Bereich für einen verbesserten Betrieb der Vorrichtung auszufiltern.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Hochfrequenzisolation innerhalb Kanälen im GHz-Bereich für einen verbesserten Betrieb der Vorrichtung bereitzustellen.
- Eine weitere Aufgabe besteht darin, den Grad der Dämpfung von Hochfrequenzsignalen in einem Reed-Schalter-Vorrichtungsbaustein zu verringern.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, die Vorrichtung an eine gegebene Schaltung, wie z. B. eine, die im Bereich von 50 Ohm arbeitet, anzupassen und mit dieser zu verbinden.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, den Betrieb der Schaltung, in der der Reed-Schalter-Vorrichtungsbaustein installiert wird, zu optimieren, um eine koaxiale Umgebung zu simulieren.
- Noch eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Gleichspannung zum Hochfrequenzsignal hinzufügen zu können.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, Impedanzdiskontinuitäten durch Verändern der Konfiguration der Abschirmung der Vorrichtung zu minimieren.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Die neuen Merkmale, die für die vorliegende Erfindung charakteristisch sind, sind in den beigefügten Ansprüchen dargelegt. Die bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung zusammen mit weiteren Aufgaben und zugehörigen Vorteilen werden jedoch mit Bezug auf die folgende ausführliche Beschreibung in Verbindung mit den zugehörigen Zeichnungen am besten verstanden, in denen gilt:
-
1 ist eine perspektivische Ansicht einer Reed-Relais-Konfiguration des Standes der Technik in auseinandergezogener Anordnung; -
2 ist eine perspektivische Ansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels einer zusammengesetzten Reed-Relais-Vorrichtung des Standes der Technik; -
3 ist eine perspektivische Ansicht der Reed-Relais-Vorrichtung des Standes der Technik von2 in auseinandergezogener Anordnung; -
4 ist eine schematische Ansicht einer Schalterkonfiguration der Form A; -
5 ist eine schematische Ansicht einer Schalterkonfiguration der Form C; -
6 ist eine schematische Ansicht einer Schalterkonfiguration der ”Pseudo”-Form C; -
7 ist eine schematische Darstellung einer Musterschaltung, die üblicherweise mit Reed-Relais verwendet wird; -
8 ist eine bildhafte Implementierung der in7 gezeigten Schaltung; -
9 ist ein Schaltplan zur Verwendung der vorliegenden Erfindung für die Verwendung in einer herkömmlichen unsymmetrischen ATE-Architektur; -
10 ist ein Graph, der die Leistung eines Tiefpassfilters darstellt, der im Relais der vorliegenden Erfindung verwendet wird; -
11 ist eine Tabelle, die die Leistungsparameter des Relais der vorliegenden Erfindung zeigt; -
12 ist ein Graph, der die Bandpasscharakteristiken unter Verwendung beispielsweise eines Reed-Schalters von 7 mm gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt; -
13 ist ein Schaltplan zur Verwendung der vorliegenden Erfindung für die Verwendung in einer herkömmlichen differentiellen ATE-Architektur mit hoher Bandbreite; -
14 ist ein Schaltplan zur Verwendung der vorliegenden Erfindung für die Verwendung in einer modernen differentiellen ATE-Architektur mit hoher Bandbreite mit vereinfachter PMU; -
15 ist ein Schaltplan zur Verwendung der vorliegenden Erfindung für die Verwendung in einer modernen differentiellen ATE-Architektur mit hoher Bandbreite mit integrierter PMU ohne Verbindung zwischen den Signalleitungen; -
16 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Reed-Schalter-Bausteins, der unter Verwendung des Relais der vorliegenden Erfindung hergestellt ist; -
17 zeigt eine perspektivische Ansicht des Reed-Schalter-Bausteins von16 mit entfernter Abdeckung; -
18 zeigt eine perspektivische Ansicht des Reed-Schalter-Bausteins von16 , wobei die äußeren Abschirmungsabdeckungen entfernt sind; -
19 zeigt eine perspektivische Ansicht des Reed-Schalter-Bausteins von16 , wobei einer der Spulenkörper entfernt ist; -
20 zeigt eine perspektivische Ansicht des Reed-Schalter-Bausteins von16 , wobei die Spulenkörper und die Abschirmung um die Reed-Schalter entfernt sind; -
21 zeigt eine perspektivische Ansicht des Reed-Schalter-Bausteins von16 , wobei das Basiselement-Einkapselungsmaterial entfernt ist; -
22 zeigt eine perspektivische Ansicht des Reed-Schalter-Bausteins von16 , wobei das Basiselement und ein Reed-Schalter entfernt sind, um eine Kugelgittermatrix darzulegen; -
23 zeigt eine perspektivische Ansicht des Reed-Schalter-Bausteins von16 von unten, um ein Beispiel einer Kugelgittermatrix zur elektrischen Verbindung des Bausteins mit einer Leiterplatte darzustellen; -
24 zeigt eine perspektivische Ansicht des Reed-Schalter-Bausteins von16 , wobei die Abdeckung und ein Teil der Basis entfernt sind, um die Profilierung der HF-Abschirmung gemäß der vorliegenden Erfindung darzustellen; -
25 ist eine Draufsicht auf den in24 gezeigten Reed-Schalter-Baustein; und -
26 ist eine linke Seitenaufrissansicht des in24 gezeigten Reed-Schalter-Bausteins. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DES BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELS
- Das verbesserte Relais
200 der Form C der vorliegenden Erfindung wird nachstehend in Verbindung mit9 –26 im Einzelnen gezeigt. Das Relais der vorliegenden Erfindung kann leicht für Schaltungen, wie z. B. die Schaltung300 in7 , verwendet werden, so dass diese Schaltung leicht mit Frequenzen im Bereich von 18 GHz und darüber arbeiten kann, um sich auf das Testen von Vorrichtungen mit hoher Geschwindigkeit einzustellen. Das Relais200 der vorliegenden Erfindung kann ermöglichen, dass solche Schaltungen im Bereich von 18 GHz und höher arbeiten, da die HF-Leistung unter Verwendung von Tiefpassfiltern, die im Allgemeinen als202 bezeichnet sind, stark verbessert ist, während der Hochfrequenzpfad unter Verwendung der simulierten koaxialen Signalschutzumgebung geschützt ist. Ein Gleichspannungssignal bis etwa 18 GHz auf beiden Kanälen in einer Doppelkanalumgebung mit weniger als 3 dB Signalleistungsverlust kann auch in einer Schaltung erreicht werden, die das Relais der vorliegenden Erfindung verwendet. Das Relais200 der vorliegenden Erfindung ist das erste, das zwei Filterelemente, wie z. B.202a und202b , wie in9 verwendet, um die Stichleitungskapazität zwischen den zwei Hochfrequenzpfaden gegenseitig zu isolieren. - Gemäß der vorliegenden Erfindung verbinden Tiefpassfilter
202a und202b , vorzugsweise ein Paar davon, die Signalleitungen204a und204b von zwei Reed-Schaltern206a und206b in einer parallelen Relaisanordnung der ”Pseudo”-Form C, wie in9 zu sehen. In dieser Figur und in anderen sind die Tiefpassfilter202a und202b figürlich als kleine schwarze Kästchen dargestellt, wie z. B. in9 . Diese überbrückenden Tiefpassfilterelemente202 wandeln effektiv zwei einpolige Ein- und Ausschalter206a und206b der Form A in eine Schalterkonfiguration der ”Pseudo”-Form C um, wobei ein Signal geleitet werden kann, sobald es erwünscht ist. Ein gutes Beispiel für diese Konfiguration der ”Pseudo”-Form C ist im Schaltplan von9 gezeigt, der im Allgemeinen eine herkömmliche unsymmetrische ATE-Architektur darstellt. In diesem Ausführungsbeispiel werden die Tiefpassfilter202a bzw.202b für jeden Kanal verwendet, der im Allgemeinen als A und B bezeichnet ist. Die tatsächliche physikalische Konstruktion dieser Anordnung wird nachstehend in Verbindung mit den folgenden16 –26 im Einzelnen erörtert. Wie nachstehend können die geeigneten Leiterplatten-Leiterbahnen leicht verwendet werden, um die Schaltung von9 zu verwirklichen. - Die Tiefpassfilterelemente
202 erzeugen eine Niederfrequenzbrücke zwischen den zwei Relais206a und206b der Form A, um das Relais200 der ”Pseudo”-Form C zu erzeugen. Dies schafft insofern einen Vorteil, als aufgrund der Nähe der zwei Filterelemente202a und202b und der rechtwinkligen Orientierung des Elements202a und202b zum Signalpfad die magnetische Kopplung zwischen den benachbarten Kanälen A und B verringert ist, was die gesamte HF-Leistung bei Frequenzen, die größer sind als 10 GHz, verbessert. Ein geeignetes Tiefpassfilterelement202 , das verwendet werden kann, um die vorliegende Erfindung auszuführen, ist vorzugsweise ein Ferritperlenfilter, das zum Dämpfen von Signalen im GHz-Bereich ausgelegt ist. - Ein Beispiel eines solchen bevorzugten Ferritperlenfilters ist die Modellreihe Nr. BLM18G (Größe 0603), die von Murata Manufacturing Co., Ltd. hergestellt und vertrieben wird. Diese Ferritperle hat die folgenden Eigenschaften: 1) eine Impedanz (bei 100 MHz/20°C) von 470 Ohm ± 25%; 2) eine Impedanz (bei 1 GHz/20°C) von 1800 Ohm ± 30%; 3) einen Nennstrom von 200 mA; 4) einen Gleichspannungswiderstand (max.) von 1,30 Ohm; 5) eine Betriebstemperatur von –55°C bis +125°C; und 6) für eine Schaltung. Die Impedanz-Frequenz-Charakteristiken des bevorzugten Tiefpassperlenfilters
202 sind in10 gezeigt. Es sollte beachtet werden, dass andere Tiefpassfilter202 verwendet werden können und immer noch innerhalb des Schutzbereichs der vorliegenden Erfindung liegen. - Immer noch mit Bezug auf
9 werden weitere Details der Verbindung des Relais200 der ”Pseudo”-Form C mit einer ATE-Umgebung gezeigt. Die Parametermesseinheit (PMU)208 befestigt an der Verbindung212 stromabwärts des Kanals A der Vorrichtung. Folglich isoliert das Öffnen des Schalters A die Treibervergleicherlast (DCL)210 , die eine verlustbehaftete Ausgangsstufe aufweist, die die PMU-Messungen verfälschen würde. Folglich stellt das Relais200 der vorliegenden Erfindung einen Hochfrequenzpfad zwischen der DCL210 und dem DUT (Prüfling)214 bereit.11 zeigt Details von Testergebnissen von einem Prototypen des Relais200 der Form C, das gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt ist und das eine überlegene Leistung gegenüber Schaltungen des Standes der Technik zeigt, die Relais der ”Pseudo”-Form C in dieser Umgebung verwenden. Folglich kann eine Abfallfrequenz von –3 dB im Bereich von 18 GHz, wie z. B. 16 GHz, unter Verwendung des einzigartigen Relais200 der vorliegenden Erfindung erfolgreich erreicht werden. Derartige Ergebnisse sind ferner im Graphen von12 dargestellt, wobei ein Reed-Schalter mit 7 mm als Beispiel verwendet wurde. Es sollte selbstverständlich sein, dass verschiedene Arten von Niederbandpassfiltern und Reed-Schaltern gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, um die Anforderungen der bevorstehenden Anwendung zu erfüllen. Wie verständlich sein kann, führt das Modifizieren von solchen Filtern und Reed-Schaltern zu verschiedenen Leistungsergebnissen. - Weitere Beispiele dafür, wie das Relais
200 der ”Pseudo”-Form C der vorliegenden Erfindung in einer ATE-Architektur verwendet werden kann, sind in13 –15 gezeigt. In dem Beispiel von13 ist die Umgebung eine herkömmliche differentielle Architektur, wobei zwei Relais200a und200b der (Pseudo-)Form C für jeden differentiellen Kanal verwendet werden, um optimale PMU-Messungen bei208 bereitzustellen, während Verbindungen mit hoher Bandbreite zwischen dem Treiber und dem DUT214 über die Verbindung212' mit einer differentiellen Signalgebung aufrechterhalten werden. In diesem Beispiel wird ein Tiefpassfilter202a auf nur einem Kanal in jedem Relais200a und200b der ”Pseudo”-Form C verwendet. Ein Tiefpassfilter202a wird beispielsweise auf dem Kanal B am oberen Paar von Reed-Schaltern216 und auf dem Kanal A am unteren Paar von Reed-Schaltern218 verwendet. -
14 und15 zeigen Beispiele für die Verwendung des vorliegenden Relais in einer modernen differentiellen ATE-Architektur.14 zeigt das Beispiel der ATE-Architektur mit einer vereinfachten PMU220 . Diese Architektur unterstützt Signalisierungsstandards mit höherer Frequenz besser. Dies umfasst das Integrieren der PMU-Systeme, die eine verringerte Funktionalität aufweisen, aber immer noch einige der erforderlichen Funktionalität bereitstellen, die eine PMU208 herkömmlich bereitgestellt hat, wie vorstehend. In dieser Betriebsart stellt das Relais200 der vorliegenden Erfindung eine Brücke mit niedrigerer Frequenz bereit, im Allgemeinen als222 , die beispielsweise für Kalibrierungszwecke nützlich ist. - Wenn man sich nun
15 zuwendet, ist eine ATE-Architektur mit hoher Bandbreite mit integrierter PMU220 ohne Verbindung zwischen den zwei Signalleitungen204a und204b bereitgestellt. Dies ist eine weitere alternative Umgebung, die das Relais200 der vorliegenden Erfindung verwenden kann. In diesem Beispiel besteht ein Vorteil, dass die elektrische Leistung maximiert ist und sich die Kanalbandbreite im Frequenzband höher schiebt. - Angesichts des Vorangehenden kann das Relais
200 der vorliegenden Erfindung in viele verschiedene Typen von Architekturumgebungen eingebaut werden, um die vorstehend genannten Verbesserungen gegenüber Relais des Standes der Technik zu nutzen. - Es sollte beachtet werden, dass ein Relais der dualen Form A (nicht dargestellt) auch gemäß der vorliegenden Erfindung bereitgestellt werden kann. Diese Konfiguration ist dieselbe wie das obige bevorzugte Ausführungsbeispiel, außer dass die Filterelemente
202 , Signalleiterbahnen und zugehörigen Kontaktstellen weggelassen sind. - Das Vorangehende legt schematisch dar, wie die vorliegende Erfindung gegenüber Relais des Standes der Technik neu und neuartig ist. Die vorliegende Erfindung besitzt auch viele Strukturverbesserungen, die nachstehend im Einzelnen umrissen werden.
-
16 –26 zeigen das Relais der vorliegenden Erfindung in eine Reed-Relais-Bausteinvorrichtung eingebaut, die zur Installation auf einer ATE-Leiterplatte (nicht dargestellt) geeignet ist. Im Allgemeinen umfasst der im Allgemeinen als Ganzes als224 bezeichnete Baustein der vorliegenden Erfindung vorzugsweise zwei Kanäle A und B mit zwei jeweiligen Tiefpassfilterelementen202a und202b , wie vorstehend. Es ist jedoch möglich, dass mehr als zwei Kanäle A und B in einem einzelnen Baustein224 gemäß der vorliegenden Erfindung vorgesehen sein können. In dieser Anordnung werden die geeigneten Lötkugelverbindungen226 , wie in22 und23 , für jeden Reed-Schalter entsprechend einem gegebenen Kanal verwendet. Ferner können verschiedene Typen von Verbindungen vom Baustein der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Es sollte selbstverständlich sein, dass sich der Baustein226 der vorliegenden Erfindung an eine breite Anordnung von elektronischen Vorrichtungen anpassen kann, die eine Signalzuleitungsabschirmung mit einer gesteuerten Impedanzumgebung erfordern. - Für eine leichte Erörterung wird eine Konstruktion und Konfiguration von einem Kanal nachstehend im Einzelnen erörtert. Es sollte selbstverständlich sein, dass der andere Kanal oder die anderen Kanäle gemäß der vorliegenden Erfindung ähnlich konstruiert sein können.
- Ein Baustein
226 , der die Relais der vorliegenden Erfindung verwendet, ist in16 –26 gezeigt, die verschiedene Stufen der Entfernung von Komponenten für Zweck der Darstellung und der leichten Erörterung ist. In diesem Beispiel kann der Baustein226 als Teil der in9 gezeigten Schaltung300 mit einem Brückenpaar von Tiefpassfiltern202a und202b verwendet werden. - Der vollständige Reed-Schalter-Baustein
226 umfasst eine Substratbasis228 zusammen mit einer Anzahl von Kontaktstellen230 zum Aufnehmen der Signalzuleitung232 und Massezuleitungen234 vom Reed-Schalter236 . Ein Metall- oder nichtmetallischer Mantel238 ist an der Substratbasis228 mit beispielsweise einem Epoxidwulst (nicht dargestellt) um den Umfang befestigt, um eine flüssigkeitsdichte Abdichtung vorzusehen. Die ganze Anordnung224 kann ansonsten vorzugsweise mit Kunststoff umspritzt sein. - Die Substratbasis
228 umfasst einen vertieften zentralen Teil oder eine Öffnung240 , wie in18 –22 , zum Aufnehmen des Spulenkörperteils242 der Reed-Vorrichtung246 , um einen kurzen, geraden Signalpfad bereitzustellen und die Gesamtgröße des Bausteins224 zu verringern. Kontaktstellen230 sind an einem Sitzteil248 der Substratbasis228 vorgesehen, um die Signalzuleitungen232 und Massezuleitungen234 zu verbinden. Die Reed-Vorrichtung246 ist relativ leichtgewichtig, so dass sie vollständig von der Signalzuleitung232 und den Massezuleitungen234 abgestützt ist. Andere Basissubstratgehäuse können jedoch verwendet werden (nicht dargestellt), wobei der Spulenkörper242 auf seinem eigenen Sitz aufliegt, oder wobei zusätzliche konturierte Teile des Substrats228 vorgesehen sind, um die Reed-Vorrichtung246 abzustützen. - Die Tiefpassfilter
202a und202b , wie z. B. die vorstehend erwähnten Ferritperlen, sind wie z. B. durch Löten an Kontaktstellen250 befestigt, die mit den Kontaktstellen230 verbunden sind, mit denen die Signalzuleitungen232 elektrisch verbunden sind. Die physikalische Verbindung ist im Allgemeinen in20 –22 gezeigt und am besten in21 zu sehen. - Die Signalzuleitungen
232 und die Massezuleitungen234 sind mit Lötkugeln226 auf der entgegengesetzten Oberfläche der Substratbasis228 für eine weitere elektrische Verbindung mit einer Schaltung auf einer Leiterplatte (nicht dargestellt), wie z. B. einer, die eine ATE-Schaltungsanordnung trägt, elektrisch verbunden. Dies ist als BGA-Verbindung bekannt. Die Unterseite des Bausteins224 ist in23 gezeigt, die eine solche Beispiel-Kugelgittermatrix für eine solche Verbindung mit einer Leiterplatte darstellt. Zusammen mit dem Schutzmantel238 (oder festen Verkappungsmaterial) wird ein kompakter Reed-Schalter-Baustein224 bereitgestellt, der eine Oberflächenmontagekonfiguration aufweist, um Hochfrequenz-Reed-Schalter246 in einer gesteuerten Impedanzumgebung aufzunehmen. - Insbesondere umfasst der Reed-Schalter
246 einen Signalleiter232 innerhalb einer Glaskapsel252 mit einem Inertgas oder Vakuum dazwischen. Um die Glaskapsel252 ist eine Masseabschirmung254 angeordnet, die vorzugsweise eine zylindrische oder röhrenförmige Konfiguration aufweist, aber einen ovalen Querschnitt aufweisen kann, um bestimmte Reed-Schalter246 oder mehrere Reed-Schalter in einer Umgebung mit mehreren Kanälen aufzunehmen. Die vorangehende Anordnung ist innerhalb des Spulenkörpers242 aufgenommen, der eine Erregungsspule256 darum umfasst. Die freien Enden der Erregungsspule sind mit Pfosten258 verbunden, die mit entsprechenden Lötkugeln226 auf der unteren Oberfläche260 der Substratbasis228 elektrisch verbunden sind. - Als Teil der vorliegenden Erfindung ist ein koplanarer Wellenleiter in Form von elektrisch leitenden Durchgangskontaktlöchern vorgesehen. Diese sind vorzugsweise vorgesehen, um die Leistung des Relais
200 der vorliegenden Erfindung weiter zu verbessern, wie z. B. in Form des Bausteins224 . Eine solche Konfiguration ist in dem im gemeinsamen Besitz stehendenUS-Patent Nrn. 6052045 ,6025768 , RE38381 und6683518 gezeigt und kann die einzigartigen Brückenfilter202a und202b der vorliegenden Erfindung leicht aufnehmen. Hinsichtlich der Durchgangskontaktloch-Konstruktion sind die Kontaktstellen230 ,250 beispielsweise mit entsprechenden Lötkugeln226 auf der unteren Oberfläche260 der Substratbasis228 elektrisch verbunden, was in22 im Einzelnen zu sehen ist. Folglich ist die Verbindung der Signalzuleitungen232 und der Massezuleitungen234 über die Kontaktstellen230 ,250 mit den Lötkugeln226 gezeigt. - Die Signalzuleitungen
232 und die Massezuleitungen234 sind mit Lötkugeln226 auf der unteren Oberfläche260 der Substratbasis228 durch elektrisch leitende Kontaktlöcher262 , wie am besten in22 zu sehen, durch die Ebene der Substratbasis228 hindurch elektrisch verbunden. In diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist ein leitendes Kontaktloch262 für die Signalzuleitung232 und jede der Massezuleitungen234 vorgesehen, um eine wünschenswerte Umgebung von 50 Ohm aufrechtzuerhalten. Vorzugsweise sind drei oder mehr elektrische Leitungen oder Kontaktlöcher, die im Allgemeinen als262 bezeichnet sind, durch die Ebene der Substratbasis228 hindurch vorgesehen. - Wie vorstehend angegeben, wird das Signal durch den Reed-Schalter
246 optimiert, wenn die koaxiale Konfiguration so weit wie möglich durch den ganzen Körper des Reed-Schalter-Bausteins224 aufrechterhalten wird. Der Wellenleiter durch die Ebene der vorliegenden Erfindung verbindet mit Lötkugeln226 auf der unteren Oberfläche260 der Substratbasis228 . Jeweilige Durchgangskontaktlöcher262 , die mit einer Leiterbahn264 in20 verbunden sind, werden beispielsweise verwendet, um den gewünschten koplanaren Wellenleiter um das Signalkontaktloch262 , das mit der Kontaktstelle250 verbunden ist, zu erzeugen. Obwohl diese Konfiguration bevorzugt ist, können andere Konfigurationen verwendet werden. - Die Impedanz Z2 durch die Ebene der Substratbasis
228 ist eine Funktion der Dicke des dielektrischen Materials der Substratbasis228 , der Breite des Signalkontaktlochs262 , des Abstandes zwischen dem mit der Kontaktstelle250 verbundenen Signalkontaktloch und den benachbarten Massekontaktlöchern262 und der Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Materials der Substratbasis228 . - An der unteren Oberfläche
260 der Substratbasis228 ist eine echte koaxiale Anordnung durch Vorsehen von geeigneten Lötkugeln226 , die mit den Durchgangskontaktlöchern262 verbunden sind, die mit der Masseleiterbahn264 verbunden sind, wie vorstehend, gebildet. Diese Erdungsschleife bildet einen tatsächlichen koaxialen Abschirmungsleiter in einer ähnlichen Weise zu jener, die im zylindrischen Abschirmungsleiter254 um den Reed-Schalter246 selbst zu finden ist. Die Abschirmung254 dient nicht ausdrücklich für die EMI-Abschirmung und den Schutz von benachbarten Komponenten, sondern zum Enthalten und Verbessern der Genauigkeit des Signals des Reed-Schalters246 . An der koaxialen Masseschleife ist die Impedanz Z3 eine Funktion des Durchmessers des Signalkontaktlochs262 , des Durchmessers der Masseschleife und der Dielektrizitätskonstante der Isolationssubstratbasis228 . - Die vorliegende Erfindung verwendet einen Wellenleiter, um eine echte koaxiale Umgebung zu simulieren. Dieser einzigartige Wellenleiter erstreckt sich durch die eigentliche Ebene der Substratbasis
228 zu den Lötkugelverbindungen226 an der Unterseite des Bausteins224 . Im Gegensatz zum Stand der Technik ist der Wellenleiter oder die simulierte koaxiale Anordnung vom Reed-Schalter246 selbst bis zu den Lötkugelverbindungen226 kontinuierlich, wobei ein Mikrostreifen oder Wellenleiter typischerweise auf der Leiterplatte (nicht dargestellt) vorhanden ist. Folglich wird das Signal vor ungesteuerten Diskontinuitäten geschützt. Der Abschirmungsschutz für die Signalzuleitung232 ist vom tatsächlichen Körper des Reed-Schalters246 zur tatsächlichen elektrischen Schnittstelle mit der Leiterplatte verlängert und wird gesteuert. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Gesamtimpedanz des Signalübertragungspfades konsistent und an den gewünschten Gesamtimpedanzwert angepasst, wobei folglich der Bedarf an einer beträchtlichen Schaltungsabstimmung durch den Benutzer vermieden wird. - Wie verständlich sein kann, stellt die vorliegende Erfindung entweder eine tatsächliche oder eine simulierte koaxiale Umgebung für einen überlegenen Schutz der Signalzuleitung eines Reed-Schalters bereit. Die leitenden Kontaktlöcher durch die Ebene ermöglichen, dass eine kontinuierliche koaxiale Umgebung vom Reed-Schalter
246 direkt bis zur elektrischen Verbindung mit einer Leiterplatte (nicht dargestellt) bereitgestellt wird. In den meisten Anwendungen ist aufgrund der Frequenz des übertragenen Signals durch den Reed-Schalter246 eine vollständige kontinuierliche Masseschleife nicht erforderlich, um eine koaxiale Anordnung für den Signalzuleitungsschutz bereitzustellen. In der vorliegenden Erfindung befinden sich die Masseleiterkontaktlöcher vorzugsweise in einem Gitter von 1,27 mm oder 1,00 mm. Übliche Frequenzen für den Reed-Schalter liegen im Bereich von 1,0 bis 8,0 GHz. Bei diesen Frequenzen liegen die Wellenlängen im Bereich von 300 mm bis 40 mm. Die Wellenlängen sind zu lang, um irgendwelche Diskontinuitäten der ”simulierten” koaxialen Anordnung zu erfassen. Daher ist die simulierte koaxiale Anordnung im Wesentlichen hinsichtlich der Wirksamkeit im Vergleich zu einer echten vollen koaxialen Anordnung identisch. Folglich stellt diese Topologie eine effektive Abschirmung bereit, bis die Wellenlänge so klein wird, dass das Leiterkontaktlochgitter als diskontinuierlich angesehen wird. - Für die vorstehend erörterten Gitter kann eine effektive Abschirmung mit der vorliegenden Erfindung bei Wellenlängen, die nicht höher sind als 8 mm, bei einer Frequenz von 18 GHz und größer verwirklicht werden. Mehr oder weniger leitende Kontaktlöcher durch die Ebene der Substratbasis können in Abhängigkeit von der Vorrichtung innerhalb des Bausteins und der bevorstehenden Anwendung verwendet werden.
- Obwohl gezeigt ist, dass der Baustein
224 unter Verwendung des Relais200 der vorliegenden Erfindung Lötkugeln226 in einem BGA-Gehäuse für die elektrische Verbindung mit einer Leiterplatte verwendet, können andere Arten von Verbindungen verwendet werden, wie z. B. Stiftgitter, Steggitter. Ferner kann eine Kugelgittermatrix-Sockelanordnung verwendet werden, um die Entfernung oder den Austausch des Bausteins zu erleichtern, wenn es erwünscht ist. Der Substratbasiskörper ist vorzugsweise ein dielektrisches Material, wie z. B. Kunststoff, kann jedoch aus einem beliebigen anderen Material hergestellt werden, das für elektronische Vorrichtungsbausteine geeignet ist. Beispielsweise wird ein Hochtemperatur-FR-4-PCB-Material vorzugsweise für das dielektrische Material verwendet. Die Kontaktlöcher262 , die in der vorliegenden Erfindung verwendet werden, können aus bekannten leitenden Materialien wie z. B. Kupfer, Aluminium, Zinn und anderen bekannten Legierungen in der Industrie bestehen. - Der Reed-Schalter-Baustein
224 gemäß der vorliegenden Erfindung ist vorzugsweise vollständig in einem Metall- oder nichtmetallischen Mantel eingeschlossen oder kann für einen zusätzlichen Schutz der Vorrichtung vollständig umspritzt sein. Alternativ kann der Reed-Schalter-Baustein224 teilweise mit einem Metall- oder nichtmetallischen Mantel eingeschlossen sein, teilweise mit Kunststoff umspritzt sein oder teilweise unter Verwendung von anderen Materialien eingekapselt sein, um eine luftdichte und/oder flüssigkeitsdichte Abdichtung in einer Konfiguration mit niedrigem Profil vorzusehen. - Gemäß der vorliegenden Erfindung kann ferner die HF-Abschirmung
254 , die einen oder mehrere der individuellen Schalter246 umgibt, profiliert sein, was in24 –26 am besten zu sehen ist. Diese Profilierung wird unter Verwendung einer elektromagnetischen Vollwellen-Modellierungssoftware optimiert, um Differenzen der Kapazität an dem Punkt in der Übertragungsleitung zu kompensieren, an dem die Dichtung des Schalterglases252 angeordnet ist, wodurch Impedanzdiskontinuitäten in diesen zwei Positionen verringert werden. Insbesondere erzeugt der Bereich nahe der Abdichtung des Glases252 jedes Schalters einen Bereich mit niedriger Impedanz auf der Übertragungsleitung. Die Form der Abschirmung254 , nämlich die Verwendung von Ausschnitten266 und dergleichen, erhöht diese Impedanz, so dass sie ungefähr 50 Ohm ist, wodurch sie an die ATE-Schaltungsumgebung angepasst wird. - Es ist leicht zu sehen, dass die Form der HF-Abschirmung
254 eine gewisse Konfiguration aufweist, die vorzugsweise Ausschnitte266 an jedem entgegengesetzten und einem in Längsrichtung verlaufenden Schlitz268 aufweist. Folglich kann durch die Kombination der Abstimmung der HF-Abschirmung254 und des koplanaren Wellenleiters, wie vorstehend, ein konsistenter Signalpfad mit 50 Ohm erreicht werden, um ihn an die ATE-Schaltungsumgebung anzupassen. - Angesichts des Vorangehenden kann ein verbessertes Relais
200 der ”Pseudo”-Form C in einen Baustein224 eingebaut werden, der mit viel höheren Frequenzen, wie z. B. im Bereich von 18 GHz und darüber, arbeiten kann, um sich an eine moderne ATE-Schaltungsanordnung anzupassen. - Vom Fachmann auf dem Gebiet würde erkannt werden, dass verschiedene Änderungen und Modifikationen an den dargestellten Ausführungsbeispielen vorgenommen werden können, ohne vom Gedanken der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Alle solchen Modifikationen und Änderungen sollen von den beigefügten Ansprüchen abgedeckt sein.
- Zusammenfassung
- Der verbesserte Reed-Relais-Baustein (
224 ) stellt ein Relais (200 ) der ”Pseudo”-Form C bereit, das zwei Relais (206a ,206b ) der Form A mit mindestens einem Brückenfilterelement (202 ) umfasst, das die Signalausgänge (204a ,204b ) davon elektrisch miteinander verbindet, um die Stichleitungskapazität zu verringern und die HF-Leistung zu verbessern. Folglich kann der Reed-Relais-Baustein (224 ) mit sehr hohen Frequenzen, wie z. B. 18 GHz und höher, arbeiten. Kontaktlöcher (262 ) können auch durch das Trägersubstrat (228 ) vorgesehen sein, um einen geerdeten koplanaren Wellenleiter zu simulieren, und HF-Abschirmungen (254 ), die mit Ausschnitten profiliert sind, um eine Impedanzumgebung mit 50 Ohm über den ganzen Pfad der Signalleitung besser zu simulieren. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- US 6052045 [0092]
- US 6025768 [0092]
- US 6683518 [0092]
Claims (5)
- Reed-Relais-Vorrichtung mit: einem Trägersubstrat mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite; einem ersten Reed-Schalter mit einem Hauptkörper mit einem Signaleingang und einem Signalausgang; einem zweiten Reed-Schalter mit einem Hauptkörper mit einem Signaleingang und einem Signalausgang; einer ersten Masseabschirmung, die den Hauptkörper des ersten Reed-Schalters umgibt; einer zweiten Masseabschirmung, die den Hauptkörper des zweiten Reed-Schalters umgibt; einer Vielzahl von Masseanschlüssen auf der ersten Seite des Trägersubstrats, die mit der ersten Masseabschirmung verbunden sind; einer Vielzahl von Masseanschlüssen auf der ersten Seite des Trägersubstrats, die mit der zweiten Masseabschirmung verbunden sind; einem ersten Signalkontaktloch, das durch das Substrat geleitet ist und mit dem Signalausgang des ersten Reed-Schalters verbunden ist; einem zweiten Signalkontaktloch, das durch das Substrat geleitet ist und mit dem Signalausgang des zweiten Reed-Schalters verbunden ist; einer ersten Vielzahl von Massekontaktlöchern, die durch das Substrat geleitet sind und mit der ersten Masseabschirmung verbunden sind; einer zweiten Vielzahl von Massekontaktlöchern, die durch das Substrat geleitet sind und mit der zweiten Masseabschirmung verbunden sind; einer Vielzahl von Kontakten auf der zweiten Seite des Trägersubstrats, die jeweils mit dem ersten Signalkontaktloch, dem zweiten Signalkontaktloch, der ersten Vielzahl von Massekontaktlöchern und der zweiten Vielzahl von Massekontaktlöchern elektrisch verbunden sind; und mindestens einem Filterelement, das den Signalausgang des ersten Reed-Schalters mit dem Signalausgang des zweiten Reed-Schalters elektrisch überbrückt.
- Reed-Vorrichtungs-Baustein nach Anspruch 1, wobei das Trägersubstrat eine Vielzahl von Sitzen zum jeweiligen Aufnehmen des ersten Reed-Schalters und des zweiten Reed-Schalters aufweist.
- Reed-Vorrichtungs-Baustein nach Anspruch 1, wobei die Vielzahl von Kontakten Lötkugeln sind.
- Reed-Vorrichtungs-Baustein nach Anspruch 2, wobei die erste Masseabschirmung und die zweite Masseabschirmung profiliert sind, um Differenzen der Kapazität an dem Punkt in der Übertragungsleitung zu kompensieren, an dem die jeweiligen Glasabdichtungen des ersten Reed-Schalters und des zweiten Reed-Schalters angeordnet sind, um Impedanzdiskontinuitäten an diesen zwei Stellen zu verringern.
- Reed-Relais-Vorrichtung mit: einem ersten Reed-Schalter mit einem Signaleingang und einem Signalausgang; einem zweiten Reed-Schalter mit einem Signaleingang und einem Signalausgang; mindestens einem Filterelement, das den Signalausgang des ersten Reed-Schalters mit dem Signalausgang des zweiten Reed-Schalters elektrisch überbrückt; wodurch eine Stichleitungskapazität verringert ist und die HF-Leistung verbessert ist.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US4517408P | 2008-04-15 | 2008-04-15 | |
US61/045,174 | 2008-04-15 | ||
PCT/US2009/040513 WO2009137239A2 (en) | 2008-04-15 | 2009-04-14 | Improved form c relay and package using same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112009000842T5 true DE112009000842T5 (de) | 2011-05-19 |
Family
ID=41163495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112009000842T Withdrawn DE112009000842T5 (de) | 2008-04-15 | 2009-04-14 | Verbessertes Relais der Form C und Baustein unter Verwendung desselben |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8063725B2 (de) |
JP (1) | JP2011520219A (de) |
KR (1) | KR20100101688A (de) |
CN (1) | CN101971280A (de) |
DE (1) | DE112009000842T5 (de) |
GB (1) | GB2468821A (de) |
WO (1) | WO2009137239A2 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014175157A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Omron Corp | 高周波スイッチ |
KR101480844B1 (ko) * | 2013-08-30 | 2015-01-09 | 엘에스산전 주식회사 | 터미널 단자대 |
JP6392368B2 (ja) * | 2014-03-11 | 2018-09-19 | 深▲せん▼市智優電池集成技術有限公司Shenzhen Zhiyou Battery Integration Technology Co., Ltd. | リードスイッチリレー |
WO2015135128A1 (zh) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | 深圳市智优电池集成技术有限公司 | 一种直插式干簧管继电器及集成电路板 |
US10461047B2 (en) * | 2015-10-29 | 2019-10-29 | Intel Corporation | Metal-free frame design for silicon bridges for semiconductor packages |
JP6483634B2 (ja) * | 2016-03-09 | 2019-03-13 | シチズンファインデバイス株式会社 | 検出装置および検出システム |
TWI640790B (zh) * | 2018-02-26 | 2018-11-11 | 新加坡商美亞國際電子有限公司 | 測試用電路板及其操作方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6025768A (en) | 1999-03-12 | 2000-02-15 | Kearny-National, Inc. | Electromechanical switching device package with controlled impedance environment |
US6052045A (en) | 1999-03-12 | 2000-04-18 | Kearney-National, Inc. | Electromechanical switching device package with controlled impedance environment |
US6683518B2 (en) | 2002-03-08 | 2004-01-27 | Kearney-National, Inc. | Surface mount molded relay package and method of manufacturing same |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3461386A (en) * | 1966-01-17 | 1969-08-12 | Automated Measurements Corp | Coaxial switch using reed switch and assembly and system with isolated actuating coil |
US3689079A (en) * | 1967-12-30 | 1972-09-05 | Nippon Columbia | Phonograph utilizing a rotational angle detector for sound track selection |
BE757101A (fr) * | 1969-10-06 | 1971-03-16 | Grisby Barton Inc | Assemblage de relais |
US3940722A (en) * | 1974-11-08 | 1976-02-24 | C. P. Clare & Company | Reed switch relay |
US3993970A (en) * | 1975-10-23 | 1976-11-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Coaxial cable switch |
US4063205A (en) * | 1976-05-25 | 1977-12-13 | Gte Automatic Electric Laboratories Incorporated | Printed wiring card mountable reed relay |
US4286241A (en) * | 1979-04-30 | 1981-08-25 | Motorola Inc. | Apparatus for mounting a reed switch |
US4547756A (en) * | 1983-11-22 | 1985-10-15 | Hamlin, Inc. | Multiple reed switch module |
US4943793A (en) * | 1988-12-27 | 1990-07-24 | General Electric Company | Dual-permeability core structure for use in high-frequency magnetic components |
US4943791A (en) | 1989-01-25 | 1990-07-24 | Sentrol, Inc. | Wide gap magnetic reed switch and method for manufacture of same |
US5103195A (en) * | 1989-10-13 | 1992-04-07 | Hewlett-Packard Company | Hybrid gaas mmic fet-pin diode switch |
JPH0685297B2 (ja) | 1989-12-28 | 1994-10-26 | サンユー工業株式会社 | リードリレー |
JP2508262Y2 (ja) | 1990-04-28 | 1996-08-21 | 富士通株式会社 | バイパスコンデンサ付きリレ― |
JPH0799664B2 (ja) | 1992-07-16 | 1995-10-25 | 日本ヒューレット・パッカード株式会社 | リードリレー |
US5455552A (en) * | 1994-05-03 | 1995-10-03 | Steward, Inc. | Ferrite common mode choke adapted for circuit board mounting |
US5438307A (en) * | 1994-08-03 | 1995-08-01 | Pen-Lin Liao | Single-pole magnetic reed relay |
JP3203141B2 (ja) | 1995-02-21 | 2001-08-27 | シャープ株式会社 | 画像形成装置 |
JPH09120764A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ装置 |
US5684441A (en) * | 1996-02-29 | 1997-11-04 | Graeber; Roger R. | Reverse power protection circuit and relay |
JPH11162309A (ja) | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Fujitsu Takamisawa Component Ltd | リードスイッチとリードリレー |
JPH11204010A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Fujitsu Takamisawa Component Ltd | リードリレーおよびその製造方法 |
EP1103997B1 (de) * | 1999-11-25 | 2006-10-11 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Hochfrequenzrelais |
US6329892B1 (en) * | 2000-01-20 | 2001-12-11 | Credence Systems Corporation | Low profile, current-driven relay for integrated circuit tester |
US6392866B1 (en) * | 2000-04-18 | 2002-05-21 | Credence Systems Corporation | High frequency relay assembly for automatic test equipment |
JP2002025410A (ja) | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Sanyu Kogyo Kk | 複合型リードリレー |
USRE38381E1 (en) * | 2000-07-21 | 2004-01-13 | Kearney-National Inc. | Inverted board mounted electromechanical device |
US6294971B1 (en) * | 2000-07-21 | 2001-09-25 | Kearney-National Inc. | Inverted board mounted electromechanical device |
AU2001292721A1 (en) | 2000-09-18 | 2002-03-26 | Meder Electronic | A lead-less surface mount reed relay |
US6429758B1 (en) * | 2000-12-04 | 2002-08-06 | Renaissance Electronics Corporation | Miniature electromechanical switch |
JP2002324466A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Teeantee:Kk | リードスイッチ |
WO2003016930A1 (fr) * | 2001-08-10 | 2003-02-27 | Advantest Corporation | Module d'essai et testeur |
US6911889B2 (en) * | 2001-08-20 | 2005-06-28 | Steward, Inc. | High frequency filter device and related methods |
JP4058255B2 (ja) * | 2001-10-25 | 2008-03-05 | 富士通コンポーネント株式会社 | 高周波リレー |
JP4192263B2 (ja) | 2002-04-26 | 2008-12-10 | 株式会社日本アレフ | リードリレー |
US6646527B1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-11 | Agilent Technologies, Inc. | High frequency attenuator using liquid metal micro switches |
JP4052015B2 (ja) * | 2002-05-23 | 2008-02-27 | オムロン株式会社 | 高周波リレー |
US7091424B2 (en) * | 2002-10-10 | 2006-08-15 | International Business Machines Corporation | Coaxial via structure for optimizing signal transmission in multiple layer electronic device carriers |
JP2004185896A (ja) | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Hitachi Ltd | 高周波対応リードリレー |
TWM244562U (en) * | 2003-07-21 | 2004-09-21 | Via Tech Inc | Ground shield structure |
US6958598B2 (en) * | 2003-09-30 | 2005-10-25 | Teradyne, Inc. | Efficient switching architecture with reduced stub lengths |
DE102004032928B4 (de) | 2004-07-07 | 2013-03-07 | Epcos Ag | RF-Modul mit verbesserter Integration |
US7053729B2 (en) * | 2004-08-23 | 2006-05-30 | Kyocera America, Inc. | Impedence matching along verticle path of microwave vias in multilayer packages |
US7321282B2 (en) * | 2005-02-17 | 2008-01-22 | Honeywell International, Inc. | MEM's reed switch array |
JP4005606B2 (ja) | 2005-03-28 | 2007-11-07 | 松下電器産業株式会社 | トランスポートストリーム処理装置 |
-
2009
- 2009-04-14 GB GB1012239A patent/GB2468821A/en not_active Withdrawn
- 2009-04-14 WO PCT/US2009/040513 patent/WO2009137239A2/en active Application Filing
- 2009-04-14 DE DE112009000842T patent/DE112009000842T5/de not_active Withdrawn
- 2009-04-14 KR KR1020107017139A patent/KR20100101688A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-04-14 CN CN2009801041805A patent/CN101971280A/zh active Pending
- 2009-04-14 JP JP2011505135A patent/JP2011520219A/ja active Pending
- 2009-04-14 US US12/423,445 patent/US8063725B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6025768A (en) | 1999-03-12 | 2000-02-15 | Kearny-National, Inc. | Electromechanical switching device package with controlled impedance environment |
US6052045A (en) | 1999-03-12 | 2000-04-18 | Kearney-National, Inc. | Electromechanical switching device package with controlled impedance environment |
US6683518B2 (en) | 2002-03-08 | 2004-01-27 | Kearney-National, Inc. | Surface mount molded relay package and method of manufacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011520219A (ja) | 2011-07-14 |
US8063725B2 (en) | 2011-11-22 |
GB201012239D0 (en) | 2010-09-08 |
US20090256662A1 (en) | 2009-10-15 |
WO2009137239A2 (en) | 2009-11-12 |
CN101971280A (zh) | 2011-02-09 |
KR20100101688A (ko) | 2010-09-17 |
WO2009137239A3 (en) | 2010-01-14 |
GB2468821A (en) | 2010-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3638748C2 (de) | ||
DE69324112T2 (de) | Verfahren und Gerät zur Verbindung von radiofrequenten (RF) monolithisch integrierten Mikrowellenschaltungen | |
DE112009000842T5 (de) | Verbessertes Relais der Form C und Baustein unter Verwendung desselben | |
DE69800099T2 (de) | Elektrischer Steckverbinder mit verschobener Signalkompensation | |
DE69112669T2 (de) | Koppler zwischen einer Koaxialübertragungsleitung und einer Streifenleitung. | |
DE10051661A1 (de) | Antenne als integrierte HF-Schaltung | |
DE602005001706T2 (de) | Mobiltelefon-handapparat mit einem kapazitiven hochfrequenzweg zwischen einer ersten und einer zweiten leitfähigen komponente davon | |
DE69617113T2 (de) | Verbindungsvorrichtung mit gesteuertem Impedanzverhalten | |
DE3629106A1 (de) | Vorrichtung zur verminderung elektromagnetischer interferenzen | |
EP0033441A1 (de) | Impulsübertrager und dessen Verwendung als Trennübertrager | |
DE10323431B4 (de) | Hochfrequenzzuleitungs-Wellenleiter-Umsetzer | |
DE102012214397A1 (de) | Duplexer mit Abschirmbonddrähten zwischen Filtern | |
DE69907624T2 (de) | Elektromechanische Schaltvorrichtung mit kontrollierter Impedanzumgebung | |
DE102005056263B4 (de) | Elektronische Anordnung mit äußeren Impedanzabgleichskomponentenverbindungen mit nichtkompensierten Anschlussleitungen und ihr Herstellungsverfahren | |
DE102010031933B4 (de) | Leiterplatte mit integrierter Schirmung und Lokalspulenanordnung für Magnetresonanzanwendungen | |
DE60114390T2 (de) | Elektromechanische vorrichtung für montage auf leiterplattenunterseite | |
DE60316412T2 (de) | Relaisformgehäuse zur oberflächenanbringung und verfahren zu seiner herstellung | |
DE10062567A1 (de) | Modularer Kanalverteiler für eine Kabel-Set-Top-Box | |
DE10202699B4 (de) | Nichtreziprokes Schaltungsbauelement und Kommunikationsvorrichtung, die dasselbe enthält | |
EP2489095B1 (de) | Antennenkoppler | |
DE69600976T2 (de) | Integrierte Flachantenne mit Umwandlungsfunktion | |
DE69211725T2 (de) | Optisches Modulgehäuse für Höchstfrequenz-Anwendungen | |
DE102012207341A1 (de) | Ultrabreitbandige Messbrücke | |
DE102013113861A1 (de) | Galvanische Trennvorrichtung für Prozessmessgeräte | |
DE19809570C2 (de) | Signalverbindung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: COTO TECHNOLOGY, INC., NORTH KINGSTOWN, US Free format text: FORMER OWNER: COTO TECHNOLOGY,INC., WARWICK, R.I., US Effective date: 20110502 Owner name: COTO TECHNOLOGY, INC., US Free format text: FORMER OWNER: COTO TECHNOLOGY,INC., WARWICK, US Effective date: 20110502 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20121101 |