DE112016005507A5 - Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen und Bauelement - Google Patents

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016101347A1 (de) 2016-01-26 2017-07-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen
JP7048875B2 (ja) * 2017-08-30 2022-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102017123242A1 (de) 2017-10-06 2019-04-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines oder einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterchip

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3977572B2 (ja) * 1999-06-09 2007-09-19 株式会社東芝 接着型半導体基板および半導体発光素子並びにこれらの製造方法
TWI240434B (en) 2003-06-24 2005-09-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method to produce semiconductor-chips
TW201314739A (zh) 2010-09-27 2013-04-01 Astrowatt Inc 包含半導體層及含金屬層之電子裝置及其形成方法
WO2012164431A1 (en) * 2011-06-01 2012-12-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of attaching a light emitting device to a support substrate
WO2013011415A1 (en) 2011-07-15 2013-01-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of bonding a semiconductor device to a support substrate
FR2992465B1 (fr) * 2012-06-22 2015-03-20 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication collective de leds et structure pour la fabrication collective de leds
WO2014080874A1 (ja) 2012-11-22 2014-05-30 信越化学工業株式会社 複合基板の製造方法及び複合基板
FR3011383B1 (fr) 2013-09-30 2017-05-26 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de dispositifs optoelectroniques a diodes electroluminescentes
DE102013110853B4 (de) * 2013-10-01 2020-12-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterchips
DE102014100773A1 (de) 2014-01-23 2015-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

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