DE112016000307B4 - Leiterrahmen und Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses sowie Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements - Google Patents

Leiterrahmen und Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses sowie Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements Download PDF

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Abstract

Leiterrahmen (100, 1100) zur Herstellung eines Chipgehäuses (600)mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt (200) und einem zweiten Leiterrahmenabschnitt (200), die durch einen Steg (300) miteinander verbunden sind,wobei der Steg (300) einen ersten Längsabschnitt (310), einen zweiten Längsabschnitt (320) und einen dritten Längsabschnitt (330) aufweist,wobei der erste Längsabschnitt (310), der zweite Längsabschnitt (320) und der dritte Längsabschnitt (330) jeweils geradlinig ausgebildet sind,wobei der erste Längsabschnitt (310) an den zweiten Längsabschnitt (320) und der zweite Längsabschnitt (320) an den dritten Längsabschnitt (330) angrenzt,wobei der erste Längsabschnitt (310) senkrecht an eine Außenkante (201) des ersten Leiterrahmenabschnitts (200) angrenzt und der dritte Längsabschnitt (330) senkrecht an eine Außenkante (201) des zweiten Leiterrahmenabschnitts (200) angrenzt,wobei der erste Längsabschnitt (310) und der dritte Längsabschnitt (330) parallel zueinander orientiert sind, wobei der erste Längsabschnitt (310) und der zweite Längsabschnitt (320) einen von 180° und von 90° verschiedenen Winkel (340) einschließen,wobei der Leiterrahmen (100, 1100) eben ausgebildet ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Leiterrahmen zur Herstellung eines Chipgehäuses gemäß Patentanspruch 1, ein Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses gemäß Patentanspruch 5 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 8.
  • Es ist bekannt, Gehäuse elektronischer Bauelemente, beispielsweise optoelektronischer Bauelemente, durch Einbetten eines Leiterrahmens in einen Formkörper herzustellen. Solche Leiterrahmen weisen einzelne Leiterrahmenabschnitte auf, die über Stege miteinander verbunden sind, die in einem späteren Bearbeitungsschritt durchtrennt werden.
  • Die JP S57- 118 658 A , die US 4 870 474 A , die US 2008 / 0 157 297 A1 und die JP 2014 - 150 244 A beschreiben jeweils Leiterrahmen mit nicht-geradlinig ausgebildeten Verbindungsstegen. Die US 2011 / 0 001 227 A1 und die WO 2013 / 092 308 A1 beschreiben weitere Leiterrahmen mit Verbindungsstegen.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen Leiterrahmen zur Herstellung eines Chipgehäuses bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch einen Leiterrahmen mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 5 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 8 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
  • Ein Leiterrahmen zur Herstellung eines Chipgehäuses umfasst einen ersten Leiterrahmenabschnitt und einen zweiten Leiterrahmenabschnitt, die durch einen Steg miteinander verbunden sind. Der Steg weist einen ersten Längsabschnitt, einen zweiten Längsabschnitt und einen dritten Längsabschnitt auf. Der erste Längsabschnitt grenzt an den ersten Leiterrahmenabschnitt an. Der dritte Längsabschnitt grenzt an den zweiten Leiterrahmenabschnitt an. Der erste Längsabschnitt und der dritte Längsabschnitt sind parallel zueinander orientiert. Der erste Längsabschnitt und der zweite Längsabschnitt schließen einen von 180° verschiedenen Winkel ein. Der Leiterrahmen ist eben ausgebildet.
  • Durch die Ausgestaltung des die Leiterrahmenabschnitte verbindenden Stegs mit dem gegen den ersten Längsabschnitt des Stegs und gegen den dritten Längsabschnitt des Stegs abgeknickten zweiten Längsabschnitt bildet der Steg eine elastisch verformbare Biegefeder. Der als Biegefeder wirkende Steg zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt des Leiterrahmens ermöglicht eine elastische Größenänderung des Leiterrahmens in der Ebene des Leiterrahmens. Dies ermöglicht es dem Leiterrahmen, einer durch eine Temperaturänderung bedingten Größenänderung eines Formkörpers, in den der Leiterrahmen eingebettet ist, zu folgen. Dadurch werden vorteilhafterweise durch die Größenänderung des Formkörpers bewirkte Verspannungen zwischen dem Leiterrahmen und dem Formkörper reduziert, wodurch auch eine Verbiegung (warpage) des Formkörpers reduziert werden kann.
  • Der gegen den ersten Längsabschnitt und gegen den dritten Längsabschnitt schräg angeordnete zweite Längsabschnitt des Stegs ermöglicht es, den ersten Leiterrahmenabschnitt und den zweiten Leiterrahmenabschnitt des Leiterrahmens in eine Richtung miteinander zu verbinden, die weder parallel noch senkrecht zu den Außenkanten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts orientiert ist. Dadurch kann der Leiterrahmen eine erhöhte mechanische Stabilität aufweisen. Insbesondere kann dadurch vermieden werden, dass der Leiterrahmen über mehrere Leiterrahmenabschnitte hinweg geradlinig verlaufende Schlitze aufweist. Die sich hieraus ergebende erhöhte mechanische Stabilität des Leiterrahmens vereinfacht vorteilhafterweise die Handhabung und Bearbeitung des Leiterrahmens, beispielsweise während eines Aufbringens einer Beschichtung auf den Leiterrahmen und während eines Einbettens des Leiterrahmens in einen Formkörper.
  • Der erste Längsabschnitt und der zweite Längsabschnitt schließen auch einen von 90° verschiedenen Winkel ein. Dies hat zur Folge, dass auch der zweite Längsabschnitt und der dritte Längsabschnitt des Stegs einen von 90° verschiedenen Winkel einschließen.
  • Der erste Längsabschnitt grenzt senkrecht an eine Außenkante des ersten Leiterrahmenabschnitts an. Dies ermöglicht es, den Steg entlang einer zur Außenkante des ersten Leiterrahmenabschnitts parallelen Trennebene zu durchtrennen, wobei die Trennebene senkrecht zum ersten Längsabschnitt des Stegs durch den ersten Längsabschnitt des Stegs verläuft. Dadurch weist die beim Durchtrennen des Stegs gebildete Schnittkante vorteilhafterweise eine minimale Querschnittsfläche auf, wodurch eine Gratbildung reduziert wird, eine korrodierbare Fläche minimiert wird und eine Gefahr von Kurzschlüssen minimiert wird. Außerdem ist die so gebildete Schnittkante des Stegs seitlich neben der Außenkante des ersten Leiterrahmenabschnitts in einem durch den ersten Leiterrahmenabschnitt stabilisierten Abschnitt eines Chipgehäuses angeordnet, wodurch die Gefahr einer mechanischen Schwächung des Chipgehäuses im Bereich der Schnittkante des Stegs reduziert wird.
  • Der dritte Längsabschnitt grenzt senkrecht an eine Außenkante des zweiten Leiterrahmens an. Dies ermöglicht es, den Steg auch entlang einer zur Außenkante des zweiten Leiterrahmenabschnitts parallelen Trennebene zu durchtrennen, wobei die Trennebene senkrecht zum dritten Längsabschnitt des Stegs durch den dritten Längsabschnitt des Stegs verläuft.
  • In einer Ausführungsform des Leiterrahmens ist der erste Leiterrahmenabschnitt durch weitere Stege mit weiteren Leiterrahmenabschnitten verbunden. Dabei weisen alle weiteren Stege jeweils einen ersten Längsabschnitt, einen zweiten Längsabschnitt und einen dritten Längsabschnitt auf. Alle ersten Längsabschnitte der weiteren Stege grenzen an den ersten Leiterrahmenabschnitt an. Der erste Längsabschnitt und der dritte Längsabschnitt jedes weiteren Stegs sind jeweils parallel zueinander orientiert. Der erste Längsabschnitt und der zweite Längsabschnitt jedes weiteren Stegs schließen jeweils einen von 180° verschiedenen Winkel ein. Vorteilhafterweise wirken dadurch auch die weiteren Stege als elastisch verformbare Biegefedern und ermöglichen eine Größenänderung des Leiterrahmens in der Ebene des Leiterrahmens. Durch die mehreren Stege ergibt sich eine mechanisch stabile Verbindung der Leiterrahmenabschnitte des Leiterrahmens.
  • In einer Ausführungsform des Leiterrahmens ist dieser zur Herstellung eines QFN-Chipgehäuses vorgesehen. Unterseiten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts können dann beispielsweise Lötkontaktflächen des Chipgehäuses bilden.
  • In einer Ausführungsform des Leiterrahmens ist dieser zur Herstellung eines Chipgehäuses für ein optoelektronisches Bauelement vorgesehen. Beispielsweise kann der Leiterrahmen zur Herstellung eines Chipgehäuses für ein Leuchtdioden-Bauelement vorgesehen sein.
  • Ein Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Leiterrahmens der vorstehend beschriebenen Art, zum Einbetten des Leiterrahmens in einen Formkörper, und zum Zerteilen des Formkörpers und des Leiterrahmens, wobei der Steg durchtrennt wird.
  • Vorteilhafterweise wird das Einbetten des Leiterrahmens in den Formkörper bei diesem Verfahren durch die hohe mechanische Stabilität und Verbindungssteifheit des Leiterrahmens erleichtert. Die durch die Gestaltung des Stegs als in der Ebene des Leiterrahmens elastisch verformbare Biegefeder ermöglichte Änderung der Größe des Leiterrahmens in der Ebene des Leiterrahmens. Dies ermöglicht es dem Leiterrahmen vorteilhafterweise, einer beispielsweise durch eine Temperaturänderung bewirkten Größenänderung des Formkörpers nach dem Einbetten des Leiterrahmens in den Formkörper zu folgen, wodurch durch die Größenänderung bewirkte Verspannungen des Leiterrahmens und des Formkörpers und eine sich daraus ergebende unerwünschte Verbiegung des Formkörpers reduziert werden.
  • Das Zerteilen des Formkörpers und des Leiterrahmens wird bei diesem Verfahren vorteilhafterweise dadurch erleichtert, dass der Steg entlang einer Trennebene durchtrennt werden kann, die senkrecht zum ersten Längsabschnitt oder zum dritten Längsabschnitt des Stegs orientiert ist und durch den ersten Längsabschnitt oder den dritten Längsabschnitt des Stegs verläuft. Dadurch weist die beim Durchtrennen des Stegs gebildete Schnittfläche des Stegs eine minimale Größe auf. Daraus ergibt sich gleichzeitig der Vorteil, dass eine Gratbildung an der Schnittfläche des Stegs minimiert wird, die Größe der korrodierbaren Schnittfläche des Stegs minimiert wird und eine mit der Bildung der Schnittfläche einhergehende Kurzschlussgefahr reduziert wird. Die beim Durchtrennen des Stegs gebildete Schnittfläche des Stegs ist außerdem vorteilhafterweise seitlich neben einem Leiterrahmenabschnitt des Leiterrahmens und damit in einem durch diesen Leiterrahmenabschnitt mechanisch stabilisierten Abschnitt des Formkörpers angeordnet, wodurch die Gefahr einer mechanischen Schwächung des Formkörpers im Bereich der Schnittfläche gering ist.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Steg im ersten Längsabschnitt und/oder im dritten Längsabschnitt durchtrennt. Vorteilhafterweise wird es dadurch ermöglicht, den Steg an einer Trennebene zu durchtrennen, die parallel zu Au-ßenkanten der Leiterrahmenabschnitte des Leiterrahmens und senkrecht zum ersten Längsabschnitt und/oder zum dritten Längsabschnitt des Stegs orientiert ist.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Steg in eine Richtung durchtrennt, die senkrecht zum ersten Längsabschnitt des Stegs orientiert ist. Dadurch weist die beim Durchtrennen des Stegs gebildete Schnittfläche des Stegs vorteilhafterweise eine minimale Größe auf.
  • Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst ein Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses der vorgenannten Art und einen weiteren Schritt zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf einem Abschnitt des Leiterrahmens. Der optoelektronische Halbleiterchip kann dabei beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) sein. Vorteilhafterweise kann mit diesem Verfahren durch die reduzierte Störanfälligkeit des Verfahrens zum Herstellen des Chipgehäuses eine hohe Ausbeute erzielt werden, was eine kostengünstige Durchführung des Verfahrens ermöglicht.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
    • 1 eine Aufsicht auf einen Teil eines Leiterrahmens;
    • 2 eine Aufsicht auf einen Teil des Leiterrahmens nach dessen Einbettung in einen Formkörper;
    • 3 eine Aufsicht auf ein aus dem Formkörper gebildetes erstes optoelektronisches Bauelement;
    • 4 eine Aufsicht auf einen Teil eines weiteren Leiterrahmens; und
    • 5 eine Aufsicht auf ein zweites optoelektronisches Bauelement.
  • 1 zeigt in schematisierter Darstellung eine Aufsicht auf eine Oberseite 101 eines Leiterrahmens 100. Der Leiterrahmen 100 kann auch als Leadframe bezeichnet werden. Der Leiterrahmen 100 ist zur Herstellung einer Mehrzahl von Chipgehäusen vorgesehen. Die Chipgehäuse können beispielsweise als Gehäuse für elektronische Bauelemente dienen, insbesondere für optoelektronische Bauelemente, beispielsweise für Leuchtdioden-Bauelemente (LED-Bauelemente). Die Chipgehäuse können beispielsweise QFN-Chipgehäuse (Quad Flat No Leads) sein.
  • Der Leiterrahmen 100 weist eine im Wesentlichen flache und ebene Form mit der Oberseite 101 und einer der Oberseite 101 gegenüberliegenden Unterseite auf. Der Leiterrahmen 100 kann beispielsweise aus einem dünnen Blech, beispielsweise einem Kupferblech, gefertigt sein. Der Leiterrahmen 100 weist Durchbrüche auf, die sich von der Oberseite 101 des Leiterrahmens 100 zur Unterseite des Leiterrahmens 100 durch den Leiterrahmen 100 erstrecken. Die Durchbrüche können beispielsweise mittels eines Ätzprozesses oder durch ein Stanzverfahren angelegt worden sein.
  • Der Leiterrahmen 100 weist ein elektrisch leitendes Material auf, beispielsweise Kupfer. Zusätzlich können die Oberflächen des Leiterrahmens 100 eine elektrisch leitende Beschichtung (Plating) aus einem anderen elektrisch leitenden Material aufweisen, die beispielsweise dazu dienen kann, eine Benetzbarkeit des Leiterrahmens 100 durch Lot zu verbessern und/oder eine optische Reflektivität des Leiterrahmens 100 zu erhöhen. Die Beschichtung des Leiterrahmens 100 wird bevorzugt erst nach dem Anlegen der sich durch den Leiterrahmen 100 erstreckenden Durchbrüche aufgebracht, sodass die Beschichtung auch die im inneren Bereich der Durchbrüche gebildeten Flanken des Leiterrahmens 100 bedeckt.
  • Die sich durch den Leiterrahmen 100 erstreckenden Durchbrüche unterteilen den Leiterrahmen 100 in eine Mehrzahl von Leiterrahmenabschnitten 200, die über Stege 300 miteinander verbunden sind. Die Leiterrahmenabschnitte 200 des Leiterrahmens 100 sind in einer regelmäßigen Gitteranordnung angeordnet, von der in 1 eine erste Spalte 110, eine zweite Spalte 120, eine dritte Spalte 130, eine erste Zeile 140 und eine zweite Zeile 150 gezeigt sind. Der Leiterrahmen 100 kann weitere Spalten und weitere Zeilen umfassen. Alle Leiterrahmenabschnitte 200 und Stege 300 des Leiterrahmens 100 sind in einer gemeinsamen Ebene angeordnet.
  • Die Leiterrahmenabschnitte 200 des Leiterrahmens 100 umfassen Anodenabschnitte 210 und Kathodenabschnitte 220. Alle Anodenabschnitte 210 des Leiterrahmens 100 sind im Wesentlichen identisch zueinander ausgebildet. Auch alle Kathodenabschnitte 220 des Leiterrahmens 100 sind im Wesentlichen identisch zueinander ausgebildet.
  • Je ein Anodenabschnitt 210 und ein dem Anodenabschnitt 210 benachbarter Kathodenabschnitt 220 bilden ein Abschnittspaar 230 des Leiterrahmens 100. An jedem Kreuzungspunkt einer Spalte 110, 120, 130 und einer Zeile 140, 150 des Leiterrahmens 100 ist ein Abschnittspaar 230 angeordnet. Alle Abschnittspaare 230 des Leiterrahmens 100 sind im Wesentlichen identisch zueinander ausgebildet. Jedes Abschnittspaar 230 des Leiterrahmens 100 ist zur Herstellung eines Chipgehäuses vorgesehen.
  • Die Leiterrahmenabschnitte 200 des Leiterrahmens 100 weisen im in 1 gezeigten Beispiel jeweils eine rechteckige Form mit Außenkanten 201 auf. Dabei sind die Anodenabschnitte 210 in diesem Beispiel größer als die Kathodenabschnitte 220 ausgebildet, was jedoch nicht zwingend erforderlich ist. Es ist möglich, die Leiterrahmenabschnitte 200 anders als rechteckig auszubilden, beispielsweise mit anderen polygonalen Formen mit Außenkanten 201.
  • Jeder Leiterrahmenabschnitt 200 des Leiterrahmens 100 ist über Stege 300 mit mehreren benachbarten weiteren Leiterrahmenabschnitten 200 verbunden. Der Anodenabschnitt 210 und der Kathodenabschnitt 220 eines Abschnittspaars 230 sind dabei jedoch jeweils nicht direkt miteinander verbunden, sondern lediglich über benachbarte Leiterrahmenabschnitte 200 benachbarter Abschnittspaare 230.
  • Der Kathodenabschnitt 220 des am Schnittpunkt der zweiten Spalte 120 und der zweiten Zeile 150 angeordneten Abschnittspaars 230 ist über einen ersten Steg 300, 301 mit dem Anodenabschnitt 210 des in der zweiten Spalte 120 und der ersten Zeile 140 angeordneten Abschnittspaars 230 verbunden. Außerdem ist der Kathodenabschnitt 220 des in der zweiten Spalte 120 und der zweiten Zeile 150 angeordneten Abschnittspaars 230 über einen zweiten Steg 300, 302 mit dem Anodenabschnitt 210 des Abschnittspaars 230 verbunden, das in der dritten Spalte 130 und der zweiten Zeile 150 angeordnet ist. Der Anodenabschnitt 210 des in der zweiten Spalte 120 und der zweiten Zeile 150 angeordneten Abschnittspaars 230 ist über einen dritten Steg 300, 330 mit dem Anodenabschnitt 210 des Abschnittspaars 230 in der dritten Spalte 130 und der zweiten Zeile 150 verbunden.
  • Alle weiteren Abschnittspaare 230 des Leiterrahmens 100 sind in entsprechender Weise über erste Stege 300, 301, zweite Stege 300, 302 und dritte Stege 300, 303 mit den Leiterrahmenabschnitten 200 ihrer benachbarten Abschnittspaare 230 verbunden. Dadurch ist der Anodenabschnitt 210 des Abschnittspaars 230 in der zweiten Spalte 120 und der zweiten Zeile 150 zusätzlich über einen weiteren ersten Steg 300, 301 mit dem Kathodenabschnitt 220 eines Abschnittspaars 230 verbunden, das in der zweiten Spalte 120 und einer nur teilweise sichtbaren dritten Zeile des Leiterrahmens 100 angeordnet ist. Der Anodenabschnitt 210 des Abschnittspaars 230 in der zweiten Spalte 120 und der zweiten Zeile 150 ist außerdem über einen weiteren zweiten Steg 300, 302 mit dem Kathodenabschnitt 220 des Abschnittspaars 230 in der ersten Spalte 110 und der zweiten Zeile 150 verbunden. Außerdem ist der Anodenabschnitt 210 des Abschnittspaars 230 in der zweiten Spalte 120 und der zweiten Zeile 150 über einen weiteren dritten Steg 300, 303 mit dem Anodenabschnitt 210 des Abschnittspaars 230 in der ersten Spalte 110 und der zweiten Zeile 150 verbunden.
  • Jeder Steg 300 des Leiterrahmens 100 ist als sich entlang einer Längsrichtung erstreckender Balken ausgebildet, der sich von dem einen der durch den Steg 300 verbundenen Leiterrahmenabschnitte 200 zu dem anderen der durch den Steg 300 verbundenen Leiterrahmenabschnitte 200 erstreckt. Dabei ist jeder Steg 300 entlang seiner Längsrichtung in einen ersten Längsabschnitt 310, einen zweiten Längsabschnitt 320 und einen dritten Längsabschnitt 330 unterteilt. Die einzelnen Längsabschnitte 310, 320, 330 sind jeweils geradlinig ausgebildet. Der erste Längsabschnitt 310 grenzt an den zweiten Längsabschnitt 320 an. Der zweite Längsabschnitt 320 grenzt an den dritten Längsabschnitt 330 an. Der erste Längsabschnitt 310 grenzt an eine Außenkante 201 des einen der durch den Steg 300 verbundenen Leiterrahmenabschnitte 200 an. Der dritte Längsabschnitt 330 grenzt an eine Außenkante 201 des anderen der durch den Steg 300 verbundenen Leiterrahmenabschnitte 200 an. Bevorzugt grenzen der erste Längsabschnitt 310 und der dritte Längsabschnitt 330 jeweils senkrecht an die Außenkanten 201 der mit den jeweiligen Längsabschnitten 310, 330 verbundenen Leiterrahmenabschnitte 200 an. Im dargestellten Beispiel sind die Stege 300 verzweigungsfrei ausgebildet.
  • Der erste Längsabschnitt 310 des ersten Stegs 300, 301, der den Kathodenabschnitt 220 des Abschnittspaars 230 in der zweiten Spalte 120 und der zweiten Zeile 150 des Leiterrahmens 100 mit dem Anodenabschnitt 210 des Abschnittspaars 230 in der dritten Spalte 130 und der zweiten Zeile 150 des Leiterrahmens 100 verbindet, grenzt beispielsweise senkrecht an eine Außenkante 201 des Kathodenabschnitts 220 des Abschnittspaars 230 in der zweiten Spalte 120 und der zweiten Zeile 150 an. Der dritte Längsabschnitt 330 dieses ersten Stegs 300, 301 grenzt senkrecht an eine Außenkante 201 des Anodenabschnitts 210 des Abschnittspaars 230 in der dritten Spalte 130 und der zweiten Zeile 150 des Leiterrahmens 100 an.
  • Der erste Längsabschnitt 310 und der dritte Längsabschnitt 330 jedes Stegs 300 sind parallel zueinander orientiert. Der erste Längsabschnitt 310 und der zweite Längsabschnitt 320 jedes Stegs 300 schließen einen Winkel 340 ein, der von 180° verschieden ist. Dadurch schließen auch der zweite Längsabschnitt 320 und der dritte Längsabschnitt 330 jedes Stegs 300 jeweils diesen Winkel 340 ein. Bevorzugt ist der Winkel 340 auch von 90° verschieden und liegt zwischen 90° und 180°. Der zweite Längsabschnitt 320 ist damit bei jedem Steg 300 schräg zum ersten Längsabschnitt 310 und zum dritten Längsabschnitt 330 angeordnet. Die Stege 300 weisen in den Übergangsbereichen zwischen dem ersten Längsabschnitt 310 und dem zweiten Längsabschnitt 320 sowie zwischen dem zweiten Längsabschnitt 320 und dem dritten Längsabschnitt 330 jeweils einen Knick auf.
  • Der Winkel 340 kann bei unterschiedlichen Stegen 300 unterschiedliche Werte aufweisen. Beispielsweise kann der Winkel 340 bei allen ersten Stegen 300, 301 einen ersten Wert, bei allen zweiten Stegen 300, 302 einen zweiten Wert und bei allen dritten Stegen 300, 303 des Leiterrahmens 100 einen dritten Wert aufweisen.
  • Im in 1 gezeigten Beispiel des Leiterrahmens 100 sind die Stege 300 jeweils drehsymmetrisch bezüglich einer Drehung um einen Winkel von 180° und um einem im zweiten Längsabschnitt 320 angeordneten Drehpunkt ausgebildet. Es ist allerdings ebenfalls möglich, die ersten Längsabschnitte 310 und die dritten Längsabschnitte 330 der Stege 300 derart unterschiedlich auszubilden, dass die Stege 300 keine Drehsymmetrie aufweisen.
  • Die ersten Stege 300, 301 des Leiterrahmens 100 verbinden Leiterrahmenabschnitte 200 von in benachbarten Zeilen 140, 150 des Leiterrahmens 100 angeordneten Abschnittspaaren 230. Die zweiten Stege 300, 302 und die dritten Stege 300, 303 des Leiterrahmens 100 verbinden Leiterrahmenabschnitte 200 von in benachbarten Spalten 110, 120, 130 des Leiterrahmens 100 angeordneten Abschnittspaaren 230. Im in 1 gezeigten Beispiel des Leiterrahmens 100 sind alle Stege 300, 301, 302, 303 in der beschriebenen Form mit einem ersten Längsabschnitt 310, einem zum ersten Längsabschnitt 310 parallelen dritten Längsabschnitt 330 und einem gegenüber dem ersten Längsabschnitt 310 und dem dritten Längsabschnitt 330 unter dem Winkel 340 angeordneten zweiten Längsabschnitt 320 ausgebildet. Es wäre aber auch möglich, beispielsweise lediglich die ersten Stege 300, 301 oder lediglich die zweiten Stege 300, 302 und die dritten Stege 300, 303 des Leiterrahmens 100 in der beschriebenen Weise auszubilden. Die übrigen Stege 300 des Leiterrahmens 100 können in diesem Fall beispielsweise als geradlinige Balken ohne abgewinkelte Mittenabschnitte ausgebildet sein.
  • Die Stege 300 des Leiterrahmens 100 bilden durch ihre gewinkelte Ausführung elastisch verformbare Biegefedern. Dadurch ermöglichen die Stege 300 eine elastische Verformung des Leiterrahmens 100 in eine Richtung parallel zur Ebene des Leiterrahmens 100, bei der die einzelnen Leiterrahmenabschnitte 200 des Leiterrahmens 100 weiter voneinander entfernt und/oder näher aneinander angenähert werden.
  • 2 zeigt eine schematisierte Aufsicht auf den Leiterrahmen 100 in einem der Darstellung der 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
  • Der Leiterrahmen 100 ist in einen Formkörper 400 eingebettet worden. Der Formkörper 400 kann auch als Moldkörper oder als Gehäusekörper bezeichnet werden. Der Formkörper 400 weist ein elektrisch isolierendes Material auf, bevorzugt ein Kunststoffmaterial, beispielsweise ein Epoxidharz. Das Einbetten des Leiterrahmens 100 in den Formkörper 400 kann beispielsweise durch einen Formprozess (Moldprozess) erfolgt sein, insbesondere beispielsweise durch Spritzpressen (Transfer Molding) oder durch Spritzgießen (Injection Molding). Dabei wurde der Leiterrahmen 100 zumindest teilweise mit dem Material des Formkörpers 400 umformt.
  • Der Formkörper 400 bedeckt einen großen Teil der Oberseite 101 des Leiterrahmens 100 und erstreckt sich auch in die Durchbrüche des Leiterrahmens 100. Die Unterseite des Leiterrahmens 100 kann teilweise oder vollständig unbedeckt durch den Formkörper 400 sein.
  • An der Oberseite 101 des Leiterrahmens 100 weist der Formkörper 400 Aussparungen auf, die Kavitäten 420 bilden. In den Bereichen der Kavitäten 420 ist die Oberseite 101 des Leiterrahmens 100 nicht durch das Material des Formkörpers 400 bedeckt. Über jedem Abschnittspaar 230 des Leiterrahmens 100 ist eine Kavität 420 in dem Formkörper 400 ausgebildet. Im Bereich dieser Kavität ist jeweils ein Teil der Oberseite 101 des Anodenabschnitts 210 und ein Teil der Oberseite 101 des Kathodenabschnitts 220 des jeweiligen Abschnittspaars 230 zugänglich und nicht durch das Material des Formkörpers 400 bedeckt.
  • Nach dem Einbetten des Leiterrahmens 100 in den Formkörper 400 wurde in jeder Kavität 420 des Formkörpers 400 jeweils ein optoelektronischer Halbleiterchip 500 angeordnet. Die optoelektronischen Halbleiterchips 500 können beispielsweise Leuchtdiodenchips (LED-Chips) sein. Jeder optoelektronische Halbleiterchip 500 weist eine Oberseite 501 und eine der Oberseite 501 gegenüberliegende Unterseite auf. Die Oberseite 501 kann eine Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 500 sein.
  • Im in 2 gezeigten Beispiel ist jeder optoelektronische Halbleiterchip 500 auf dem in der jeweiligen Kavität 420 freiliegenden Teil des Anodenabschnitts 210 des jeweiligen Abschnittspaars 230 angeordnet. Dabei ist die Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips 500 dem Anodenabschnitt 210 zugewandt und derart mit dem Anodenabschnitt 210 verbunden, dass eine elektrisch leitende Verbindung zwischen einem an der Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips 500 angeordneten elektrischen Kontakt des optoelektronischen Halbleiterchips 500 und dem jeweiligen Anodenabschnitt 210 besteht. Ein an der Oberseite 501 des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 500 angeordneter weiterer elektrischer Kontakt des optoelektronischen Halbleiterchips 500 ist mittels eines Bonddrahts 510 elektrisch leitend mit dem in der jeweiligen Kavität 420 freiliegenden Teil des Kathodenabschnitts 220 des jeweiligen Abschnittspaars 230 verbunden. Es ist allerdings auch möglich, die optoelektronischen Halbleiterchips 500 auf andere Weise in den Kavitäten 420 des Formkörpers 400 anzuordnen und elektrisch leitend mit dem jeweiligen Anodenabschnitt 210 und dem jeweiligen Kathodenabschnitt 220 des jeweiligen Abschnittspaars 230 des Leiterrahmens 100 zu verbinden.
  • Nach dem Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchips 500 in den Kavitäten 420 des Formkörpers 400 und dem Herstellen der elektrisch leitenden Verbindungen zwischen den optoelektronischen Halbleiterchips 500 und den Abschnittspaaren 230 des Leiterrahmens 100 kann in jeder Kavität 420 des Formkörpers 400 ein Vergussmaterial angeordnet worden sein. In diesem Fall sind die in den Kavitäten 420 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 500 und die in den Kavitäten 420 angeordneten Bonddrähte 510 in das in den jeweiligen Kavitäten 420 angeordnete Vergussmaterial eingebettet. Das Vergussmaterial kann beispielsweise ein Silikon oder ein anderes optisch transparentes Material aufweisen und kann einem Schutz des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 500 und des jeweiligen Bonddrahts 510 vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen dienen. Das in den Kavitäten 420 des Formkörpers 400 angeordnete Vergussmaterial kann außerdem eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweisen, die dazu ausgebildet sind, zumindest einen Teil der durch den jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchip 500 emittierten elektromagnetischen Strahlung in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Es ist möglich, auf das Anordnen von Vergussmaterial in den Kavitäten 420 des Formkörpers 400 zu verzichten.
  • Die elastisch verformbare Biegefedern bildenden Stege 300 des Leiterrahmens 100 ermöglichen eine Größenänderung des Leiterrahmens 100 in der Ebene des Leiterrahmens 100. Dies ermöglicht es dem Leiterrahmen 100, nach dem Einbetten des Leiterrahmens 100 in den Formkörper 400 einer möglichen Größenänderung des Formkörpers 400 nachzufolgen. Beispielsweise kann der Formkörper 400 nach dem Ausbilden des Formkörpers 400 während einer Abkühlung eine Schrumpfung erfahren. Dadurch, dass der Leiterrahmen 100 der Größenabnahme des Formkörpers 400 zumindest teilweise nachfolgen kann, entstehen während der Schrumpfung des Formkörpers 400 nur geringe Spannungen zwischen dem Leiterrahmen 100 und dem den Leiterrahmen 100 einbettenden Formkörper 400. Dadurch kommt es auch nur zu einer geringen Verformung und/oder Durchbiegung des Formkörpers 400 mit dem eingebetteten Leiterrahmen 100.
  • In einer Variante des beschriebenen Verfahrens ist es möglich, den Formkörper 400 so auszubilden, dass die Oberseite 101 des Leiterrahmens 100 nicht durch das Material des Formkörpers 400 bedeckt wird. Auch die Unterseite des Leiterrahmens 100 bleibt dabei bevorzugt durch das Material des Formkörpers 400 unbedeckt. Das Material des Formkörpers 400 füllt in diesem Fall lediglich die sich von der Oberseite 101 zur Unterseite des Leiterrahmens 100 erstreckenden Durchbrüche des Leiterrahmens 100. Der auf diese Weise gebildete Formkörper 400 weist keine Kavitäten 420 auf. Nach dem Ausbilden des Formkörpers 400 werden die optoelektronischen Halbleiterchips 500, wie in der Darstellung der 2, auf den Abschnittspaaren 230 an den Kreuzungspunkten der Spalten 110, 120, 130 und der Zeilen 140, 150 des Leiterrahmens 100 angeordnet. Anschließend kann an der Oberseite 101 des Leiterrahmens 100 ein Vergussmaterial angeordnet werden, in das die optoelektronischen Halbleiterchips 500 und die Bonddrähte 510 eingebettet werden. Das Anordnen des Vergussmaterial an der Oberseite 101 des Leiterrahmens 100 kann beispielsweise durch ein Formverfahren erfolgen.
  • In einem dem in 2 dargestellten Bearbeitungsstand nachfolgenden Bearbeitungsschritt werden der Formkörper 400 und der in den Formkörper 400 eingebettete Leiterrahmen 100 zerteilt, um dadurch einzelne Chipgehäuse 600 einzelner erster optoelektronischer Bauelemente 10 zu bilden. 3 zeigt in schematischer Darstellung eine Aufsicht auf eines der so gebildeten ersten optoelektronischen Bauelemente 10.
  • Das Zerteilen des Formkörpers 400 und des in den Formkörper 400 eingebetteten Leiterrahmens erfolgt entlang senkrechter Trennebenen 160, 165 und waagerechter Trennebenen 170, 175. Die senkrechten Trennebenen 160, 165 verlaufen zwischen den Spalten 110, 120, 130 des Leiterrahmens 100. Die waagrechten Trennebenen 170, 175 verlaufen zwischen den Zeilen 140, 150 des Leiterrahmens 100. Zwischen je zwei benachbarten Spalten 110, 120, 130 des Leiterrahmens 100 verläuft eine der ersten senkrechten Trennebenen 160 durch die ersten Längsabschnitte 310 der sich zwischen diesen Spalten 110, 120, 130 erstreckenden zweiten Stege 300, 302 und dritten Stege 300, 303. Die erste senkrechte Trennebene 160 ist dabei senkrecht zu den ersten Längsabschnitten 310 der an der ersten senkrechten Trennebene 160 durchtrennten Stege 300, 302, 303 orientiert. Zwischen je zwei benachbarten Spalten 110, 120, 130 des Leiterrahmens 100 erstreckt sich außerdem eine zweite senkrechte Trennebene 165 durch die dritten Längsabschnitte 330 der zwischen den beiden Spalten 110, 120, 130 verlaufenden zweiten Stege 300, 302 und dritten Stege 300, 303. Dabei ist die zweite senkrechte Trennebene 165 senkrecht zu den dritten Längsabschnitten 330 der an der zweiten senkrechten Trennebene 165 durchtrennten Stege 300, 302, 303 orientiert. Zwischen je zwei benachbarten Zeilen 140, 150 des Leiterrahmens 100 erstreckt sich eine der ersten waagrechten Trennebenen 170 durch die dritten Längsabschnitte 330 der sich zwischen diesen beiden Teilen 140, 150 des Leiterrahmens 100 erstreckenden ersten Stege 300, 301 und ist dabei senkrecht zu den dritten Längsabschnitte 330 dieser Stege 300, 301 orientiert. Außerdem erstreckt sich zwischen allen benachbarten Zeilen 140, 150 des Leiterrahmens 100 je eine der zweiten waagrechten Trennebenen 165 durch die ersten Längsabschnitte 310 der zwischen den jeweiligen Zeilen 140, 150 verlaufenden ersten Stege 300, 301 und ist dabei senkrecht zu den ersten Längsabschnitten 310 dieser ersten Stege 300, 301 orientiert.
  • Das Durchtrennen des Formkörpers 400 und der Stege 300 des in den Formkörper 400 eingebetteten Leiterrahmens 100 entlang der Trennebenen 160, 165, 170, 175 kann beispielsweise durch einen Sägeprozess erfolgen. Da die Stege 300 des Leiterrahmens 100 dabei in ihren ersten Längsabschnitten 310 und ihren dritten Längsabschnitten 330 jeweils in senkrechter Richtung durchtrennt werden, kommt es dabei im Bereich der Stege 300 nur zu einer geringen Gratbildung, wodurch auch nur eine geringe Kurzschlussgefahr besteht. Außerdem weisen die an den Trennebenen 160, 165, 170, 175 gebildeten Schnittkanten der Stege 300 durch die senkrechte Durchtrennung eine minimale Fläche auf, wodurch die Korrosionsempfindlichkeit der so gebildeten Chipgehäuse 600 minimiert wird.
  • Während des Durchtrennens des Formkörpers 400 und des in den Formkörper 400 eingebetteten Leiterrahmens 100 werden die zwischen jeweils zwei zusammengehörigen senkrechten Trennebenen 160, 165 und die zwischen jeweils zwei zusammengehörigen waagrechten Trennebenen 170, 175 angeordneten Teile des Formkörpers 400 und die in diese Teile des Formkörpers 400 eingebetteten zweiten Längsabschnitte 320 der Stege 300 des Leiterrahmens 100 entfernt.
  • Die durch das Durchtrennen des Formkörpers 400 und des in den Formkörper 400 eingebetteten Leiterrahmens 100 gebildeten Chipgehäuse 600 umfassen jeweils einen Formkörperabschnitt 410 des Formkörpers 400 und ein in diesen Formkörperabschnitt 410 eingebettetes Abschnittspaar 230 von Leiterrahmenabschnitten 200 des Leiterrahmens 100. Der Formkörperabschnitt 410 jedes Chipgehäuses 600 umfasst eine der Kavitäten 420. Das Chipgehäuse 600 und der in der Kavität 420 angeordnete und gegebenenfalls in ein Vergussmaterial eingebettete optoelektronische Halbleiterchip 500 bilden das erste optoelektronische Bauelement 10.
  • Jedes durch das Zerteilen von Formkörper 400 und Leiterrahmen 100 gebildete Chipgehäuse 600 weist nur Teile der ersten Längsabschnitte 310 und der dritten Längsabschnitte 330 der Stege 300 des Leiterrahmens 100 auf. Dadurch erstrecken sich keine Teile der Stege 300 in den zwischen dem Anodenabschnitt 210 und dem Kathodenabschnitt 220 des Abschnittspaars 230 des Chipgehäuses 600 gelegenen Teil des Formkörperabschnitts 410 des Chipgehäuses 600. Insbesondere liegen in diesem Bereich des Formkörperabschnitts 410 keine Schnittflächen der Stege 300 an den Außenflanken des Formkörperabschnitts 410 des Chipgehäuses 600 frei. Vorteilhafterweise wird dadurch eine mechanische Schwächung des Formkörperabschnitts 410 des Chipgehäuses 600 in diesem Teil des Formkörperabschnitts 410 vermieden.
  • Das erste optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise als SMT-Bauelement für eine Oberflächenmontage vorgesehen sein, beispielsweise für eine Oberflächenmontage durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten). Dabei können an der Unterseite des Chipgehäuses 600 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 freiliegende Abschnitte der Unterseite des Anodenabschnitts 210 und des Kathodenabschnitts 220 des Chipgehäuses 600 als Lötkontaktflächen des ersten optoelektronischen Bauelements 10 dienen.
  • 4 zeigt in schematisierter Darstellung eine Aufsicht auf einen Leiterrahmen 1100. Der Leiterrahmen 1100 weist große Übereinstimmungen mit dem Leiterrahmen 100 der 1 auf. Komponenten des Leiterrahmens 1100, die beim Leiterrahmen 100 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in 4 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in 1. Nachfolgend werden lediglich die Unterschiede zwischen dem Leiterrahmen 1100 der 4 und dem Leiterrahmen 100 der 1 erläutert. Der Leiterrahmen 1100 kann zur Herstellung eines Chipgehäuses 600 eines zweiten optoelektronischen Bauelements verwendet werden, wobei die Herstellung nach dem anhand der 1 bis 3 erläuterten Verfahren erfolgen kann.
  • Der Leiterrahmen 1100 unterscheidet sich von dem Leiterrahmen 100 dadurch, dass der Leiterrahmen 1100 zusätzlich zu den ersten Stegen 300, 301, den zweiten Stegen 300, 302 und den dritten Stegen 300, 303 noch vierte Stege 300, 304 und fünfte Stege 300, 305 aufweist. Die vierten Stege 300, 304 erstrecken sich jeweils vom Kathodenabschnitt 220 eines Abschnittspaars 230 zum Kathodenabschnitt 220 eines benachbarten Abschnittspaars 230. Beispielsweise erstreckt sich einer der vierten Stege 300, 304 von dem Kathodenabschnitt 220 des Abschnittspaars 230 in der zweiten Spalte 120 und der zweiten Zeile 150 zu dem Kathodenabschnitt 220 des Abschnittspaars 230 in der dritten Spalte 130 und der zweiten Zeile 150 des Leiterrahmens 100. Dabei grenzt der erste Längsabschnitt 310 des vierten Stegs 300, 304 senkrecht an eine der Außenkanten 201 des Kathodenabschnitts 220 des Abschnittspaars 230 in der zweiten Spalte 120 an, während der dritte Längsabschnitt 330 des vierten Stegs 300, 304 senkrecht an eine der Außenkanten 201 des Kathodenabschnitts 220 des Abschnittspaars 230 in der dritten Spalte 130 angrenzt.
  • Die fünften Stege 300, 305 verlaufen parallel zu den dritten Stegen 300, 303 und verbinden jeweils den Anodenabschnitt 210 eines Abschnittspaars 230 mit dem Anodenabschnitt 210 eines benachbarten Abschnittspaars 230. Beispielsweise verbindet einer der fünften Stege 300, 305 den Anodenabschnitt 210 des Abschnittspaars 230 in der zweiten Spalte 120 und der zweiten Zeile 150 des Leiterrahmens 100 mit dem Anodenabschnitt 210 des Abschnittspaars 230 in der dritten Spalte 130 und der zweiten Zeile 150. Dabei grenzt der erste Längsabschnitt 310 dieses fünften Stegs 300, 305 senkrecht an eine der Außenkanten 201 des Anodenabschnitts 210 des Abschnittspaars 230 in der zweiten Spalte 120 an. Der dritte Längsabschnitt 330 dieses fünften Stegs 300, 305 grenzt senkrecht an eine der Au-ßenkanten 201 des Anodenabschnitts 210 des Abschnittspaars 230 in der dritten Spalte 130 des Leiterrahmens 100 an.
  • Die vierten Stege 300, 304 und die fünften Stege 300, 305 sind bei dem Leiterrahmen 1100 wie die übrigen Stege 300 ausgebildet und wirken dadurch ebenfalls als elastisch verformbare Biegefedern. Durch die höhere Anzahl der Stege 300 des Leiterrahmens 1100 weist der Leiterrahmen 1100 allerdings eine gegenüber dem Leiterrahmen 100 reduzierte Elastizität und Flexibilität und damit eine gegenüber dem Leiterrahmen 100 erhöhte mechanische Stabilität auf. Es ist möglich, den Leiterrahmen 1100 entsprechend mit noch weiteren Stegen 300 auszubilden, um die Steifigkeit des Leiterrahmens 1100 weiter zu erhöhen.
  • 5 zeigt eine schematische Aufsicht auf ein zweites optoelektronisches Bauelement 20, das ein Chipgehäuse 600 aufweist, das aus dem Leiterrahmen 1100 hergestellt worden ist. Das Chipgehäuse 600 weist lediglich Teile der ersten Längsabschnitte 310 und der dritten Längsabschnitte 330 der Stege 300 auf, die an die Leiterrahmenabschnitte 200 des in den Formkörperabschnitt 410 des Chipgehäuses 600 eingebetteten Abschnittspaars 230 angrenzen.
  • Bezugszeichenliste
    • 10
    erstes optoelektronisches Bauelement
    20
    zweites optoelektronisches Bauelement
    100
    Leiterrahmen
    101
    Oberseite
    110
    erste Spalte
    120
    zweite Spalte
    130
    dritte Spalte
    140
    erste Zeile
    150
    zweite Zeile
    160
    erste senkrechte Trennebene
    165
    zweite senkrechte Trennebene
    170
    erste waagrechte Trennebene
    175
    zweite waagrechte Trennebene
    200
    Leiterrahmenabschnitt
    201
    Außenkante
    210
    Anodenabschnitt
    220
    Kathodenabschnitt
    230
    Abschnittspaar
    300
    Steg
    301
    erster Steg
    302
    zweiter Steg
    303
    dritter Steg
    304
    vierter Steg
    305
    fünfter Steg
    310
    erster Längsabschnitt
    320
    zweiter Längsabschnitt
    330
    dritter Längsabschnitt
    340
    Winkel
    400
    Formkörper
    410
    Formkörperabschnitt
    420
    Kavität
    500
    optoelektronischer Halbleiterchip
    501
    Oberseite
    510
    Bonddraht
    600
    Chipgehäuse
    1100
    Leiterrahmen

Claims (8)

  1. Leiterrahmen (100, 1100) zur Herstellung eines Chipgehäuses (600) mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt (200) und einem zweiten Leiterrahmenabschnitt (200), die durch einen Steg (300) miteinander verbunden sind, wobei der Steg (300) einen ersten Längsabschnitt (310), einen zweiten Längsabschnitt (320) und einen dritten Längsabschnitt (330) aufweist, wobei der erste Längsabschnitt (310), der zweite Längsabschnitt (320) und der dritte Längsabschnitt (330) jeweils geradlinig ausgebildet sind, wobei der erste Längsabschnitt (310) an den zweiten Längsabschnitt (320) und der zweite Längsabschnitt (320) an den dritten Längsabschnitt (330) angrenzt, wobei der erste Längsabschnitt (310) senkrecht an eine Außenkante (201) des ersten Leiterrahmenabschnitts (200) angrenzt und der dritte Längsabschnitt (330) senkrecht an eine Außenkante (201) des zweiten Leiterrahmenabschnitts (200) angrenzt, wobei der erste Längsabschnitt (310) und der dritte Längsabschnitt (330) parallel zueinander orientiert sind, wobei der erste Längsabschnitt (310) und der zweite Längsabschnitt (320) einen von 180° und von 90° verschiedenen Winkel (340) einschließen, wobei der Leiterrahmen (100, 1100) eben ausgebildet ist.
  2. Leiterrahmen (100, 1100) gemäß Anspruch 1, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (200) durch weitere Stege (300) mit weiteren Leiterrahmenabschnitten (200) verbunden ist, wobei alle weiteren Stege (300) jeweils einen ersten Längsabschnitt (310), einen zweiten Längsabschnitt (320) und einen dritten Längsabschnitt (330) aufweisen, wobei alle ersten Längsabschnitte (310) der weiteren Stege (300) an den ersten Leiterrahmenabschnitt (200) angrenzen, wobei der erste Längsabschnitt (310) und der dritte Längsabschnitt (330) jedes weiteren Stegs (300) jeweils parallel zueinander orientiert sind, wobei der erste Längsabschnitt (310) und der zweite Längsabschnitt (320) jedes weiteren Stegs (300) jeweils einen von 180° verschiedenen Winkel (340) einschließen.
  3. Leiterrahmen (100, 1100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Leiterrahmen (100, 1100) zur Herstellung eines QFN-Chipgehäuses (600) vorgesehen ist.
  4. Leiterrahmen (100, 1100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Leiterrahmen (100, 1100) zur Herstellung eines Chipgehäuses (600) für ein optoelektronisches Bauelement (10, 20) vorgesehen ist.
  5. Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses (600) mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Leiterrahmens (100, 1100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche; - Einbetten des Leiterrahmens (100, 1100) in einen Formkörper (400); - Zerteilen des Formkörpers (400) und des Leiterrahmens (100, 1100), wobei der Steg (300) durchtrennt wird.
  6. Verfahren gemäß Anspruch 5, wobei der Steg (300) im ersten Längsabschnitt (310) und/oder im dritten Längsabschnitt (330) durchtrennt wird.
  7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 und 6, wobei der Steg (300) in eine Richtung durchtrennt wird, die senkrecht zum ersten Längsabschnitt (310) des Stegs (300) orientiert ist.
  8. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10, 20), wobei das Verfahren ein Herstellen eines Chipgehäuses (600) nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 7 umfasst, wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt umfasst: - Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (500) auf einem Abschnitt des Leiterrahmens (100, 1100).
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015100262A1 (de) * 2015-01-09 2016-07-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses sowie Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102017123898A1 (de) * 2017-10-13 2019-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
TWI754971B (zh) * 2020-06-23 2022-02-11 新加坡商光寶科技新加坡私人有限公司 感測元件封裝結構及其封裝方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57118658A (en) 1981-12-07 1982-07-23 Hitachi Ltd Lead frame
US4870474A (en) 1986-12-12 1989-09-26 Texas Instruments Incorporated Lead frame
US20080157297A1 (en) 2006-12-29 2008-07-03 Takahiko Kudoh Stress-Resistant Leadframe and Method
US20110001227A1 (en) 2009-07-01 2011-01-06 Texas Instruments Incorporated Semiconductor Chip Secured to Leadframe by Friction
WO2013092308A1 (de) 2011-12-20 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen, anordnung und optoelektronisches halbleiterbauteil
JP2014150244A (ja) 2013-01-11 2014-08-21 Kaneka Corp 発光素子実装用リードフレーム、樹脂成型体及び表面実装型発光装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2681144B2 (ja) * 1989-08-19 1997-11-26 三菱電機株式会社 半導体装置用リードフレーム
JP3167769B2 (ja) * 1992-01-16 2001-05-21 シャープ株式会社 リードフレームおよびこれを利用した光学装置の製造方法
US5789806A (en) * 1995-08-02 1998-08-04 National Semiconductor Corporation Leadframe including bendable support arms for downsetting a die attach pad
JP4205135B2 (ja) 2007-03-13 2009-01-07 シャープ株式会社 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
CN102222625A (zh) 2010-04-16 2011-10-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其基座的制造方法
US8735671B2 (en) * 2011-07-29 2014-05-27 Monsanto Technology Llc Soybean variety A1026046
JP5888098B2 (ja) 2012-04-27 2016-03-16 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ｌｅｄパッケージ、ｌｅｄパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム
JP5947107B2 (ja) * 2012-05-23 2016-07-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
DE102012104882B4 (de) 2012-06-05 2017-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und damit hergestelltes optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102013211223A1 (de) * 2013-06-14 2014-12-18 Osram Gmbh Leadframe für eine Leuchtvorrichtung
DE102013211233A1 (de) 2013-06-17 2014-12-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Optische Bauelemente und Verfahren zu deren Herstellung
JP6357415B2 (ja) * 2014-12-26 2018-07-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
DE102015100262A1 (de) * 2015-01-09 2016-07-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses sowie Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US20160276185A1 (en) * 2015-03-17 2016-09-22 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for making integrated circuit packages

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57118658A (en) 1981-12-07 1982-07-23 Hitachi Ltd Lead frame
US4870474A (en) 1986-12-12 1989-09-26 Texas Instruments Incorporated Lead frame
US20080157297A1 (en) 2006-12-29 2008-07-03 Takahiko Kudoh Stress-Resistant Leadframe and Method
US20110001227A1 (en) 2009-07-01 2011-01-06 Texas Instruments Incorporated Semiconductor Chip Secured to Leadframe by Friction
WO2013092308A1 (de) 2011-12-20 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen, anordnung und optoelektronisches halbleiterbauteil
JP2014150244A (ja) 2013-01-11 2014-08-21 Kaneka Corp 発光素子実装用リードフレーム、樹脂成型体及び表面実装型発光装置

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Publication number Publication date
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DE102015100262A1 (de) 2016-07-14
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