DE112015007235T5 - Vertikale isolation durch erdungsebenen von, koaxiale isolation durch erdungsleitungen und impedanzanpassung von durch gehäusevorrichtungen geleiteten horizontalen datensignalübertragungsleitungen - Google Patents

Vertikale isolation durch erdungsebenen von, koaxiale isolation durch erdungsleitungen und impedanzanpassung von durch gehäusevorrichtungen geleiteten horizontalen datensignalübertragungsleitungen Download PDF

Info

Publication number
DE112015007235T5
DE112015007235T5 DE112015007235.7T DE112015007235T DE112015007235T5 DE 112015007235 T5 DE112015007235 T5 DE 112015007235T5 DE 112015007235 T DE112015007235 T DE 112015007235T DE 112015007235 T5 DE112015007235 T5 DE 112015007235T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
data signal
lines
grounded
signal lines
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112015007235.7T
Other languages
English (en)
Inventor
Yu Amos ZHANG
Gabriel S. Regalado
Zhiguo Qian
Kemal Aygun
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Intel Corp
Original Assignee
Intel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Intel Corp filed Critical Intel Corp
Publication of DE112015007235T5 publication Critical patent/DE112015007235T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
    • H01L23/5286—Arrangements of power or ground buses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4857—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5383—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/646—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00 specially adapted for high-frequency, e.g. structures providing an impedance match or phase match
    • H01R13/6461—Means for preventing cross-talk
    • H01R13/6471—Means for preventing cross-talk by special arrangement of ground and signal conductors, e.g. GSGS [Ground-Signal-Ground-Signal]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • H05K1/0219—Printed shielding conductors for shielding around or between signal conductors, e.g. coplanar or coaxial printed shielding conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/141—Disposition
    • H01L2224/1412—Layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Eine Gehäusevorrichtung mit geerdeten Isolationsübertragungsleitungen weist (1) geerdete Isolationsebenen zwischen horizontalen Datensignalübertragungsleitungen (z. B. Signalspuren aus Metall), die horizontal durch die Gehäusevorrichtung geführt sind, (2) geerdete Isolationsleitungen, die derartige horizontale Datensignalübertragungsleitungen umgeben, oder (3) derartige geerdeten Ebenen zwischen und derartige geerdeten Isolationsleitungen auf, die derartige horizontale Datensignalübertragungsleitungen umgeben. Die (1) geerdeten Isolationsebenen zwischen den horizontalen Datensignalübertragungsleitungen und/oder (2) die geerdeten Isolationsleitungen schirmen die in Signalleitungen gesendeten Datensignale elektrisch ab, wodurch ein Einstreuen zwischen den Datensignalübertragungsleitungen reduziert wird und eine elektrische Isolierung der Datensignalübertragungsleitungen erhöht wird. Darüber hinaus können die Datensignalübertragungsleitungen unter Verwendung von Augendiagrammen abgeglichen werden, um Signalleitungsbreiten und Breiten der geerdeten Isolationsleitungen auszuwählen, die eine optimale Datenübertragungsleistung bieten. Diese Gehäusevorrichtung bietet eine höhere Frequenz und einen genaueren Datensignaltransfer zwischen verschiedenen horizontalen Positionen der Datensignalübertragungsleitungen und deshalb auch zwischen Vorrichtungen wie integrierten Schaltkreischips (IC-Chips), die an der Gehäusevorrichtung angebracht sind.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet
  • Ausführungsformen der Erfindung betreffen allgemein eine Häusung von Halbleitervorrichtungen und insbesondere Substratgehäuse, Interposer und Substrate für gedruckte Leiterplatinen (PCB), auf denen integrierte Schaltkreischips (IC-Chips) oder andere Gehäusevorrichtungen angebracht sein können, sowie Verfahren für deren Herstellung. Eine solche Substratgehäusevorrichtung kann horizontale Hochgeschwindigkeits-Datensignalübertragungsleitungen aufweisen, die durch die Gehäusevorrichtung zum Senden von Daten zwischen IC-Chips oder anderen an der Gehäusevorrichtung angebrachten Vorrichtungen verlaufen.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • Integrierte Schaltkreischips (IC-Chips) (z. B. „Chips“, „Rohchips“, „ICs“ oder „IC-Chips“) wie Mikroprozessoren, Coprozessoren, Grafikprozessoren und andere mikroelektronische Vorrichtungen verwenden oft Halbleitergehäusevorrichtungen („Gehäuse“), um den IC-Chip physisch und/oder elektronisch an einer Leiterplatine, wie einer Hauptplatine (oder einer Hauptplatinenschnittstelle) anzubringen. Der IC-Chip (z. B. „Rohchip“) ist üblicherweise innerhalb eines mikroelektronischen Substratgehäuses montiert, das elektrische Verbindungen zwischen dem Rohchip und einem Steckplatz, einer Hauptplatine oder einer anderen Komponente in einer nächsten Schicht ermöglicht, unter anderen Funktionen. Einige Beispiele derartiger Gehäusevorrichtungen sind Substratgehäuse, Interposer und Substrate für gedruckte Leiterplatinen (PCB), auf denen integrierte Schaltkreischips (IC-Chips) oder andere Gehäusevorrichtungen angebracht sein können.
  • Auf dem Gebiet besteht ein Bedarf an einem kostengünstigen Prozess mit hohem Durchsatz zum Herstellen solcher Gehäusevorrichtungen. Darüber hinaus könnte der Prozess in einer hohen Gehäuseproduktion und einer Gehäusevorrichtung mit hoher mechanischer Stabilität resultieren. Auf dem Gebiet wird ebenfalls eine Gehäusevorrichtung mit besseren Komponenten zum Bereitstellen von stabilen und reinen Signalen für Leistung, Erdung und Hochfrequenz-Sendung und Empfang zwischen Komponenten an der Oberfläche und anderen Komponenten der Gehäusevorrichtung bzw. zwischen derartigen an der Gehäusevorrichtung angebrachten Komponenten, wie zum Beispiel zwischen verschiedenen horizontalen Positionen von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in einer Schicht der Gehäusevorrichtung.
  • Figurenliste
  • Die Ausführungsformen der Erfindung sind in den Figuren der beiliegenden Zeichnungen beispielhaft, jedoch nicht einschränkend illustriert, in denen gleiche Bezugszeichen auf ähnliche Elemente hinweisen. Es sollte angemerkt werden, dass Bezugnahmen auf „eine“ oder „eine einzelne“ Ausführungsform der Erfindung in dieser Offenbarung nicht notwendigerweise auf die gleiche Ausführungsform Bezug nehmen und dass sie mindestens eine Ausführungsform bezeichnen.
    • 1 ist eine schematische Querschnitts-Seiten- und Längsansicht eines Rechensystems, das Gehäusevorrichtungen mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aufweist.
    • 2A ist eine schematische explodierte Querschnittslängsansicht einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen von 1, die geerdete Isolationsebenen zeigt, die horizontale Datensignal-Empfangs- und Sendelagen oder -schichten trennen.
    • 2B ist eine schematische explodierte Querschnittslängsansicht einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der 1 und 2A, die geerdete Isolationsebenen zeigt, die horizontale Datensignal-Empfangs- und Sendelagen oder -schichten trennen.
    • 3A zeigt ein Diagramm von Kurven der Augenhöhe (EH) und Augenweite (EW) eines Augendiagramms, das durch Testen einer der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in einem Bereich von Breiten der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen und von Abständen zwischen horizontalen Datensignalübertragungsleitungen erstellt wurde.
    • 3B zeigt ein Beispiel eines Augendiagramms zum Bereitstellen der Augenhöhenkurven und Augenweitenkurven von 3A.
    • 4 ist ein Ablaufdiagramm, das einen Prozess zum Bilden einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen nach hierin beschriebenen Ausführungsformen veranschaulicht.
    • 5 ist eine schematische Querschnitts-Seiten- und Längsansicht eines Rechensystems, das Gehäusevorrichtungen mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aufweist.
    • 6A ist eine schematische explodierte Querschnittslängsansicht einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen von 5, die geerdete „koaxiale“ Isolationsleitungen zeigt, die horizontale Datensignal-Empfangs- und Sendeleitungen trennen.
    • 6B ist eine schematische explodierte Querschnittslängsansicht einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der 5 und 6A, die geerdete „koaxiale“ Isolationsleitungen zeigt, die horizontale Datensignal-Empfangs- und Sendeleitungen trennen.
    • 7 zeigt ein Diagramm von Kurven der Augenhöhe (EH) und Augenweite (EW) eines Augendiagramms, das durch Testen einer der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in einem Bereich von Breiten der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen und von Breiten der Erdungsleitungen erstellt wurde, wenn beispielsweise die Abstände zwischen horizontal benachbarten Signalleitungen und Erdungsleitungen konstant sind.
    • 8 ist ein Ablaufdiagramm, das einen Prozess zum Bilden eines durch geerdete isolierte „Koaxialleitungen“ getrennten Datensignalgehäuses nach hierin beschriebenen Ausführungsformen veranschaulicht.
    • 9 ist eine schematische Querschnitts-Seiten- und Längsansicht eines Rechensystems, das Gehäusevorrichtungen mit durch kombinierte horizontale geerdete Isolationsebenen und geerdete koaxiale Isolationsleitungen getrennten Datensignalleitungen aufweist.
    • 10A ist eine schematische explodierte Querschnittslängsansicht einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen von 9, die kombinierte horizontale geerdete Isolationsebenen und geerdete koaxiale Isolationsleitungen zeigt, die horizontale Datensignal-Empfangs- und Sendeleitungen trennen.
    • 10B ist eine schematische explodierte Querschnittslängsansicht einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der 9 und 10A, die geerdete Isolationsebenen zeigt, die vertikal benachbarte Schichten von horizontalen Datensignal-Empfangs- und Sendeleitungen trennen; und geerdete Isolations-„Koaxialleitungen“, die vertikal benachbarte und horizontal benachbarte horizontale Datensignalempfangs- und Sendeleitungen trennen.
    • 11 zeigt ein Diagramm von Augenhöhen(EH)-Kurven; und Augenweiten(EW)-Kurven eines Augendiagramms, das durch Testen einer der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in einem Bereich von Breiten der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen und von Breiten der Erdungsleitungen erstellt wurde, wenn beispielsweise die Abstände zwischen horizontal benachbarten Signalleitungen und Erdungsleitungen konstant sind.
    • 12 ist ein Ablaufdiagramm, das einen Prozess zum Bilden eines Gehäuses mit durch kombinierte horizontale geerdete Isolationsebenen und geerdete koaxiale Isolationsleitungen getrennten Datensignalleitungen nach hierin beschriebenen Ausführungsformen veranschaulicht.
    • 13 veranschaulicht eine Rechenvorrichtung nach einer Implementierung.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Nun werden mehrere Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erläutert. Wann immer die Formen, relativen Positionen und anderen Aspekte der Teile, die in den Ausführungsformen beschrieben sind, nicht klar definiert sind, ist der Geltungsbereich der Ausführungsformen der Erfindung nicht nur auf die gezeigten Teile beschränkt, die nur zum Zweck der Veranschaulichung gedacht sind. Auch wenn zahlreiche Einzelheiten dargelegt sind, versteht sich, dass einige Ausführungsformen der Erfindung ohne diese Details ausgeführt werden können. In anderen Fällen wurden wohlbekannte Schaltkreise, Strukturen und Techniken nicht im Detail gezeigt, um das Verständnis dieser Beschreibung nicht zu verschleiern.
  • Mit der Verkleinerung von integrierten Schaltkreischips (IC-Chips) oder Rohchips und der Erhöhung von Verbindungsdichten erfordern physische und elektrische Verbindungen bessere Komponenten, um stabile Hochfrequenz-Sende- und Empfangsdatensignale mit sauberer Leistung zwischen verschiedenen horizontalen Positionen oder über eine Länge von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in einer Schicht von Gehäusevorrichtungen bereitzustellen, auf der der IC-Chip montiert ist oder der der IC-Chip die Datensignale kommuniziert. Einige Beispiele derartiger Gehäusevorrichtungen sind Substratgehäuse, Interposer und Substrate für gedruckte Leiterplatinen (PCB), auf denen integrierte Schaltkreischips (IC-Chips) oder andere Gehäusevorrichtungen angebracht sein können. Solche Datensignale können von Kontakten auf der oberen oder unteren Fläche der Gehäusevorrichtung, die elektrisch über Durchkontaktierungen mit den horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der Gehäusevorrichtung verbunden sind, empfangen oder an diese Kontakte gesendet werden.
  • In einigen Fällen kann ein IC-Chip innerhalb der Gehäusevorrichtung montiert sein, wie zum „Flip-Chip“-Bonden oder Einhäusen. In einigen Fällen kann der IC-Chip auf der Gehäusevorrichtung montiert sein, die auch physisch und elektronisch mit einem anderen IC-Chip verbunden ist, sodass die Gehäusevorrichtung einen Datensignaltransfer zwischen zwei IC-Chips bereitstellen kann. Hier muss die Gehäusevorrichtung in vielen Fällen Hunderte oder gar Tausende von Hochfrequenz-Datensignalen zwischen zwei Rohchips leiten. Einige solcher Gehäusevorrichtungen können eine Silizium-Interposer-, eine Siliziumbrücken- oder eine organische Interposer-Technologie sein oder eine solche verwenden.
  • Nach einigen Ausführungsformen ist es möglich, dass eine solche Gehäusevorrichtung einen genaueren Datensignaltransfer mit höherer Frequenz zwischen verschiedenen horizontalen Positionen von (oder einer Länge von) horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in einer oder mehreren vertikalen Schichten von Gehäusevorrichtungen bereitstellt, auf denen der IC-Chip montiert ist oder in denen er die Datensignale kommuniziert, indem er aufweist (oder indem er durch einen Prozess gefertigt wird, der bildet): (1) geerdete Isolationsebenen zwischen horizontalen Datensignalübertragungsleitungen (z. B. Signalspuren aus Leitermaterial oder Metall), die horizontal durch die Gehäusevorrichtung geführt sind, (2) geerdete Isolationsleitungen, die derartige horizontale Datensignalübertragungsleitungen „koaxial“ umgeben, oder (3) derartige geerdete Ebenen zwischen und derartige geerdete Isolationsleitungen, die derartige horizontale Datensignalübertragungsleitungen umgeben. Die (1) geerdeten Isolationsebenen zwischen den horizontalen Datensignalübertragungsleitungen und/oder (2) die geerdeten Isolationsleitungen, die die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen umgeben, können die in Signalleitungen gesendeten Datensignale elektrisch abschirmen, wodurch ein Einstreuen zwischen den Datensignalübertragungsleitungen reduziert wird und eine elektrische Isolierung der Datensignalübertragungsleitungen erhöht wird. Darüber hinaus können die elektrisch abgeschirmten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen unter Verwendung von Augendiagrammen abgeglichen werden, um Signalleitungsbreiten und Breiten der geerdeten Isolationsleitungen auszuwählen, die eine optimale Datensendeleistung bieten.
  • In einigen Fällen befinden sich die horizontalen geerdeten Isolationsebenen zwischen verschiedenen vertikalen Schichten verschiedener Typen (z. B. „TX“ oder „RX“) von Signalübertragungsleitungen zum Senden von Daten („TX“) und zum Empfang von Daten („RX“). In diesem Fall können die geerdeten Isolationsebenen eine Einstreuung zwischen verschiedenen benachbarten vertikalen Schichten der verschiedenen Typen von TX- und RX-Übertragungsleitungen reduzieren (und können optional eine elektrische Isolierung zwischen diesen Schichten erhöhen), zum Beispiel durch Reduzieren von Einstreuung, die durch eine RX-Signalleitung auf einer vertikal benachbarten TX-Signalleitung (z. B. über oder unter der RX-Signalleitung) verursacht wird; oder umgekehrt. In einigen Fällen kann es zwei oder drei benachbarte vertikale Schichten des gleichen Typs von TX- und RX-Übertragungsleitungen zwischen zwei horizontalen Isolationsebenen geben, die sich auf unterschiedlichen vertikalen Höhen im Gehäuse befinden.
  • In einigen Fällen umgeben die geerdeten Isolationsleitungen (z. B. links, rechts, darüber und darunter; um beispielsweise eine Abschirmung vom „koaxialen“ Typ zu bilden) horizontale Daten-RX- oder TX-Signalübertragungsleitungen auf verschiedenen vertikalen Schichten der Datensignalsende- (z. B. „TX“-) und Datensignalempfangs- (z. B. „RX“-) Übertragungsleitungen. Ein solches Abschirmen oder „Umgeben“ vom „koaxialen“ Typ kann dort erfolgen, wo sich eine geerdete Isolationsleitung horizontal neben (z. B. links und rechts) und vertikal neben (z. B. über und unter) der (oder jeder) Datensignalübertragungsleitung befindet. In einigen Fällen können die Isolationsleitungen, die die Übertragungsleitungen umgeben, eine horizontale und vertikale elektrische Isolierung jeder der umgebenen (z. B. horizontal und vertikal benachbarten der) TX- und RX-Übertragungsleitungen erhöhen (und optional eine Einstreuung reduzieren). Dies kann ein Erhöhen der Isolierung einer RX-Signalleitung (oder TX-Signalleitung) in Bezug auf eine horizontal oder vertikal benachbarte RX-Signalleitung (oder TX-Signalleitung) aufweisen. In einigen Fällen können die Isolationsleitungen, die die Übertragungsleitungen umgeben, eine vertikale Einstreuung jeder der umgebenen (z. B. vertikal benachbarten) TX- und RX-Übertragungsleitungen reduzieren (und optional die Isolierung erhöhen), zum Beispiel durch Erhöhen der Isolierung zwischen einer RX-Signalleitung und einer vertikal benachbarten TX-Signalleitung in einer anderen Schicht. In einigen Fällen werden die Isolationsleitungen, die die Übertragungsleitungen umgeben, an dichten Verbindungsbereichen verwendet, zum Beispiel, um ein „koaxiales“ Führungsdesign um jede der Übertragungsleitungen herum zu bilden, um Einstreuungen zwischen verschiedenen vertikal und horizontal benachbarten Datensignalübertragungsleitungen zu reduzieren (und optional eine elektrische Isolierung zu erhöhen). In diesen Fällen kann es zwei oder drei vertikal benachbarte Schichten eines Typs der TX- und RX-Übertragungsleitungen geben, wobei jede Übertragungsleitung umgeben ist.
  • In einigen Fällen wird eine solche Gehäusevorrichtung als eine Gehäusevorrichtung mit geerdeten Isolationsebenen aus Leitermaterial zwischen horizontalen Datensignalübertragungsleitungen, die horizontal durch die Gehäusevorrichtung (oder durch einen Interposer) geleitet sind, und/oder geerdete Isolationsleitungen, die diese horizontalen Datensignalübertragungsleitungen („koaxial“) umgeben. Einige Ausführungsformen einer solchen Gehäusevorrichtung können als (z. B. Vorrichtungen, Systeme und Verfahren zum Bilden) horizontale Datensignalübertragungsleitungen, die von einem Leitermaterial mit geerdeter Isolation „koaxial“ umgeben und/oder durch geerdete isolierte Ebenen isoliert sind; eine „Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten Übertragungsleitungen“; oder eine Mikroprozessor-Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen beschrieben werden.
  • Eine solche Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten Übertragungsleitungen mit (1) geerdeten Isolationsebenen zwischen den horizontalen Datensignalübertragungsleitungen und/oder (2) geerdeten Isolationsleitungen, die die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen umgeben, können die in horizontal und/oder vertikal benachbarten Signalleitungen gesendeten Datensignale elektrisch abschirmen, wodurch eine Einstreuung zwischen den Datensignalübertragungsleitungen reduziert wird und eine elektrische Isolierung der Datensignalübertragungsleitungen erhöht wird. Darüber hinaus kann ein solches Gehäuse die elektrisch abgeschirmten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen unter Verwendung von Testsignalen und Augendiagrammen abgeglichen aufweisen, um Signalleitungsbreiten und Breiten der geerdeten Isolationsleitungen auszuwählen, die eine optimale Datenübertragungsleistung der Signalleitungen (z. B. des Kanals) bieten. In einigen Fällen erhöht die Verwendung eines solchen Gehäuses die Stabilität und Reinheit von Hochfrequenz-Sende- und Empfangssignalen, die zwischen verschiedenen horizontalen Positionen von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in einer Schicht der Gehäusevorrichtung übertragen werden. In einigen Fällen kann dies die nutzbare Frequenz von Sende- und Empfangsdatensignalen, die zwischen den verschiedenen horizontalen Positionen von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in einer Schicht der Gehäusevorrichtung übertragen werden, im Vergleich zu einer Gehäusevorrichtung erhöhen, die keine geerdete isolierte Übertragungsleitung aufweist (z. B. im Vergleich zu einer Gehäusevorrichtung, in der die Übertragungsleitungen keine geerdeten Isolationsebenen zwischen horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aufweisen oder keine geerdeten Isolationsleitungen aufweisen, die diese horizontalen Datensignalübertragungsleitungen („koaxial“) umgeben). In einigen Fällen kann eine solche erhöhte Geschwindigkeit (z. B. Frequenz) Datensignale zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) aufweisen. In einigen Fällen kann GT/s eine Anzahl von Datentransferoperationen (z. B. einer Übertragung von digitalen Daten wie dem Datensignal hierin) bezeichnen, die in jeder Sekunde in einem gegebenen Datentransferkanal wie einem Kanal auftreten, der durch die Signalleitungen 138 oder 148 bereitgestellt wird; oder kann eine Abtastrate bezeichnen, d. h. die Anzahl der Datenabtastwerte, die pro Sekunde erfasst werden, wobei jeder Abtastwert normalerweise an der Taktflanke auftritt. 1 GT/s ist 109 oder eine Milliarde Transfers pro Sekunde.
  • In einigen Fällen reduziert (verbessert oder mindert beispielsweise) die Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten Übertragungsleitungen Einstreuung (z. B. verglichen mit dem gleichen Gehäuse, aber ohne geerdete isolierte Übertragungsleitungen, beispielsweise ohne (1) geerdete Isolationsebenen zwischen und/oder (2) geerdete Isolationsleitungen, die die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen, die eine Einstreuung zwischen und eine Isolation der horizontal und vertikal benachbarten der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in Schichten der Vorrichtung reduzieren können (siehe z. B. die Schichten Lj-L1 der 1-4 oder die Schichten Lm-Lq der 5-8 oder die Schichten Lm-Ly der 9-12)) von einem Transfer mit sehr niedriger Frequenz, wie beispielsweise von 50 Megatransfers pro Sekunde (MT/s) bis zu einem mit über 40 GT/s (oder bis zu zwischen 40 und 50 GT/s). In einigen Fällen verbessert die Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten Übertragungsleitungen eine Kupferdichte in der Gehäusevorrichtung (z. B. verglichen mit dem gleichen Gehäuse, aber ohne jegliche geerdete isolierte Übertragungsleitungen). In einigen Fällen verbessert die Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten Übertragungsleitungen das Leistungsversorgungsnetz für den Eingabe/Ausgabe-Block (z. B. einen E/A-Block, der beispielsweise die Ebenen 160, 162 und 164; und die Leitungen 560, 562, 564 und 566 aufweist) durch Verbesserung (z. B. durch Reduzieren des Widerstands) der geerdeten Impedanz (z. B. im Vergleich zum gleichen Gehäuse, aber ohne jegliche geerdete isolierte Übertragungsleitungen), was dabei hilft, die Impedanz des E/A-Leistungsnetzes zu reduzieren (z. B. den Widerstand der Leistungskontakte zu senken).
  • In einigen Fällen weist eine Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten Übertragungsleitungen geerdete Isolationsebenen auf, die horizontale Datensignal-Empfangs- und Sendelagen oder -schichten (z. B. Zwischenverbindungsschichten) trennen. Jede Schicht kann eine Oberschicht aus nicht leitendem (z. B. dielektrischem) Material aufweisen; eine mittlere Schicht mit Datensignalleitungen (z. B. Spuren) aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) zwischen nichtleitenden (z. B. dielektrischen) Materialabschnitten; und eine untere Schicht aus nichtleitendem (z. B. dielektrischem) Material; und eine geerdete Isolationsebene auf einer untersten Schicht aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall). Die geerdeten Isolationsebenen zwischen den horizontalen Datensignal-Empfangs- und Sendelagen oder -schichten (z. B. Zwischenverbindungsschichten) können Einstreuung zwischen (z. B. TX-Signalleitungen und RX-Signalleitungen) den horizontalen Datensignalübertragungsleitungen von verschiedenen horizontal benachbarten Schichten oder Lagen der Gehäusevorrichtung reduzieren und eine Isolierung dieser erhöhen. Diese Ausführungsform einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten Übertragungsleitungen kann als eine durch geerdete „Isolationsebenen“ getrennte Datensignal-Gehäusevorrichtung beschrieben werden (siehe z. B. Vorrichtung 150).
  • 1 ist eine schematische Querschnitts-Seiten- und Längsansicht eines Rechensystems, das Gehäusevorrichtungen mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aufweist. 1 zeigt eine schematische Querschnitts-Seitenansicht des Rechensystems 100 (z. B. eines Systems, das Signale von einem Computerprozessor oder Chip, wie einem Chip 102, an eine andere Vorrichtung, wie einem Chip 108 oder 109, weiterleitet), das Gehäusevorrichtungen mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aufweist, wie einen Verteiler 104, Interposer 106 und Gehäuse 110. In einigen Fällen weist das System 100 den CPU-Chip 102 auf dem Verteiler 104 montiert auf, der an einer ersten Position 107 auf dem Interposer 106 montiert ist. Sie zeigt auch den Chip 108, der an einer ersten Position 101 auf dem Gehäuse 110 montiert ist; und den Chip 109, der an einer zweiten Position 111 auf dem Gehäuse 110 montiert ist. Das Gehäuse 110 ist an einer zweiten Position 113 auf dem Interposer 106 montiert. Eine Unterseite des Chips 102 ist beispielsweise unter Verwendung von Lötperlen einer Kugelgitteranordnung (BGA) 112 auf einer Oberseite 105 des Verteilers 104 montiert. Eine Unterseite des Verteilers 104 ist an einer ersten Position 107 unter Verwendung von Lötperlen oder BGA 114 auf einer Oberseite 105 des Interposers 106 montiert. Außerdem ist eine Unterseite des Chips 108 unter Verwendung von Lötperlen oder BGA 118 an einer ersten Position 101 auf einer Oberseite 103 des Gehäuses 110 montiert. Eine Unterseite des Chips 109 ist an einer Position 111 unter Verwendung von Lötperlen oder BGA 119 auf einer Oberfläche 103 des Gehäuses 110 montiert. Eine Unterseite des Gehäuses 110 ist an einer zweiten Position 113 unter Verwendung von Lötperlen oder BGA 116 auf einer Oberfläche 105 des Interposers 106 montiert.
  • In einigen Fällen kann die Vorrichtung 104, 106 oder 110 ein Substratgehäuse, einen Interposer, eine gedruckte Leiterplatine (PCB), ein „Gehäuse“, eine Gehäusevorrichtung, einen Steckplatz, einen Interposer, eine Hauptplatine oder ein anderes Substrat repräsentieren, auf dem integrierte Schaltkreischips (IC-Chips) oder andere Gehäusevorrichtungen angebracht sein können (wie z. B. ein Mikroprozessor, ein Coprozessor, ein Grafikprozessor, ein Arbeitsspeicherchip, ein Modemchip oder andere mikroelektronische Chipvorrichtungen).
  • 1 zeigt auch vertikale Datensignalübertragungsleitungen 120 (z. B. Datensignal-RX-Übertragungsleitungen oder -spuren 138 und Datensignal-TX-Übertragungsleitungen oder -spuren 148), die vom Chip 102 ausgehen und vertikal nach unten durch die Lötperlen 112 und in vertikale Schichten des Verteilers 104 verlaufen. In einigen Fällen kann die Leitung 120 von der Unterseite des Chips 102 ausgehen (z. B. Signalkontakte auf dieser aufweisen), nach unten durch die Lötperlen 112 verlaufen (z. B. einige der Lötperlen 112 aufweisen), nach unten durch eine Oberseite des Verteilers 104 verlaufen (z. B. Signalkontakte auf dieser aufweisen) und nach unten an einer ersten horizontalen Position 121 des Verteilers 104 zu den Schichten Lj-L1 des Verteilers 104 verlaufen (z. B. vertikale Signalleitungen innerhalb der vertikalen Schichten Ltop-Ll des Verteilers 104 aufweisen, wobei zum Beispiel die Schicht Ltop die oberste oder höchste Schicht des Verteilers 104 ist und eine freiliegende Oberfläche aufweist; und die Schicht L1 unter der Schicht Ltop liegt).
  • 1 zeigt auch horizontale Verteiler-Datensignalübertragungsleitungen 122 (z. B. die Datensignal-RX-Übertragungsleitungen oder -spuren 138 und die Datensignal-TX-Übertragungsleitungen oder -spuren 148), die von einer ersten horizontalen Position 121 in den Schichten Lj-L1 des Verteilers 104 ausgehen und horizontal durch die Schichten Lj-L1 entlang einer Länge L1 der Schichten Lj-L1 zu einer zweiten horizontalen Position 123 in den Schichten Lj-L1 des Verteilers 104 verlaufen. Die Länge L1 kann zwischen 5 und 15 Millimeter (mm) betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 8 und 13 mm betragen. Es ist klar, dass die Länge L1 eine passende Leitungs- oder Spurenlänge innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein kann, die kleiner als oder größer als die oben erwähnten ist.
  • Als Nächstes zeigt 1 vertikale Datensignalübertragungsleitungen 124 (z. B. Datensignal-RX-Übertragungsleitungen oder -spuren 138 und Datensignal-TX-Übertragungsleitungen oder -spuren 148), die vom Verteiler 104 ausgehen und vertikal nach unten durch die Lötperlen 114 und in vertikale Schichten des Interposers 106 verlaufen. In einigen Fällen können die Leitungen 124 von (z. B. von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in) den Schichten Lj-L1 an der zweiten horizontalen Position 123 des Verteilers 104 ausgehen, nach unten durch die Lötperlen 114 verlaufen (z. B. Signalkontakte auf der Unterseite des Verteilers 104 und einige der Lötperlen 114 an der Position 107 aufweisen), nach unten durch eine Oberseite 105 des Interposers 106 verlaufen (z. B. Signalkontakte auf dieser aufweisen) und nach unten an einer ersten horizontalen Position 125 des Interposers 106 zu den Schichten Lj-L1 des Interposers 106 verlaufen (z. B. vertikale Signalleitungen innerhalb der vertikalen Schichten Ltop-Ll des Interposers 106 aufweisen, wobei zum Beispiel die Schicht Ltop die oberste oder höchste Schicht des Verteilers 106 ist und eine freiliegende Oberseite aufweist; und die Schicht L1 unter der Schicht Ltop liegt).
  • 1 zeigt auch horizontale Interposer-Datensignalübertragungsleitungen 126 (z. B. die Datensignal-RX-Übertragungsleitungen oder -spuren 138 und die Datensignal-TX-Übertragungsleitungen oder -spuren 148), die von einer ersten horizontalen Position 125 in den Schichten Lj-L1 des Interposers 106 ausgehen und horizontal durch die Schichten Lj-L1 entlang einer Länge L2 der Schichten Lj-L1 zu einer zweiten horizontalen Position 127 in den Schichten Lj-L1 des Interposers 106 verlaufen. Die Länge L2 kann zwischen 10 und 40 mm betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 15 und 30 mm betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 15 und 22 mm betragen. Es ist klar, dass die Länge L2 eine passende Leitungs- oder Spurenlänge innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein kann, die kleiner als oder größer als die oben erwähnten ist.
  • Als Nächstes zeigt 1 vertikale Datensignalübertragungsleitungen 128 (z. B. Datensignal-RX-Übertragungsleitungen oder -spuren 138 und Datensignal-TX-Übertragungsleitungen oder -spuren 148), die vom Interposer 106 ausgehen und vertikal nach oben durch die Lötperlen 116 und in vertikale Schichten des Gehäuses 110 verlaufen. In einigen Fällen kann die Leitung 124 von (z. B. von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in) den Schichten Lj-L1 an der zweiten horizontalen Position 127 des Interposers 106 ausgehen, nach oben durch die Lötperlen 116 verlaufen (z. B. Signalkontakte auf der Oberseite 105 des Interposers 106 und einige der Lötperlen 116 an der Position 113 aufweisen), nach oben durch eine Unterseite des Gehäuses 110 verlaufen (z. B. Signalkontakte auf dieser aufweisen) und nach oben an einer ersten horizontalen Position 129 des Interposers 110 zu den Schichten Lj-L1 des Gehäuses 110 verlaufen (z. B. vertikale Signalleitungen innerhalb der vertikalen Schichten Llast-L1 des Gehäuses 110 aufweisen, wobei zum Beispiel die Schicht Llast die unterste oder niedrigste Schicht des Verteilers 110 ist und eine freiliegende Unterseite aufweist; und die Schicht L1 über der Schicht Llast liegt).
  • 1 zeigt auch horizontale Gehäusevorrichtungs-Datensignalübertragungsleitungen 130 (z. B. die Datensignal-RX-Übertragungsleitungen oder -spuren 138 und die Datensignal-TX-Übertragungsleitungen oder -spuren 148), die von einer ersten horizontalen Position 129 in den Schichten Lj-L1 des Gehäuses 110 ausgehen und horizontal durch die Schichten Lj-L1 entlang einer Länge L3 der Schichten Lj-L1 zu einer zweiten horizontalen Position 131 in den Schichten Lj-L1 des Gehäuses 110 verlaufen. Die Länge L3 kann zwischen 5 und 15 mm betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 10 und 15 mm betragen. Es ist klar, dass die Länge L3 eine passende Leitungs- oder Spurenlänge innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein kann, die kleiner als oder größer als die oben erwähnten ist.
  • Als Nächstes zeigt 1 vertikale Datensignalübertragungsleitungen 132 (z. B. Datensignal-RX-Übertragungsleitungen oder -spuren 138 und Datensignal-TX-Übertragungsleitungen oder -spuren 148), die vom Gehäuse 110 ausgehen und vertikal nach oben durch die Lötperlen 118 und in den Chip 108 verlaufen. In einigen Fällen kann die Leitung 132 von (z. B. von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in) den Schichten Lj-L1 an der zweiten horizontalen Position 131 des Gehäuses 110 ausgehen, nach oben durch die Lötperlen 118 verlaufen (z. B. Signalkontakte auf der Oberseite 103 des Gehäuses 110 und einige der Lötperlen 118 an der Position 101 aufweisen), nach oben durch eine Unterseite des Chips 108 verlaufen (z. B. Signalkontakte auf dieser aufweisen) und nach oben zu einer Unterseite des Chips 108 verlaufen und dort enden (z. B. Signalkontakte darauf aufweisen).
  • In einigen Fällen gehen die Datensignalübertragungssignale, die an den Datensignalübertragungsleitungen der Leitungen 120, 122, 124, 128, 130 und 132 gesendet und empfangen werden (oder dort existieren), vom Chip 102 und vom Chip 108 aus (werden z. B. dort erzeugt oder von diesen bereitgestellt). In einigen Fällen können diese Datensignalübertragungssignale von aktiven Schaltkreisen, Transistoren, Sendeschaltungen oder anderen Komponenten der Chips 102 und 108 oder derartigen an diesen Chips angebrachten Komponenten erzeugt werden.
  • 1 zeigt auch vertikale Datensignalübertragungsleitungen 133 (z. B. Datensignal-RX-Übertragungsleitungen oder -spuren 138 und Datensignal-TX-Übertragungsleitungen oder -spuren 148), die vom Chip 108 ausgehen und vertikal nach unten durch die Lötperlen 118 und in vertikale Schichten des Gehäuses 110 verlaufen. In einigen Fällen kann die Leitung 133 von der Unterseite des Chips 108 ausgehen (z. B. Signalkontakte auf dieser aufweisen), nach unten durch die Lötperlen 118 verlaufen (z. B. einige der Lötperlen 118 aufweisen), nach unten durch eine Oberseite des Gehäuses 110 verlaufen (z. B. Signalkontakte auf dieser aufweisen) und nach unten an einer ersten horizontalen Position 134 des Gehäuses 110 zu den Schichten Lj-L1 des Verteilers 110 verlaufen (z. B. vertikale Signalleitungen innerhalb der vertikalen Schichten Ltop-Ll des Gehäuses 110 aufweisen, wobei zum Beispiel die Schicht Ltop die oberste oder höchste Schicht des Gehäuses 110 ist und eine freiliegende Oberfläche aufweist; und die Schicht L1 unter der Schicht Ltop liegt).
  • 1 zeigt auch horizontale Gehäusevorrichtungs-Datensignalübertragungsleitungen 135 (z. B. die Datensignal-RX-Übertragungsleitungen oder -spuren 138 und die Datensignal-TX-Übertragungsleitungen oder -spuren 148), die von einer dritten horizontalen Position 134 in den Schichten Lj-L1 des Gehäuses 110 ausgehen und horizontal durch die Schichten Lj-L1 entlang einer Länge L4 der Schichten Lj-L1 zu einer zweiten horizontalen Position 136 in den Schichten Lj-L1 des Gehäuses 110 verlaufen. Die Länge L4 kann zwischen 0,5 und 25 mm betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 1,0 und 15 mm betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 2 und 10 mm betragen. Es ist klar, dass die Länge L1 eine passende Leitungs- oder Spurenlänge innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein kann, die kleiner als oder größer als die oben erwähnten ist.
  • Als Nächstes zeigt 1 vertikale Datensignalübertragungsleitungen 137 (z. B. Datensignal-RX-Übertragungsleitungen oder -spuren 138 und Datensignal-TX-Übertragungsleitungen oder -spuren 148), die vom Gehäuse 110 ausgehen und vertikal nach oben durch die Lötperlen 119 und in den Chip 109 verlaufen. In einigen Fällen kann die Leitung 137 von (z. B. von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in) den Schichten Lj-L1 an der vierten horizontalen Position 136 des Gehäuses 110 ausgehen, nach oben durch die Lötperlen 119 verlaufen (z. B. Signalkontakte auf der Oberseite 103 des Gehäuses 110 und einige der Lötperlen 119 an der Position 111 aufweisen), nach oben durch eine Unterseite des Chips 109 verlaufen (z. B. Signalkontakte auf dieser aufweisen) und nach oben zu einer Unterseite des Chips 109 verlaufen und dort enden (z. B. Signalkontakte darauf aufweisen).
  • In einigen Fällen gehen die Datensignalübertragungssignale, die an den Datensignalübertragungsleitungen der Leitungen 133, 135 und 137 gesendet und empfangen werden (oder dort existieren), vom Chip 108 und vom Chip 109 aus (werden z. B. dort erzeugt oder von diesen bereitgestellt). In einigen Fällen können diese Datensignalübertragungssignale von aktiven Schaltkreisen, Transistoren, Sendeschaltungen oder anderen Komponenten der Chips 108 und 109 oder derartigen an diesen Chips angebrachten Komponenten erzeugt werden.
  • In einigen Fällen sind oder weisen die Datensignalübertragungssignale der Leitungen 120, 122, 124, 126, 128, 130, 132, 133, 135 und/oder 137 Datensignalübertragungssignale an einen IC-Chip (z. B. den Chip 102, 108 oder 109), den Verteiler 104, den Interposer 106, das Gehäuse 110 oder eine andere daran angebrachte Vorrichtung auf. In einigen Fällen sind oder weisen die Datensignalübertragungssignale der Leitungen 120, 122, 124, 126, 128, 130, 132, 133, 135 und/oder 137 Datensignalübertragungssignale von einem Chip 102, 108 und/oder 109 oder einer anderen daran angebrachten Vorrichtung oder von diesen Chips oder einer derartigen Vorrichtung erzeugte Datensignalübertragungssignale auf.
  • In einigen Fällen sind die hierin beschriebenen Datensignalübertragungssignale Hochfrequenz(HF)-Datensignale (z. B. RX- und TX-Datensignale). In einigen Fällen weisen die Signale eine Geschwindigkeit zwischen 4 und 10 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) auf. In einigen Fällen weisen die Signale eine Geschwindigkeit zwischen 6 und 8 Gigatransfers pro Sekunde auf. In einigen Fällen weisen die Signale eine Geschwindigkeit zwischen 4 und 5 Gigabits pro Sekunde auf. In einigen Fällen weisen die Signale eine Geschwindigkeit von bis zu 10 Gigabits pro Sekunde auf. In einigen Fällen weisen die Signale eine Geschwindigkeit zwischen 4 und 12 Gigatransfers pro Sekunde auf. In einigen Fällen weisen die Signale eine Geschwindigkeit zwischen 7 und 25 GT/s; und eine Spannung zwischen 0,5 und 2,0 Volt auf. In einigen Fällen weist das Signal eine Geschwindigkeit zwischen 6 und 15 GT/s auf. In einigen Fällen weist das Signal eine Spannung zwischen 0,4 und 5,0 Volt auf. In einigen Fällen kann sie zwischen 0,5 und 2,0 Volt betragen. In einigen Fällen liegt es auf einem anderen Geschwindigkeits- und/oder Spannungspegel, der zum Empfangen oder Senden von Datensignalen durch oder innerhalb einer Gehäusevorrichtung geeignet ist. In einigen Fällen liegen sie in einem Bereich zwischen einer sehr niedrigen Geschwindigkeitstransferrate, beispielsweise von 50 MT/s, bis über 40 GT/s (oder bis zu zwischen 40 und 50 GT/s).
  • In einigen Fällen weisen die Leitungen 120, 122 und 124 auch Leistungs- und Erdungssignalleitungen oder -spuren auf (z. B. zusätzlich zu den Hochfrequenz-Datensignalempfangs- und Sendeleitungen 138 und 148). Diese Leistungs- und Erdungsleitungen sind nicht gezeigt. In einigen Fällen verlaufen sie horizontal innerhalb der Schichten Lj-L1 des Verteilers 104 von der Position 121 zur Position 123. In einigen Fällen verlaufen sie horizontal innerhalb anderer Schichten des Verteilers 104 von der Position 121 zur Position 123.
  • In einigen Fällen weisen die Leitungen 124, 126 und 128 auch Leistungs- und Erdungssignalleitungen oder -spuren auf (z. B. zusätzlich zu den Hochfrequenz-Datensignalempfangs- und Sendeleitungen 138 und 148). Diese Leistungs- und Erdungsleitungen sind nicht gezeigt. In einigen Fällen verlaufen sie horizontal innerhalb der Schichten Lj-L1 des Interposers 106 von der Position 125 zur Position 127. In einigen Fällen verlaufen sie horizontal innerhalb anderer Schichten des Interposers 106 von der Position 125 zur Position 127. In einigen Fällen gehen die Leistungs- und Erdungssignale, die an den Leistungs- und Erdungssignalleitungen der Leitungen 120, 122, 124 und 126 gesendet und empfangen werden (oder dort existieren), vom Verteiler 104 oder vom Interposer 106 aus oder werden von diesem bereitgestellt. In einigen Fällen können diese Leistungs- und Erdungssignale von Leistungs- und Erdungsschaltkreisen, Transistoren oder anderen Komponenten des Verteilers 104 oder des Interposers 106 oder derartigen an diesen angebrachten Komponenten erzeugt werden.
  • In einigen Fällen weisen die Leitungen 128, 130 und 132 auch Leistungs- und Erdungssignalleitungen oder -spuren auf (z. B. zusätzlich zu den Hochfrequenz-Datensignalempfangs- und Sendeleitungen 138 und 148). Diese Leistungs- und Erdungsleitungen sind nicht gezeigt. In einigen Fällen verlaufen sie horizontal innerhalb der Schichten Lj-L1 des Gehäuses 110 von der Position 129 zur Position 131. In einigen Fällen verlaufen sie horizontal innerhalb anderer Schichten des Gehäuses 110 von der Position 129 zur Position 131. In einigen Fällen gehen die Leistungs- und Erdungssignale, die an den Leistungs- und Erdungssignalleitungen der Leitungen 128, 130 und 132 gesendet und empfangen werden (oder dort existieren), vom Gehäuse 110 oder vom Interposer 106 aus oder werden von diesem bereitgestellt. In einigen Fällen können diese Leistungs- und Erdungssignale von Leistungs- und Erdungsschaltkreisen, Transistoren oder anderen Komponenten des Gehäuses 110 oder des Interposers 106 oder derartigen an diesen angebrachten Komponenten erzeugt werden.
  • In einigen Fällen weisen die Leitungen 133, 135 und 137 auch Leistungs- und Erdungssignalleitungen oder -spuren auf (z. B. zusätzlich zu den Hochfrequenz-Datensignalempfangs- und Sendeleitungen 138 und 148). Diese Leistungs- und Erdungsleitungen sind nicht gezeigt. In einigen Fällen verlaufen sie horizontal innerhalb der Schichten Lj-L1 des Gehäuses 110 von der Position 134 zur Position 136. In einigen Fällen verlaufen sie horizontal innerhalb anderer Schichten des Gehäuses 110 von der Position 134 zur Position 136. In einigen Fällen gehen die Leistungs- und Erdungssignale, die an den Leistungs- und Erdungssignalleitungen der Leitungen 133, 135 und 137 gesendet und empfangen werden (oder dort existieren), vom Gehäuse 110 oder vom Interposer 106 aus oder werden von diesem bereitgestellt. In einigen Fällen können diese Leistungs- und Erdungssignale von Leistungs- und Erdungsschaltkreisen, Transistoren oder anderen Komponenten des Gehäuses 110 oder des Interposers 106 oder derartigen an diesen angebrachten Komponenten erzeugt werden.
  • In einigen Fällen ist oder weist das Leistungssignal der Leitungen 120, 122, 124, 126, 128, 130, 132, 133, 135 und/oder 137 Leistungssignale an einen IC-Chip (z. B. den Chip 102 oder 108), den Verteiler 104, den Interposer 106, das Gehäuse 110 oder eine andere daran angebrachte Vorrichtung auf. In einigen Fällen ist dieses Leistungssignal ein Wechselstrom(AC)- oder Gleichstrom(DC)-Leistungssignal (z. B. Vdd). In einigen Fällen weist das Leistungssignal eine Spannung zwischen 0,4 und 7,0 Volt auf. In einigen Fällen kann sie zwischen 0,5 und 5,0 Volt betragen. In einigen Fällen liegt es auf einem anderen Spannungspegel, der zum Bereitstellen eines oder mehrerer elektrischer Leistungssignale durch eine oder innerhalb einer Gehäusevorrichtung oder eines IC-Chips geeignet ist.
  • In einigen Fällen ist oder weist das Erdungssignal der Leitungen 120, 122, 124, 126, 128, 130, 132, 133, 135 und/oder 137 Erdungssignale an einen IC-Chip (z. B. den Chip 102 oder 108), den Verteiler 104, den Interposer 106, das Gehäuse 110 oder eine andere daran angebrachte Vorrichtung auf. In einigen Fällen ist dieses Erdungssignal ein Nullspannungs-Gleichstrom(DC)-Erdungssignal (z. B. GND). In einigen Fällen weist das Erdungssignal eine Spannung zwischen 0,0 und 0,2 Volt auf. In einigen Fällen liegt es auf einem anderen aber erdenden Spannungspegel, der zum Bereitstellen von elektrischen Erdungssignalen durch eine (oder innerhalb einer bzw. eines) Gehäusevorrichtung oder einen IC-Chip geeignet ist.
  • 1 zeigt auch eine schematische Querschnitts-Längsansicht einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen. In diesem Fall ist die Gehäusevorrichtung eine durch geerdete Isolationsebenen getrennte Datensignal-Gehäusevorichtung 150. Die Vorrichtung 150 kann eine „Gehäusevorrichtung“ sein, die einen beliebigen des Verteilers 104, des Interposers 106 oder des Gehäuses 110 darstellt. Es ist ersichtlich, dass die Vorrichtung 150 eine andere Gehäusevorrichtung mit horizontalen Datenübertragungsleitungen darstellen kann.
  • In einigen Fällen repräsentiert die Gehäusevorrichtung 150 die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 122 des Verteilers 104 (z. B. zwischen der Position 121 und der Position 123) in einer Querschnittsperspektive durch Perspektive A - A', wobei ein derartiger Querschnitt senkrecht zur Länge ist (z. B. auf eine Querschnittsansicht der Ebene der Höhe und Breite und die Richtung L1 hinunter blickend). In einigen Fällen repräsentiert die Gehäusevorrichtung 150 die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 126 des Interposers 106 (z. B. zwischen der Position 125 und der Position 127) in einer Querschnittsperspektive durch Perspektive B - B', wobei ein derartiger Querschnitt senkrecht zur Länge ist (z. B. die Richtung L2 hinunter blickend). In einigen Fällen repräsentiert die Gehäusevorrichtung 150 die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 130 des Gehäuses 110 (z. B. zwischen der Position 129 und der Position 131) in einer Querschnittsperspektive durch Perspektive C - C', wobei ein derartiger Querschnitt senkrecht zur Länge ist (z. B. die Richtung L3 hinunter blickend). In einigen Fällen repräsentiert die Gehäusevorrichtung 150 die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 135 des Gehäuses 110 (z. B. zwischen der Position 134 und der Position 136) in einer Querschnittsperspektive durch Perspektive D - D', wobei ein derartiger Querschnitt senkrecht zur Länge ist (z. B. die Richtung L4 hinunter blickend).
  • In einigen Fällen repräsentiert die Gehäusevorrichtung 150 alle horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 122, 126, 130 und 135. In einigen Fällen repräsentiert sie drei beliebige der Leitungen 122, 126, 130 und 135. In einigen Fällen repräsentiert sie zwei beliebige der Leitungen 122, 126, 130 und 135. In einigen Fällen repräsentiert sie eine beliebige der Leitungen 122, 126, 130 und 135.
  • In einigen Fällen weist die Gehäusevorrichtung 150 eine geerdete Gehäusevorrichtungs-Isolationsebene 160 auf, die horizontale Datensignalempfangsübertragungsleitungen 138 des Gehäuses (z. B. Datensignal-RX 138) der Schicht Lj von benachbarten (wobei hier z. B. „benachbart“ vertikal benachbarte beschreibt, die sich zum Beispiel in einer Schicht über oder unter der Schicht Lj befinden) horizontalen Datensignalsendeübertragungsleitungen (z. B. Datensignal-TX- oder RX-Leitungen) einer Schicht oder Lage der Gehäusevorrichtung trennen, die sich über der Schicht Lj befindet. Die Ebene 160 kann in einem beliebigen des Verteilers 104 (wobei sie z. B. als eine fortlaufende Leitermaterialebene verläuft, die Signalleitungen der Schicht Lj von einer Schicht über der Schicht Lj zwischen den Positionen 121 und 123 trennt); des Interposers 106 (wobei sie z. B. als eine fortlaufende Leitermaterialebene verläuft, die Signalleitungen der Schicht Lj von einer Schicht über der Schicht Lj zwischen den Positionen 125 und 127 trennt); und/oder des Gehäuses 110 existieren (wobei sie z. B. als eine fortlaufende Leitermaterialebene verläuft, die Signalleitungen der Schicht Lj von einer Schicht über der Schicht Lj zwischen den Positionen 129 und 131 und/oder den Positionen 134 und 136 trennt).
  • In einigen Fällen weist die Gehäusevorrichtung 150 eine geerdete Gehäusevorrichtungs-Isolationsebene 162 auf, die horizontale Datensignalempfangsübertragungsleitungen 138 des Gehäuses (z. B. Datensignal-RX 138) der Schicht Lj von benachbarten horizontalen Datensignalsendeübertragungsleitungen 148 (z. B. Datensignal-TX 148) der Schicht Lk der Gehäusevorrichtung trennen, die sich unter der Schicht Lj befindet. Die Ebene 162 kann in einem beliebigen des Verteilers 104 (wobei sie z. B. als eine fortlaufende Leitermaterialebene verläuft, die Signalleitungen der Schicht Lj von der Schicht Lk zwischen den Positionen 121 und 123 trennt); des Interposers 106 (wobei sie z. B. als eine fortlaufende Leitermaterialebene verläuft, die Signalleitungen der Schicht Lj von der Schicht Lk zwischen den Positionen 125 und 127 trennt); und/oder des Gehäuses 110 existieren (wobei sie z. B. als eine fortlaufende Leitermaterialebene verläuft, die Signalleitungen der Schicht Lj von der Schicht Lk zwischen den Positionen 129 und 131 und/oder den Positionen 134 und 136 trennt).
  • In einigen Fällen weist die Gehäusevorrichtung 150 auch eine geerdete Gehäusevorrichtungs-Isolationsebene 164 auf, die horizontale Datensignalsendeübertragungsleitungen 148 des Gehäuses (z. B. Datensignal-TX 148) der Schicht Lk von benachbarten horizontalen Datensignalempfangsübertragungsleitungen 138 (z. B. Datensignal-RX 138) der Schicht L1 der Gehäusevorrichtung trennen, die sich unter der Schicht Lk befindet. Die Ebene 164 kann in einem beliebigen des Verteilers 104 (wobei sie z. B. als eine fortlaufende Leitermaterialebene verläuft, die Signalleitungen der Schicht Lk von der Schicht L1 zwischen den Positionen 121 und 123 trennt); des Interposers 106 (wobei sie z. B. als eine fortlaufende Leitermaterialebene verläuft, die Signalleitungen der Schicht Lk von der Schicht L1 zwischen den Positionen 125 und 127 trennt); und/oder des Gehäuses 110 existieren (wobei sie z. B. als eine fortlaufende Leitermaterialebene verläuft, die Signalleitungen der Schicht Lk von der Schicht L1 zwischen den Positionen 129 und 131 und/oder den Positionen 134 und 136 trennt).
  • In einigen Fällen weist die Gehäusevorrichtung 150 eine geerdete Gehäusevorrichtungs-Isolationsebene 166 auf, die horizontale Datensignalempfangsübertragungsleitungen 138 des Gehäuses (z. B. Datensignal-RX 138) der Schicht L1 von benachbarten horizontalen Datensignalsendeübertragungsleitungen (z. B. Datensignal-TX oder -RX-Leitungen) einer Schicht oder Lage der Gehäusevorrichtung trennen, die sich unter der Schicht L1 befindet. Die Ebene 166 kann in einem beliebigen des Verteilers 104 (wobei sie z. B. als eine fortlaufende Leitermaterialebene verläuft, die Signalleitungen der Schicht L1 von einer Schicht unter der Schicht L1 zwischen den Positionen 121 und 123 trennt); des Interposers 106 (wobei sie z. B. als eine fortlaufende Leitermaterialebene verläuft, die Signalleitungen der Schicht L1 von einer Schicht unter der Schicht L1 zwischen den Positionen 125 und 127 trennt); und/oder des Gehäuses 110 existieren (wobei sie z. B. als eine fortlaufende Leitermaterialebene verläuft, die Signalleitungen der Schicht L1 von einer Schicht unter der Schicht L1 zwischen den Positionen 129 und 131 und/oder den Positionen 134 und 136 trennt).
  • 2A ist eine schematische explodierte Querschnittslängsansicht einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen von 1, die geerdete Isolationsebenen zeigt, die horizontale Datensignal-Empfangs- und Sendelagen oder -schichten trennen. 2A zeigt eine schematische explodierte Querschnittslängsansicht der durch eine geerdete Isolationsebene getrennte Datensignal-Gehäusevorrichtung 150, wie einer „Gehäusevorrichtung“, die einen beliebigen des Verteilers 104 (z. B. eine Ansicht durch Perspektive A - A'), des Interposers 106 (z. B. eine Ansicht durch Perspektive B - B') oder des Gehäuses 110 (z. B. eine Ansicht durch Perspektive C - C' oder D - D") repräsentiert. Die Gehäusevorrichtung 150 wird als eine Zwischenverbindungsschicht Lj aufweisend gezeigt, die über oder auf der Schicht Lk (d. h. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf der Schicht L1 gebildet ist. Jede Schicht kann eine Oberschicht aus nichtleitendem (z. B. dielektrischem) Material aufweisen; eine mittlere Schicht mit Datensignalleitungen (z. B. Spuren) aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) zwischen nichtleitenden (z. B. dielektrischen) Materialabschnitten; und eine untere Schicht aus nichtleitendem (z. B. dielektrischem) Material; und eine geerdete Isolationsebene auf einer untersten Schicht aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall).
  • Genauer zeigt 2A die Gehäusevorrichtung 150 mit einer Schicht 205, die die geerdete Isolationsebene der Gehäusevorrichtung aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) 160, die die Oberschicht 210 aus dielektrischem Material der Gehäusevorrichtung (und die horizontalen Datensignalempfangsübertragungsleitungen 138 der Gehäusevorrichtung (z. B. die Datensignal-RX 138)) von Schicht Lj von nichtleitendem Gehäusevorrichtungsmaterial (und vertikal benachbarten horizontalen Datensignalsendeübertragungsleitungen (z. B. Datensignal-TX- oder RX-Leitungen) einer Schicht oder Lage der Gehäusevorrichtung über der Ebene 160 trennt, aufweist (z. B. zusammen mit anderen Materialien die über die Kante der Breite W3 hinausgehen) oder ist (z. B. innerhalb der Breite W3).
  • Die Ebene 160 kann physisch direkt mit geerdeten Kontakten oder über Kontakte in der gleichen Lage 205 oder Schicht wie die Ebene 160 verbunden sein (z. B. in Kontakt mit diesen gebildet sein), elektrisch an oder über derartige Kontakte gekoppelt sein oder direkt an oder über derartige Kontakte angebracht (z. B. diese berührend) sein. In einigen Fällen ist die geerdete Ebene 160 geerdete Signale vom Verteiler 104, Interposer 106, Gehäuse 110 oder einer anderen an diesen angebrachten Vorrichtung oder weist diese auf. In einigen Fällen geht ein geerdetes Signal, das an der geerdeten Ebene 160 gesendet (oder auf dieser existiert) wird, vom Verteiler 104, Interposer 106 oder Gehäuse 110 aus oder wird von diesem bereitgestellt. In einigen Fällen kann das geerdete Signal durch geerdete Schaltkreise, Transistoren oder andere Komponenten des Verteilers 104, Interposers 106 oder Gehäuses 110 oder geerdete Schaltkreise, Transistoren oder andere Komponenten, die an diesen angebracht sind (z. B. beispielsweise von einer Hauptplatine oder Leistungsversorgung, die elektrisch mit diesen verbunden sind) erzeugt werden. In einigen Fällen ist dieses Erdungssignal ein Nullspannungs-Gleichstrom(DC)-Erdungssignal (z. B. GND). In einigen Fällen weist das Erdungssignal eine Spannung zwischen 0,0 und 0,2 Volt auf. In einigen Fällen liegt es auf einem anderen aber erdenden Spannungspegel, der zum Bereitstellen von elektrischen Erdungssignalen durch eine (oder innerhalb einer bzw. eines) Gehäusevorrichtung oder einen IC-Chip geeignet ist.
  • Die Lage 205 (z. B. die Ebene 160) kann auf (z. B. diese berührend) oder über der Lage 210 der Schicht Lj gebildet sein. Die Lage 205 weist eine Höhe H1 und eine Breite W3 auf. In einigen Fällen kann die Höhe H1 ungefähr 15 Mikrometer (15 × E-6 Meter - „um“) und die Breite W3 zwischen 1 Millimeter (mm) und 10 mm betragen. In einigen Fällen kann die Höhe H1 zwischen 10 und 20 Mikrometer (um) betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 5 und 30 Mikrometer betragen. Es ist klar, dass die Höhe H1 eine passende Höhe einer Erdungsebene aus leitendem Material innerhalb einer Gehäusevorrichtung zum Reduzieren von Einstreuung und zum Isolieren von Signalspuren sein kann, die kleiner als oder größer als die oben erwähnten ist.
  • In einigen Fällen liegt die Breite W3 zwischen 1 Millimeter (mm) und 20 mm. In einigen Fällen liegt sie zwischen 100 Mikrometer und 2 mm betragen. Es ist klar, dass die Breite W3 eine passende Breite einer horizontalen Datensignalempfangs- oder Sendeleitung (z. B. einer einzelnen, einer Gruppe oder einer Lage aus diesen) innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein kann, die kleiner als oder größer als die oben erwähnten ist. In einigen Fällen kann die Breite W3 1 Prozent bis 100 Prozent einer gesamten Breite einer Gehäusevorrichtung umspannen. In einigen Fällen kann sie 20 Prozent bis 90 Prozent einer gesamten Breite einer Gehäusevorrichtung umspannen.
  • In einigen Fällen kann die genaue Größe der Breite W3 von einer Anzahl der innerhalb jeder Schicht eingesetzten Signalleitungen abhängen (z. B. der Anzahl der Leitungen 138 oder 148 in den Schichten Lj-Ll). In einigen Fällen kann die Größe der Breite W3 auch von der Anzahl der innerhalb der Gehäusevorrichtung eingesetzten Signalleitungen abhängen. In einigen Fällen kann die Größe der Breite W3 mit dem Herstellungs- oder Verarbeitungspitch skalieren oder von diesem abhängen (z. B. der Signalleitungen, wie als Pitch PW1 gezeigt). Die Größe der Breite W3 kann auch von der technologischen Fähigkeit zum Bilden der Signalleitungen und des Gehäuses abhängen. In einigen Fällen kann die Größe der Breite W3 im Allgemeinen von ungefähr Hundert bis zu ein paar Hundert Mikrometer (× E-6 Meter - „um“ oder „Mikrons“) umspannen. In einigen Fällen kann sie zwischen 80 und 250 um betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 50 und 300 um betragen.
  • Die Schicht Lj wird als eine obere Lage 210 aufweisend gezeigt, die über oder auf einer mittleren Lage 212 (z. B. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf einer unteren Lage 214 gebildet ist, die über oder auf einer untersten Lage 216 gebildet ist.
  • Als Nächstes zeigt 2A eine obere Lage 210 der Schicht Lj, die eine nichtleitende Gehäusematerialebene 103a aufweist (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Breite W3 hinausreichen) oder ist (z. B. innerhalb der Breite W3), die eine Lage 205 von der mittleren Lage 212 der Schicht Lj trennt. Die Lage 210 (z. B. die Ebene 103a) kann auf (z. B. diese berührend) oder über der mittleren Lage 212 der Schicht Lj gebildet sein. Die Lage 210 weist eine Höhe H2 und eine Breite W3 auf.
  • In einigen Fällen beträgt die Höhe H2 ungefähr 25 Mikrometer. In einigen Fällen kann die Höhe H2 zwischen 20 und 30 Mikrometer (um) betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 10 und 40 Mikrometer betragen. In einigen Fällen ist die Höhe H2 die gleiche wie die oben angegebene Höhe H1. Es ist klar, dass die Höhe H2 eine passende Höhe einer dielektrischen Materiallage zwischen den Signalleitungen und der Erdungsebene innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein kann, die kleiner als oder größer als die oben erwähnten ist.
  • Nun zeigt 2A die mittlere Lage 212 der Schicht Lj, die horizontale Datensignalempfangs-Übertragungsleitungen 138 (z. B. eine erste Art von Datensignalleitungen oder Spuren, wie RX-Datensignalleitungen) aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) aufweist (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Breite W3 hinausgehen) oder ist (z. B. innerhalb der Breite W3), die zwischen nichtleitenden (z. B. dielektrischen) Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten 103b angeordnet sind (sich z. B. dort befinden). Die Lage 212 trennt die obere Lage 210 von der unteren Lage 214 der Schicht Lj. Die Lage 212 (z. B. die Leitungen 138 und die Abschnitte 103b) kann auf (z. B. diese berührend) oder über der unteren Lage 214 der Schicht Lj gebildet sein. Die Lage 212 weist eine Höhe H3 und eine Breite W3 auf.
  • Die horizontalen Datensignalempfangs-Übertragungsleitungen 138 sind als eine Höhe H3 und eine Breite W1 (eine Breite zwischen den horizontal benachbarten Abschnitten 103b) aufweisend gezeigt. Nichtleitende Materialabschnitte 103b sind als eine Höhe H3 und eine Breite W2 (eine Breite zwischen den horizontal benachbarten Leitungen 138) aufweisend gezeigt.
  • In einigen Fällen kann die Höhe H3 ungefähr 15 Mikrometer (15 × E-6 Meter - „um“) betragen. In einigen Fällen kann die Höhe H3 zwischen 10 und 20 Mikrometer (um) betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 5 und 30 Mikrometer betragen. Es ist klar, dass die Höhe H3 eine passende Höhe einer Signalleitungslage (oder einer Datensignalempfangs- oder Sendeleitung) innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein kann, die kleiner als oder größer als die oben erwähnten ist. In einigen Fällen ist die Höhe H3 die gleiche wie die Höhe H1.
  • In einigen Fällen beträgt die Breite W1 zwischen 3 und 100 Mikrometer (um). In einigen Fällen kann sie zwischen 5 und 75 Mikrometer betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 15 und 35 Mikrometer betragen. Es ist klar, dass die Breite W1 eine passende Breite einer Datensignalempfangs- oder Sendeleitung innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein kann, die kleiner als oder größer als die oben erwähnten ist.
  • In einigen Fällen beträgt die Breite W2 ungefähr 158 Mikrometer. In einigen Fällen kann sie zwischen 10 und 300 Mikrometer (um) betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 25 und 200 Mikrometer betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 30 und 100 Mikrometer betragen. Es ist klar, dass die Breite W2 eine passende Breite eines nicht leitenden Materials zwischen horizontal benachbarten Datensignalempfangs- oder Sendeleitungen innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein kann, die kleiner als oder größer als die oben erwähnten ist. In einigen Fällen ist die Größe der Breite des Herstellungs- oder Verarbeitungspitchs zwischen den gleichen Kanten (oder Mitten der Breite W1) von horizontal benachbarten Datensignalleitungen der Vorrichtung 150 der Pitch PW1. PW1 kann gleich der Summe der Breiten W1 + W2 sein. In einigen Fällen beträgt der Pitch PW1 ungefähr 206 Mikrometer.
  • In einigen Fällen repräsentiert die Gesamtsumme (z. B. Addition) jedes Wertepaars für die Breite W1/Breite W2 (z. B. die Abstände zwischen Signalleitungen) (z. B. ein Wert A der Breite W1 plus ein Wert B der Breite W2; oder ein Wert O der Breite W1 plus ein Wert P der Breite W2 usw.) die gleiche Summe oder Konstante (wie z. B. die Pitchbreite PW1). In einigen Fällen kann die Summe zwischen 100 und 200 um betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 120 und 150 um betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 130 und 140 um betragen. In einigen Fällen können die Wertepaare Werte zwischen (1) der Breite W1 zwischen 60 und 80 um und der Breite zwischen 55 und 75 um; und (2) der Breite W1 zwischen 25 und 45 um und der Breite W2 zwischen 90 und 110 um sein. In einigen Fällen können die Wertepaare eine Breite W1/Breite W2 von 70/65 um, 65/70 um, 60/75 um, 55/80 um, 50/85 um, 45/90 um, 40/95 um oder 35/100 um sein.
  • Als Nächstes zeigt 2A eine untere Lage 214 der Schicht Lj, die eine nichtleitende Gehäusematerialebene 103c aufweist (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Breite W3 hinausreichen) oder ist (z. B. innerhalb der Breite W3), die eine mittlere Lage 212 von der untersten Lage 216 der Schicht Lj trennt. Die Lage 214 (z. B. die Ebene 103c) kann auf (z. B. diese berührend) oder über der untersten Lage 216 der Schicht Lj gebildet sein. Die Lage 214 weist eine Höhe H2 und eine Breite W3 auf.
  • Dann zeigt 2A eine unterste Lage 216 der Schicht Lj, die eine geerdete Isolationsebene 162 aus Gehäusevorrichtungsleitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) aufweist (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Breite W3 hinausreichen) oder ist (z. B. innerhalb der Breite W3), die eine untere Lage 214 der Schicht Lj von der oberen Lage 220 der vertikal benachbarten Schicht Lk trennt, die sich unter der Schicht Lj befindet. Die Lage 216 (z. B. die Ebene 162) kann horizontale Datensignalempfangs-Übertragungsleitungen 138 der Gehäusevorrichtung (z. B. eine erste Art von Datensignalleitungen oder -spuren, wie RX-Datensignalleitungen, die zwischen den nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten 103b angeordnet sind) der Schicht Lj (z. B. der Lage 212) vertikal von horizontalen Datensignalsende-Übertragungsleitungen 148 der Gehäusevorrichtung (z. B. einer zweiten Art von Datensignalleitungen oder -spuren, wie TX-Datensignalleitungen, die zwischen den nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten 103e angeordnet sind) der vertikal benachbarten Schicht Lk (z. B. der Lage 222) trennen, die sich unter der Schicht Lj befindet.
  • Die Ebene 162 kann physisch direkt mit geerdeten Kontakten oder über Kontakte in der gleichen Lage 216 oder Schicht wie die Ebene 162 verbunden sein (z. B. in Kontakt mit diesen gebildet sein), elektrisch an oder über derartige Kontakte gekoppelt sein oder direkt an oder über derartige Kontakte angebracht (z. B. diese berührend) sein. In einigen Fällen ist die geerdete Ebene 162 geerdete Signale vom Verteiler 104, Interposer 106, Gehäuse 110 oder einer anderen an diesen angebrachten Vorrichtung oder enthält diese. In einigen Fällen geht ein geerdetes Signal, das an der geerdeten Ebene 162 gesendet (oder auf dieser existiert) wird, vom Verteiler 104, Interposer 106 oder Gehäuse 110 aus oder wird von diesem bereitgestellt. In einigen Fällen kann das geerdete Signal durch geerdete Schaltkreise, Transistoren oder andere Komponenten des Verteilers 104, Interposers 106 oder Gehäuses 110 oder geerdete Schaltkreise, Transistoren oder andere Komponenten, die an diesen angebracht sind (z. B. beispielsweise von einer Hauptplatine oder Leistungsversorgung, die elektrisch mit diesen verbunden sind) erzeugt werden. In einigen Fällen ist dieses Erdungssignal ein Nullspannungs-Gleichstrom(DC)-Erdungssignal (z. B. GND). In einigen Fällen weist das Erdungssignal eine Spannung zwischen 0,0 und 0,2 Volt auf. In einigen Fällen liegt es auf einem anderen aber erdenden Spannungspegel, der zum Bereitstellen von elektrischen Erdungssignalen durch eine (oder innerhalb einer bzw. eines) Gehäusevorrichtung oder einen IC-Chip geeignet ist.
  • Die Lage 216 (z. B die Ebene 162) kann auf (z. B. diese berührend) oder über der Lage 220 der Schicht Lk gebildet sein. Die Lage 216 weist eine Höhe H1 und eine Breite W3 auf (wie beispielsweise oben für Ebene 160 angemerkt).
  • Die Schicht Lk wird als eine obere Lage 220 aufweisend gezeigt, die über oder auf einer mittleren Lage 222 (z. B. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf einer unteren Lage 224 gebildet ist, die über oder auf einer untersten Lage 226 gebildet ist.
  • Als Nächstes zeigt 2A eine obere Lage 220 der Schicht Lk, die eine nichtleitende Gehäusematerialebene 103d enthält (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Breite W3 hinausreichen) oder ist (z. B. innerhalb der Breite W3), die eine Lage 216 von der mittleren Lage 222 der Schicht Lk trennt. Die Lage 220 (z. B. die Ebene 103d) kann auf (z. B. diese berührend) oder über der mittleren Lage 222 der Schicht Lk gebildet sein. Die Lage 220 weist eine Höhe H2 und eine Breite W3 auf.
  • Nun zeigt 2A die mittlere Lage 222 der Schicht Lk, die horizontale Datensignalsende-Übertragungsleitungen 148 (z. B. eine zweite Art von Datensignalleitungen oder Spuren, wie TX-Datensignalleitungen) aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) aufweist (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Breite W3 hinausgehen) oder ist (z. B. innerhalb der Breite W3), die zwischen nichtleitenden (z. B. dielektrischen) Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten 103e angeordnet sind. Die Lage 222 trennt die obere Lage 220 von der unteren Lage 224 der Schicht Lk. Die Lage 222 (z. B. die Leitungen 148 und die Abschnitte 103e) kann auf (z. B. diese berührend) oder über der unteren Lage 224 der Schicht Lk gebildet sein. Die Lage 222 weist eine Höhe H3 und eine Breite W3 auf.
  • Die horizontalen Datensignalsende-Übertragungsleitungen 148 sind als eine Höhe H3 und eine Breite W1 (eine Breite zwischen den horizontal benachbarten Abschnitten 103e) aufweisend gezeigt. Nichtleitende Materialabschnitte 103e sind als eine Höhe H3 und eine Breite W2 (eine Breite zwischen den horizontal benachbarten Leitungen 148) aufweisend gezeigt.
  • Als Nächstes zeigt 2A eine untere Lage 224 der Schicht Lk, die eine nichtleitende Gehäusematerialebene 103f aufweist (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Breite W3 hinausreichen) oder ist (z. B. innerhalb der Breite W3), die eine mittlere Lage 222 von der untersten Lage 226 der Schicht Lk trennt. Die Lage 224 (z. B. die Ebene 103f) kann auf (z. B. diese berührend) oder über der untersten Lage 226 der Schicht Lk gebildet sein. Die Lage 224 weist eine Höhe H2 und eine Breite W3 auf.
  • Dann zeigt 2A eine unterste Lage 226 der Schicht Lk, die eine geerdete Isolationsebene 164 aus Gehäusevorrichtungsleitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) aufweist (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Breite W3 hinausreichen) oder ist (z. B. innerhalb der Breite W3), die eine untere Lage 224 der Schicht Lk vertikal von der oberen Lage 230 der vertikal benachbarten Schicht L1 trennt, die sich unter der Schicht Lk befindet. Die Lage 226 (z. B. die Ebene 164) kann horizontale Datensignalsende-Übertragungsleitungen 148 der Gehäusevorrichtung (z. B. eine zweite Art von Datensignalleitungen oder -spuren, wie TX-Datensignalleitungen, die zwischen den nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten 103f angeordnet sind) der Schicht Lk (z. B. der Lage 222) vertikal von horizontalen Datensignalempfangs-Übertragungsleitungen 138 der Gehäusevorrichtung (z. B. einer ersten Art von Datensignalleitungen oder -spuren, wie RX-Datensignalleitungen, die zwischen den nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten 103h angeordnet sind) der vertikal benachbarten Schicht L1 (z. B. der Lage 232) trennen, die sich unter der Schicht Lk befindet.
  • Die Ebene 164 kann physisch direkt mit geerdeten Kontakten oder über Kontakte in der gleichen Lage 226 oder Schicht wie die Ebene 164 verbunden sein (z. B. in Kontakt mit diesen gebildet sein), elektrisch an oder über derartige Kontakte gekoppelt sein oder direkt an oder über derartige Kontakte angebracht (z. B. diese berührend) sein. In einigen Fällen ist die geerdete Ebene 164 geerdete Signale vom Verteiler 104, Interposer 106, Gehäuse 110 oder einer anderen an diesen angebrachten Vorrichtung oder enthält diese, wie für die Ebene 162 beschrieben. In einigen Fällen ist dieses Erdungssignal ein Nullspannungs-Gleichstrom(DC)-Erdungssignal (z. B. GND) oder weist eine Spannung auf, wie für Ebene 162 beschrieben.
  • Die Lage 226 (z. B. die Ebene 164) kann auf (z. B. diese berührend) oder über der Lage 230 der Schicht L1 gebildet sein. Die Lage 264 weist eine Höhe H1 und eine Breite W3 auf (wie beispielsweise oben für Ebene 160 angemerkt).
  • Die Schicht Lk wird als eine obere Lage 220 aufweisend gezeigt, die über oder auf einer mittleren Lage 222 (z. B. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf einer unteren Lage 224 gebildet ist, die über oder auf einer untersten Lage 226 gebildet ist.
  • Als Nächstes zeigt 2A eine obere Lage 230 der Schicht L1, die eine nichtleitende Gehäusematerialebene 103g aufweist (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Breite W3 hinausreichen) oder ist (z. B. innerhalb der Breite W3), die eine Lage 226 von der mittleren Lage 232 der Schicht L1 trennt. Die Lage 230 (z. B. die Ebene 103g) kann auf (z. B. diese berührend) oder über der mittleren Lage 232 der Schicht L1 gebildet sein. Die Lage 230 weist eine Höhe H2 und eine Breite W3 auf.
  • Nun zeigt 2A die mittlere Lage 232 der Schicht L1, die horizontale Datensignalempfangs-Übertragungsleitungen 138 (z. B. eine erste Art von Datensignalleitungen oder Spuren, wie RX-Datensignalleitungen) aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) aufweist (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Breite W3 hinausgehen) oder ist (z. B. innerhalb der Breite W3), die zwischen nichtleitenden (z. B. dielektrischen) Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten 103h angeordnet sind. Die Lage 232 trennt die obere Lage 230 von der unteren Lage 234 der Schicht L1. Die Lage 232 (z. B. die Leitungen 138 und die Abschnitte 103h) kann auf (z. B. diese berührend) oder über der unteren Lage 234 der Schicht L1 gebildet sein. Die Lage 232 weist eine Höhe H3 und eine Breite W3 auf.
  • Die horizontalen Datensignalempfangs-Übertragungsleitungen 138 sind als eine Höhe H3 und eine Breite W1 (eine Breite zwischen den horizontal benachbarten Abschnitten 103h) aufweisend gezeigt. Nichtleitende Materialabschnitte 103h sind als eine Höhe H3 und eine Breite W2 (eine Breite zwischen den horizontal benachbarten Leitungen 138) aufweisend gezeigt.
  • Als Nächstes zeigt 2A eine untere Lage 234 der Schicht L1, die eine nichtleitende Gehäusematerialebene 103i aufweist (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Breite W3 hinausreichen) oder ist (z. B. innerhalb der Breite W3), die eine mittlere Lage 232 von der untersten Lage 236 der Schicht L1 trennt. Die Lage 234 (z. B. die Ebene 103i) kann auf (z. B. diese berührend) oder über der untersten Lage 236 der Schicht L1 gebildet sein. Die Lage 234 weist eine Höhe H2 und eine Breite W3 auf.
  • Dann zeigt 2A eine unterste Lage 236 der Schicht L1, die eine geerdete Isolationsebene 166 aus Gehäusevorrichtungsleitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) aufweist (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Breite W3 hinausreichen) oder ist (z. B. innerhalb der Breite W3), die eine untere Lage 234 der Schicht L1 vertikal von einer oberen Lage einer vertikal benachbarten unteren Schicht der Gehäusevorrichtung 150 trennt, die sich unter der Schicht L1 befindet. Die Lage 236 (z. B. die Ebene 166) kann horizontale Datensignalempfangs-Übertragungsleitungen 138 der Gehäusevorrichtung (z. B. eine erste Art von Datensignalleitungen oder -spuren, wie RX-Datensignalleitungen, die zwischen den nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten 103h angeordnet sind) der Schicht L1 (z. B. der Lage 232) vertikal von horizontalen Datensignalsende-Übertragungsleitungen 148 der Gehäusevorrichtung (z. B. einer zweiten Art von Datensignalleitungen oder -spuren, wie RX-Datensignalleitungen, die zwischen nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten angeordnet sind) einer vertikal benachbarten unteren Schicht der Gehäusevorrichtung 150 trennen, die sich unter der Schicht L1 befindet.
  • Die Ebene 166 kann physisch direkt mit geerdeten Kontakten oder über Kontakte in der gleichen Lage 236 oder Schicht wie die Ebene 166 verbunden sein (z. B. in Kontakt mit diesen gebildet sein), elektrisch an oder über derartige Kontakte gekoppelt sein oder direkt an oder über derartige Kontakte angebracht (z. B. diese berührend) sein. In einigen Fällen ist die geerdete Ebene 166 geerdete Signale vom Verteiler 104, Interposer 106, Gehäuse 110 oder einer anderen an diesen angebrachten Vorrichtung oder enthält diese, wie für die Ebene 162 beschrieben. In einigen Fällen ist dieses Erdungssignal ein Nullspannungs-Gleichstrom(DC)-Erdungssignal (z. B. GND) oder weist eine Spannung auf, wie für Ebene 162 beschrieben.
  • Die Lage 236 (z. B. die Ebene 166) kann auf (diese z. B. berührend) oder über einer oberen Lage einer vertikal benachbarten Schicht der Gehäusevorrichtung 150 gebildet sein, die sich unter der Schicht L1 befindet. Die Lage 266 weist eine Höhe H1 und eine Breite W3 auf (wie beispielsweise oben für Ebene 160 angemerkt).
  • 2B ist eine schematische explodierte Querschnittslängsansicht einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der 1 und 2A, die geerdete Isolationsebenen zeigt, die horizontale Datensignal-Empfangs- und Sendeschichten oder -Ebenen trennen. 2B zeigt eine schematische explodierte Querschnitts-Seitenansicht der Gehäusevorrichtung mit durch eine geerdete Isolationsebene getrenntem Datensignal 150 der 1 und 2A, wie eine „Gehäusevorrichtung“, die einen bzw. ein beliebiges vom Verteiler 104 (z. B. entlang der Länge L1), Interposer 106 (z. B. entlang der Länge L2) oder des Gehäuses 110 (z. B. entlang der Länge L3 und/oder L4) repräsentiert. Die Gehäusevorrichtung 150 wird als Zwischenverbindungsschichten Lj, Lk und L1 aufweisend gezeigt (siehe z. B. 2A).
  • Genauer zeigt 2B die Gehäusevorrichtung 150 als entlang einer Länge Lp Lagen 205-236 aufweisend. Die Länge Lp kann beliebige der Längen L1, L2, L3 oder L4 repräsentieren.
  • In einigen Fällen liegt die Länge Lp zwischen 1 Millimeter (mm) und 60 mm. In einigen Fällen liegt die Länge Lp zwischen 100 Mikrometer und 2 mm. In einigen Fällen liegt die Länge Lp zwischen 10 und 14 mm. In einigen Fällen liegt die Länge Lp zwischen 7 und 20 mm. In einigen Fällen liegt die Länge Lp zwischen 5 und 30 mm. In einigen Fällen liegt die Länge Lp zwischen 40 und 50 mm. Es ist klar, dass die Länge Lp eine passende Länge einer horizontalen Datensignalempfangs- oder Sendeleitung (z. B. einer einzelnen, einer Gruppe oder einer Lage aus diesen) innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein kann, die kleiner als oder größer als die oben erwähnten ist. In einigen Fällen kann die Länge 10 Prozent bis zu einer gesamten Breite einer Gehäusevorrichtung umspannen.
  • Es ist klar, dass die Länge Lp eine Länge repräsentieren kann, die keine gerade Linie ist, aber die sich ein oder mehrere Male zwischen zwei horizontalen Positionen biegt, zwischen denen horizontale Datensignalübertragungsleitungen (z. B. die horizontalen Positionen 121 und 123) in einer Schicht der Gehäusevorrichtung 150 geleitet sind. In einigen Fällen ist die Länge Lp für verschiedene der Datensignalsendeleitungen (RX und/oder TX) verschieden, beispielsweise abhängig vom Routing der Leitungen zwischen den zwei horizontalen Positionen dieser Schicht. In einigen Fällen sind die zwei horizontalen Positionen, zwischen denen die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in einer Schicht der Gehäusevorrichtung 150 geleitet sind (z. B. die horizontalen Positionen 121 und 123), verschiedene der horizontalen Datensignalsendeleitungen (RX und/oder TX), abhängig vom Routing der Enden der Leitungen, beispielsweise zum Verbinden der Leitungen mit Signalkontakten oder über Kontakte dieser Schicht oder einer anderen Schicht der Gehäusevorrichtung.
  • 2B zeigt die Lage 205, die eine geerdete Isolationsebene 160 aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein (z. B. innerhalb der Länge Lp) kann, die eine obere Lage 210 der Schicht Lj vertikal von einer untersten Lage einer vertikal benachbarten Schicht der Gehäusevorrichtung 150 trennt, die sich über der Schicht Lj befindet. Die Lage 210 kann eine nichtleitende Gehäusematerialebene 103a aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein (z. B. innerhalb der Länge Lp), die eine Lage 205 von der mittleren Lage 212 der Schicht Lj trennt. Die Lage 212 wird als horizontale Datensignalempfangs-Übertragungsleitungen 138 (z. B. eine erste Art von Datensignalleitungen oder Spuren, wie RX-Datensignalleitungen) aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) aufweisend (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausgehen) oder sein (z. B. innerhalb der Länge Lp) gezeigt, die zwischen nichtleitenden (z. B. dielektrischen) Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten 103b angeordnet sind. Die Lage 212 wird zum Beispiel als „138/103b“ aufweisend gezeigt, was darstellen kann, dass die Leitungen 138 und/oder Abschnitte 103b entlang der Länge Lp verlaufen. Die Lage 214 kann eine nichtleitende Gehäusematerialebene 103c enthalten (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein (z. B. innerhalb der Länge Lp), die eine mittlere Lage 212 von der untersten Lage 216 der Schicht Lj trennt. Die Lage 216 kann eine geerdete Isolationsebene 162 aus Gehäusevorrichtungsleitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein (z. B. innerhalb der Länge Lp), die eine untere Lage 214 der Schicht Lj vertikal von der oberen Lage 220 der vertikal benachbarten Schicht Lk trennt, die sich unter der Schicht Lj befindet.
  • 2B zeigt die Lage 220, die eine nichtleitende Gehäusematerialebene 103d aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein kann (z. B. innerhalb der Länge Lp), die eine Lage 216 von der mittleren Lage 222 der Schicht Lk trennt. Die Lage 222 kann horizontale Datensignalsende-Übertragungsleitungen 148 (z. B. eine zweite Art von Datensignalleitungen oder Spuren, wie RX-Datensignalleitungen) aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausgehen) oder sein (z. B. innerhalb der Länge Lp), die zwischen nichtleitenden (z. B. dielektrischen) Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten 103e angeordnet sind. Die Lage 224 kann eine nichtleitende Gehäusematerialebene 103f aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein (z. B. innerhalb der Länge Lp), die eine mittlere Lage 222 von der untersten Lage 226 der Schicht Lk trennt. Die Lage 226 kann eine geerdete Isolationsebene 164 aus Gehäusevorrichtungsleitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein (z. B. innerhalb der Länge Lp), die eine untere Lage 224 der Schicht Lk vertikal von der oberen Lage 230 der vertikal benachbarten Schicht L1 trennt, die sich unter der Schicht Lk befindet.
  • 2B zeigt die Lage 230, die eine nichtleitende Gehäusematerialebene 103g aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein kann (z. B. innerhalb der Länge Lp), die eine Lage 226 von der mittleren Lage 232 der Schicht L1 trennt. Die Lage 232 kann horizontale Datensignalempfangs-Übertragungsleitungen 143 (z. B. eine erste Art von Datensignalleitungen oder Spuren, wie RX-Datensignalleitungen) aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausgehen) oder sein (z. B. innerhalb der Länge Lp), die zwischen nichtleitenden (z. B. dielektrischen) Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten 103h angeordnet sind. Die Lage 234 kann eine nichtleitende Gehäusematerialebene 103i aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein (z. B. innerhalb der Länge Lp), die eine mittlere Lage 232 von der untersten Lage 236 der Schicht L1 trennt. Die Lage 236 kann eine geerdete Isolationsebene 166 aus Gehäusevorrichtungsleitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein (z. B. innerhalb der Länge Lp), die eine untere Lage 244 der Schicht L1 vertikal von einer oberen Lage einer vertikal benachbarten Schicht der Gehäusevorrichtung 150 trennt, die sich unter der Schicht L1 befindet.
  • 3A zeigt ein Diagramm von Kurven der Augenhöhe (EH) und Augenweite (EW) eines Augendiagramms, das durch Testen einer der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in einem Bereich von Breiten der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen und von Abständen zwischen horizontalen Datensignalübertragungsleitungen erstellt wurde. 3B zeigt ein Beispiel eines Augendiagramms zum Bereitstellen der Augenhöhenkurven und Augenweitenkurven von 3A. In einigen Fällen sind die horizontalen Leitungen 138 und 148 der Vorrichtung 150 impedanzangepasst (siehe z. B. 3A), um eine Unstetigkeit der Impedanz und Einstreuung zwischen vertikal benachbarten und horizontal benachbarten der Signalleitungen 138 oder 148 (z. B. einem Kanal) der Vorrichtung 150 zu minimieren. Dies kann ein Durchführen einer solchen Anpassung enthalten, um eine ausgewählte Zielbreite W1 (und optional eine Höhe H3) einer der Signalleitungen 138 oder 148 (z. B. unter Angabe anderer festgelegter oder bekannter Höhen und Breiten, wie unten angemerkt) zu ermitteln, die die beste Kanalleistung bietet, wie durch den Kreuzungspunkt mit der niedrigsten Amplitude von Augenhöhen- (EH-) oder Augenweiten(EQ)-Kurven (siehe z. B. 3A) eines Augendiagramms (siehe z. B. 3B) gezeigt, das durch Testen einer der Signalleitungen 138 oder 148 erzeugt wurde. Die EH- und EW-Kurven (z. B. Kurven 310-311 und 315-316) können eine Ausgangssignalmessung (oder Computermodellierung) an einer Position der Datensignalleitung 138 oder 148 sein, wenn (z. B. als Ergebnis eines Leitens) ein oder mehrere Eingangstestdatensignale durch die Länge Lp der Datensignalleitung gesendet werden. Dieses Testen kann ein Senden von gleichzeitigen Testsignalen, wie von Aufwärts-(z. B.
    Figure DE112015007235T5_0001
    ) und Abwärts-Signalen (z. B.
    Figure DE112015007235T5_0002
    ) über einen Leitungstyp (z. B. RX-Leitungen 138 oder TX-Leitungen 148), eine Schicht von Leitungen (z. B. Lage 212, 222 oder 232) oder alle Leitungen 138 oder 148 der Vorrichtung 150 mit einer bestimmten Länge Lp enthalten. Dies kann ein Durchführen einer solchen Anpassung enthalten, um isolierte horizontale Datensignalübertragungsleitungsbreiten W1 und einen Abstand W2 zu ermitteln oder zu identifizieren, die im Routingsegment der Vorrichtung 150 entlang des Kanals der Signalleitungen 138 und 148 entlang der Länge Lp auf einer einzelnen Leitung impedanzangepasst sind (siehe z. B. 3A).
  • Der Impedanzabgleich der Leitung kann auf folgenden Faktoren basieren oder diese enthalten: Breite W1 der horizontalen Datensignalübertragungsleitung, Höhe H3, Länge Lp; Breite W2 zwischen der Leitung und einer horizontal benachbarten horizontalen Datensignalübertragungsleitung der Vorrichtung 150; und Höhe H2 zwischen der Leitung und einer vertikal benachbarten Erdungsebene der Vorrichtung 150. In einigen Fällen, sobald die Länge Lp, Breite W2, Höhe H2 und Höhe H3 bekannt sind (z. B. vorbestimmt oder vorher auf Grundlage eines spezifischen Designs einer Gehäusevorrichtung 150 ausgewählt), dann wird die Abstimmung durchgeführt (z. B. durch Computersimulation, tatsächliches „Beta“-Testen der Vorrichtung oder andere Labortests), um einen Bereich der Breite W1 zu ermitteln oder zu identifizieren, die die beste Kanalleistung bietet, wie durch den Kreuzungspunkt mit der niedrigsten Amplitude der Augenhöhen- (EH-) oder Augenweiten(EW)-Kurven eines Augendiagramms gezeigt, das durch Testen einer der Signalleitungen 138 oder 148 erstellt wurde.
  • 3A zeigt ein Diagramm von Augenhöhen(EH)-Kurven 310 und 311; und Augenweiten(EW)-Kurven 315 und 316 eines Augendiagramms (siehe z. B. 3B), das durch Testen von horizontalen Datensignalübertragungssignalleitungen 138 oder 148 für einen Bereich einer horizontalen Datensignalübertragungsleitungsbreite W1 und Abständen W2 zwischen horizontal benachbarten Signalleitungen 138 oder 148 erstellt wurde. Das Testen kann ein Messen oder Modellieren eines Ausgangssignals als Reaktion auf Eingangssignale wie Aufwärts- (z. B. ) und Abwärtssignale z. B ) enthalten, wie oben für 3A angemerkt. Die EH-Kurve 310 kann die EH-Kurve für ein erstes Design oder eine erste Verwendung der Vorrichtung 150 sein, die von den oben erwähnten Faktoren (z. B. der horizontalen Datensignalübertragungsleitungsbreite W1, der Höhe H3, der Länge Lp; Breite W2 zwischen der Leitung und einer horizontal benachbarten horizontalen Datensignalübertragungsleitung der Vorrichtung 150; und Höhe H2 zwischen der Leitung und einer vertikal benachbarten Erdungsebene der Vorrichtung 150) unabhängig ist (z. B. nicht auf diesen basiert oder diese nicht berücksichtigt). Die EH-Kurve 311 kann die EH-Kurve für ein zweites, unterschiedliches Design oder eine zweite, unterschiedliche Verwendung der Vorrichtung 150 sein, das bzw. die von den oben erwähnten Faktoren unabhängig ist. Die EW-Kurve 315 kann die EW-Kurve für das erste Design oder die erste Vorrichtung 150 sein, das bzw. die von den oben erwähnten Faktoren unabhängig ist. Die EW-Kurve 316 kann die EW-Kurve für das zweite, unterschiedliche Design oder die zweite, unterschiedliche Verwendung der Vorrichtung 150 sein, das bzw. die von den oben erwähnten Faktoren unabhängig ist.
  • In einigen Fällen kann ein solches Design oder eine solche Verwendung enthalten, dass die verschiedenen Kurven verschiedene Fertigungsschwankungskombinationen repräsentieren, bei denen beispielsweise ein niederohmiges Gehäuse (z. B. das Gehäuse 110) mit einem hochohmigen Interposer (z. B. dem Interposer 106) verbunden ist. In einigen Fällen kann ein solches Design oder eine solche Verwendung enthalten, dass die verschiedenen Kurven verschiedene Winkelkombinationen repräsentieren oder mögliche Komponentenvariationskombinationen. In einigen Fällen kann ein solches Design oder eine solche Verwendung enthalten, dass die verschiedenen Kurven verschiedene Designs oder Verwendungen repräsentieren, um die Impedanz abzugleichen, um die Kanalleitung zu maximieren. In einigen Fällen zeigt 3A EH- und EW-Kurven verschiedener Kanäle, die mögliche Gehäuse- und Interposerfertigungswinkel kombinieren, (max/typische/min. Impedanzwinkel aus Fertigungsschwankungen). In einigen Fällen beispielsweise max Z Verteiler + min Z Interposer+max Z Gehäuse, wobei Z die Impedanz bezeichnet. In einigen Fällen zeigt die gemeinsame oder Schnittfläche unter den EH- oder EW-Kurven den Kanal-EH/EW-Lösungsraum. In einigen Fällen ist der optimierte Impedanzwert mit dem Kreuzungspunkt der EH- oder EW-Kurven verknüpft, der die maximale EH/EW-Einhüllende aller möglichen Kanalfertigungsschwankungen bietet.
  • 3B zeigt ein Beispiel eines Augendiagramms 342 zum Bereitstellen der Augenhöhenkurven 310 und 311; und der Augenweiten(EW)-Kurven 315 und 316 von 3A. 3B zeigt ein Diagramm 340 mit einer vertikalen y-Achse 342, die die Amplitude des Ausgangssignals anzeigt, die bei Anlegen des Testsignals an die Datensignalleitung angelegt gemessen wird. Die X-Achse 344 ist eine Zeitskala, die eine phasengleiche Version des Ausgangsdatensignals 345 abbildet, das gemessen wurde, wenn die Ausgangssignale zeitlich phasengleich synchronisiert sind, sodass die Aufwärts- und Abwärtstestsignale normalerweise ein Rechteck oder Quadrat bilden würden, aber das zentrale hexagonale „Auge“ 346 bilden. Das Auge 346 weist eine Y-Achsen-Augenhöhe 350 und eine X-Achsen-Augenweite 355 auf. Deshalb können die EH-Kurven 310-311 Beispiele der Augenhöhe 350 für verschiedene Designs und eine andere Signalleitungsbreite W1 und Beabstandung W2 für die Vorrichtung 550 sein. Deshalb können die EW-Kurven 315-316 Beispiele der Augenweite 355 für verschiedene Designs und eine andere Signalleitungsbreite W1 und Beabstandung W2 für die Vorrichtung 550 sein.
  • Es ist klar, dass ein Augendiagramm (wie z. B. in 3B gezeigt) ein gemeinsamer Hinweis auf die Qualität der Signale in digitalen Hochgeschwindigkeits-Übertragungen (z. B. entlang der Datenleitungen 138 und 148) sein kann. Ein Oszilloskop kann verwendet werden, um ein Augendiagramm durch Überlagern von Durchläufen verschiedener Segmente eines langen Datenstroms zu erstellen, der von einem Master-Takt angetrieben wird. Die Triggerkante kann positiv oder negativ sein, aber der angezeigte Impuls, der nach einem Verzögerungszeitraum erscheint, kann sich in beide Richtungen bewegen; es ist unmöglich, den Wert eines beliebigen Bits vorweg zu kennen. Wenn deshalb viele solche Übergänge überlagert wurden, werden positive und negative Impulse aufeinander überlagert (wie z. B. durch die Signale 345 in 3B gezeigt). Das Überlagern vieler Bits erzeugt ein Augendiagramm, das so genannt wird, da das resultierende Bild wie eine Augenöffnung aussieht (wie z. B. durch das Auge 346 in 3B gezeigt).
  • Im Idealfall würden Augendiagramme (wie z. B. durch die Signale 345 in 3B gezeigt) wie rechteckige Kästchen aussehen. In der Realität sind Kommunikationen nicht perfekt, deshalb sind die Übergänge nicht perfekt übereinander ausgerichtet und es resultiert ein augenförmiges Muster (wie z. B. durch das Auge 346 in 3B gezeigt). Auf einem Oszilloskop hängt die Form eines Augendiagramms von verschiedenen Arten von Triggersignalen ab (z. B. Eingangstestsignalen), wie Takttriggern, geteilten Takttriggern und Mustertriggern. Unterschiede in der Zeitgebung und Amplitude von Bit zu Bit bewirken, dass sich die Augenöffnung verkleinert.
  • Außerdem enthalten für Datenverknüpfungen, die mit Übertragungsgeschwindigkeiten im Gigahertz-Bereich arbeiten (z. B. die Vorrichtung 150), Variablen, die die Integrität der Signale (z. B. die Form, EW und EH des Auges) beeinflussen können: Wirkungen der Übertragungsleitungen (z. B. der Datensignalübertragungsleitungen 138 und 148); Impedanzfehlanpassungen; Signalrouting; Abschlussschemata; Erdungsschemata; Interferenz von anderen Signalleitungen, Verbindungsstücken und Kabeln; und wenn Signale auf benachbarten Paaren von Signalleitungen umschalten, kann eine Einstreuung unter diesen Signalen auf diesen Leitungen mit anderen Signalen auf diesen Leitungen interferieren (z. B. auf den Leitungen 138 und 148).
  • In einigen Fällen sind die Kurven 310-311 und 315-316 für eine ausgewählte (z. B. vorbestimmte, gewünschte, konstante oder bestimmte) Länge Lp der horizontalen Datensignalübertragungsleitung (z. B. RX-Leitung 138 oder TX-Leitung 148) der Gehäusevorrichtung mit durch eine geerdete Isolationsebene getrennte Datensignalen 150. In einigen Fällen sind die Kurven 310-311 und 315-316 auch für eine gewünschte Signalleitungshöhe H3 und den Abstand H2 zwischen der Signalleitung und einer vertikal benachbarten Erdungsebene oder anderen Signalleitung.
  • In einigen anderen Fällen enthält die Anpassung eine Kenntnis der Länge Lp, der Breite W2 und der Höhe H2, danach eine Anpassung, um einen Bereich der Breite W1 und Höhe H3 zu ermitteln oder zu identifizieren, der eine vorbestimmte oder Zielimpedanz für die Leitung bereitstellt.
  • Genauer zeigt 3A ein Diagramm 300, das die Amplitude der Anpassungskurven 310-311 und 315-316 entlang der vertikalen Y-Achse 320 für verschiedene Paare der Breite W1 einer Signalleitung (z. B. der RX-Leitung 138 oder der TX-Leitung 148) und des Abstands W2 zwischen horizontal benachbarten der Signalleitungen (z. B. der RX- oder TX-Leitungen 138 oder 148) entlang der horizontalen X-Achse 330 grafisch darstellt. Obwohl 3A die Amplitude der Kurven 310-311 und 315-316 im gleichen Diagramm 300 zeigt, ist klar, dass sie auf verschiedenen Diagrammen mit einer verschiedenen nach Amplitude skalierten Y-Achse, aber der gleichen X-Achse 330 gezeichnet werden können (z. B. sind die Kurven im Diagramm 300 alle vertikal skaliert gezeigt (z. B. die Achse 320 hinauf oder hinunter verschoben), um die Kreuzungspunkte der Kurven zu vergleichen). Die Kurven 310-311 und 315-316 können eine Ausgangssignalmessung (oder Computermodellierung) an einer Position der Datensignalleitung sein, wenn (z. B. als Ergebnis eines Leitens) das eine oder die mehrere Eingangstestdatensignale durch die Länge Lp der Datensignalleitung (z. B. der RX-Leitung 138 oder der TX-Leitung 148) gesendet werden.
  • Das Diagramm 300 zeigt einen Kreuzungspunkt 312 der EH-Kurven 310 und 311. Es ist klar, dass die Kurven 310 und 311 mehr als zwei Kurven repräsentieren, aber dass diese Kurven bei Punkt 312 einen niedrigsten Kreuzungspunkt der Y-Achse aufweisen. Das Diagramm 300 zeigt einen Kreuzungspunkt 317 der EW-Kurven 315 und 316. Es ist klar, dass die Kurven 315 und 316 mehr als zwei Kurven repräsentieren, aber dass diese Kurven bei Punkt 317 einen niedrigsten Kreuzungspunkt der Y-Achse aufweisen.
  • 3A zeigt EW- und EH-Kurvenamplituden entlang der vertikalen Achse 320 mit Werten W, X, Y und Z, die zum Beispiel verschiedene Amplituden für die Kurven 310-311 oder 315-316 repräsentieren (z. B. können die Kurven 315-316 bzw. 310-311 skaliert sein, um in das gleiche Diagramm oder die gleiche Grafik zu passen). In einigen Fällen repräsentieren die Werte W, X, Y und Z für die Kurven 310-311 verschiedene linear ansteigende EH-Signalamplitudenwerte (z. B. aus einem Testsignal abgeleitete Spannungsamplituden der EH), wie 0,1, 0,15, 0,2 und 0,25 Volt. In einigen Fällen repräsentieren die Werte W, X, Y und Z für die Kurven 315-316 verschiedene linear ansteigende EW-Signalzeitwerte (z. B. aus einem Testsignal abgeleitete Spannungsamplituden der EW), wie 3,0, 3,5, 4,0 und 4,5 E-11 Sekunden.
  • 3A zeigt Paare der Breite W1/des Abstands W2 entlang der horizontalen Achse 330 mit Paarwerten A/B, C/D, E/F, G/H, I/J, K/L, M/N und O/P. In einigen Fällen repräsentiert die Gesamtsumme (z. B. Addition) jedes Wertepaars (z. B. der Wert A plus der Wert B; oder der Wert O plus der Wert P usw.) die gleiche Summe oder Konstante (wie z. B. die Pitchbreite PW1). In einigen Fällen kann die Summe zwischen 100 und 200 um betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 120 und 150 um betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 130 und 140 um betragen. In einigen Fällen repräsentieren die Paarwerte A/B die Breite W1 zwischen 60 und 80 um und den Abstand W2 zwischen 55 und 75 um; die Paarwerte O/P die Breite W1 zwischen 25 und 45 um und den Abstand W2 zwischen 90 und 110 um; und die anderen Paare befinden sich an linearen Intervallen zwischen den Werten A/B und den Werten O/P. In einigen Fällen repräsentieren die Paarwerte A/B eine Breite/einen Abstand von 70/65 um, die Paarwerte C/D repräsentieren eine Breite/einen Abstand von 65/70 um, die Paarwerte E/F repräsentieren eine Breite/einen Abstand von 60/75 um, die Paarwerte G/H repräsentieren eine Breite/einen Abstand von 55/80 um, die Paarwerte I/J repräsentieren eine Breite/einen Abstand von 50/85 um, die Paarwerte K/L repräsentieren eine Breite/einen Abstand von 45/90 um, die Paarwerte M/N repräsentieren eine Breite/einen Abstand von 40/95 um und die Paarwerte O/P repräsentieren eine Breite/einen Abstand von 35/100 um.
  • In einigen Fällen repräsentiert die Y-Achse 320 eine Augenhöhe oder Augenweite, die die Leistungszahl zum Quantifizieren der Kanalleistung der getesteten Signalleitung (z. B. der RX-Leitung 138 oder der TX-Leitung 148) sind; und die X-Achse 330 ist die Kombination der Signalleitungsbreite W/des Leitungsabstands W2 bei konstantem Pitch (Leitungsbreite W1 + Leitungsabstand W2 = konstanter Pitch PW, wie beispielsweise PW1). Nach Ausführungsformen enthält (oder ist) die Impedanzanpassung der horizontalen Leitung 138 oder 148 der Vorrichtung 150 ein Auswählen (oder „Tunen“) einer Impedanz einer einzelnen horizontalen Weiterleitungssignalleitung (z. B. der TX- und RX-Leitung), um die Kombination der Signalleitungsbreite W1/des Leitungsabstands W2 auf einen optimierten Punkt auszuwählen (oder die TX- und RX-Leitung auf diesen oder an diesem Punkt zu „tunen“), um die beste Kanalleistung zu erzielen, wie durch den niedrigsten Kreuzungspunkt der EH- oder EW-Kurven gezeigt (wie zum Beispiel in 3A gezeigt).
  • Nach Ausführungsformen enthält die Impedanzanpassung der horizontalen Signalleitung 138 oder 148 der Vorrichtung 150 verschiedene mögliche Auswahlen einer oder eines Bereichs an Positionen auf der X-Achse 330, die auf Grundlage oder als Ergebnis einer Berechnung unter Verwendung des EH- und EW-Kreuzungspunkts 312 und/oder des Punkts 317 ausgewählt wurden. Es ist klar, dass eine solche Anpassung ein Auswählen oder Identifizieren eines Paars oder eines Bereichs der Breite/des Abstands W1/W2 entlang der Achse 330 für eine oder beide der Signalleitungen 138 und 148 auf Grundlage oder als Ergebnis einer Berechnung unter Verwendung des Kreuzungspunkts 312 und/oder des Punkts 317 enthalten kann.
  • In einigen Fällen enthält oder ist eine solche Impedanzanpassung ein Auswählen des niedrigsten Amplitudenkreuzungspunkts 312 der Augenhöhe(EH)-Kurven 310-312 oder der Augenweiten(EW)-Kurven 315-316 eines durch Testen einer der Signalleitungen 138 oder 148 erzeugten Augendiagramms. Hier kann zum Beispiel, wie in 3A gezeigt, die Position I/J der X-Achse 330, die sich unter dem Punkt 312 befindet; oder eine Position an einem Mittelpunkt zwischen I/J und K/L, die sich unter dem Punkt 312 befindet, für die Breite W1 und den Abstand W2 für eine oder beide der Signalleitungen 138 und 148 gewählt werden. In einigen Fällen kann eine dieser Positionen für beide der Signalleitungen 138 und 148 verwendet werden. In einigen Fällen kann ein Bereich der Breite W1 und des Abstands W2 um eine dieser beiden Positionen (z. B. eine W1- und W2-Toleranz, wie beispielsweise 5 oder 10 Prozent um eine der beiden Positionen) für beide Signalleitungen 138 und 148 verwendet werden. In einigen Fällen kann ein Bereich der Breite W1 und des Abstands W2 zwischen diesen Positionen (z. B. eine W1- und W2-Toleranz innerhalb dieses Bereichs oder eine beliebige Position innerhalb dieses Bereichs) für beide Signalleitungen 138 und 148 verwendet werden.
  • Nach einigen Ausführungsformen enthält oder ist die Impedanzanpassung ein Auswählen des niedrigsten Amplitudenkreuzungspunkts 312 und des Punkts 317, die durch Testen einer der Signalleitungen 138 oder 148 erzeugt wurden. Hier kann beispielsweise, wie in 3A gezeigt, eine Position auf der X-Achse 330 zwischen (z. B. ein Mittelpunkt zwischen und ein Durchschnitt von oder eine andere statistische Berechnung zwischen) I/J, das sich unter dem Punkt 312 befindet, und einem Mittelpunkt zwischen I/J und K/L, das sich unter dem Punkt 312 befindet, für die Breite W1 und den Abstand W2 für eine oder beide der Signalleitungen 138 und 148 ausgewählt werden. In einigen Fällen kann die Position dazwischen für beide Signalleitungen 138 und 148 verwendet werden. In einigen Fällen kann ein Bereich der Breite W1 und des Abstands W2 um die Position dazwischen (z. B. eine W1- und W2-Toleranz, wie beispielsweise 5 oder 10 Prozent um eine der beiden Positionen) für beide Signalleitungen 138 und 148 verwendet werden. Es ist klar, dass verschiedene andere geeignete Positionen auf Grundlage der Kreuzungspunkte 312 und 317 ausgewählt werden können.
  • Es ist klar, dass eine solche Anpassung, wie oben angemerkt für eine Anpassung einer einzelnen oder aller Leitungen 138 oder 148 einer Schicht oder aller dieser Leitungen der Vorrichtung 150 erfolgen kann oder eine solche Anpassung repräsentieren kann. Es ist klar, dass eine solche Anpassung wie oben angemerkt durch Kurven repräsentiert werden kann, die von den in 3A verschiedenen konvexen Kurven 310-311 und 315-316 verschieden sind, bei denen beispielsweise die ausgewählte Breite/der ausgewählte Abstand W2 entlang der Achse 330 gewählt wird, am höchsten Punkt der anderen Kurve entlang der vertikalen Achse 320 zu liegen.
  • In einigen Fällen bietet diese Impedanzanpassung (z. B. durch Ermitteln oder Identifizieren eines Bereichs von oder einer ausgewählten Zielbreite W1 und eines Abstands W2 für beide der Signalleitungen 138 und 148): (1) die beste Kanalleitung für die Leitungen 138 und 148 (z. B. mit einer Länge LP; Breite W1; Breite W2 zwischen der Leitung und einer horizontal benachbarten horizontalen Datensignalübertragungsleitung der Vorrichtung 150; und einer Höhe H2 zwischen der Leitung und einer vertikal benachbarten Erdungsebene der Vorrichtung 150), (2) eine elektrische Isolierung von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen (z. B. den Signalleitungen 138 und 148), die im Routingsegment der Vorrichtung 150 entlang des Kanals (z. B. die Signalleitungen 138 oder 148 entlang der Länge LP) auf einer einzelnen Leitung impedanzangepasst sind, und (3) eine minimierte Unstetigkeit der Impedanz und eine minimierte Einstreuung zwischen vertikal benachbarten und horizontal benachbarten der Signalleitungen 138 oder 148 der Vorrichtung 150.
  • In einigen Fällen umfasst die Anpassung oben eine separate Anpassung der Leitungen 138 und 148 des Interposers 106, des Verteilers 104 und des Gehäuses 110. In einigen Fällen enthält sie eine separate Anpassung der Leitungen 138 und 148 des Interposers 106 und des Verteilers 104 oder des Gehäuses 110. In einigen Fällen umfasst die Anpassung oben eine Anpassung der Leitungen 138 und 148 des Interposers 106, aber die Signalleitungen des Verteilers 104 und des Gehäuses 110 werden nicht angepasst. In einigen Fällen werden die Breite W1 und der Abstand W2 der Leitungen 138 und 148 des Interposers 106 durch eine Anpassung wie oben angemerkt ermittelt; und die Breite W1 und der Abstand W2 des Verteilers 104 und des Gehäuses 110 werden auf Grundlage anderer Faktoren oder von Designparametern ermittelt, die die oben erwähnte Anpassung nicht enthalten.
  • 4 ist ein Ablaufdiagramm, das einen Prozess zum Bilden einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen nach hierin beschriebenen Ausführungsformen veranschaulicht. 4 zeigt einen Prozess 400, der ein Prozess zum Bilden der hierin beschriebenen Ausführungsformen des Gehäuses 150 einer der 1-3 sein kann. Er kann auch ein Prozess zum Bilden bestimmter Schichten oder Lagen der 5-12 sein, wie weiter unten erwähnt. In einigen Fällen ist der Prozess 400 ein Prozess zum Bilden einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten Übertragungsleitungen geerdete Isolationsebenen, die horizontale Datensignal-Empfangs- und Sendelagen oder -schichten (z. B. Zwischenverbindungsschichten) trennen. Jede Schicht kann eine Oberschicht aus nicht leitendem (z. B. dielektrischem) Material aufweisen; eine mittlere Schicht mit Datensignalleitungen (z. B. Spuren) aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) zwischen nichtleitenden (z. B. dielektrischen) Materialabschnitten; und eine untere Schicht aus nichtleitendem (z. B. dielektrischem) Material; und eine geerdete Isolationsebene auf einer untersten Schicht aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall).
  • Der Prozess 400 beginnt bei einem optionalen Block 410, bei dem eine erste (z. B. untere) Zwischenverbindungsschicht Lk einer Gehäusevorrichtung gebildet wird, die einen ersten Typ (z. B. RX oder TX) von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Leitermaterial der Gehäusevorrichtung (z. B. einen ersten Typ von Datensignalleitungen oder Spuren, wie RX- oder TX-Datensignalleitungen, die zwischen nicht leitenden Materialabschnitten der Gehäusevorrichtung angeordnet sind) der ersten Zwischenverbindungsschicht Lk aufweist.
  • In einigen Fällen kann der Block 410 nur ein Bilden einer mittleren Lage 222 der Schicht Lk mit einem ersten Typ von Daten-TX-Signalleitungen 148, die horizontal zwischen dielektrischen Materialabschnitten 103e angeordnet sind; und ein Bilden einer oberen Lage 220 aus oder mit dielektrischem Material auf der Schicht 222 umfassen. In einigen Fällen umfasst der Block 410 zuerst ein Bilden der untersten Lage 226, danach ein Bilden der unteren Lage 224 auf die Lage 226, danach ein Bilden der mittleren Lage 222 (wie z. B. oben angemerkt) auf die Lage 224 (und danach ein Bilden der oberen Lage 220 auf der Lage 222, wie oben angemerkt).
  • Ein erstes Ausführungsbeispiel des Blocks 410 kann (z. B. vor dem Bilden der oberen Lage 220) ein Bilden einer Maske (z. B. eine Abdeckfolie (DFR), nicht gezeigt) über einer Oberfläche einer unteren Lage 224 (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolien (ABF)) aufweisen, wobei die Maske (1) erste Öffnungen über der Lage 224 aufweist, in denen der erste Typ von Daten-TX-Signalleitungen 148 der Lage 222 zu bilden sind. In einigen Fällen können die ersten Öffnungen horizontal offen für und in Kommunikation mit anderen, zweiten Öffnungen in der Maske über der Lage 224 sein, in denen Daten-TX-Signalkontakte oder Daten-TX-Signaldurchkontakte gebildet werden. Einige dieser Fälle können eine stromlose Beschichtung einer Saatlage des Leitermaterials über die Lage 224 vor dem Bilden der Maskenlage enthalten. In diesem Fall kann der Block 410 dann ein gleichzeitiges Bilden von Leitermaterial (z. B. Beschichtung der freigesetzten Saatlage der Öffnungen) aufweisen, um die Daten-TX-Signalleitungen 148 der Lage 222 in den ersten Öffnungen (und optional die Daten-TX-Signal- oder Daten-TX-Signaldurchkontakte in den zweiten Öffnungen der Lage 222) zu bilden.
  • In einigen dieser Fälle kann ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials ein Bilden dieses Leitermaterials von allen der Daten-TX-Signalleitungen 148 der Lage 222 (und optional aller der Daten-TX-Signal- oder Daten-TX-Signaldurchkontakte in den zweiten Öffnungen der Lage 222) während des gleichen Prozesses, der gleichen Beschichtung, Ablagerung oder des gleichen Aufwachsens dieses Leitermaterials in den ersten (und optional zweiten) Öffnungen aufweisen. In einigen Fällen weist ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials eine elektrolytische Beschichtung von Leitermaterial in den ersten (und optional zweiten) Öffnungen (z. B. auf der stromlosen Beschichtung der Saatlage) auf.
  • In einigen Fällen davon wird die Maske (z. B. DFR) nach dem gleichzeitigen Bilden des Leitermaterials entfernt. Dieses Entfernen kann auch ein Entfernen der Saatlage zwischen den Öffnungen aufweisen. Danach kann dielektrisches Material 103e (z. B. Ajinomoto-Aufbaufolien (ABF)) abgelagert werden, wo die Maske entfernt wurde. In einigen Fällen weist das Bilden der Maske ein Bilden einer Decklage aus Maskenmaterial und Ätzen der Decklage auf, um die ersten (und optional zweiten) Öffnungen zu bilden.
  • Als Nächstes wird bei Block 420 eine niedrigste Lage einer zweiten (z. B. oberen) Schicht Lj der Gehäusevorrichtung über oder auf der Schicht Lk (z. B. diese berührend) gebildet; wobei die Schicht Lj eine geerdete Isolationsebene aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) aufweist, die den ersten Typ (z. B. RX oder TX) der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial der ersten Schicht Lk von einem zweiten Typ (z. B. TX oder RX; dem entgegengesetzten des ersten Typs RX bzw. TX) von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial (z. B. einem zweiten Typ von Datensignalleitungen oder Spuren, wie TX- oder RX-Datensignalleitungen, die zwischen nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten angeordnet sind) einer vertikal benachbarten Schicht Lj trennt, die über der Schicht Lk zu bilden ist.
  • In einigen Fällen kann der Block 420 nur ein Bilden der untersten Lage 216 der Schicht Lj mit einer geerdeten Isolationsebene 162 aus Leitermaterial auf der oberen Lage 220 der Schicht Lk; und ein Bilden einer mittleren Lage 212 der Schicht Lj mit einem zweiten Typ von Daten-RX-Signalleitungen 138 aufweisen, die horizontal zwischen dielektrischen Materialabschnitten 103b angeordnet sind. In einigen Fällen enthält der Block 420 zuerst ein Bilden der untersten Lage 216 auf die Lage 220 (wie z. B. oben angemerkt), danach ein Bilden der unteren Lage 214 auf der Lage 216, danach ein Bilden der mittleren Lage 212 (wie z. B. oben angemerkt) auf der Lage 214; und danach ein Bilden einer oberen Lage 210 aus oder mit dielektrischem Material auf der Schicht 212 aufweisen.
  • Ein erstes Ausführungsbeispiel des Blocks 420 kann (z. B. vor dem Bilden der mittleren Lage 212) ein Bilden einer Maske (z. B. DFR, nicht gezeigt) über einer Oberfläche einer oberen Lage 220 (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) der Schicht Lk aufweisen, wobei die Maske (1) eine erste Öffnung über der Lage 220 aufweist, in denen die Isolationsebene 162 der Lage 216 zu bilden ist. In einigen Fällen kann die erste Öffnung horizontal offen für und in Kommunikation mit anderen, zweiten Öffnungen in der Maske über der Lage 220 sein, in denen Erdungskontakte oder Erdungsdurchkontakte gebildet werden. Einige dieser Fälle können eine stromlose Beschichtung einer Saatlage des Leitermaterials über die Lage 220 vor dem Bilden der Maskenlage aufweisen.
  • In diesem Fall kann der Block 420 dann ein gleichzeitiges Bilden von Leitermaterial (z. B. Beschichtung der freigesetzten Saatlage der Öffnungen) aufweisen, um die Isolationsebene 162 der Lage 216 in den ersten Öffnungen (und optional die Erdungskontakte oder Erdungsdurchkontakte in den zweiten Öffnungen der Lage 216) zu bilden.
  • In einigen dieser Fälle kann ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials ein Bilden dieses Leitermaterials der gesamten Isolationsebene 162 der Lage 216 (und optional aller Erdungskontakte oder Erdungsdurchkontakte in den zweiten Öffnungen der Lage 216) während des gleichen Prozesses, der gleichen Ablagerung oder des gleichen Aufwachsens dieses Leitermaterials in den ersten (und optional zweiten) Öffnungen aufweisen. In einigen Fällen weist ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials eine elektrolytische Beschichtung von Leitermaterial in den ersten (und optional zweiten) Öffnungen auf (z. B. auf der stromlosen Beschichtung der Saatlage).
  • In einigen Fällen davon wird die Maske (z. B. DFR) nach dem gleichzeitigen Bilden des Leitermaterials entfernt. Dieses Entfernen kann auch ein Entfernen der Saatlage zwischen den Öffnungen enthalten. Danach kann dielektrisches Material (z. B. Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) abgelagert werden, wo die Maske entfernt wurde. In einigen Fällen enthält das Bilden der Maske ein Bilden einer Decklage aus Maskenmaterial und Ätzen der Decklage, um die ersten (und optional zweiten) Öffnungen zu bilden.
  • Als Nächstes wird beim optionalen Block 430 eine Lage der zweiten Zwischenverbindungsschicht Lj der Gehäusevorrichtung über oder auf der Schicht Lk (z. B. diese berührend) gebildet; wobei die Schicht Lj den zweiten Typ (z. B. TX oder RX; den entgegengesetzten des ersten Typs RX bzw. TX) von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial (z. B. einen zweiten Typ von Datensignalleitungen oder Spuren, wie beispielsweise TX- oder RX-Datensignalleitungen, die zwischen nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten angeordnet sind) der Schicht Lj aufweisen, die über der Schicht Lk gebildet ist.
  • In einigen Fällen kann der Block 430 nur ein Bilden einer mittleren Lage 212 der Schicht LJ mit einem zweiten Typ von Daten-TX-Signalleitungen 148, die horizontal zwischen dielektrischen Materialabschnitten 103b angeordnet sind; und ein Bilden einer oberen Lage 210 aus oder mit dielektrischem Material auf der Schicht 212 aufweisen. In einigen Fällen weist der Block 430 zuerst ein Bilden der untersten Lage 216, danach ein Bilden der unteren Lage 214 auf die Lage 216, danach ein Bilden der mittleren Lage 212 (wie z. B. oben angemerkt) auf die Lage 214 auf (und danach ein Bilden der oberen Lage 210 auf der Lage 212, wie oben angemerkt).
  • Ein erstes Ausführungsbeispiel des Blocks 430 kann (z. B. vor dem Bilden der oberen Lage 210) ein Bilden einer Maske (z. B. DFR, nicht gezeigt) über einer Oberfläche einer unteren Lage 214 (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) enthalten, wobei die Maske (1) erste Öffnungen über der Lage 214 aufweist, in denen der zweite Typ von Daten-RX-Signalleitungen 138 der Lage 212 zu bilden sind. In einigen Fällen können die ersten Öffnungen horizontal offen für und in Kommunikation mit anderen, zweiten Öffnungen in der Maske über der Lage 214 sein, in denen Daten-RX-Signalkontakte oder Daten-RX-Signaldurchkontakte gebildet werden. Einige dieser Fälle können eine stromlose Beschichtung einer Saatlage des Leitermaterials über die Lage 214 vor dem Bilden der Maskenlage aufweisen. In diesem Fall kann der Block 430 dann ein gleichzeitiges Bilden von Leitermaterial (z. B. Beschichtung der freigesetzten Saatlage der Öffnungen) aufweisen, um die Daten-RX-Signalleitungen 138 der Lage 212 in den ersten Öffnungen (und optional die Daten-RX-Signal- oder Daten-RX-Signaldurchkontakte in den zweiten Öffnungen der Lage 212) zu bilden.
  • In einigen dieser Fälle kann ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials ein Bilden dieses Leitermaterials von allen der Daten-RX-Signalleitungen 138 der Lage 212 (und optional aller der Daten-RX-Signal- oder Daten-RX-Signaldurchkontakte in den zweiten Öffnungen der Lage 212) während des gleichen Prozesses, der gleichen Ablagerung oder des gleichen Aufwachsens dieses Leitermaterials in den ersten (und optional zweiten) Öffnungen enthalten. In einigen Fällen enthält ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials eine elektrolytische Beschichtung von Leitermaterial in den ersten (und optional zweiten) Öffnungen (z. B. auf der stromlosen Beschichtung der Saatlage).
  • In einigen Fällen davon wird die Maske (z. B. DFR) nach dem gleichzeitigen Bilden des Leitermaterials entfernt. Dieses Entfernen kann auch ein Entfernen der Saatlage zwischen den Öffnungen aufweisen. Danach kann dielektrisches Material 103b (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) abgelagert werden, wo die Maske entfernt wurde. In einigen Fällen weist das Bilden der Maske ein Bilden einer Decklage aus Maskenmaterial und Ätzen der Decklage auf, um die ersten (und optional zweiten) Öffnungen zu bilden.
  • In einigen Fällen kann die Ablagerung oder das Aufwachsen von Leitermaterial in den Blöcken 410, 420 und 430 durch Prozesse zum Bilden von Gehäusevorrichtungen erfolgen, wie weiter unten angemerkt. In einigen Fällen kann die Ablagerung oder das Aufwachsen von dielektrischem Material in den Blöcken 410, 420 und 430 durch Prozesse zum Bilden von Gehäusevorrichtungen erfolgen, wie weiter unten angemerkt. Es ist klar, dass die Beschreibungen hierin für die Blöcke 410, 420 und 430 auch ein Metallwarmpressen von ABF; Vorhärten von ABF; CO2- oder UV-YAG-Lasern von ABF; Trocknen der Cu-Saatschicht; und/oder Flash-Ätzen und Brennen zum vollständigen Härten von ABF, wie es notwendig ist, um die Beschreibungen hierin der Blöcke 410, 420 und 430 durchzuführen.
  • Als Nächstes kann der Prozess 400 beim Zurück-Pfeil 440 fortfahren, indem er zu einer zweiten Durchführung des optionalen Blocks 410 zurückkehrt, wobei eine andere „erste“ (z. B. untere) Zwischenverbindungsschicht einer Gehäusevorrichtung gebildet wird, die einen ersten Typ (z. B. RX oder TX) von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial aufweist. Danach kann der Prozess 400 mit einer zweiten Durchführung des Blocks 420 und einer zweiten Durchführung des optionalen Blocks 430 fortfahren. Der Prozess 400 kann auf diese Weise fortfahren, bis eine vorbestimmte oder ausreichende Anzahl an Schichten oder Rückkehrprozesse abgeschlossen ist, um eine gewünschte Gehäusevorrichtung 150 zu bilden. In einigen Fällen kann dies 3 bis 10 Mal wiederholt werden.
  • Als Nächstes kann der Block 410 in einem ersten beispielhaften Fall des Prozesses 400 nur ein Bilden der Lage 222 wie hierin beschrieben aufweisen; der Block 420 kann nur ein Bilden der Lage 216 wie hierin beschrieben aufweisen; und der Block 430 kann nur ein Bilden der Lage 212 wie hierin beschrieben aufweisen. In einem zweiten beispielhaften Fall kann der Block 410 ein Bilden der Schichten 220, 222 und 224 wie hierin beschrieben aufweisen; der Block 420 kann ein Bilden der Lage 216 wie hierin beschrieben aufweisen; und der Block 430 kann ein Bilden der Schichten 210, 212 und 214 wie hierin beschrieben aufweisen.
  • In einem dritten beispielhaften Fall kann der Block 410 ein Bilden der Schicht 232 wie hierin beschrieben aufweisen; der Block 420 kann ein Bilden der Lage 226 wie hierin beschrieben aufweisen; und Block 430 kann ein Bilden der Lage 222 wie hierin beschrieben aufweisen. In einem vierten beispielhaften Fall kann der Block 410 ein Bilden der Schichten 230, 232 und 234 wie hierin beschrieben aufweisen; der Block 420 kann ein Bilden der Lage 226 wie hierin beschrieben aufweisen; und der Block 430 kann ein Bilden der Schichten 220, 222 und 224 wie hierin beschrieben aufweisen.
  • Einige Fälle können den ersten und den dritten beispielhaften Fall oben aufweisen (z. B. den dritten gefolgt vom ersten beispielhaften Fall). Einige Fälle können den zweiten und den vierten beispielhaften Fall oben aufweisen (z. B. den vierten gefolgt vom zweiten beispielhaften Fall).
  • Es ist erkennbar, obwohl 1-4 Ausführungen für Schicht Lj mit RX-Signalleitungen, Schicht Lk mit TX-Signalleitungen und Schicht L1 mit RX-Signalleitungen zeigen und die entsprechenden Beschreibungen dies beschreiben, dass die Figuren und Beschreibungen auch für Ausführungsformen gelten, bei denen es zwei Lagen von RX-Signalen zwischen den Ebenen 160 und 162; zwei Lagen von TX-Signalen zwischen den Ebenen 162 und 164; und zwei Lagen von RX-Signalen zwischen den Ebenen 164 und 166; usw. gibt.
  • Beispielsweise kann eine Ausführungsform eines dem Prozess 400 von 4 ähnlichen Prozesses ein zweimaliges Durchführen des Blocks 410 vor Fortfahren mit Block 420 aufweisen, wodurch eine erste (z. B. untere) Zwischenverbindungsschicht Lk einer Gehäusevorrichtung gebildet wird, die zwei Lagen des ersten Typs (z. B. RX oder TX) von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Leitermaterial der Gehäusevorrichtung (z. B. einen ersten Typ von Datensignalleitungen oder Spuren, wie RX- oder TX-Datensignalleitungen, die zwischen nicht leitenden Materialabschnitten der Gehäusevorrichtung angeordnet sind) der ersten Zwischenverbindungsschicht Lk aufweist. Danach ein Durchführen von Block 420, um die Erdungsebene zu bilden. Danach ein zweimaliges Durchführen von Block 430 nach Block 420, wodurch eine zweite (z. B. obere) Zwischenverbindungsschicht Lj einer Gehäusevorrichtung gebildet wird, die zwei Lagen des zweiten Typs (z. B. TX oder RX; des entgegengesetzten des ersten Typs RX bzw. TX) von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial (z. B. einen ersten Typ von Datensignalleitungen oder Spuren, wie beispielsweise TX- oder RX-Datensignalleitungen, die zwischen nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten angeordnet sind) der zweiten Zwischenverbindungsschicht Lj aufweist.
  • In einigen Fällen kann eine andere Ausführungsform eines dem Prozess 400 von 4 ähnlichen Prozesses ein drei- oder viermaliges Durchführen von Block 410; ein Durchführen von Block 420; und danach ein drei- oder viermaliges Durchführen von Block 430 (z. B. die gleiche Anzahl von Malen wie Block 410) aufweisen.
  • Einige Fälle, die obigen zwei Ausführungsformen eines dem Prozess 400 von 4 ähnlichen Prozesses können den ersten und den dritten beispielhaften Fall von Prozess 400 oben (z. B. den dritten gefolgt vom ersten beispielhaften Fall) aufweisen. Einige Fälle können den zweiten und den vierten beispielhaften Fall oben aufweisen (z. B. den vierten gefolgt vom zweiten beispielhaften Fall).
  • Es ist klar, obwohl die 1-4 Ausführungen für Schicht Lj mit RX-Signalleitungen, Schicht Lk mit TX-Signalleitungen und Schicht L1 mit RX-Signalleitungen zeigen und die entsprechenden Beschreibungen dies beschreiben, dass die Figuren und Beschreibungen auch für Ausführungsformen gelten, bei denen Schicht Lj TX-Signalleitungen aufweist, Schicht Lk RX-Signalleitungen aufweist und Schicht L1 TX-Signalleitungen aufweist.
  • Es ist klar, obwohl die 1-4 Ausführungsformen für Schichten mit RX-Signalleitungen und TX-Signalleitungen zeigen und die entsprechenden Beschreibungen derartige Ausführungsformen beschreiben, die Figuren und Beschreibungen auch für Ausführungsformen gelten, bei denen andere Arten von Informationen, Takt-, Zeitgebungs-, Wechselstrom(AC)- oder Datensignale auf diesen Signalleitungen sein können.
  • In einigen Fällen sind die Erdungsebenen 160-166 elektronisch jeweils an Erdungskontakte der Vorrichtung 150 gekoppelt (z. B. diese berührend, mit diesen gebildet oder direkt an diesen befestigt), wie Erdungskontakte, die jeweils in der gleichen Lage wie jede Erdungsebene angeordnet sind. Sie können auch jeweils als eine flache Ebene verlaufen, die zwischen allen horizontalen TX- und RX-Signalleitungskontakten der Schichten über bzw. unter jeder Erdungsebene angeordnet sind. In einigen Fällen verläuft die geerdete Isolationsebene 162 beispielsweise als eine horizontale flache geerdete Isolationsebene aus Leitermaterial, die in einer vertikalen Position zwischen allen horizontalen RX-Signalleitungen der Schicht Lj (einschließlich Ausführungsformen, in denen es 1, 2, 3 oder 4 Lagen von RX-Signalleitungen gibt) und allen horizontalen TX-Signalleitungen der Schicht Lk (einschließlich Ausführungsformen, in denen es 1, 2, 3 oder 4 Lagen von RX-Signalleitungen gibt) angeordnet ist; und/oder die Ebene 164 verläuft als eine horizontale flache geerdete Isolationsebene aus Leitermaterial, die in einer vertikalen Position zwischen allen horizontalen TX-Signalleitungen der Schicht Lk (einschließlich Ausführungsformen, in denen es 1, 2, 3 oder 4 Lagen von RX-Signalleitungen gibt) und allen horizontalen RX-Signalleitungen der Schicht L1 (einschließlich Ausführungsformen, in denen es 1, 2, 3 oder 4 Lagen von RX-Signalleitungen gibt) angeordnet ist.
  • In einigen Fällen können die Erdungsebenen der Gehäusevorrichtung 150 (z. B. Ebenen 160-166) jeweils eine geerdete Isolationsebene oder planare Struktur vertikal über einer Schicht zwischen jeder horizontalen Datensignalübertragungsleitung (z. B. RX oder TX) einer Schicht und allen Datensignalübertragungsleitungen aller Schichten über (oder unter) dieser Erdungsebene (z. B. dieser einen Schicht) sein, wodurch eine „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung zwischen jeder der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der einen Schicht (z. B. einem „Aggressor“) und allen Datensignalübertragungsleitungen aller Schichten über (oder unter) dieser Erdungsebene (z. B. dieser einen Schicht) reduziert wird (z. B. um einen Faktor oder das 2-, 3-, 5- oder 10-Fache).
  • In einigen Fällen verläuft die geerdete Isolationsebene 162 beispielsweise als eine horizontale flache geerdete Isolationsebene aus Leitermaterial, die in einer vertikalen Position zwischen allen horizontalen RX-Signalleitungen der Schicht Lj (einschließlich Ausführungsformen, in denen es 1, 2, 3 oder 4 Lagen von RX-Signalleitungen gibt) und jeder horizontalen TX-Signalleitung der Schicht Lk (einschließlich Ausführungsformen, in denen es 1, 2, 3 oder 4 Lagen von TX-Signalleitungen gibt) angeordnet ist, wodurch verhindert wird, dass eine von allen horizontalen RX-Signalleitungen der Schicht Lj (z. B. „Aggressoren“) erzeugte oder herbeigeführte „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung jeweils die horizontalen TX-Signalleitungen der Schicht Lk erreicht. In einigen Fällen verläuft die geerdete Isolationsebene 164 auch als eine horizontale flache geerdete Isolationsebene aus Leitermaterial, die in einer vertikalen Position zwischen allen horizontalen TX-Signalleitungen der Schicht Lk (einschließlich Ausführungsformen, in denen es 1, 2, 3 oder 4 Lagen von RX-Signalleitungen gibt) und jeder der horizontalen RX-Signalleitungen der Schicht L1 (einschließlich Ausführungsformen, in denen es 1, 2, 3 oder 4 Lagen von RX-Signalleitungen gibt) angeordnet ist, wodurch verhindert wird, dass eine von allen horizontalen TX-Signalleitungen der Schicht Lk (z. B. „Aggressoren“) erzeugte oder herbeigeführte „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung jeweils die horizontalen RX-Signalleitungen der Schicht L1 erreicht.
  • Beispielsweise verläuft jede der geerdeten Isolationsebenen 162 und 164 (und optional 160 und 162) dadurch, dass sie Lagen aus elektrisch geerdetem Leitermaterial (z. B. ein Erdungssignal aufweisend) sind, als flache horizontale geerdete Isolationsebenen aus Leitermaterial, das elektromagnetische Einstreusignale, die durch eine Datensignalübertragungsleitung der vertikal benachbarten Schichten über (oder unter) der Ebene (z. B. einem „Aggressor“) erzeugt werden, von einem Erreichen jeder der Datensignalübertragungsleitungen der einen Schicht aufgrund der Menge an geerdetem Leitermaterial und der Position des geerdeten Leitermaterials zwischen den zwei Schichten absorbieren oder abschirmen kann. In einigen Fällen enthält das Absorbieren oder Abschirmen der elektromagnetischen Einstreusignale jeder Ebene ein Reduzieren, dass elektrische Einstreuung, die durch eine unerwünschte kapazitive, induktive oder leitende Kopplung eines ersten Datensignaltyps (z. B. RX oder TX) verursacht wird, der durch eine der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der vertikal benachbarten Schichten (z. B. einem „Aggressor“) empfangen oder gesendet werden, einen zweiten Datensignaltyp (z. B. TX oder RX; den entgegengesetzten des ersten RX- bzw. TX-Typs) erreicht (z. B. diesen beeinflusst oder in diesem gespiegelt wird), der durch jede oder beliebige der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der einen Schicht empfangen oder gesendet wird, die die Erdungsebene abschirmt (wo sich z. B. die Ebene vertikal zwischen den vertikal benachbarten Schichten und der einen Schicht befindet).
  • Eine solche elektrische Einstreuung kann eine Interferenz aufweisen, die dadurch verursacht wird, dass zwei Datensignaltypen einander teilweise aufgrund von elektromagnetischer (induktiver) oder elektrostatischer (kapazitiver) Kopplung zwischen den horizontalen Datensignalübertragungsleitungen (z. B. Leitermaterial) überlagert werden, die die Signale in vertikal benachbarten Schichten (wie z. B. oben angemerkt) tragen. Eine solche elektrische Einstreuung kann aufweisen, dass das magnetische Feld einen Stromfluss einer ersten horizontalen Datensignalübertragungsleitung (z. B. einem „Aggressor“) einen Strom in einer zweiten horizontalen Datensignalübertragungsleitung einer anderen vertikal benachbarten Schicht (wie z. B. oben angemerkt) induziert. In einigen Fällen wird die Einstreuung, die reduziert wird, durch Gegeninduktivität und -kapazität zwischen den zwei Signalleitungen verursacht oder dominiert.
  • In einigen Ausführungsformen reduzieren beliebige oder jede der geerdeten Isolationsebenen 160, 162, 164 oder 166 eine elektrische Einstreuung, wie oben angemerkt, (1) ohne ein Erhöhen der Distanz oder des Abstands W2 zwischen den horizontalen Datensignalübertragungsleitungen und (2) ohne Neuordnen einer horizontalen Reihenfolge oder Sequenz der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in einer Lage oder Schicht.
  • In einigen Fällen weist eine Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen geerdete Isolationsleitungen auf, die horizontale Datensignalübertragungsleitungen (z. B. Leitermaterial oder Metallsignalspuren) umgeben, die durch die Gehäusevorrichtung geleitet werden. Die Isolationsleitungen können benachbarte horizontale Datensignalempfangs(RX)- und -sende(TX)-Signalleitungen der Gehäusevorrichtungslagen oder -schichten (z. B. Zwischenverbindungsschichten) umgeben.
  • Genauer kann jede Schicht eine obere Lage aus nicht leitendem (z. B. dielektrischem) Material aufweisen; und eine untere Lage mit Datensignalleitungen (z. B. Spuren) aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden (z. B. dielektrischen) Materialabschnitten, die sich zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen (z. B. Spuren) aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) befinden. Ein nichtleitender Materialabschnitt kann sich horizontal neben der Außenseite jeder Datensignalleitung befinden; und eine geerdete Isolationsleitung kann sich horizontal neben der Außenseite jeder der nichtleitenden Materialabschnitte befinden. Anders ausgedrückt umgeben zwei geerdete Isolationsleitungen zwei nichtleitende Materialabschnitte horizontal, die jede Datensignalleitung horizontal umgeben. In einigen Fällen werden die zwei geerdeten Isolationsleitungen als jede Datensignalleitung horizontal umgebend beschrieben (sie sind z. B. horizontal links und rechts von diesen).
  • Jede Schicht kann auch horizontal (z. B. der Breite nach) im Vergleich zu den geerdeten Isolationsleitungen einer vertikal benachbarten Schicht darüber versetzte Abstände ihrer Leitermaterial-Datensignalleitungen der unteren Lage aufweisen, sodass die Leitermaterial-Datensignalleitungen der unteren Lage direkt unter geerdeten Isolationsleitungen der vertikal benachbarten Schicht darüber angeordnet sind. Hier kann die vertikal benachbarte obere Lage aus nichtleitendem (z. B. dielektrischem) Material der Schicht die Leitermaterial-Datensignalleitungen der unteren Lage der Schicht von den geerdeten Isolationsleitungen der vertikal benachbarten Schicht darüber vertikal trennen. Gleichermaßen kann jede Schicht auch im Vergleich zu den geerdeten Isolationsleitungen einer vertikal benachbarten Schicht darunter versetzte Abstände ihrer Leitermaterial-Datensignalleitungen der unteren Lage aufweisen, sodass die Leitermaterial-Datensignalleitungen der unteren Lage direkt über geerdeten Isolationsleitungen der vertikal benachbarten Schicht darunter angeordnet sind. Hier kann die vertikal benachbarte obere Lage aus nichtleitendem (z. B. dielektrischem) Material der vertikal benachbarten Schicht darunter die Leitermaterial-Datensignalleitungen der unteren Lage der Schicht von den geerdeten Isolationsleitungen der vertikal benachbarten Schicht darunter vertikal trennen. Anders ausgedrückt umgeben zwei geerdete Isolationsleitungen zwei nichtleitende Materiallagen vertikal, die jede Datensignalleitung vertikal umgeben. In einigen Fällen werden die zwei geerdeten Isolationsleitungen als jede Datensignalleitung vertikal umgebend beschrieben (sie sind z. B. vertikal über und unter diesen).
  • Die Kombination der zwei geerdeten Isolationsleitungen umgeben jede Datensignalleitung horizontal; und die zwei geerdeten Isolationsleitungen, die jede Datensignalleitung vertikal umgeben, können als vier geerdete Isolationsleitungen beschrieben werden, die jede Datensignalleitung „koaxial“ umgeben.
  • Die geerdeten Isolationsleitungen, die die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen horizontal, vertikal oder koaxial umgeben, können eine Einstreuung zwischen horizontal und vertikal benachbarten der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen reduzieren und eine Isolation dieser erhöhen. In einigen Fällen reduzieren die Isolationsleitungen Einstreuung zwischen vertikal benachbarten Schichten (z. B. zwischen TX-Signalleitungen und RX-Signalleitungen in Schichten über- und untereinander) und verringern Einstreuung zwischen den horizontalen Datensignalübertragungsleitungen, die einander horizontal benachbart sind (z. B. in einer einzigen vertikalen Schicht oder Lage der Gehäusevorrichtung). Diese Ausführungsform einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten Übertragungsleitungen kann als eine durch geerdete „koaxiale“ Isolationsleitungen getrennte Datensignal-Gehäusevorrichtung beschrieben werden (siehe z. B. Vorrichtung 550).
  • 5 ist eine schematische Querschnitts-Seiten- und Längsansicht eines Rechensystems, das Gehäusevorrichtungen mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen enthält. 5 zeigt eine schematische Querschnitts-Seitenansicht eines Rechensystems 500, das Gehäusevorrichtungen mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen, wie einen Verteiler 504, einen Interposer 506 und ein Gehäuse 510 aufweist. In einigen Fällen weist das System 500 den CPU-Chip 102 auf dem Verteiler 504 montiert auf, der an einer ersten Position 107 auf dem Interposer 506 montiert ist. Sie zeigt auch den Chip 108, der an einer ersten Position 101 auf dem Gehäuse 510 montiert ist; und den Chip 109, der an einer zweiten Position 111 auf dem Gehäuse 510 montiert ist. Das Gehäuse 510 ist an einer zweiten Position 113 auf dem Interposer 506 montiert. Eine Unterseite des Chips 102 ist beispielsweise unter Verwendung von Lötperlen einer Kugelgitteranordnung (BGA) 112 auf einer Oberseite 105 des Verteilers 504 montiert. Eine Unterseite des Verteilers 504 ist an einer ersten Position 107 unter Verwendung von Lötperlen oder BGA 114 auf einer Oberseite 105 des Interposers 506 montiert. Außerdem ist eine Unterseite des Chips 108 unter Verwendung von Lötperlen oder BGA 118 an einer ersten Position 101 auf einer Oberseite 103 des Gehäuses 510 montiert. Eine Unterseite des Chips 109 ist an einer Position 111 unter Verwendung von Lötperlen oder BGA 119 auf einer Oberfläche 103 des Gehäuses 510 montiert. Eine Unterseite des Gehäuses 510 ist an einer zweiten Position 113 unter Verwendung von Lötperlen oder BGA 116 auf einer Oberfläche 105 des Interposers 506 montiert.
  • In einigen Fällen ist der einzige Unterschied zwischen dem System 500 und 100 der Unterschied zwischen dem Verteiler 504 und 104; dem Interposer 506 und 106; und dem Gehäuse 510 und 110. In einigen Fällen ist der einzige Unterschied zwischen dem Verteiler 504 und 104; dem Interposer 506 und 106; und dem Gehäuse 510 und 110, dass der Verteiler 504, der Interposer 506 und das Gehäuse 510 eine Gehäusevorrichtung mit durch eine geerdete „koaxiale“ Isolationsleitung getrennten Datensignalen 550 anstatt der Gehäusevorrichtung mit durch eine geerdete Isolationsebene getrennten Datensignalen 150 sind oder diese aufweisen. Anders ausgedrückt ist in einigen Fällen der einzige Unterschied zwischen dem Verteiler 504 und 104; dem Interposer 506 und 106; und dem Gehäuse 510 und 110, dass die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 122, 126, 130 und 135 eine Gehäusevorrichtung mit durch eine geerdete „koaxiale“ Isolationsleitung getrennten Datensignalen 550 anstatt der Gehäusevorrichtung mit durch eine geerdete Isolationsebene getrennten Datensignalen 150 sind oder diese aufweisen.
  • 5 zeigt auch vertikale Datensignalübertragungsleitungen 120, die in einem Chip 102 ausgehen und vertikal nach unten durch die Lötperlen 112 und in die vertikalen Schichten des Verteilers 504 verlaufen, beispielsweise nach unten in die Schichten Lm-Lq des Verteilers 504 an einer ersten horizontalen Position 121.
  • 5 zeigt auch horizontale Verteiler-Datensignalübertragungsleitungen 122, die von einer ersten horizontalen Position 121 in den Schichten Lm-Lq des Verteilers 504 ausgehen und horizontal durch die Schichten Lm-Lq entlang einer Länge L1 der Schichten Lm-Lq zu einer zweiten horizontalen Position 123 in den Schichten Lm-Lq des Verteilers 504 verlaufen.
  • Als Nächstes zeigt 5 vertikale Datensignalübertragungsleitungen 124, die im Verteiler 504 ausgehen und vertikal nach unten durch die Lötperlen 114 und in die vertikalen Schichten des Interposers 506 verlaufen, beispielsweise nach unten in die Schichten Lm-Lq des Interposers 506 an einer ersten horizontalen Position 125.
  • 5 zeigt auch horizontale Interposer-Datensignalübertragungsleitungen 126, die von einer ersten horizontalen Position 125 in den Schichten Lm-Lq des Interposers 506 ausgehen und horizontal durch die Schichten Lm-Lq entlang einer Länge L2 der Schichten Lm-Lq zu einer zweiten horizontalen Position 127 in den Schichten Lm-Lq des Interposers 506 verlaufen.
  • Als Nächstes zeigt 5 vertikale Datensignalübertragungsleitungen 128, die vom Interposer 506 ausgehen, beispielsweise in den Schichten Lm-Lq an einer zweiten horizontalen Position 127 des Interposers 506 ausgehen und an einer ersten horizontalen Position 129 des Gehäuses 510 vertikal nach oben in die Schichten Lm-Lq des Gehäuses 510 verlaufen.
  • 5 zeigt auch horizontale Gehäusevorrichtungs-Datensignalübertragungsleitungen 130, die von einer ersten horizontalen Position 125 in den Schichten Lm-Lq des Gehäuses 510 ausgehen und horizontal durch die Schichten Lm-Lq entlang einer Länge L3 der Schichten Lm-Lq zu einer zweiten horizontalen Position 131 in den Schichten Lm-Lq des Gehäuses 510 verlaufen.
  • Als Nächstes zeigt 5 vertikale Datensignalübertragungsleitungen 132, die vom Gehäuse 510 ausgehen, beispielsweise in den Schichten Lm-Lq an einer zweiten horizontalen Position 131 des Gehäuses 510 ausgehen und nach oben zu einer Unterseite des Chips 108 verlaufen und dort enden.
  • 5 zeigt auch vertikale Datensignalübertragungsleitungen 133, die vom Chip 108 ausgehen und an einer ersten horizontalen Position 134 des Gehäuses 510 vertikal nach unten zu den Schichten Lm-Lq des Gehäuses 510 verlaufen.
  • 5 zeigt auch horizontale Gehäusevorrichtungs-Datensignalübertragungsleitungen 135, die von einer dritten horizontalen Position 134 in den Schichten Lm-Lq des Gehäuses 510 ausgehen und horizontal durch die Schichten Lm-Lq entlang einer Länge L4 der Schichten Lm-Lq zu einer zweiten horizontalen Position 136 in den Schichten Lm-Lq des Gehäuses 510 verlaufen.
  • Als Nächstes zeigt 5 vertikale Datensignalübertragungsleitungen 137, die vom Gehäuse 110 ausgehen, beispielsweise in den Schichten Lm-Lq an einer vierten horizontalen Position 136 des Gehäuses 510 ausgehen, und nach oben zu einer Unterseite des Chips 109 verlaufen und dort enden.
  • In einigen Fällen sind oder weisen die Datensignalübertragungssignale der Leitungen 120, 122, 124, 126, 128, 130, 132, 133, 135 und/oder 137 Datensignalübertragungssignale an einen IC-Chip (z. B. den Chip 102, 108 oder 109), den Verteiler 504, den Interposer 506, den Gehäuse 510 oder eine andere daran angebrachte Vorrichtung auf, wie beispielsweise für 1 beschrieben.
  • In einigen Fällen weisen die Leitungen 120, 122 und 124 auch Leistungs- und Erdungssignalleitungen oder -spuren auf, wie für 1 beschrieben (nicht gezeigt), die ebenfalls innerhalb der Schichten Lm-Lq oder anderen Schichten des Verteilers 504 horizontal von der Position 121 zur Position 123 verlaufen.
  • In einigen Fällen weisen die Leitungen 124, 126 und 128 auch Leistungs- und Erdungssignalleitungen oder -spuren auf, wie für 1 beschrieben (nicht gezeigt), die ebenfalls innerhalb der Schichten Lm-Lq oder anderer Schichten des Verteilers 506 horizontal von der Position 125 zur Position 127 verlaufen. In einigen Fällen gehen die Leistungs- und Erdungssignale, die an den Leistungs- und Erdungssignalleitungen der Leitungen 120, 122, 124 und 126 gesendet und empfangen werden (oder dort existieren), vom Verteiler 504 oder vom Interposer 506 oder einer anderen daran angebrachten Vorrichtung aus oder werden von diesem bzw. dieser bereitgestellt, wie für 1 beschrieben.
  • In einigen Fällen weisen die Leitungen 128, 130 und 132 auch Leistungs- und Erdungssignalleitungen oder -spuren auf, wie für 1 beschrieben (nicht gezeigt), die ebenfalls innerhalb der Schichten Lm-Lq oder anderer Schichten des Gehäuses 504 horizontal von der Position 129 zur Position 131 verlaufen. In einigen Fällen gehen die Leistungs- und Erdungssignale, die an den Leistungs- und Erdungssignalleitungen der Leitungen 128, 130 und 132 gesendet und empfangen werden (oder dort existieren), vom Gehäuse 510 oder vom Interposer 506 oder einer anderen daran angebrachten Vorrichtung aus oder werden von diesem bzw. dieser bereitgestellt, wie für 1 beschrieben.
  • In einigen Fällen weisen die Leitungen 133, 135 und 137 auch Leistungs- und Erdungssignalleitungen oder -spuren auf, wie für 1 beschrieben (nicht gezeigt), die ebenfalls innerhalb der Schichten Lm-Lq oder anderer Schichten des Gehäuses 504 horizontal von der Position 134 zur Position 136 verlaufen. In einigen Fällen gehen die Leistungs- und Erdungssignale, die an den Leistungs- und Erdungssignalleitungen der Leitungen 133, 135 und 137 gesendet und empfangen werden (oder dort existieren), vom Gehäuse 510 oder vom Interposer 506 oder einer anderen daran angebrachten Vorrichtung aus oder werden von diesem bzw. dieser bereitgestellt, wie für 1 beschrieben.
  • 5 zeigt auch eine schematische Querschnitts-Längsansicht einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen. In diesem Fall ist die Gehäusevorrichtung die Gehäusevorrichtung mit durch geerdeten „koaxialen“ Isolationsleitungen getrennten Datensignalen 550 (z. B. anstatt der Gehäusevorrichtung mit durch eine geerdete Isolationsebene getrennten Datensignalen 150 von 1). Die Vorrichtung 550 kann eine „Gehäusevorrichtung“ sein, die einen beliebigen des Verteilers 504, des Interposers 506 oder des Gehäuses 510 darstellt. Es ist ersichtlich, dass die Vorrichtung 550 eine andere Gehäusevorrichtung mit horizontalen Datenübertragungsleitungen darstellen kann.
  • In einigen Fällen repräsentiert die Gehäusevorrichtung 550 die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 122 des Verteilers 504 durch die Perspektive A - A'; die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 126 des Interposers 506 durch die Perspektive B - B'; die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 130 des Gehäuses 510 durch die Perspektive C - C'; oder die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 135 des Gehäuses 510 durch die Perspektive D - D', wie für die Gehäusevorrichtung 150 und den Verteiler 104, den Interposer 106 oder das Gehäuse 110 beschrieben.
  • In einigen Fällen weist die Gehäusevorrichtung 550 geerdete Gehäusevorrichtungs-Isolationsleitungen 560 der Schicht Lm auf, die jede der horizontalen Datensignalempfangsübertragungsleitungen 138 der Gehäusevorrichtung (z. B. Datensignal-RX 138) der Schicht Ln von vertikal benachbarten (z. B. direkt über; oder über, parallel zu und zumindest einen Teil der Breite der zwei Übertragungsleitungen entlang der Länge L1 überlappend aufweisend) horizontalen Datensignalempfangs- oder -sendeübertragungsleitungen (z. B. Datensignal-RX- oder TX-Leitungen) einer Schicht oder Lage der Gehäusevorrichtung 550 vertikal trennen, die sich über der Schicht Lm befindet. Die Leitungen 560 der Schicht Lm trennen auch jede der horizontalen Datensignalleitungen der Schicht über der Schicht Lm von jeder der vertikal benachbarten (z. B. direkt über; oder über, parallel zu und zumindest einen Teil der Breite der zwei Übertragungsleitungen entlang der Länge L1 überlappend aufweisend) horizontalen Datensignalempfangs-RX-Übertragungsleitungen 138 der Schicht Ln.
  • In einigen Fällen weist die Gehäusevorrichtung 550 geerdete Gehäusevorrichtungs-Isolationsleitungen 560 der Schicht Lm auf, die jede der horizontalen Datensignalempfangsübertragungsleitungen 138 der Gehäusevorrichtung (z. B. Datensignal-RX 138) der Schicht Ln von horizontal benachbarten (z. B. direkt neben, wie links oder rechts davon; neben, parallel zu und zumindest einen Teil der Höhe der zwei Übertragungsleitungen entlang der Höhe H3 überlappend aufweisend) horizontalen Datensignalempfangsübertragungsleitungen 138 (z. B. Datensignal-RX-Leitungen) der Schicht Lm der Gehäusevorrichtung 550 horizontal trennen.
  • In einigen Fällen weist die Gehäusevorrichtung 550 geerdete Gehäusevorrichtungs-Isolationsleitungen 562 der Schicht Ln auf, die jede der horizontalen Datensignalsendeübertragungsleitungen 148 der Gehäusevorrichtung (z. B. Datensignal-TX 148) der Schicht Lo von vertikal benachbarten (z. B. direkt über; oder über, parallel zu und zumindest einen Teil der Breite der zwei Übertragungsleitungen entlang der Länge L1 überlappend aufweisend) horizontalen Datensignalempfangsübertragungsleitungen (z. B. Datensignal-RX-Leitungen) der Schicht Lm der Gehäusevorrichtung 550 vertikal trennen, die sich über der Schicht Ln befindet. Die Leitungen 562 der Schicht Ln trennen auch jede horizontale Datensignal-RX-Leitung 138 der Schicht Lm von jeder der vertikal benachbarten (z. B. direkt über; oder über, parallel zu und zumindest einen Teil der Breite der zwei Übertragungsleitungen entlang der Länge L1 überlappend aufweisend) horizontalen Datensignalsende-TX-Übertragungsleitungen 148 der Schicht Lo unter der Schicht Lm.
  • In einigen Fällen weist die Gehäusevorrichtung 550 geerdete Gehäusevorrichtungs-Isolationsleitungen 562 der Schicht Ln auf, die jede der horizontalen Datensignalempfangsübertragungsleitungen 138 der Gehäusevorrichtung (z. B. Datensignal-RX 138) der Schicht Ln von horizontal benachbarten (z. B. direkt neben, wie links oder rechts davon; neben, parallel zu und zumindest einen Teil der Höhe der zwei Übertragungsleitungen entlang der Höhe H3 überlappend aufweisend) horizontalen Datensignalempfangsübertragungsleitungen 138 (z. B. Datensignal-RX-Leitungen) der Schicht Ln der Gehäusevorrichtung 550 horizontal trennen.
  • In einigen Fällen weist die Gehäusevorrichtung 550 geerdete Gehäusevorrichtungs-Isolationsleitungen 564 der Schicht Lo auf, die jede der horizontalen Datensignalsendeübertragungsleitungen 148 der Gehäusevorrichtung (z. B. Datensignal-TX 148) der Schicht Lq von vertikal benachbarten (z. B. direkt über; oder über, parallel zu und zumindest einen Teil der Breite der zwei Übertragungsleitungen entlang der Länge L1 überlappend aufweisend) horizontalen Datensignalempfangsübertragungsleitungen (z. B. Datensignal-RX-Leitungen) der Schicht Ln der Gehäusevorrichtung 550 vertikal trennen, die sich über der Schicht Lo befindet. Die Leitungen 564 der Schicht Lo trennen auch jede horizontale Datensignal-RX-Leitung 138 der Schicht Ln von jeder der vertikal benachbarten (z. B. direkt über; oder über, parallel zu und zumindest einen Teil der Breite der zwei Übertragungsleitungen entlang der Länge L1 überlappend aufweisend) horizontalen Datensignalsende-TX-Übertragungsleitungen 148 der Schicht Lq unter der Schicht Ln.
  • In einigen Fällen weist die Gehäusevorrichtung 550 geerdete Gehäusevorrichtungs-Isolationsleitungen 564 der Schicht Lo auf, die jede der horizontalen Datensignalsendeübertragungsleitungen 148 der Gehäusevorrichtung (z. B. Datensignal-TX 148) der Schicht Lo von horizontal benachbarten (z. B. direkt neben, wie links oder rechts davon; neben, parallel zu und zumindest einen Teil der Höhe der zwei Übertragungsleitungen entlang der Höhe H3 überlappend aufweisend) horizontalen Datensignalsendeübertragungsleitungen 148 (z. B. Datensignal-TX 148) der Schicht Lo der Gehäusevorrichtung 550 horizontal trennen.
  • In einigen Fällen weist die Gehäusevorrichtung 550 geerdete Gehäusevorrichtungs-Isolationsleitungen 566 der Schicht Lq auf, die jede der horizontalen Datensignalsendeübertragungsleitungen 148 der Gehäusevorrichtung (z. B. Datensignal-TX 148) der Schicht Lo von vertikal benachbarten (z. B. direkt unter; oder unter, parallel zu und zumindest einen Teil der Breite der zwei Übertragungsleitungen entlang der Länge L1 überlappend aufweisend) horizontalen Datensignalübertragungsleitungen (z. B. Datensignal-TX- oder RX-Leitungen) einer Schicht der Gehäusevorrichtung 550 vertikal trennen, die sich unter der Schicht Lq befindet. Die Leitungen 566 der Schicht Lq trennen auch jede horizontale Datensignalleitung (z. B. TX oder RX) einer Schicht der Vorrichtung 550, die sich über der Schicht Lq befindet, von jeder der vertikal benachbarten (z. B. direkt über; oder über und zumindest einen Teil der Breite der zwei Übertragungsleitungen entlang der Länge L1 überlappend aufweisend) horizontalen Datensignalsende-TX-Übertragungsleitungen 148 der Schicht Lo über der Schicht Lq.
  • In einigen Fällen weist die Gehäusevorrichtung 550 geerdete Gehäusevorrichtungs-Isolationsleitungen 566 der Schicht Lq auf, die jede der horizontalen Datensignalsendeübertragungsleitungen 148 der Gehäusevorrichtung (z. B. Datensignal-TX 148) der Schicht Lq von horizontal benachbarten (z. B. direkt neben, wie links oder rechts davon; neben, parallel zu und zumindest einen Teil der Höhe der zwei Übertragungsleitungen entlang der Höhe H3 überlappend aufweisend) horizontalen Datensignalsendeübertragungsleitungen 148 (z. B. Datensignal-TX 148) der Schicht Lq der Gehäusevorrichtung 550 horizontal trennen.
  • 6A ist eine schematische explodierte Querschnittslängsansicht einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen von 5, die geerdete „koaxiale“ Isolationsleitungen zeigt, die horizontale Datensignal-Empfangs- und Übertragungsleitungen trennen. 6A zeigt eine schematische explodierte Querschnittslängsansicht der durch eine geerdete „koaxiale“ Isolationsleitung getrennte Datensignal-Gehäusevorrichtung 550, wie einer „Gehäusevorrichtung“, die einen beliebigen des Verteilers 504 (z. B. eine Ansicht durch Perspektive A - A'), des Interposers 506 (z. B. eine Ansicht durch Perspektive B - B') oder des Gehäuses 510 (z. B. eine Ansicht durch Perspektive C - C' oder D - D") repräsentiert. Die Gehäusevorrichtung 550 wird als eine Zwischenverbindungsschicht Lm aufweisend gezeigt, die über oder auf der Schicht Ln (d. h. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf der Schicht Lo gebildet ist, die über oder auf der Schicht Lq (d. h. diese berührend) gebildet ist. Jede Schicht kann eine Oberschicht aus nicht leitendem (z. B. dielektrischem) Material aufweisen; eine mittlere Schicht mit Datensignalleitungen (z. B. Spuren) aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall), die koaxial von geerdeten Isolationsleitungen (z. B. Signalspuren aus Leitermaterial oder Metall) umgeben sind, die parallel zu den Datensignalleitungen durch die Gehäusevorrichtung geleitet sind. Die Isolationsleitungen können vertikal und horizontal benachbarte Datensignalempfangs(RX)- und -sende(TX)-Signalleitungen der Gehäusevorrichtungsschichten (z. B. Zwischenverbindungsschichten) umgeben (z. B. vertikal und horizontal trennen).
  • Genauer zeigt 6A eine Gehäusevorrichtung 550 als eine Schicht Lm mit einer oberen Lage 610 aufweisend gezeigt, die über oder auf einer mittleren Lage 612 (z. B. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf einer oberen Lage 620 der Schicht Ln gebildet ist.
  • Die obere Lage 610 der Schicht Lm kann eine nichtleitende Gehäusevorrichtungs-Materialebene 103a aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Breite W3 hinausreichen) oder sein (z. B. innerhalb der Breite W3), die eine Lage 612 der Schicht Lm von einer Schicht oder Lage über der Lage 610 trennt. Die Lage 210 (z. B die Ebene 103a) kann auf (z. B. diese berührend) oder über der unteren Lage 612 der Schicht Lm gebildet sein. Die Lage 610 weist eine Höhe H4 und eine Breite W3 auf. In einigen Fällen kann die Höhe H4 zwischen 10 und 30 Mikrometer (um) betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 18 und 21 Mikrometer betragen. Es ist klar, dass die Höhe H4 eine passende Höhe einer dielektrischen Materiallage zwischen den Signalleitungen und vertikal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein kann, die kleiner als oder größer als die oben erwähnten ist.
  • Nun zeigt 6A die untere Lage 612 der Schicht Lm, die horizontale Datensignalempfangs-Übertragungsleitungen 138 (z. B. eine erste Art von Datensignalleitungen oder Spuren, wie RX-Datensignalleitungen) aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) aufweist (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Breite W3 hinausgehen) oder ist (z. B. innerhalb der Breite W3), die zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden (z. B. dielektrischen) Materialabschnitten 103h angeordnet sind, die zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen 560 (z. B. Spuren) aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) distal zu jeder der Leitungen 138 angeordnet sind. Die Lage 612 trennt die obere Lage 610 von der oberen Lage 620 der Schicht Ln. Die Lage 612 (z. B. die Leitungen 138, die Abschnitte 103b und die Leitungen 560) kann auf (z. B. diese berührend) oder über der oberen Lage 620 der Schicht Ln gebildet sein. Die Lage 212 weist eine Höhe H3 und eine Breite W3 auf.
  • Die horizontalen Datensignalempfangs-Übertragungsleitungen 138 sind als eine Höhe H3 und eine Breite W1 (eine Breite zwischen den horizontal benachbarten Abschnitten 103b) aufweisend gezeigt. Nichtleitende Materialabschnitte 103b sind als eine Höhe H3 und eine Breite W5 (eine Breite zwischen den horizontal benachbarten Leitungen 138) aufweisend gezeigt. Die horizontalen geerdeten Isolationsleitungen 560 sind als eine Höhe H3 und eine Breite W4 (eine Breite zwischen den horizontal benachbarten Abschnitten 103b) aufweisend gezeigt.
  • In einigen Fällen kann die Breite W5 zwischen 5 und 50 um betragen. In einigen Fällen kann die Breite W5 zwischen 10 und 40 um betragen. In einigen Fällen kann die Breite W5 zwischen 20 und 35 um betragen. Es ist klar, dass die Breite W2 eine passende Breite eines nicht leitenden Materials zwischen einer horizontal benachbarten Datensignalempfangs- oder Sendeleitung und einer horizontalen geerdeten Isolationsleitung innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein kann, die kleiner als oder größer als die oben erwähnten ist. In einigen Fällen ist die Größe der Breite des Herstellungs- oder Verarbeitungspitchs zwischen den gleichen Kanten (oder Mitten der Breite W1) von horizontal benachbarten Datensignalleitungen der Vorrichtung 550 (und der Vorrichtung 950) ein Pitch PW2. PW2 kann gleich der Summe der Breiten W1 + 2×W5 + W4 sein.
  • Es ist klar, dass in einigen Fällen die Höhe H3 eine passende Höhe einer geerdeten Isolationsleitung innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein kann, die kleiner als oder größer als die oben erwähnten ist. In einigen Fällen ist die Höhe H3 die gleiche wie die Höhe H1.
  • In einigen Fällen beträgt die Breite W4 zwischen 30 und 235 um. In einigen Fällen beträgt die Breite W4 zwischen 50 und 150 Mikrometer (um). In einigen Fällen kann sie zwischen 80 und 135 Mikrometer betragen. Es ist klar, dass die Breite W4 eine passende Breite einer geerdeten Isolationsleitung innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein kann, die kleiner als oder größer als die oben erwähnten ist.
  • Die Leitungen 560 können physisch direkt mit geerdeten Kontakten oder über Kontakte in der gleichen Lage 612 oder Schicht Lm wie die Leitungen 560 verbunden sein (z. B. in Kontakt mit diesen gebildet sein), elektrisch an oder über derartige Kontakte gekoppelt sein oder direkt an oder über derartige Kontakte angebracht (z. B. diese berührend) sein. In einigen Fällen sind die Leitungen 560 geerdete Signale vom Verteiler 504, Interposer 506, Gehäuse 510 oder einer anderen an diesen angebrachten Vorrichtung oder enthalten diese. In einigen Fällen geht ein geerdetes Signal, das auf den geerdeten Leitungen 560 gesendet (oder auf diesen existiert) wird, vom Verteiler 504, Interposer 506 oder Gehäuse 510 aus oder wird von diesem bereitgestellt. In einigen Fällen kann das geerdete Signal durch geerdete Schaltkreise, Transistoren oder andere Komponenten des Verteilers 504, Interposers 506 oder Gehäuses 510 oder geerdete Schaltkreise, Transistoren oder andere Komponenten, die an diesen angebracht sind (z. B. beispielsweise von einer Hauptplatine oder Leistungsversorgung, die elektrisch mit diesen verbunden sind) erzeugt werden. In einigen Fällen ist dieses Erdungssignal ein Nullspannungs-Gleichstrom(DC)-Erdungssignal (z. B. GND). In einigen Fällen weist das Erdungssignal eine Spannung zwischen 0,0 und 0,2 Volt auf. In einigen Fällen liegt es auf einem anderen aber erdenden Spannungspegel, der zum Bereitstellen von elektrischen Erdungssignalen durch eine (oder innerhalb einer bzw. eines) Gehäusevorrichtung oder einen IC-Chip geeignet ist.
  • Die Lage 612 kann auf (z. B. diese berührend) oder über der Lage 620 der Schicht Ln gebildet sein. Die Lage 620 weist eine Höhe H4 und eine Breite W3 auf (wie beispielsweise oben für die Lage 610 angemerkt).
  • Die Schicht Ln wird als eine obere Lage 620 aufweisend gezeigt, die über oder auf einer unteren Lage 622 (z. B. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf einer oberen Lage 630 der Schicht Lo gebildet ist.
  • Die Schicht Ln kann der Schicht Lm ähnlich sein, mit der Ausnahme, dass sie geerdete Isolationsleitungen 562 anstatt der Leitungen 560 aufweist; und dass die Lage 622 horizontal um eine Breite, die gleich (1/2×W4 plus W5 plus 1/2×W2) oder einer Breite ist, die verursacht, dass jede der Leitungen 562 der Lage 622 direkt unter jeder der Leitungen 138 der Lage 612 zentriert ist, entlang der Breite W3 von der (z. B. in Bezug auf die) Lage 612 versetzt ist.
  • Die Leitungen 562 können physisch direkt mit geerdeten Kontakten oder über Kontakte in der gleichen Lage 622 oder Schicht Ln wie die Leitungen 562 verbunden sein (z. B. in Kontakt mit diesen gebildet sein), elektrisch an oder über derartige Kontakte gekoppelt sein oder direkt an oder über derartige Kontakte angebracht (z. B. diese berührend) sein. In einigen Fällen sind die geerdeten Leitungen 562 geerdete Signale vom Verteiler 504, Interposer 506, Gehäuse 510 oder einer anderen an diesen angebrachten Vorrichtung oder enthalten diese, wie für die Leitungen 560 beschrieben. In einigen Fällen ist dieses Erdungssignal ein Nullspannungs-Gleichstrom(DC)-Erdungssignal (z. B. GND) oder weist eine Spannung auf, wie für die Leitungen 560 beschrieben.
  • Die Lage 622 kann auf (z. B. diese berührend) oder über der Lage 630 der Schicht Lo gebildet sein. Die Lage 630 weist eine Höhe H4 und eine Breite W3 auf (wie beispielsweise oben für die Lage 610 angemerkt).
  • Die Schicht Lo wird als eine obere Lage 630 aufweisend gezeigt, die über oder auf einer unteren Lage 632 (z. B. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf einer oberen Lage 640 der Schicht Lq gebildet ist.
  • Die Schicht Lo kann der Schicht Lm ähnlich sein, mit der Ausnahme, dass sie geerdete Isolationsleitungen 564 anstatt der Leitungen 560 aufweist; und dass sie Datensignalsende-TX-Leitungen 148 anstatt der RX-Leitungen 138 aufweist. Die Lage 632 ist horizontal um eine Breite, die gleich (1/2×W4 plus W3 plus 1/2×W2) oder einer Breite ist, die verursacht, dass jede der Leitungen 564 der Lage 632 direkt unter jeder der Leitungen 138 der Lage 622 zentriert ist, entlang der Breite W3 von der (z. B. in Bezug auf die) Lage 622 versetzt.
  • Die Leitungen 564 können physisch direkt mit geerdeten Kontakten oder über Kontakte in der gleichen Lage 632 oder Schicht Lo wie die Leitungen 564 verbunden sein (z. B. in Kontakt mit diesen gebildet sein), elektrisch an oder über derartige Kontakte gekoppelt sein oder direkt an oder über derartige Kontakte angebracht (z. B. diese berührend) sein. In einigen Fällen sind die geerdeten Leitungen 564 geerdete Signale vom Verteiler 504, Interposer 506, Gehäuse 510 oder einer anderen an diesen angebrachten Vorrichtung oder enthalten diese, wie für die Leitungen 560 beschrieben. In einigen Fällen ist dieses Erdungssignal ein Nullspannungs-Gleichstrom(DC)-Erdungssignal (z. B. GND) oder weist eine Spannung auf, wie für die Leitungen 560 beschrieben.
  • Die Lage 632 kann auf (z. B. diese berührend) oder über der Lage 640 der Schicht Lq gebildet sein. Die Lage 640 weist eine Höhe H4 und eine Breite W3 auf (wie beispielsweise oben für die Lage 610 angemerkt).
  • Die Schicht Lq wird als eine obere Lage 640 aufweisend gezeigt, die über oder auf einer unteren Lage 642 (z. B. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf einer oberen Lage einer Schicht unter der Schicht Lq gebildet sein kann.
  • Die Schicht Lq kann der Schicht Ln ähnlich sein, mit der Ausnahme, dass sie geerdete Isolationsleitungen 566 anstatt der Leitungen 560 aufweist; und dass sie Datensignalsende-TX-Leitungen 148 anstatt der RX-Leitungen 138 aufweist. Die Lage 642 ist horizontal um eine Breite, die gleich (1/2×W4 plus W3 plus 1/2×W2) oder einer Breite ist, die verursacht, dass jede der Leitungen 566 der Lage 642 direkt unter jeder der Leitungen 148 der Lage 632 zentriert ist, entlang der Breite W3 von der (z. B. in Bezug auf die) Lage 632 versetzt.
  • Die Leitungen 566 können physisch direkt mit geerdeten Kontakten oder über Kontakte in der gleichen Lage 642 oder Schicht Lq wie die Leitungen 566 verbunden sein (z. B. in Kontakt mit diesen gebildet sein), elektrisch an oder über derartige Kontakte gekoppelt sein oder direkt an oder über derartige Kontakte angebracht (z. B. diese berührend) sein. In einigen Fällen sind die geerdeten Leitungen 566 geerdete Signale vom Verteiler 504, Interposer 506, Gehäuse 510 oder einer anderen an diesen angebrachten Vorrichtung oder enthalten diese, wie für die Leitungen 560 beschrieben. In einigen Fällen ist dieses Erdungssignal ein Nullspannungs-Gleichstrom(DC)-Erdungssignal (z. B. GND) oder weist eine Spannung auf, wie für die Leitungen 560 beschrieben.
  • 6B ist eine schematische explodierte Querschnittslängsansicht einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der 5 und 6A, die geerdete „koaxiale“ Isolationsleitungen zeigt, die horizontale Datensignal-Empfangs- und Übertragungsleitungen trennen. 6B zeigt eine schematische explodierte Querschnitts-Seitenansicht der Gehäusevorrichtung mit durch geerdete „koaxiale“ Isolationsleitungen getrenntem Datensignal 550 der 5 und 6A, wie eine „Gehäusevorrichtung“, die einen bzw. ein beliebiges vom Verteiler 504 (z. B. entlang der Länge L1), Interposer 506 (z. B. entlang der Länge L2) oder des Gehäuses 510 (z. B. entlang der Länge L3 und/oder L4) repräsentiert. Die Gehäusevorrichtung 550 wird als Zwischenverbindungsschichten Lm, Ln und Lq aufweisend gezeigt (siehe z. B. 6A).
  • Genauer zeigt 6B die Gehäusevorrichtung 550 als Schichten Lm-Lq und Lagen 610-642 entlang einer Länge Lp aufweisend. Die Länge Lp kann beliebige der Längen L1, L2, L3 oder L4 repräsentieren. In einigen Fällen können die Schichten Lm-Lq und die Lagen 610-642 in 6B das Gleiche wie in den obigen Beschreibungen für die Schichten Lm-Lq und die Lagen 610-642 in den 5 bzw. 6A enthalten (z. B: zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein (z. B. innerhalb der Länge Lp).
  • 6B zeigt die Lage 612, die Leitungen 138, Leitungen 560 und Abschnitte 103b aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein kann (z. B. innerhalb der Länge Lp). Die Lage 612 wird zum Beispiel als „138/560/103b“ aufweisend gezeigt, was darstellen kann, dass die Leitungen 138, Leitungen 560 und/oder Abschnitte 103b entlang der Länge Lp verlaufen. 6B zeigt die Lage 622, die Leitungen 138, Leitungen 562 und Abschnitte 103b aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein kann (z. B. innerhalb der Länge Lp). 6B zeigt die Lage 632, die Leitungen 148, Leitungen 564 und Abschnitte 103b aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein kann (z. B. innerhalb der Länge Lp). 6B zeigt die Lage 642, die Leitungen 148, Leitungen 566 und Abschnitte 103b aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein kann (z. B. innerhalb der Länge Lp). In einigen Fällen sind die geerdeten Isolationsleitungen 560, 562, 564 oder 566 jeweils elektronisch an Erdungskontakte der Vorrichtung 550 gekoppelt (z. B. diese berührend, mit diesen gebildet oder direkt an diesen befestigt), wie Erdungskontakte, die jeweils in der gleichen Lage wie jede Erdungsebene angeordnet sind.
  • Diese Ausführungsformen einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten Übertragungsleitungen 550 können als eine durch geerdete „koaxiale“ Isolationsleitungen getrennte Datensignal-Gehäusevorrichtung 550 beschrieben werden. Die geerdeten Isolationsleitungen 560, 562, 564 oder 566, die die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 138 RX oder 148 TX in jeder der Schichten Lm-Lq horizontal, vertikal und koaxial umgeben, können (1) Einstreuung zwischen vertikal benachbarten der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 138 RX oder 148 TX verschiedener Schichten der Schichten Lm-Lq reduzieren; und (2) eine elektronische Isolation von horizontal benachbarten der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 138 RX oder 148 TX in jeweils der gleichen Schicht der Schichten Lm-Lq erhöhen.
  • Genauer zeigen 5-6B, dass jede der Schichten Lm-Lq eine obere Lage aus nichtleitendem (z. B. dielektrischem) Material 103a aufweisen; und eine untere Lage mit 138 RX- oder 148 TX-Datensignalleitungen (z. B. Spuren) aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden (z. B. dielektrischen) Materialabschnitten 103b, die sich zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen 560, 562, 564 oder 566 (z. B. Spuren) aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) befinden. Ein nichtleitender Materialabschnitt 103b kann sich horizontal neben, außerhalb jeder Datensignalleitung 138 RX oder 148 TX (z. B. jeder Datensignalleitung benachbart, an diese angrenzend, anstoßend oder diese flankierend) befinden; und eine geerdete Isolationsleitung 560, 562, 564 oder 566 kann sich horizontal neben, außerhalb jedem der nichtleitenden Materialabschnitte 103b (z. B. jedem nichtleitenden Materialabschnitt, der sich weg von oder distal zur Datensignalleitung befindet, benachbart, an diesen angrenzend, anstoßend oder diesen flankierend) in jeder der Schichten Lm-Lq befinden. Anders ausgedrückt umgeben zwei geerdete Isolationsleitungen (z. B. jeweils zwei der Leitungen 560, 562, 564 oder 566) zwei nichtleitende Materialabschnitte 103b horizontal (sind z. B. links und rechts davon), die jede Datensignalleitung RX 138 oder TX 148 in jeder der Schichten Lm-Lq horizontal umgeben (z. B. horizontal links und rechts davon sind). In einigen Fällen werden die zwei geerdeten Isolationsleitungen (z. B. jeweils zwei der Leitungen 560, 562, 564 oder 566) als jede Datensignalleitung RX 138 oder TX 148 in jeder der Schichten Lm-Lq horizontal umgebend beschrieben (sind z. B. horizontal links und rechts davon).
  • In einigen Fällen kann jede Datensignal-RX-Leitung der Schicht Ln (z. B. die Lage 622) als horizontal von zwei geerdeten Isolationsleitungen 562 der Schicht Ln (z. B. der Lage 622) umgebend bezeichnet werden. In einigen Fällen kann auch jede Datensignal-TX-Leitung der Schicht Lo (z. B. die Lage 632) als horizontal von zwei geerdeten Isolationsleitungen 564 der Schicht Lo (z. B. der Lage 632) umgebend bezeichnet werden.
  • In einigen Fällen können die Erdungsleitungen der Gehäusevorrichtung 550 (z. B. die Leitungen 560, 562, 564 und 566) „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung zwischen einer der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen einer Schicht (z. B. einem „Aggressor“ der Schicht Lm, Ln, Lo oder Lq) und einer horizontal benachbarten Datensignalübertragungsleitung des gleichen Typs und der gleichen Schicht (z. B. dieser einen Schicht Lm, Ln, Lo oder Lq) reduzieren (z. B. mindern oder verringern) (z. B. um einen Faktor oder das 2-, 3-, 5- oder 10-Fache) (und können optional eine elektronische Isolierung um den gleichen Faktor erhöhen).
  • In einigen Fällen können die geerdeten Isolationsleitungen 560 der Gehäusevorrichtung 550 eine horizontale elektronische „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung, die an einer RX-Datensignalübertragungsleitung 138 der Schicht Lm (z. B. der Lage 612) durch zwei horizontale „Aggressor“-RX-Datensignalübertragungsleitungen 138 der gleichen Schicht Lm (z. B. der Lage 612) verursacht oder erzeugt wird, die horizontal neben (z. B. links und rechts von) der einen RX-Datensignalleitung angeordnet sind, verringern (z. B. um einen Faktor oder das 2-, 3-, 5- oder 10-Fache) (und können optional eine elektronische Isolierung um den gleichen Faktor erhöhen). Eine solche Verringerung der Einstreuung kann diese Einstreuung auf einen minimal akzeptablen Einstreuungswert zwischen den horizontal benachbarten RX- oder TX-Datensignalleitungen repräsentieren oder mindern. Dies kann für jede der horizontalen RX-Datensignalleitungen in der Schicht Lm eintreten. Es ist ersichtlich, dass die geerdeten Isolationsleitungen 562 bewirken können, dass für jede der RX-Datensignalleitungen in der Schicht Ln die gleiche Verringerung der horizontalen elektronischen Einstreuung (und optional eine Erhöhung der Isolierung) eintritt. In einigen Fällen können die geerdeten Isolationsleitungen 564 bewirken, dass für jede der TX-Datensignalleitungen in der Schicht Lo die gleiche Verringerung der horizontalen elektronischen Einstreuung (und optional eine Erhöhung der Isolierung) eintritt. In einigen Fällen können die geerdeten Isolationsleitungen 566 bewirken, dass für jede der TX-Datensignalleitungen in der Schicht Lq die gleiche Verringerung der horizontalen elektronischen Einstreuung (und optional eine Erhöhung der Isolierung) eintritt.
  • Jede Schicht der Schichten Lo-Lq der 5-6B kann auch im Vergleich zu den geerdeten Isolationsleitungen 560, 562, 564 oder 566 einer vertikal benachbarten Schicht darüber (z. B. seitlich) versetzte Abstände ihrer 138 RX- oder 148 TX-Leitermaterial-Datensignalleitungen der unteren Lage aufweisen, sodass die 138 RX- oder 148 TX-Leitermaterial-Datensignalleitungen der unteren Lage direkt unter geerdeten Isolationsleitungen 560, 562, 564 oder 566 der vertikal benachbarten Schicht darüber angeordnet sind. Hier kann die vertikal benachbarte Lage 103a aus nichtleitendem (z. B. dielektrischem) Material der oberen Lage jeder Schicht Lo-Lq die 138 RX- oder 148 TX-Leitermaterial-Datensignalleitungen der unteren Lage der Schicht von den geerdeten Isolationsleitungen 560, 562, 564 oder 566 der vertikal benachbarten Schicht darüber trennen (z. B. vertikal dazwischen angeordnet sein). Gleichermaßen kann jede Schicht Lo-Lq auch im Vergleich zu den geerdeten Isolationsleitungen 560, 562, 564 oder 566 einer vertikal benachbarten Schicht darunter versetzte Abstände ihrer 138 RX- oder 148 TX-Leitermaterial-Datensignalleitungen der unteren Lage aufweisen, sodass die 138 RX- oder 148 TX-Leitermaterial-Datensignalleitungen der unteren Lage direkt über geerdeten Isolationsleitungen 560, 562, 564 oder 566 der vertikal benachbarten Schicht darunter angeordnet sind. Hier kann die vertikal benachbarte Lage 103a aus nichtleitendem (z. B. dielektrischem) Material der vertikal benachbarten Schicht darunter die 138 RX- oder 148 TX-Leitermaterial-Datensignalleitungen der unteren Lage der Schicht von den geerdeten Isolationsleitungen 560, 562, 564 oder 566 der vertikal benachbarten Schicht darunter trennen (z. B. vertikal dazwischen angeordnet sein). Anders ausgedrückt umgeben zwei geerdete Isolationsleitungen (z. B. ein Paar aus 560 und 564 oder 562 und 566) zwei nichtleitende Materiallagen 103a vertikal (sind z. B. vertikal oben und unten davon), die jede Datensignalleitung RX oder 148 TX vertikal umgeben (z. B. vertikal oben und unten davon sind). In einigen Fällen werden die zwei geerdeten Isolationsleitungen (z. B. ein Paar aus 560 und 564 oder 562 und 566) als jede Datensignalleitung RX 138 oder TX 148 in jeder der Schichten Lm-Lq vertikal umgebend beschrieben (sind z. B. vertikal oben und unten davon).
  • In einigen Fällen kann jede Datensignal-RX-Leitung der Schicht Ln (z. B. die Lage 622) als vertikal von der geerdeten Isolationsleitung 560 der Schicht Lm (z. B. der Lage 612) und der Leitung 564 der Schicht Lo (z. B. der Lage 632) umgeben bezeichnet werden. In einigen Fällen kann auch jede Datensignal-TX-Leitung der Schicht Lo (z. B. die Lage 632) als vertikal von der geerdeten Isolationsleitung 562 der Schicht Ln (z. B. der Lage 622) und der Leitung 566 der Schicht Lq (z. B. der Lage 642) umgeben bezeichnet werden.
  • In einigen Fällen können die Erdungsleitungen der Gehäusevorrichtung 550 (z. B. die Leitungen 560, 562, 564 und 566) „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung zwischen einer der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen einer Schicht (z. B. einem „Aggressor“ der Schicht Lm, Ln, Lo oder Lq) und einer vertikal benachbarten Datensignalübertragungsleitung einer zwei Schichten über oder unter der einen Übertragungsleitung befindlichen Schicht (z. B. zwei Schichten über oder unter der Aggressorschicht Lm, Ln, Lo oder Lq) reduzieren (z. B. mindern oder verringern) (z. B. um einen Faktor oder das 2-, 3-, 5- oder 10-Fache) (und können optional eine Isolierung erhöhen).
  • Beispielsweise kann jede geerdete Isolationsleitung 562 der Gehäusevorrichtung 550 in einigen Fällen reduzieren, dass eine vertikale „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung (z. B. um einen Faktor oder das 2-, 3-, 5- oder 10-Fache) (und kann optional eine Isolierung erhöhen), die von einer horizontalen „Aggressor“-RX-Datensignalübertragungsleitung 138 der Schicht Lm (z. B. der Lage 612) erzeugt oder produziert wird, eine vertikal benachbarte TX-Datensignalübertragungsleitung der Schicht Lo (z. B. der Lage 632) erreicht, die zwei Schichten unter der „Aggressor“-RX-Leitung der Schicht Lm (z. B. von Lage 612) erreicht, zum Beispiel aufgrund dessen, dass die Leitung 562 vertikal zwischen den Signalübertragungsleitungen der Schichten Lm und Lo angeordnet ist. Dies kann für jede der horizontalen TX-Datensignalleitungen in der Schicht Lo auftreten, wobei beispielsweise jede der Erdungsleitungen 562 reduziert (und optional eine Isolierung erhöhen kann), dass eine horizontale Einstreuung, die von jeder horizontalen „Aggressor“-RX-Datensignalübertragungsleitung 138 der Schicht Lm produziert oder erzeugt wird, jede vertikal benachbarte TX-Datensignalübertragungsleitung der Schicht Lo erreicht, die zwei Schichten unter der „Aggressor“-RX-Leitung der Schicht Lm angeordnet ist. Es wird erwogen, dass die Leitungen 562 die gleiche Reduktion beim Erreichen einer vertikal benachbarten RX-Leitungen der Schicht Lm durch eine vertikale Einstreuung bewirken, die von den TX-Leitungen der Schicht Lo bewirkt wird.
  • Gleichermaßen kann jede geerdete Isolationsleitung 564 der Gehäusevorrichtung 550 in einigen Fällen reduzieren, dass eine vertikale „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung (z. B. um einen Faktor oder das 2-, 3-, 5- oder 10-Fache) (und kann optional eine Isolierung erhöhen), die von einer horizontalen „Aggressor“-TX-Datensignalübertragungsleitung 148 der Schicht Lq (z. B. der Lage 642) erzeugt oder produziert wird, eine vertikal benachbarte RX-Datensignalübertragungsleitung der Schicht Ln (z. B. der Lage 622) erreicht, die zwei Schichten unter der „Aggressor“-TX-Leitung der Schicht Lq (z. B. von Lage 642) erreicht, zum Beispiel aufgrund dessen, dass die Leitung 564 vertikal zwischen den Signalübertragungsleitungen der Schichten Lq und Ln angeordnet ist. Dies kann für jede der horizontalen RX-Datensignalleitungen in der Schicht Ln auftreten, wobei beispielsweise jede der Erdungsleitungen 564 reduziert (und optional eine Isolierung erhöhen kann), dass eine horizontale Einstreuung, die von jeder horizontalen „Aggressor“-TX-Datensignalübertragungsleitung 148 der Schicht Lq produziert oder erzeugt wird, jede vertikal benachbarte RX-Datensignalübertragungsleitung der Schicht Ln erreicht, die zwei Schichten über der „Aggressor“-TX-Leitung der Schicht Lq angeordnet ist. Es wird erwogen, dass die Leitungen 564 die gleiche Reduktion beim Erreichen einer vertikal benachbarten TX-Leitungen der Schicht Lq durch eine vertikale Einstreuung bewirken, die von den RX-Leitungen der Schicht Ln bewirkt wird.
  • Es ist ersichtlich, dass die geerdeten Isolationsleitungen 560 bewirken können, dass für jede der RX-Datensignalleitungen in der Schicht Ln im Vergleich zu einer 2 Schichten über der Schicht Ln befindlichen Schicht die gleiche Reduktion der vertikalen Einstreuung (und optional eine Erhöhung der Isolierung) eintritt. In einigen Fällen können die geerdeten Isolationsleitungen 566 bewirken, dass für jede der TX-Datensignalleitungen in der Schicht Lo im Vergleich zu einer 2 Schichten unter der Schicht Lo befindlichen Schicht die gleiche Reduktion der vertikalen Einstreuung (und optional eine Erhöhung der Isolierung) eintritt.
  • Beispielsweise kann jede der geerdeten Isolationsleitungen 560-566 dadurch, dass sie Leitungen aus elektrisch geerdetem Leitermaterial (z. B. ein Erdungssignal aufweisend) sind, elektromagnetische Einstreusignale, die von einer Datensignalübertragungsleitung der vertikal benachbarten Schichten zwei Schichten über (oder unter) den Leitungen erzeugt werden, von einem Erreichen jeder der Datensignalübertragungsleitungen der einen Schicht aufgrund der Menge an geerdetem Leitermaterial und der Position des geerdeten Leitermaterials zwischen den zwei Schichten absorbieren oder abschirmen (oder eine elektronische Isolation dieser erhöhen). Dies kann ein Reduzieren von elektrischer Einstreuung enthalten, die durch eine unerwünschte kapazitive, induktive oder leitende Kopplung eines ersten Datensignaltyps (z. B. RX oder TX) verursacht wird, der durch eine der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der vertikal benachbarten Schichten (z. B. einem „Aggressor“) empfangen oder gesendet werden, einen zweiten Datensignaltyp (z. B. TX oder RX; den entgegengesetzten des ersten RX- bzw. TX-Typs) erreicht (z. B. diesen beeinflusst oder in diesem gespiegelt wird), der durch die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der einen Schicht empfangen oder gesendet wird, die die Erdungsleitungen abschirmt.
  • Die Kombination der zwei geerdeten Isolationsleitungen (z. B. jeweils zwei der Leitungen 560, 562, 564 oder 566), die jede Datensignalleitung 138 RX oder 148 TX in jeder der Schichten Lm-Lq umgeben; und der zwei geerdeten Isolationsleitungen (. B. ein Paar von 560 und 564; oder 562 und 566), die jede Datensignalleitung 138 RX oder 148 TX in jeder der Schichten Lm-Lq umgeben, kann als vier geerdete Isolationsleitungen beschrieben werden, die jede Datensignalleitung 138 RX oder 148 TX in jeder der Schichten Lm-Lq „koaxial“ umgeben. In einigen Fällen kann jede Datensignal-RX-Leitung der Schicht Ln (z. B. die Lage 622) als koaxial umgeben bezeichnet werden, indem sie (1) horizontal von zwei geerdeten Isolationsleitungen 562 der Schicht Ln (z. B. der Lage 622) umgeben sind und (2) vertikal von einer der geerdeten Isolationsleitungen 560 der Schicht Lm (z. B. der Lage 612) und einer der Leitungen 564 der Schicht Lo (z. B. der Lage 632) umgeben sind. In einigen Fällen kann außerdem jede Datensignal-TX-Leitung der Schicht Lo (z. B. die Lage 632) als koaxial umgeben bezeichnet werden, indem sie (1) horizontal von zwei geerdeten Isolationsleitungen 564 der Schicht Lo (z. B. der Lage 632) umgeben sind und (2) vertikal von einer der geerdeten Isolationsleitungen 562 der Schicht Ln (z. B. der Lage 622) und einer der Leitungen 566 der Schicht Lq (z. B. der Lage 642) umgeben sind.
  • In einigen Fällen bieten oder bewirken die vier geerdeten Isolationsleitungen, die jede horizontale Datensignalleitung 138 RX oder 148 TX in jeder der Schichten Lm-Lq „koaxial“ umgeben, dass (1) die zwei geerdeten Isolationsleitungen (z. B. jeweils zwei der Leitungen 560, 562, 564 oder 566), die jede Datensignalleitung 138 RX oder 148 TX in jeder der Schichten Lm-Lq horizontal umgeben, eine elektronische „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung zwischen jeder der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen einer Schicht (z. B. der Schicht Lm, Ln, Lo oder Lq) und einer horizontal benachbarten Signalübertragungsleitung des gleichen Typs (z. B. RX oder TX) der gleichen Schicht (z. B. der einen Schicht Lm, Ln, Lo oder Lq) verringern (z. B. um einen Faktor oder das 2-, 3-, 5- oder 10-Fache) (und optional eine elektronische Isolierung erhöhen können); und (2) die zwei geerdeten Isolationsleitungen (z. B. ein Paar von 560 und 564; oder 562 und 566), die jede Datensignalleitung 138 RX oder 148 TX in jeder der Schichten Lm-Lq vertikal umgeben, um eine „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung zwischen einer der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen einer Schicht (z. B. einem „Aggressor“ der Schicht Lm, Ln, Lo oder Lq) und einer vertikal benachbarten Datensignalübertragungsleitung einer Schicht zwei Schichten über oder unter der einen Übertragungsleitung (z. B. zwei Schichten über oder unter der Aggressorschicht Lm, Ln, Lo oder Lq) verringern (z. B. um einen Faktor oder das 2-, 3-, 5- oder 10-Fache) (und optional eine elektronische Isolierung erhöhen können). In einigen Ausführungsformen reduzieren die geerdeten Isolationsleitungen 560-566 die elektrische Einstreuung und erhöhen die elektrische Isolierung, wie oben angemerkt, ohne eine Neuordnung einer horizontalen Reihenfolge oder Abfolge der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in einer Lage oder Schicht.
  • Es wird angemerkt, dass es vier Isolationsleitungen gibt, die jede Datensignal-RX-Leitung der Schicht Ln (z. B. der Lage) 622) in einer „Rauten“-Form umgeben, aber keine diagonal benachbarte geerdete Isolationsleitung für diese RX-Leitung. Dies kann aufgrund der ausreichenden diagonalen Beabstandung (z. B. durch eine vorbestimmte, durch Anpassung ermittelte, ausgewählte oder anderweitig konstruierte Distanz) der RX- und TX-Leitungen der verschiedenen Schichten, sodass eine Einstreuung hinreichend reduziert wird (und eine elektronische Isolierung optional hinreichend erhöht wird), sodass die Datensignalleitungen mit den Geschwindigkeiten und anderen Kennzahlen wie hierin angemerkt arbeiten.
  • 7 zeigt ein Diagramm von Kurven der Augenhöhe (EH) und Augenweite (EW) eines Augendiagramms, das durch Testen einer der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in einem Bereich von Breiten der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen und von Breiten der Erdungsleitungen, wenn beispielsweise die Abstände zwischen horizontal benachbarten Signalleitungen und Erdungsleitungen konstant sind. In einigen Fällen sind die horizontalen Leitungen 138 und 148 und die Erdungsleitungen (z. B. 560, 562, 564 und 566) der Vorrichtung 550 impedanzangepasst (siehe z. B. 7), um eine Unstetigkeit der Impedanz und Einstreuung zwischen vertikal benachbarten und horizontal benachbarten der Signalleitungen 138 oder 148 (z. B. einem Kanal) der Vorrichtung 550 zu minimieren. Dies kann ein Durchführen einer solchen Anpassung enthalten, um Folgendes zu ermitteln oder zu identifizieren: (1) eine ausgewählte Zielbreite W1 (und optional eine Höhe H3) einer der Signalleitungen 138 oder 148 (z. B. unter Angabe anderer festgelegter oder bekannter Höhen und Breiten, wie unten angemerkt); und (2) eine ausgewählte Zielbreite W4 (und optional eine Höhe H3) einer der Erdungsleitungen (z. B. 560, 562, 564 oder 566) (z. B. unter Angabe anderer festgelegter oder bekannter Höhen und Breiten, wie unten angemerkt) zu ermitteln, die die beste Kanalleistung bietet, wie durch den Kreuzungspunkt mit der niedrigsten Amplitude von Augenhöhen- (EH-) oder Augenweiten(EQ)-Kurven (siehe z. B. 7) eines Augendiagramms (siehe z. B. 3B) gezeigt, das durch Testen einer der Signalleitungen 138 oder 148 erzeugt wurde. Die EH- und EW-Kurven (z. B. Kurven 710-711 und 715-716) können eine Ausgangssignalmessung (oder Computermodellierung) an einer Position der Datensignalleitung 138 oder 148 sein, wenn (z. B. als Ergebnis eines Leitens) ein oder mehrere Eingangstestdatensignale durch die Länge Lp der Datensignalleitung gesendet werden, wie für die 3A-B beschrieben, um isolierte horizontale Datensignalübertragungsleitungsbreiten W1 und eine Erdungsleitungsbreite W4 (optional, und einen Abstand W5) zu ermitteln oder zu identifizieren, die im Routingsegment der Vorrichtung 550 entlang des Kanals der Signalleitungen 138 und 148 entlang der Länge Lp auf einer einzelnen Leitung impedanzangepasst sind (siehe z. B. 7).
  • Der Impedanzabgleich der Signalleitung kann auf folgenden Faktoren basieren oder diese enthalten: Breite W1 der horizontalen Datensignalübertragungsleitung, Höhe H3, Länge Lp; Breite W4 der horizontalen geerdeten Isolationsleitung, Höhe H3, Länge Lp; Breite W5 zwischen der Isolationsleitung und horizontal benachbarten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der Vorrichtung 550; und Höhe H4 zwischen einer Signalleitung und einer vertikal benachbarten Erdungsleitung der Vorrichtung 550. In einigen Fällen, sobald die Länge Lp, Breite W5, Höhe H4 und Höhe H3 bekannt sind (z. B. vorbestimmt oder vorher auf Grundlage eines spezifischen Designs einer Gehäusevorrichtung 550 ausgewählt), dann wird der Abgleich durchgeführt (z. B. durch Computersimulation, tatsächliches „Beta“-Testen der Vorrichtung oder andere Labortests), um Bereiche der Breiten W1 und W4 zu ermitteln oder zu identifizieren, die die beste Kanalleistung bieten, wie durch den Kreuzungspunkt mit der niedrigsten Amplitude der Augenhöhen- (EH-) oder Augenweiten(EW)-Kurven eines Augendiagramms gezeigt, das durch Testen einer der Signalleitungen 138 oder 148 erstellt wurde.
  • 7 zeigt beispielsweise ein Diagramm von Augenhöhen(EH)-Kurven 710 und 711; und Augenweiten(EW)-Kurven 715 und 716 eines Augendiagramms (siehe z. B. 3B), das durch Testen von horizontalen Datensignalübertragungssignalleitungen 138 oder 148 für einen Bereich einer horizontalen Datensignalübertragungsleitungsbreite W1 und Erdungsleitungsbreite W4 erstellt wurde, wobei beispielsweise die Abstände W2 zwischen horizontal benachbarten Signalleitungen (z. B. den Leitungen 138 oder 148) und Erdungsleitungen (z. B. den Leitungen 560, 562, 564 oder 566) konstant sind. Das Testen kann ein Messen oder Modellieren eines Ausgangssignals als Reaktion auf Eingangssignale wie Aufwärts- (z. B. ) und Abwärtssignale z. B ) enthalten, wie oben für 3A angemerkt. Die EH-Kurve 710 kann die EH-Kurve für ein erstes Design oder eine erste Verwendung der Vorrichtung 550 sein, die von den oben erwähnten Faktoren (z. B. der horizontalen Datensignalübertragungsleitungsbreite W1, der Erdungsleitungsbreite W4, der Höhe H3, der Länge Lp; Breite W5 zwischen der Signalleitung und einer horizontal benachbarten Erdungsleitung der Vorrichtung 150; und Höhe H4 zwischen der Signalleitung und einer vertikal benachbarten Erdungsleitung der Vorrichtung 150). Die EH-Kurve 711 kann die EH-Kurve für ein zweites, unterschiedliches Design oder eine zweite, unterschiedliche Verwendung der Vorrichtung 550 sein, das bzw. die von den oben erwähnten Faktoren unabhängig ist. Die EW-Kurve 715 kann die EW-Kurve für das erste Design oder die erste Vorrichtung 150 sein, das bzw. die von den oben erwähnten Faktoren unabhängig ist. Die EW-Kurve 716 kann die EW-Kurve für das zweite, unterschiedliche Design oder die zweite, unterschiedliche Verwendung der Vorrichtung 550 sein, das bzw. die von den oben erwähnten Faktoren unabhängig ist.
  • In einigen Fällen kann ein solches Design oder eine solche Verwendung enthalten, dass die verschiedenen Kurven verschiedene Fertigungsschwankungskombinationen repräsentieren, bei denen beispielsweise ein niederohmiges Gehäuse (z. B. das Gehäuse 510) mit einem hochohmigen Interposer (z. B. dem Interposer 506) verbunden ist. In einigen Fällen kann ein solches Design oder eine solche Verwendung enthalten, dass die verschiedenen Kurven verschiedene Winkelkombinationen repräsentieren oder mögliche Komponentenvariationskombinationen. In einigen Fällen kann ein solches Design oder eine solche Verwendung enthalten, dass die verschiedenen Kurven verschiedene Designs oder Verwendungen repräsentieren, um die Impedanz abzugleichen, um die Kanalleitung zu maximieren. In einigen Fällen zeigt 7A EH- und EW-Kurven verschiedener Kanäle, die mögliche Gehäuse- und Interposerfertigungswinkel kombinieren, (max/typische/min. Impedanzwinkel aus Fertigungsschwankungen). In einigen Fällen beispielsweise max Z Verteiler + min Z Interposer + max Z Gehäuse, wobei Z die Impedanz bezeichnet. In einigen Fällen zeigt die gemeinsame oder Schnittfläche unter den EH- oder EW-Kurven den Kanal-EH/EW-Lösungsraum. In einigen Fällen ist der optimierte Impedanzwert mit dem Kreuzungspunkt der EH- oder EW-Kurven verknüpft, der die maximale EH/EW-Einhüllende aller möglichen Kanalfertigungsschwankungen bietet.
  • Wie für die EH-Kurven 310-311 der 3A-B beschrieben, können die EH-Kurven 710-711 Beispiele einer Augenhöhe für unterschiedliche Designs und eine unterschiedliche Signalleitungsbreite W1 und Erdungsleitungsbreite W4 (wobei z. B. der Abstand W2 konstant ist) für die Vorrichtung 550 sein. Außerdem, wie für die EW-Kurven 315-316 der 3A-B beschrieben, können die EW-Kurven 715-716 Beispiele einer Augenweite für die unterschiedlichen Designs und die unterschiedliche Signalleitungsbreite W1 und Erdungsleitungsbreite W4 (wobei z. B. der Abstand W2 konstant ist) für die Vorrichtung 550 sein.
  • In einigen Fällen sind die Kurven 710-711 und 715-716 für eine ausgewählte (z. B. vorbestimmte, gewünschte, konstante oder bestimmte) Länge Lp der horizontalen Datensignalübertragungsleitung (z. B. RX-Leitung 138 oder TX-Leitung 148) und der geerdeten Isolationsleitungen der Gehäusevorrichtung 550. In einigen Fällen sind die Kurven 710-711 und 715-716 auch für eine gewünschte Signalleitungs- und Erdungsleitungshöhe H3 und den Abstand H4 zwischen der Signalleitung und einer vertikal benachbarten Erdungsleitung.
  • In einigen anderen Fällen enthält die Anpassung eine Kenntnis der Länge Lp, der Breite W5 und der Höhe H4, danach eine Anpassung, um einen Bereich der Breite W1, der Breite W4 und Höhe H3 zu ermitteln oder zu identifizieren, der eine vorbestimmte oder Zielimpedanz für die Leitung bereitstellt.
  • Genauer zeigt 7 ein Diagramm 700, das die Amplitude der Anpassungskurven 710-711 und 715-716 entlang der vertikalen Y-Achse 720 für verschiedene Paare der Breite W1 einer Signalleitung (z. B. der RX-Leitung 138 oder der TX-Leitung 148) und Breite W4 von Erdungsleitungen zeigt (wobei z. B. der Abstand W5 zwischen horizontal benachbarten der Signalleitungen (z. B. der RX- oder TX-Leitungen 138 oder 148) und Erdungsleitungen (z. B. den Leitungen 560, 562, 564 oder 566) entlang der horizontalen X-Achse 730 ein konstanter Wert oder Abstand ist). Obwohl 7 die Amplitude der Kurven 710-711 und 715-716 im gleichen Diagramm 700 zeigt, ist klar, dass sie auf verschiedenen Diagrammen mit einer verschiedenen nach Amplitude skalierten Y-Achse, aber der gleichen X-Achse 730 gezeichnet werden können (z. B. sind die Kurven im Diagramm 700 alle vertikal skaliert gezeigt (z. B. die Achse 720 hinauf oder hinunter verschoben), um die Kreuzungspunkte der Kurven zu vergleichen). Die Kurven 710-711 und 715-716 können eine Ausgangssignalmessung (oder Computermodellierung) an einer Position der Datensignalleitung sein, wenn (z. B. als Ergebnis eines Leitens) das eine oder die mehrere Eingangstestdatensignale durch die Länge Lp der Datensignalleitung (z. B. der RX-Leitung 138 oder der TX-Leitung 148) gesendet werden.
  • Das Diagramm 700 zeigt einen Kreuzungspunkt 712 der EH-Kurven 710 und 711. Es ist klar, dass die Kurven 710 und 711 mehr als zwei Kurven repräsentieren, aber dass diese Kurven bei Punkt 712 einen niedrigsten Kreuzungspunkt der Y-Achse aufweisen. Das Diagramm 700 zeigt einen Kreuzungspunkt 717 der EW-Kurven 715 und 716. Es ist klar, dass die Kurven 715 und 716 mehr als zwei Kurven repräsentieren, aber dass diese Kurven bei Punkt 717 einen niedrigsten Kreuzungspunkt der Y-Achse aufweisen.
  • 7 zeigt EW- und EH-Kurvenamplituden entlang der vertikalen Achse 720 mit Werten W, X, Y und Z, die zum Beispiel verschiedene Amplituden für die Kurven 710-711 oder 715-716 repräsentieren (z. B. können die Kurven 715-716 bzw. 710-711 skaliert sein, um in das gleiche Diagramm oder die gleiche Grafik zu passen). In einigen Fällen repräsentieren die Werte W', X', Y' und Z' für die Kurven 710-711 verschiedene linear ansteigende EH-Signalamplitudenwerte (z. B. aus einem Testsignal abgeleitete Spannungsamplituden der EH), wie 0,15, 0,2, 0,25 und 0,3 Volt. In einigen Fällen repräsentieren die Werte W', X', Y' und Z' für die Kurven 715-716 verschiedene linear ansteigende EW-Signalzeitwerte (z. B. aus einem Testsignal abgeleitete Spannungsamplituden der EW), wie 3,5, 4,0, 4,5 und 5,0 E-11 Sekunden.
  • 7 zeigt Paare der Breite W1/der Breite W4 entlang der horizontalen Achse 730 mit Paarwerten A'/B', C'/D', E'/F', G'/H', I'/J', K'/L', M'/N' und O'/P'. In einigen Fällen repräsentiert die Gesamtsumme (z. B. Addition) jedes Wertepaars (z. B. der Wert A' plus der Wert B'; oder der Wert O' plus der Wert P' usw.) die gleiche Summe oder einer ersten Konstante; und die erste Konstante plus zwei Mal die Abstandsbreite W5 ist eine zweite Konstante (wie z. B. die Pitchbreite PW2). In einigen Fällen variieren die Signalleitungsbreite W1 und die Erdungsleitungsbreite W4 auf umgekehrt proportionale Weise, sodass sie zur ersten Konstante aufaddieren, sodass zum Beispiel, wenn W1 um einen Wert ansteigt (z. B. W1+W'), nimmt W4 um diesen Wert ab (z. B. W4-W') und umgekehrt. In einigen Fällen können die Signalleitungsbreite W1 und die Erdungsleitungsbreite W4 als umgekehrt proportional beschrieben werden. In einigen Fällen (1) ist die zweite Konstante die Pitchbreite PW2 von Signalleitung zu Signalleitung; und (2) variieren die Signalleitungsbreite W1 und die Erdungsleitungsbreite W4 auf umgekehrt proportionale Weise, sodass die Addition von W1 + W4 + 2×W5 = PW2 (z. B. die zweite Konstante) ist.
  • In einigen Fällen kann PW2 zwischen 100 und 200 um betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 120 und 150 um betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 130 und 140 um betragen. In einigen Fällen repräsentieren die Paarwerte A'/B' die Breite W1 zwischen 60 und 80 um und die Breite W4 zwischen 55 und 75 um; die Paarwerte O'/P' die Breite W1 zwischen 25 und 45 um und die Breite W4 zwischen 90 und 110 um; und die anderen Paare befinden sich an linearen Intervallen zwischen den Werten A'/B' und den Werten O'/P'. In einigen Fällen repräsentieren die Paarwerte A'/B' eine Breite W1/eine Breite W4 von 70/65 um, die Paarwerte C'/D' repräsentieren eine Breite W1/eine Breite W4 von 65/70 um, die Paarwerte E'/F' repräsentieren eine Breite W1/eine Breite W4 von 60/75 um, die Paarwerte G'/H' repräsentieren eine Breite W1/eine Breite W4 von 55/80 um, die Paarwerte I'/J' repräsentieren eine Breite W1/eine Breite W4 von 50/85 um, die Paarwerte K'/L' repräsentieren eine Breite W1/eine Breite W4 von 45/90 um, die Paarwerte M'/N' repräsentieren eine Breite W1/eine Breite W4 von 40/95 um und die Paarwerte O'/P' repräsentieren eine Breite W1/eine Breite W4 von 35/100 um.
  • In einigen Fällen repräsentiert die Y-Achse 720 eine Augenhöhe oder Augenweite, die die Leistungszahl zum Quantifizieren der Kanalleistung der getesteten Signalleitung (z. B. der RX-Leitung 138 oder der TX-Leitung 148) sind; und die X-Achse 730 ist die Kombination der Signalleitungsbreite W/der Breite W4 (mit konstantem Abstand W5) bei konstantem Pitch (Leitungsbreite W1 + Breite W4 + 2xW5 = konstanter Pitch PW, wie beispielsweise PW2). Nach Ausführungsformen enthält (oder ist) die Impedanzanpassung der horizontalen Leitung 138 oder 148 der Vorrichtung 550 ein Auswählen (oder „Tunen“) einer Impedanz einer einzelnen horizontalen Weiterleitungssignalleitung (z. B. der TX- und RX-Leitung), um die Kombination der Signalleitungsbreite W1/der Breite W4 auf einen optimierten Punkt auszuwählen (oder die TX- und RX-Leitung auf diesen oder an diesem Punkt zu „tunen“), um die beste Kanalleistung zu erzielen, wie durch den niedrigsten Kreuzungspunkt der EH- oder EW-Kurven gezeigt (wie zum Beispiel in 7 gezeigt).
  • Nach Ausführungsformen enthält die Impedanzanpassung der horizontalen Signalleitung 138 oder 148 der Vorrichtung 550 verschiedene mögliche Auswahlen einer oder eines Bereichs an Positionen auf der X-Achse 730, die auf Grundlage oder als Ergebnis einer Berechnung unter Verwendung des EH- und EW-Kreuzungspunkts 712 und/oder des Punkts 717 ausgewählt wurden. Es ist klar, dass eine solche Anpassung ein Auswählen oder Identifizieren eines Paars oder eines Bereichs der Breite W1/der Breite W4entlang der Achse 730 für eine oder beide von (1) den Signalleitungen 138 und den Erdungsleitungspaaren 560/562 oder (2) den Signalleitungen 148 und den Erdungsleitungspaaren 564/566 auf Grundlage oder als Ergebnis einer Berechnung unter Verwendung des Kreuzungspunkts 712 und/oder des Punkts 717 enthalten kann.
  • In einigen Fällen enthält oder ist eine solche Impedanzanpassung ein Auswählen des niedrigsten Amplitudenkreuzungspunkts 712 der Augenhöhe(EH)-Kurven 710-712 oder der Augenweiten(EW)-Kurven 715-716 eines durch Testen einer der Signalleitungen 138 oder 148 erzeugten Augendiagramms. Hier kann zum Beispiel, wie in 7 gezeigt, die Position I'/J' der X-Achse 730, die sich unter dem Punkt 712 befindet; oder eine Position an einem Mittelpunkt zwischen I'/J' und K'/L', die sich unter dem Punkt 712 befindet, für die Breite W1 und die Breite W4 für eines oder beides (1) der Signalleitungen 138 und der Erdungsleitungspaare 560/562 oder (2) der Signalleitungen 148 und der Erdungsleitungspaare 564/566 gewählt werden. In einigen Fällen kann eine dieser Positionen für sowohl (1) die Signalleitungen 138 und die Erdungsleitungspaare 560/562 als auch (2) die Signalleitungen 148 und die Erdungsleitungspaare 564/566 verwendet werden. In einigen Fällen kann ein Bereich der Breite W1 und der Breite W4 um eine dieser Positionen (z. B. eine W1- und W4-Toleranz, wie beispielsweise 5 oder 10 Prozent um eine der beiden Positionen) für sowohl (1) die Signalleitungen 138 und die Erdungsleitungspaare 560/562 als auch (2) die Signalleitungen 148 und die Erdungsleitungspaare 564/566 verwendet werden. In einigen Fällen kann ein Bereich der Breite W1 und der Breite W4 zwischen diesen Positionen (z. B. eine W1- und W4-Toleranz innerhalb dieses Bereichs oder eine beliebige Position innerhalb dieses Bereichs) für sowohl (1) die Signalleitungen 138 und die Erdungsleitungspaare 560/562 als auch (2) die Signalleitungen 148 und die Erdungsleitungspaare 564/566 verwendet werden.
  • Nach einigen Ausführungsformen enthält oder ist die Impedanzanpassung ein Auswählen des niedrigsten Amplitudenkreuzungspunkts 712 und des Punkts 717, die durch Testen einer der Signalleitungen 138 oder 148 erzeugt wurden. Hier kann beispielsweise, wie in 7 gezeigt, eine Position auf der X-Achse 730 zwischen (z. B. ein Mittelpunkt zwischen und ein Durchschnitt von oder eine andere statistische Berechnung zwischen) I'/J', das sich unter dem Punkt 712 befindet, und einem Mittelpunkt zwischen I'/J' und K'/L', das sich unter dem Punkt 712 befindet, für die Breite W1 und die Breite W4 für eines oder beides (1) der Signalleitungen 138 und der Erdungsleitungspaare 560/562 oder (2) der Signalleitungen 148 und der Erdungsleitungspaare 564/566 gewählt werden. In einigen Fällen kann die Position für sowohl (1) die Signalleitungen 138 und die Erdungsleitungspaare 560/562 als auch (2) die Signalleitungen 148 und die Erdungsleitungspaare 564/566 verwendet werden. In einigen Fällen kann ein Bereich der Breite W1 und der Breite W4 um die Position dazwischen (z. B. eine W1- und W4-Toleranz, wie beispielsweise 5 oder 10 Prozent um eine der beiden Positionen) für sowohl (1) die Signalleitungen 138 und die Erdungsleitungspaare 560/562 als auch (2) die Signalleitungen 148 und die Erdungsleitungspaare 564/566 verwendet werden. Es ist klar, dass verschiedene andere geeignete Positionen auf Grundlage der Kreuzungspunkte 712 und 717 ausgewählt werden können.
  • Es ist klar, dass eine solche Anpassung, wie oben angemerkt für eine Anpassung einer einzelnen oder aller Leitungen einer Schicht oder aller Leitungen der (1) Signalleitungen 138 und der Erdungsleitungspaare 560/562 oder (2) der Signalleitungen 148 und der Erdungsleitungspaare 564/566 der Vorrichtung 550 erfolgen kann oder eine solche Anpassung repräsentieren kann. Es ist klar, dass eine solche Anpassung wie oben angemerkt durch Kurven repräsentiert werden kann, die von den in 7 verschiedenen konvexen Kurven 710-711 und 715-716 verschieden sind, bei denen beispielsweise die ausgewählte Breite W1/Breite W4 entlang der Achse 730 gewählt wird, am höchsten Punkt der anderen Kurve entlang der vertikalen Achse 720 zu liegen.
  • In einigen Fällen bietet diese Impedanzanpassung (z. B. durch Ermitteln oder Identifizieren eines Bereichs von oder einer ausgewählten Zielbreite W1 und Breite W4 für sowohl (1) die Signalleitungen 138 und die Erdungsleitungspaare 560/562 oder (2) die Signalleitungen 148 und die Erdungsleitungspaare 564/566): (1) die beste Kanalleitung für die Leitungen 138 und 148 (z. B. mit einer Länge LP; Breite W1; Breite W4, Pitch PW2 zwischen der Leitung und einer horizontal benachbarten horizontalen Datensignalübertragungsleitung der Vorrichtung 550; und einer Höhe H4 zwischen der Leitung und einer vertikal benachbarten Erdungsleitung der Vorrichtung 550), (2) eine elektrische Isolierung von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen (z. B. den Signalleitungen 138 und 148), die im Routingsegment der Vorrichtung 550 entlang des Kanals (z. B. die Signalleitungen 138 oder 148 entlang der Länge LP) auf einer einzelnen Leitung impedanzangepasst sind, und (3) eine minimierte Unstetigkeit der Impedanz und eine minimierte Einstreuung zwischen vertikal benachbarten und horizontal benachbarten der Signalleitungen 138 oder 148 der Vorrichtung 550.
  • In einigen Fällen enthält die Anpassung oben eine separate Anpassung der Leitungen 138 und 148 des Interposers 506, des Verteilers 504 und des Gehäuses 510. In einigen Fällen enthält sie eine separate Anpassung der Leitungen 138 und 148 des Interposers 506, des Verteilers 504 oder des Gehäuses 510. In einigen Fällen enthält die Anpassung oben eine Anpassung der Leitungen 138 und 148 des Interposers 506, aber die Signalleitungen des Verteilers 504 und des Gehäuses 510 werden nicht angepasst. In einigen Fällen werden die Breite W1 und die Breite W4 des Interposers 506 durch eine Anpassung wie oben angemerkt ermittelt; und die Breite W1 und die Breite W4 des Verteilers 504 und des Gehäuses 510 werden auf Grundlage anderer Faktoren oder von Designparametem ermittelt, die die oben erwähnte Anpassung nicht enthalten.
  • 8 ist ein Ablaufdiagramm, das einen Prozess zum Bilden eines durch geerdete isolierte „Koaxialleitungen“ getrennten Datensignalgehäuses nach hierin beschriebenen Ausführungsformen veranschaulicht. 8 zeigt einen Prozess 800, der ein Prozess zum Bilden der hierin beschriebenen Ausführungsformen des Gehäuses 550 einer der 5-7 sein kann. Er kann auch ein Prozess zum Bilden bestimmter Schichten oder Lagen der 9-12 sein, wie weiter unten erwähnt. In einigen Fällen ist der Prozess 800 ein Prozess zum Bilden einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten Übertragungsleitungen, die zwei geerdete Isolationsleitungen aufweist, die jede Datensignalleitung horizontal umgeben; und die zwei geerdete Isolationsleitungen aufweist, die jede Datensignalleitung vertikal umgeben, um zu bewirken, dass vier geerdete Isolationsleitungen jede Datensignalleitung „koaxial“ umgeben.
  • Der Prozess 800 beginnt bei einem optionalen Block 810, bei dem eine erste (z. B. untere) Zwischenverbindungsschicht Lo einer Gehäusevorrichtung gebildet wird, die einen ersten Typ (z. B. RX oder TX) von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Leitermaterial der Gehäusevorrichtung aufweist, die zwischen Paaren von horizontal benachbarten ersten geerdeten Isolationsleitungen 564 der ersten Zwischenverbindungsschicht Lo angeordnet sind. Block 810 kann auch ein Bilden einer ersten (z. B. unteren) Schicht Lo enthalten, um nichtleitende Materialabschnitte der Gehäusevorrichtung der ersten Zwischenverbindungsschicht Lo zwischen jedem vom ersten Typ (z. B. RX oder TX) der horizontalen Datensignalempfangsübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial und jeder der ersten geerdeten Isolationsleitungen der ersten Zwischenverbindungsschicht Lo angeordnet aufzuweisen.
  • Block 810 kann auch ein Bilden der ersten (z. B. unteren) Zwischenverbindungsschicht Lo der Gehäusevorrichtung mit einer nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materiallage der ersten Schicht aufweisen, die auf (z. B. diese berührend) oder über einer Lage mit dem ersten Typ (z. B. RX oder TX) der horizontalen Datensignalleitungen der Gehäusevorrichtung, den ersten geerdeten Isolationsleitungen und den nichtleitenden Materialabschnitten der ersten Zwischenverbindungsschicht Lo gebildet ist.
  • In einigen Fällen weist Block 810 ein Bilden einer nichtleitenden Materiallage 103a der ersten (z. B. unteren) Zwischenverbindungsschicht Lo (z. B. Lage 630) auf (z. B. diese berührend) oder über einer Lage (z. B. Lage 632) mit ersten horizontalen Datensignalleitungen 148 des TX-Typs, ersten geerdeten Isolationsleitungen 564 und nichtleitenden Materialabschnitten 103b der ersten Zwischenverbindungsschicht Lo auf.
  • In einigen Fällen kann der Block 810 nur ein Bilden einer unteren Lage 632 der Schicht Lo mit einem ersten Typ von Daten-TX-Signalleitungen 148 aufweisen, die horizontal zwischen dielektrischen Materialabschnitten 103b angeordnet sind, die zwischen horizontal benachbarten ersten geerdeten Isolationsleitungen 564 der ersten Zwischenverbindungsschicht Lo angeordnet sind; und danach ein Bilden einer oberen Lage 630 aus oder mit dielektrischem Material auf der Schicht 632 aufweisen.
  • Ein erstes Ausführungsbeispiel des Blocks 810 kann (z. B. vor dem Bilden der oberen Lage 630) ein Bilden einer Maske (z. B. DFR, nicht gezeigt) über einer Oberfläche einer oberen Lage 640 (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) aufweisen, wobei die Maske (1) erste Öffnungen über der Lage 640 aufweist, in denen der erste Typ von Daten-TX-Signalleitungen 148 der Lage 632 zu bilden sind, und (2) zweite Öffnungen über der Lage 640 aufweist, in denen die horizontal benachbarten ersten geerdeten Isolationsleitungen 564 zu bilden sind. In einigen Fällen können die ersten Öffnungen horizontal offen für und in Kommunikation mit anderen, dritten Öffnungen in der Maske über der Lage 640 sein, in denen Daten-TX-Signalkontakte oder Daten-TX-Signaldurchkontakte gebildet werden. In einigen Fällen können die zweiten Öffnungen horizontal offen für und in Kommunikation mit vierten Öffnungen in der Maske über der Lage 640 sein, in denen Erdungssignalkontakte oder -durchkontakte gebildet werden.
  • Einige dieser Fälle können eine stromlose Beschichtung einer Saatlage des Leitermaterials über die Lage 640 vor dem Bilden der Maskenlage aufweisen. In diesem Fall kann der Block 810 dann ein gleichzeitiges Bilden von Leitermaterial (z. B. Beschichtung der freigesetzten Saatlage der Öffnungen) aufweisen, um die Daten-TX-Signalleitungen 148 und Isolationsleitungen 564 der Lage 632 in den ersten und zweiten Öffnungen (und optional die Daten-TX-Signal- oder -durchkontakte in den dritten Öffnungen; und die Erdungssignalkontakte oder -durchkontakte in den vierten Öffnungen der Lage 632) zu bilden.
  • In einigen dieser Fälle kann ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials ein Bilden dieses Leitermaterials von allen der Daten-TX-Signalleitungen 148 und Isolationsleitungen 564 der Lage 632 (und optional aller der Daten-TX-Signal- oder -durchkontakte; und der Erdungssignalkontakte oder -durchkontakte der Lage 632) während des gleichen Prozesses, der gleichen Ablagerung oder des gleichen Aufwachsens dieses Leitermaterials in den ersten und zweiten (und optional dritten und vierten) Öffnungen aufweisen. In einigen Fällen weist ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials eine elektrolytische Beschichtung von Leitermaterial in den ersten und zweiten (und optional dritten und vierten) Öffnungen (z. B. auf der stromlosen Beschichtung der Saatlage) auf.
  • In einigen Fällen davon wird die Maske (z. B. DFR) nach dem gleichzeitigen Bilden des Leitermaterials entfernt. Dieses Entfernen kann auch ein Entfernen der Saatlage zwischen den Öffnungen aufweisen. Danach kann dielektrisches Material 103b (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) abgelagert werden, wo die Maske entfernt wurde. In einigen Fällen enthält das Bilden der Maske ein Bilden einer Decklage aus Maskenmaterial und Ätzen der Decklage, um die ersten (und optional zweiten) Öffnungen zu bilden.
  • Als Nächstes wird bei Block 820 eine zweite (z. B. mittlere) Verbindungsschicht Ln der Gehäusevorrichtung über oder auf der Schicht Lo (z. B. diese berührend); der Schicht Ln gebildet, mit einem zweiten Typ (z. B. TX oder RX; den entgegengesetzten des ersten Typs, RX bzw. TX) der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial, die zwischen Paaren von horizontal benachbarten zweiten geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Zwischenverbindungsschicht Ln angeordnet sind; wobei der zweite Typ von Übertragungsleitungen der zweiten Schicht Ln horizontal versetzt sind, sodass sie direkt über den ersten geerdeten Isolationsleitungen der ersten Zwischenverbindungsschicht Lo liegen. Block 820 kann auch ein Bilden einer zweiten Schicht Ln enthalten, um nichtleitende Materialabschnitte der Gehäusevorrichtung der zweiten Verbindungsschicht Ln zwischen jedem vom zweiten Typ (z. B. TX oder RX) der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial und jeder der zweiten geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Verbindungsschicht Ln angeordnet aufzuweisen.
  • Block 820 kann auch ein Bilden der zweiten Schicht Ln der Gehäusevorrichtung mit einer nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materiallage der zweiten Schicht aufweisen, die auf (z. B. diese berührend) oder über einer Lage mit dem zweiten Typ (z. B. TX oder RX) der horizontalen Datensignalleitungen der Gehäusevorrichtung, den zweiten geerdeten Isolationsleitungen und den nichtleitenden Materialabschnitten der zweiten Zwischenverbindungsschicht Ln gebildet ist.
  • In einigen Fällen weist Block 820 ein Bilden einer nichtleitenden Materiallage 103a der zweiten (z. B. mittleren) Zwischenverbindungsschicht Ln (z. B. Lage 620) auf (z. B. diese berührend) oder über einer Lage (z. B. Lage 622) mit zweiten horizontalen Datensignalleitungen 138 des RX-Typs, zweiten geerdeten Isolationsleitungen 562 und nichtleitenden Materialabschnitten 103b der zweiten Zwischenverbindungsschicht Ln der Gehäusevorrichtung 550 auf.
  • In einigen Fällen kann der Block 820 nur ein Bilden einer unteren Lage 622 der Schicht Ln mit einem zweiten Typ von Daten-RX-Signalleitungen 138 aufweisen, die horizontal zwischen dielektrischen Materialabschnitten 103b angeordnet sind, die zwischen horizontal benachbarten zweiten geerdeten Isolationsleitungen 562 der zweiten Zwischenverbindungsschicht Ln angeordnet sind; und danach ein Bilden einer oberen Lage 620 aus oder mit dielektrischem Material auf der Schicht 622 aufweisen.
  • Ein erstes Ausführungsbeispiel des Blocks 820 kann (z. B. vor dem Bilden der oberen Lage 620) ein Bilden einer Maske (z. B. DFR, nicht gezeigt) über einer Oberfläche einer oberen Lage 630 (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) aufweisen, wobei die Maske (1) erste Öffnungen über der Lage 630 aufweist, in denen der zweite Typ von Daten-RX-Signalleitungen 138 der Lage 622 zu bilden sind, und (2) zweite Öffnungen über der Lage 630 aufweist, in denen die horizontal benachbarten zweiten geerdeten Isolationsleitungen 562 zu bilden sind. In einigen Fällen können die ersten Öffnungen horizontal offen für und in Kommunikation mit anderen, dritten Öffnungen in der Maske über der Lage 630 sein, in denen Daten-RX-Signalkontakte oder -durchkontakte gebildet werden. In einigen Fällen können die zweiten Öffnungen horizontal offen für und in Kommunikation mit vierten Öffnungen in der Maske über der Lage 630 sein, in denen Erdungssignalkontakte oder - durchkontakte gebildet werden.
  • Einige dieser Fälle können eine stromlose Beschichtung einer Saatlage des Leitermaterials über die Lage 630 vor dem Bilden der Maskenlage aufweisen. In diesem Fall kann der Block 820 dann ein gleichzeitiges Bilden von Leitermaterial (z. B. Beschichtung der freigesetzten Saatlage der Öffnungen) aufweisen, um den zweiten Typ der Daten-TX-Signalleitungen 138 und Isolationsleitungen 562 der Lage 622 in den ersten und zweiten Öffnungen (und optional die Daten-TX-Signal- oder -durchkontakte in den dritten Öffnungen; und die Erdungssignalkontakte oder -durchkontakte in den vierten Öffnungen der Lage 622) zu bilden.
  • In einigen dieser Fälle kann ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials ein Bilden dieses Leitermaterials von allen der Daten-RX-Signalleitungen 138 des zweiten Typs und Isolationsleitungen 562 der Lage 622 (und optional aller der Daten-RX-Signal- oder - durchkontakte; und der Erdungssignalkontakte oder -durchkontakte der Lage 622) während des gleichen Prozesses, der gleichen Ablagerung oder des gleichen Aufwachsens dieses Leitermaterials in den ersten und zweiten (und optional dritten und vierten) Öffnungen aufweisen. In einigen Fällen weist ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials eine elektrolytische Beschichtung von Leitermaterial in den ersten und zweiten (und optional dritten und vierten) Öffnungen (z. B. auf der stromlosen Beschichtung der Saatlage) auf.
  • In einigen Fällen davon wird die Maske (z. B. DFR) nach dem gleichzeitigen Bilden des Leitermaterials entfernt. Dieses Entfernen kann auch ein Entfernen der Saatlage zwischen den Öffnungen aufweisen. Danach kann dielektrisches Material 103b (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) abgelagert werden, wo die Maske entfernt wurde. In einigen Fällen enthält das Bilden der Maske ein Bilden einer Decklage aus Maskenmaterial und Ätzen der Decklage, um die ersten (und optional zweiten) Öffnungen zu bilden.
  • Als Nächstes wird bei Block 830 eine dritte (z. B. obere) Zwischenverbindungsschicht Lm der Gehäusevorrichtung über oder auf der Schicht Ln (z. B. diese berührend); der Schicht Lm gebildet, mit dem zweiten Typ (z. B. TX oder RX) der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial, die zwischen Paaren von horizontal benachbarten dritten geerdeten Isolationsleitungen der dritten Zwischenverbindungsschicht Lm angeordnet sind; wobei der zweite Typ von Übertragungsleitungen der dritten Schicht Ln horizontal versetzt sind, sodass sie direkt über den zweiten geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Zwischenverbindungsschicht Ln liegen; und wobei die erste, zweite und dritte geerdete Isolationsleitung (z. B. der unteren, mittleren und oberen Schicht) jede der Datensignalübertragungsleitungen des zweiten Typs der zweiten (z. B. mittleren) Schicht Ln koaxial umgeben. Block 830 kann auch ein Bilden einer dritten Schicht Lm enthalten, um nichtleitende Materialabschnitte der Gehäusevorrichtung der dritten Zwischenverbindungsschicht Lm zwischen jedem vom zweiten Typ (z. B. TX oder RX) der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial und jeder der dritten geerdeten Isolationsleitungen der dritten Zwischenverbindungsschicht Lm angeordnet aufzuweisen.
  • Block 830 kann auch ein Bilden der dritten Schicht Lm der Gehäusevorrichtung mit einer nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materiallage der dritten Schicht aufweisen, die auf (z. B. diese berührend) oder über einer Lage mit dem zweiten Typ (z. B. TX oder RX) der horizontalen Datensignalleitungen der Gehäusevorrichtung, den dritten geerdeten Isolationsleitungen und den nichtleitenden Materialabschnitten der dritten Zwischenverbindungsschicht Lm gebildet ist.
  • In einigen Fällen weist Block 830 ein Bilden einer nichtleitenden Materiallage 103a der dritten (z. B. oberen) Zwischenverbindungsschicht Lm (z. B. Lage 610) auf (z. B. diese berührend) oder über einer Lage (z. B. Lage 612) mit zweiten horizontalen Datensignalleitungen 138 des RX-Typs, dritten geerdeten Isolationsleitungen 560 und nichtleitenden Materialabschnitten 103b der dritten Zwischenverbindungsschicht Lm der Gehäusevorrichtung 550 auf.
  • In einigen Fällen kann der Block 830 nur ein Bilden einer unteren Lage 612 der Schicht Lm mit einem zweiten Typ von Daten-RX-Signalleitungen 138 aufweisen, die horizontal zwischen dielektrischen Materialabschnitten 103b angeordnet sind, die zwischen horizontal benachbarten dritten geerdeten Isolationsleitungen 560 der dritten Zwischenverbindungsschicht Lm angeordnet sind; und danach ein Bilden einer oberen Lage 610 aus oder mit dielektrischem Material auf der Schicht 612 aufweisen.
  • Ein erstes Ausführungsbeispiel des Blocks 830 kann (z. B. vor dem Bilden der oberen Lage 610) ein Bilden einer Maske (z. B. DFR, nicht gezeigt) über einer Oberfläche einer oberen Lage 620 (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) aufweisen, wobei die Maske (1) erste Öffnungen über der Lage 620 aufweist, in denen der zweite Typ von Daten-RX-Signalleitungen 138 der Lage 612 zu bilden sind, und (2) zweite Öffnungen über der Lage 620 aufweist, in denen die horizontal benachbarten dritten geerdeten Isolationsleitungen 560 zu bilden sind.
  • In einigen Fällen können die ersten Öffnungen horizontal offen für und in Kommunikation mit anderen, dritten Öffnungen in der Maske über der Lage 620 sein, in denen Daten-RX-Signalkontakte oder -durchkontakte gebildet werden. In einigen Fällen können die zweiten Öffnungen horizontal offen für und in Kommunikation mit vierten Öffnungen in der Maske über der Lage 620 sein, in denen Erdungssignalkontakte oder -durchkontakte gebildet werden.
  • Einige dieser Fälle können eine stromlose Beschichtung einer Saatlage des Leitermaterials über die Lage 620 vor dem Bilden der Maskenlage aufweisen. In diesem Fall kann der Block 830 dann ein gleichzeitiges Bilden von Leitermaterial (z. B. Beschichtung der freigesetzten Saatlage der Öffnungen) aufweisen, um den zweiten Typ der Daten-TX-Signalleitungen 138 und Isolationsleitungen 560 der Lage 612 in den ersten und zweiten Öffnungen (und optional die Daten-TX-Signal- oder -durchkontakte in den dritten Öffnungen; und die Erdungssignalkontakte oder -durchkontakte in den vierten Öffnungen der Lage 612) zu bilden.
  • In einigen dieser Fälle kann ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials ein Bilden dieses Leitermaterials von allen der Daten-RX-Signalleitungen 138 des zweiten Typs und Isolationsleitungen 560 der Lage 612 (und optional aller der Daten-RX-Signal- oder - durchkontakte; und der Erdungssignalkontakte oder -durchkontakte der Lage 612) während des gleichen Prozesses, der gleichen Ablagerung oder des gleichen Aufwachsens dieses Leitermaterials in den ersten und zweiten (und optional dritten und vierten) Öffnungen aufweisen. In einigen Fällen weist ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials eine elektrolytische Beschichtung von Leitermaterial in den ersten und zweiten (und optional dritten und vierten) Öffnungen (z. B. auf der stromlosen Beschichtung der Saatlage) auf.
  • In einigen Fällen davon wird die Maske (z. B. DFR) nach dem gleichzeitigen Bilden des Leitermaterials entfernt. Dieses Entfernen kann auch ein Entfernen der Saatlage zwischen den Öffnungen aufweisen. Danach kann dielektrisches Material 103b (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) abgelagert werden, wo die Maske entfernt wurde. In einigen Fällen weist das Bilden der Maske ein Bilden einer Decklage aus Maskenmaterial und Ätzen der Decklage auf, um die ersten (und optional zweiten) Öffnungen zu bilden.
  • Als Nächstes kann der Prozess 800 beim Zurück-Pfeil 840 fortfahren, indem er zu einer zweiten Durchführung des optionalen Blocks 810 zurückkehrt, wobei eine andere „erste“ (z. B. untere) Zwischenverbindungsschicht einer Gehäusevorrichtung gebildet wird, die einen ersten Typ (z. B. RX oder TX) von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial aufweist. Danach kann der Prozess 800 mit einer zweiten Durchführung des Blocks 820 und einer zweiten Durchführung des optionalen Blocks 830 fortfahren. Der Prozess 800 kann auf diese Weise fortfahren, bis eine vorbestimmte oder ausreichende Anzahl an Schichten oder Rückkehrprozesse abgeschlossen ist, um eine gewünschte Gehäusevorrichtung 550 zu bilden. In einigen Fällen kann dies 3 bis 10 Mal wiederholt werden. In einigen Fällen wird der Block 810 einmal wiederholt, um eine der Schicht Lq ähnliche Schicht zu bilden, die jedoch auf der Schicht Lm gebildet ist.
  • Als Nächstes kann der Block 810 in einem ersten beispielhaften Fall des Prozesses 800 nur ein Bilden der Lage 632 wie hierin beschrieben aufweisen; der Block 820 kann nur ein Bilden der Lage 622 wie hierin beschrieben aufweisen; und der Block 830 kann nur ein Bilden der Lage 612 wie hierin beschrieben aufweisen. In einem zweiten beispielhaften Fall kann der Block 810 ein Bilden der Schichten 630 und 632 wie hierin beschrieben aufweisen; der Block 820 kann ein Bilden der Schichten 620 und 622 wie hierin beschrieben aufweisen; und der Block 830 kann ein Bilden der Schichten 610 und 612 wie hierin beschrieben aufweisen.
  • Es ist erkennbar, obwohl 5-8 Ausführungen für Schicht Lm mit RX-Signalleitungen, Schicht Ln mit RX-Signalleitungen, Schicht Lo mit TX-Signalleitungen und Schicht Lq mit TX-Signalleitungen zeigen und die entsprechenden Beschreibungen dies beschreiben, dass die Figuren und Beschreibungen auch für Ausführungsformen gelten, bei denen es nur eine Schicht von vertikal benachbarten RX- und TX-Signalen gibt (beispielsweise ist Schicht Ln TX und Schicht Lo RX-Signale), wobei jede Schicht geerdete Isolationsleitungen und einen Offset wie hierin angemerkt aufweist. In einigen Ausführungsformen kann es drei Schichten von vertikal benachbarten RX- und TX-Signalen geben, wobei jede Schicht geerdete Isolationsleitungen und -offsets wie hierin angemerkt aufweist.
  • Beispielsweise kann eine Ausführungsform eines dem Prozess 800 von 8 ähnlichen Prozesses kein Durchführen des Blocks 830 vor Fortfahren mit Block 840 und Block 810 enthalten, wodurch eine erste (z. B. untere) Zwischenverbindungsschicht Lo einer Gehäusevorrichtung gebildet wird, die eine Lage des ersten Typs (z. B. RX oder TX) von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen (z. B. einen ersten Typ von Datensignalleitungen oder Spuren, wie RX- oder TX-Datensignalleitungen, die zwischen ersten Isolationsleitungen der Gehäusevorrichtung angeordnet sind) der ersten Zwischenverbindungsschicht Lo aufweist. Danach ein Durchführen von Block 820, um die zweite (z. B. mittlere) Zwischenverbindungsschicht Ln einer Gehäusevorrichtung gebildet wird, die eine Lage des zweiten Typs (z. B. TX oder RX; des entgegengesetzten des ersten Typs RX bzw. TX) von horizontalen Gehäusevorrichtungs-Datensignalübertragungsleitungen (z. B. einen ersten Typ von Datensignalleitungen oder Spuren, wie beispielsweise TX- oder RX-Datensignalleitungen, die zwischen zweiten Gehäusevorrichtungs-Isolationsleitungen angeordnet sind) der zweiten Zwischenverbindungsschicht Ln aufweist. Danach ein Rückkehren, um Block 810 und Block 820 nochmals auszuführen.
  • Es ist ersichtlich, obwohl 4-8 Ausführungen für Schicht Lm mit RX-Signalleitungen, Schicht Ln mit RX-Signalleitungen, Schicht Lo mit TX-Signalleitungen und Schicht Lq mit TX-Signalleitungen zeigen und die entsprechenden Beschreibungen dies beschreiben, dass die Figuren und Beschreibungen auch für Ausführungsformen gelten, bei denen Schicht Lm TX-Signalleitungen aufweist, Schicht Ln TX-Signalleitungen aufweist, Schicht Lo RX-Signalleitungen aufweist und Schicht Lq RX-Signalleitungen aufweist.
  • Es ist ersichtlich, obwohl die 4-8 Ausführungsformen für Schichten mit RX-Signalleitungen und TX-Signalleitungen zeigen und die entsprechenden Beschreibungen derartige Ausführungsformen beschreiben, die Figuren und Beschreibungen auch für Ausführungsformen gelten, bei denen andere Arten von Informationen, Takt-, Zeitgebungs-, Wechselstrom(AC)- oder Datensignale auf diesen Signalleitungen sein können.
  • In einigen Fällen weist eine Gehäusevorrichtung mit einer geerdeten isolierten Datensignalübertragungsleitung (1) geerdete Isolationsleitungen, die horizontale Datensignalempfangs- und -sendelagen oder -schichten (z. B. Zwischenverbindungsschichten) trennen (siehe z. B. die Vorrichtung 150 der 1-4), und (2) geerdete Isolationsleitungen, die vertikal und horizontal benachbarte horizontale Datensignalempfangs(RX)- und -sende(TX)-Signalleitungen „koaxial“ umgeben, die durch die Gehäusevorrichtung geleitet sind (siehe z. B. die Vorrichtung 550 der 5-8). Die horizontalen geerdeten Isolationsebenen, die sich vertikal zwischen den horizontalen Datensignal-Empfangs- und Sendelagen oder Schichten (z. B. Zwischenverbindungsschichten) befinden, können die Einstreuung zwischen vertikal benachbarten Schichten (z. B. zwischen TX-Signalleitungen und RX-Signalleitungen in Schichten über- und untereinander) reduzieren, wie für die Vorrichtung 150 der 1-4 beschrieben. Die geerdeten Isolationsleitungen, die die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen horizontal, vertikal oder koaxial umgeben, können eine Einstreuung zwischen horizontal und vertikal benachbarten der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen reduzieren und eine Isolation dieser erhöhen, wie beispielsweise für Vorrichtung 550 der 5-8 beschrieben.
  • In einigen Fällen reduzieren die horizontalen geerdeten Isolationsebenen in Kombination mit den Isolationsleitungen Einstreuung zwischen vertikal benachbarten Schichten (z. B. zwischen TX-Signalleitungen und RX-Signalleitungen in Schichten über- und untereinander) und verringern Einstreuung zwischen den horizontalen Datensignalübertragungsleitungen, die einander horizontal benachbart sind (z. B. in einer einzigen vertikalen Schicht oder Lage der Gehäusevorrichtung). Diese Ausführungsform einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten Übertragungsleitungen kann als eine Gehäusevorrichtung mit einer durch kombinierte horizontale geerdete Isolationsebenen und geerdeten koaxialen Isolationsleitungen getrennten Datensignalleitung beschrieben werden (siehe z. B. Vorrichtung 950).
  • 9 ist eine schematische Querschnitts-Seiten- und Längsansicht eines Rechensystems, das Gehäusevorrichtungen mit einer durch kombinierte horizontale geerdete Isolationsebenen und geerdeten koaxialen Isolationsleitungen getrennten Datensignalleitung enthält. 9 zeigt eine schematische Querschnitts-Seitenansicht eines Rechensystems 900, das Gehäusevorrichtungen mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen, wie einen Verteiler 904, einen Interposer 906 und ein Gehäuse 910 enthält. In einigen Fällen weist das System 900 den CPU-Chip 102 auf dem Verteiler 904 montiert auf, der an einer ersten Position 107 auf dem Interposer 906 montiert ist. Sie zeigt auch den Chip 108, der an einer ersten Position 101 auf dem Gehäuse 910 montiert ist; und den Chip 109, der an einer zweiten Position 111 auf dem Gehäuse 910 montiert ist. Das Gehäuse 910 ist an einer zweiten Position 113 auf dem Interposer 906 montiert. Eine Unterseite des Chips 102 ist beispielsweise unter Verwendung von Lötperlen einer Kugelgitteranordnung (BGA) 112 auf einer Oberseite 105 des Verteilers 904 montiert. Eine Unterseite des Verteilers 904 ist an einer ersten Position 107 unter Verwendung von Lötperlen oder BGA 114 auf einer Oberseite 105 des Interposers 906 montiert. Außerdem ist eine Unterseite des Chips 108 unter Verwendung von Lötperlen oder BGA 118 an einer ersten Position 101 auf einer Oberseite 103 des Gehäuses 910 montiert. Eine Unterseite des Chips 109 ist an einer Position 111 unter Verwendung von Lötperlen oder BGA 119 auf einer Oberfläche 103 des Gehäuses 910 montiert. Eine Unterseite des Gehäuses 910 ist an einer zweiten Position 113 unter Verwendung von Lötperlen oder BGA 116 auf einer Oberfläche 105 des Interposers 906 montiert.
  • In einigen Fällen ist der einzige Unterschied zwischen dem System 900 und 100 der Unterschied zwischen dem Verteiler 904 und 104; dem Interposer 906 und 106; und dem Gehäuse 910 und 110. In einigen Fällen ist der einzige Unterschied zwischen dem Verteiler 904 und 104; dem Interposer 906 und 106; und dem Gehäuse 910 und 110, dass der Verteiler 904, der Interposer 906 und das Gehäuse 910 eine Gehäusevorrichtung mit einer durch kombinierte horizontale geerdete Isolationsebenen und geerdete „koaxiale“ Isolationsleitungen getrennten Datensignalleitung 950 anstatt der Gehäusevorrichtung mit durch eine geerdete Isolationsebene getrennten Datensignalen 150 sind oder diese aufweisen. Anders ausgedrückt ist in einigen Fällen der einzige Unterschied zwischen dem Verteiler 904 und 104; dem Interposer 906 und 106; und dem Gehäuse 910 und 110, dass die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 122, 126, 130 und 135 eine Gehäusevorrichtung mit durch eine geerdete „koaxiale“ Isolationsleitung getrennten Datensignalen 950 anstatt der Gehäusevorrichtung mit durch eine geerdete Isolationsebene getrennten Datensignalen 150 sind oder diese aufweisen.
  • 9 zeigt auch vertikale Datensignalübertragungsleitungen 120, die in einem Chip 102 ausgehen und vertikal nach unten durch die Lötperlen 112 und in die vertikalen Schichten des Verteilers 904 verlaufen, beispielsweise nach unten in die Schichten Lm-Lq des Verteilers 904 an einer ersten horizontalen Position 121.
  • 9 zeigt auch horizontale Verteiler-Datensignalübertragungsleitungen 122, die von einer ersten horizontalen Position 121 in den Schichten Lm-Lq des Verteilers 904 ausgehen und horizontal durch die Schichten Lm-Lq entlang einer Länge L1 der Schichten Lm-Lq zu einer zweiten horizontalen Position 123 in den Schichten Lm-Lq des Verteilers 904 verlaufen.
  • Als Nächstes zeigt 9 vertikale Datensignalübertragungsleitungen 124, die im Verteiler 904 ausgehen und vertikal nach unten durch die Lötperlen 114 und in die vertikalen Schichten des Interposers 906 verlaufen, beispielsweise nach unten in die Schichten Lm-Lq des Interposers 906 an einer ersten horizontalen Position 125.
  • 9 zeigt auch horizontale Interposer-Datensignalübertragungsleitungen 126, die von einer ersten horizontalen Position 125 in den Schichten Lm-Lq des Interposers 906 ausgehen und horizontal durch die Schichten Lm-Lq entlang einer Länge L2 der Schichten Lm-Lq zu einer zweiten horizontalen Position 127 in den Schichten Lm-Lq des Interposers 906 verlaufen.
  • Als Nächstes zeigt 9 vertikale Datensignalübertragungsleitungen 128, die vom Interposer 906 ausgehen, beispielsweise in den Schichten Lm-Lq an einer zweiten horizontalen Position 127 des Interposers 906 ausgehen und an einer ersten horizontalen Position 129 des Gehäuses 910 vertikal nach oben in die Schichten Lm-Lq des Gehäuses 910 verlaufen.
  • 9 zeigt auch horizontale Gehäusevorrichtungs-Datensignalübertragungsleitungen 130, die von einer ersten horizontalen Position 125 in den Schichten Lm-Lq des Gehäuses 910 ausgehen und horizontal durch die Schichten Lm-Lq entlang einer Länge L3 der Schichten Lm-Lq zu einer zweiten horizontalen Position 131 in den Schichten Lm-Lq des Gehäuses 910 verlaufen.
  • Als Nächstes zeigt 9 vertikale Datensignalübertragungsleitungen 132, die vom Gehäuse 910 ausgehen, beispielsweise in den Schichten Lm-Lq an einer zweiten horizontalen Position 131 des Gehäuses 910 ausgehen und nach oben zu einer Unterseite des Chips 108 verlaufen und dort enden.
  • 9 zeigt auch vertikale Datensignalübertragungsleitungen 133, die vom Chip 108 ausgehen und an einer ersten horizontalen Position 134 des Gehäuses 910 vertikal nach unten zu den Schichten Lm-Lq des Gehäuses 910 verlaufen.
  • 9 zeigt auch horizontale Gehäusevorrichtungs-Datensignalübertragungsleitungen 135, die von einer dritten horizontalen Position 134 in den Schichten Lm-Lq des Gehäuses 910 ausgehen und horizontal durch die Schichten Lm-Lq entlang einer Länge L4 der Schichten Lm-Lq zu einer zweiten horizontalen Position 136 in den Schichten Lm-Lq des Gehäuses 910 verlaufen.
  • Als Nächstes zeigt 9 vertikale Datensignalübertragungsleitungen 137, die vom Gehäuse 110 ausgehen, beispielsweise in den Schichten Lm-Lq an einer vierten horizontalen Position 136 des Gehäuses 910 ausgehen, und nach oben zu einer Unterseite des Chips 109 verlaufen und dort enden. In einigen Fällen sind oder weisen die Datensignalübertragungssignale der Leitungen 120, 122, 124, 126, 128, 130, 132, 133, 135 und/oder 137 Datensignalübertragungssignale an einen IC-Chip (z. B. den Chip 102, 108 oder 109), den Verteiler 904, den Interposer 906, den Gehäuse 910 oder eine andere daran angebrachte Vorrichtung auf, wie beispielsweise für 1 beschrieben.
  • In einigen Fällen weisen die Leitungen 120, 122 und 124 auch Leistungs- und Erdungssignalleitungen oder -spuren auf, wie für 1 beschrieben (nicht gezeigt), die ebenfalls innerhalb der Schichten Lm-Lq oder anderen Schichten des Verteilers 904 horizontal von der Position 121 zur Position 123 verlaufen.
  • In einigen Fällen weisen die Leitungen 124, 126 und 128 auch Leistungs- und Erdungssignalleitungen oder -spuren auf, wie für 1 beschrieben (nicht gezeigt), die ebenfalls innerhalb der Schichten Lm-Lq oder anderer Schichten des Verteilers 906 horizontal von der Position 125 zur Position 127 verlaufen. In einigen Fällen gehen die Leistungs- und Erdungssignale, die an den Leistungs- und Erdungssignalleitungen der Leitungen 120, 122, 124 und 126 gesendet und empfangen werden (oder dort existieren), vom Verteiler 904 oder vom Interposer 906 oder einer anderen daran angebrachten Vorrichtung aus oder werden von diesem bzw. dieser bereitgestellt, wie für 1 beschrieben.
  • In einigen Fällen weisen die Leitungen 128, 130 und 132 auch Leistungs- und Erdungssignalleitungen oder -spuren auf, wie für 1 beschrieben (nicht gezeigt), die ebenfalls innerhalb der Schichten Lm-Lq oder anderer Schichten des Gehäuses 904 horizontal von der Position 129 zur Position 131 verlaufen. In einigen Fällen gehen die Leistungs- und Erdungssignale, die an den Leistungs- und Erdungssignalleitungen der Leitungen 128, 130 und 132 gesendet und empfangen werden (oder dort existieren), vom Gehäuse 910 oder vom Interposer 906 oder einer anderen daran angebrachten Vorrichtung aus oder werden von diesem bzw. dieser bereitgestellt, wie für 1 beschrieben.
  • In einigen Fällen weisen die Leitungen 133, 135 und 137 auch Leistungs- und Erdungssignalleitungen oder -spuren auf, wie für 1 beschrieben (nicht gezeigt), die ebenfalls innerhalb der Schichten Lm-Lq oder anderer Schichten des Gehäuses 904 horizontal von der Position 134 zur Position 136 verlaufen. In einigen Fällen gehen die Leistungs- und Erdungssignale, die an den Leistungs- und Erdungssignalleitungen der Leitungen 133, 135 und 137 gesendet und empfangen werden (oder dort existieren), vom Gehäuse 910 oder vom Interposer 906 oder einer anderen daran angebrachten Vorrichtung aus oder werden von diesem bzw. dieser bereitgestellt, wie für 1 beschrieben.
  • 9 zeigt auch eine schematische Querschnitts-Längsansicht einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen. In diesem Fall ist die Gehäusevorrichtung eine Gehäusevorrichtung mit durch kombinierte horizontale geerdete Isolationsebenen und geerdete koaxiale Isolationsleitungen getrennte Datensignalleitungen 950 (z. B. anstatt der Gehäusevorrichtung 150 der 1-4 und der Gehäusevorrichtung 550 der 5-8, aber diese kombinierend). Die Vorrichtung 950 kann eine „Gehäusevorrichtung“ sein, die einen beliebigen des Verteilers 904, des Interposers 906 oder des Gehäuses 910 darstellt. Es ist ersichtlich, dass die Vorrichtung 950 eine andere Gehäusevorrichtung mit horizontalen Datenübertragungsleitungen darstellen kann. In einigen Fällen repräsentiert die Gehäusevorrichtung 950 die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 122 des Verteilers 904 durch die Perspektive A - A'; die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 126 des Interposers 906 durch die Perspektive B - B'; die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 130 des Gehäuses 910 durch die Perspektive C - C'; oder die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 135 des Gehäuses 910 durch die Perspektive D - D', wie für die Gehäusevorrichtung 150 und den Verteiler 104, den Interposer 106 oder das Gehäuse 110 beschrieben.
  • 10A ist eine schematische explodierte Querschnittslängsansicht einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen von 9, die kombinierte horizontale geerdete Isolationsebenen und geerdete koaxiale Isolationsleitungen zeigt, die horizontale Datensignal-Empfangs- und Übertragungsleitungen trennen. 10A zeigt eine schematische explodierte Querschnittslängsansicht der durch kombinierte horizontale geerdete Isolationsebenen und geerdete koaxiale Isolationsleitungen getrennte Datensignalleitungsvorrichtung 950, wie einer „Gehäusevorrichtung“, die einen beliebigen des Verteilers 904 (z. B. eine Ansicht durch Perspektive A - A'), des Interposers 906 (z. B. eine Ansicht durch Perspektive B - B') oder des Gehäuses 910 (z. B. eine Ansicht durch Perspektive C - C' oder D - D") repräsentiert. Die Gehäusevorrichtung 950 wird als eine Zwischenverbindungsschicht Lm aufweisend gezeigt, die über oder auf der Schicht Ln (d. h. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf der Schicht Lx gebildet ist, die über oder auf der Schicht Lo (d. h. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf der Schicht Lq (d. h. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf der Schicht Ly (d. h. diese berührend) gebildet ist. Sie zeigt auch die Lage 205, die auf der Lage 610 (d. h. diese berührend) gebildet ist, die auf der Lage 612 gebildet ist, die auf der Lage 620 gebildet ist, die auf der Lage 622 gebildet ist, die auf der Lage 915 gebildet ist, die auf der Lage 216 gebildet ist, die auf der Lage 630 gebildet ist, die auf der Lage 632 gebildet ist, die auf der Lage 640 gebildet ist, die auf der Lage 642 gebildet ist, die auf der Lage 920 gebildet ist, die auf der Lage 226 gebildet ist.
  • 10B ist eine schematische explodierte Querschnittslängsansicht einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der 9 und 10A, die geerdete Isolationsebenen zeigt, die vertikal benachbarte Schichten von horizontalen Datensignal-Empfangs- und Übertragungsleitungen trennen; und geerdete Isolations-„Koaxialleitungen“, die vertikal benachbarte und horizontal benachbarte horizontale Datensignalempfangs- und Übertragungsleitungen trennen. 10B zeigt eine schematische explodierte Querschnitts-Seitenansicht der Gehäusevorrichtung mit durch kombinierte horizontale geerdete Isolationsebenen und geerdete koaxiale Isolationsleitungen getrenntem Datensignal 950 der 9 und 10A, wie eine „Gehäusevorrichtung“, die einen bzw. ein beliebiges vom Verteiler 904 (z. B. entlang der Länge L1), Interposer 906 (z. B. entlang der Länge L2) oder des Gehäuses 910 (z. B. entlang der Länge L3 und/oder L4) repräsentiert. Die Gehäusevorrichtung 950 wird als Zwischenverbindungsschichten Lm, Ln, Lo, Lq und Ly aufweisend gezeigt (siehe z. B. 10A).
  • Genauer zeigt 10B die Gehäusevorrichtung 950 als die Schichten Lm, Ln, Lo, Lq und Ly und die Lagen 205, 610, 612, 620, 622, 910, 216, 630, 632, 640, 642, 920 und 226 entlang der Länge Lp aufweisend. Die Länge Lp kann beliebige der Längen L1, L2, L3 oder L4 repräsentieren. In einigen Fällen können die Schichten Lm-Lz und die Lagen 205-226 in 10B das Gleiche wie in den obigen Beschreibungen für die Schichten Lm-Lz und die Lagen 205-226 in den 9 bzw. 10A aufweisen (z. B: zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein (z. B. innerhalb der Länge Lp).
  • 10B zeigt die Lage 612, die Leitungen 138, Leitungen 560 und Abschnitte 103b aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein kann (z. B. innerhalb der Länge Lp). Die Lage 612 wird zum Beispiel als „138/560/103b“ aufweisend gezeigt, was darstellen kann, dass die Leitungen 138, Leitungen 560 und/oder Abschnitte 103b entlang der Länge Lp verlaufen. 10B zeigt die Lage 622, die Leitungen 138, Leitungen 562 und Abschnitte 103b aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein kann (z. B. innerhalb der Länge Lp). 10B zeigt die Lage 632, die Leitungen 148, Leitungen 564 und Abschnitte 103b aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein kann (z. B. innerhalb der Länge Lp). 10B zeigt die Lage 642, die Leitungen 148, Leitungen 566 und Abschnitte 103b aufweisen (z. B. zusammen mit anderen Materialien, die über die Kante der Länge Lp hinausreichen) oder sein kann (z. B. innerhalb der Länge Lp). In einigen Fällen sind die geerdeten Isolationsebenen 160, 162 und 164; und geerdeten Isolationsleitungen 560, 562, 564 oder 566 jeweils elektronisch an Erdungskontakte oder eine andere Verschaltung der Vorrichtung 950, die ein Erdungssignal bereitstellt, gekoppelt (z. B. diese berührend, mit diesen gebildet oder direkt an diesen befestigt), wie Erdungskontakte, die jeweils in der gleichen Lage wie jede Erdungsebene oder -leitung angeordnet sind.
  • Genauer zeigen die 10A-B die Gehäusevorrichtung 950 mit einer Schicht 205, die die geerdete Isolationsebene der Gehäusevorrichtung aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) 160, die die Oberschicht 610 aus dielektrischem Material der Gehäusevorrichtung (und die horizontalen Datensignalempfangsübertragungsleitungen 138 der Gehäusevorrichtung (z. B. die Datensignal-RX 138)) von Schicht Lm von nichtleitendem Gehäusevorrichtungsmaterial (und vertikal benachbarten horizontalen Datensignalsendeübertragungsleitungen (z. B. Datensignal-TX- oder RX-Leitungen) einer Schicht oder Lage der Gehäusevorrichtung über der Ebene 160 trennt, aufweist (z. B. zusammen mit anderen Materialien die über die Kante der Breite W3 hinausgehen) oder ist (z. B. innerhalb der Breite W3). Die Ebene 160 kann die gleiche wie die für die 1-4 beschriebene sein, mit der Ausnahme, dass sie auf der Schicht Lm gebildet ist, wobei die Schicht Lm wie für die 5-8 beschrieben ist, und kann wie für das System angemessen 900 verbunden sein.
  • Die Ebene 160 kann physisch direkt mit geerdeten Kontakten oder über Kontakte in der gleichen Lage 205 wie die Ebene 160 verbunden sein, elektrisch an oder über derartige Kontakte gekoppelt sein oder direkt an oder über derartige Kontakte angebracht sein. In einigen Fällen ist oder weist die Ebene 160 Erdungssignale vom Verteiler 904, Interposer 906, Gehäuse 910 oder von einer anderen daran angebrachten Vorrichtung, oder Erdungssignale auf, die von diesen ausgehen, bereitgestellt oder erzeugt werden, wie für den Verteiler 104, den Interposer 106, das Gehäuse 110 oder eine andere Vorrichtung bei den 1-4 beschrieben. Dieses Signal kann einen Spannungspegel wie bei den 1-4 beschrieben aufweisen.
  • Als Nächstes zeigen die 10A-B eine Gehäusevorrichtung 950 als eine Schicht Lm mit einer oberen Lage 610 aufweisend, die über oder auf einer unteren Lage 612 (z. B. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf einer oberen Lage 620 der Schicht Ln gebildet ist. Die Schicht Lm, die obere Lage 610 und die untere Lage 612 können die gleiche wie für die 5-8 beschrieben sein, mit der Ausnahme, dass die Lage 205 auf der Lage 610 gebildet ist und die Leitungen 560 wie für das System 900 angemessen verbunden sein können.
  • In einigen Fällen können die Leitungen 560 der Schicht 612 physisch direkt mit geerdeten Kontakten oder über Kontakte in der gleichen Lage 612 oder Schicht Lm wie die Leitungen 560 verbunden sein, elektrisch an oder über derartige Kontakte gekoppelt sein oder direkt an oder über derartige Kontakte angebracht sein. In einigen Fällen sind oder enthalten die Erdungsleitungen 560 Erdungssignale vom Verteiler 904, Interposer 906, Gehäuse 910 oder von einer anderen daran angebrachten Vorrichtung, oder Erdungssignale, die von diesen ausgehen, bereitgestellt oder erzeugt werden, wie für den Verteiler 104, den Interposer 106, das Gehäuse 110 oder eine andere Vorrichtung bei den 5-8 beschrieben. Dieses Signal kann einen Spannungspegel wie bei den 5-8 beschrieben aufweisen.
  • Als Nächstes zeigen die 10A-B eine Gehäusevorrichtung 950 als eine Schicht Ln mit einer oberen Lage 620 aufweisend, die über oder auf einer unteren Lage 622 (z. B. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf einer oberen Lage 915 der Schicht Lx gebildet ist. Die Schicht Ln, die obere Lage 620 und die untere Lage 622 können die gleiche wie für die 5-8 beschrieben sein, mit der Ausnahme, dass die Lage 622 auf der Lage 915 gebildet ist und die Leitungen 562 wie für das System 900 angemessen verbunden sein können.
  • In einigen Fällen können die Leitungen 562 der Schicht 622 physisch direkt mit geerdeten Kontakten oder über Kontakte in der gleichen Lage 622 oder Schicht Ln wie die Leitungen 562 verbunden sein, elektrisch an oder über derartige Kontakte gekoppelt sein oder direkt an oder über derartige Kontakte angebracht sein. In einigen Fällen sind oder enthalten die Erdungsleitungen 562 Erdungssignale vom Verteiler 904, Interposer 906, Gehäuse 910 oder von einer anderen daran angebrachten Vorrichtung, oder Erdungssignale, die von diesen ausgehen, bereitgestellt oder erzeugt werden, wie für den Verteiler 104, den Interposer 106, das Gehäuse 110 oder eine andere Vorrichtung bei den 5-8 beschrieben. Dieses Signal kann einen Spannungspegel wie bei den 5-8 beschrieben aufweisen.
  • Als Nächstes zeigen die 10A-B eine Gehäusevorrichtung 950 als eine Schicht Lx mit einer oberen Lage 915 aufweisend, die über oder auf einer unteren Lage 216 (z. B. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf einer oberen Lage 630 der Schicht Lo gebildet ist. Die obere Lage 915 kann die gleiche wie die für die 5-8 beschriebene Lage 610 sein, mit der Ausnahme, dass sie auf der Lage 216 gebildet ist und vertikal neben und zwischen den Lagen 622 und 216 angeordnet ist. Die untere Lage 216 kann die geerdete Isolationsebene 162 enthalten oder diese sein, wie für die 1-4 beschrieben. Die Ebene 162 kann die gleiche wie die für die 1-4 beschriebene sein, mit der Ausnahme, dass sie auf der Schicht Lo gebildet ist, wobei die Schicht Lo wie für die 5-8 beschrieben ist, und kann wie für das System angemessen 900 verbunden sein.
  • Die Ebene 162 kann physisch direkt mit geerdeten Kontakten oder über Kontakte in der gleichen Lage 216 wie die Ebene 162 verbunden sein, elektrisch an oder über derartige Kontakte gekoppelt sein oder direkt an oder über derartige Kontakte angebracht sein. In einigen Fällen ist oder enthält die Ebene 162 Erdungssignale vom Verteiler 904, Interposer 906, Gehäuse 910 oder von einer anderen daran angebrachten Vorrichtung, oder Erdungssignale, die von diesen ausgehen, bereitgestellt oder erzeugt werden, wie für den Verteiler 104, den Interposer 106, das Gehäuse 110 oder eine andere Vorrichtung bei den 1-4 beschrieben. Dieses Signal kann einen Spannungspegel wie bei den 1-4 beschrieben aufweisen.
  • Als Nächstes zeigen die 10A-B eine Gehäusevorrichtung 950 als eine Schicht Lo mit einer oberen Lage 630 aufweisend, die über oder auf einer unteren Lage 632 (z. B. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf einer oberen Lage 640 der Schicht Lq gebildet ist. Die Schicht Lo, die obere Lage 630 und die untere Lage 632 können die gleiche wie für die 5-8 beschrieben sein, mit der Ausnahme, dass die Lage 216 auf der Lage 630 gebildet ist und die Leitungen 564 wie für das System 900 angemessen verbunden sein können.
  • In einigen Fällen können die Leitungen 564 der Schicht 632 physisch direkt mit geerdeten Kontakten oder über Kontakte in der gleichen Lage 632 oder Schicht Lm wie die Leitungen 564 verbunden sein, elektrisch an oder über derartige Kontakte gekoppelt sein oder direkt an oder über derartige Kontakte angebracht sein. In einigen Fällen sind oder weisen die Erdungsleitungen 564 Erdungssignale vom Verteiler 904, Interposer 906, Gehäuse 910 oder von einer anderen daran angebrachten Vorrichtung, oder Erdungssignale auf, die von diesen ausgehen, bereitgestellt oder erzeugt werden, wie für den Verteiler 104, den Interposer 106, das Gehäuse 110 oder eine andere Vorrichtung bei den 5-8 beschrieben. Dieses Signal kann einen Spannungspegel wie bei den 5-8 beschrieben aufweisen.
  • Als Nächstes zeigen die 10A-B eine Gehäusevorrichtung 950 als eine Schicht Lq mit einer oberen Lage 640 aufweisend, die über oder auf einer unteren Lage 642 (z. B. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf einer oberen Lage 920 der Schicht Ly gebildet ist. Die Schicht Lq, die obere Lage 640 und die untere Lage 642 können die gleiche wie für die 5-8 beschrieben sein, mit der Ausnahme, dass die Schicht 642 auf der Lage 920 gebildet ist und die Leitungen 566 wie für das System 900 angemessen verbunden sein können.
  • In einigen Fällen können die Leitungen 566 der Schicht 642 physisch direkt mit geerdeten Kontakten oder über Kontakte in der gleichen Lage 642 oder Schicht Lm wie die Leitungen 566 verbunden sein, elektrisch an oder über derartige Kontakte gekoppelt sein oder direkt an oder über derartige Kontakte angebracht sein. In einigen Fällen sind oder weisen die Erdungsleitungen 566 Erdungssignale vom Verteiler 904, Interposer 906, Gehäuse 910 oder von einer anderen daran angebrachten Vorrichtung, oder Erdungssignale auf, die von diesen ausgehen, bereitgestellt oder erzeugt werden, wie für den Verteiler 104, den Interposer 106, das Gehäuse 110 oder eine andere Vorrichtung bei den 5-8 beschrieben. Dieses Signal kann einen Spannungspegel wie bei den 5-8 beschrieben aufweisen.
  • Als Nächstes zeigen die 10A-B eine Gehäusevorrichtung 950 als eine Schicht Ly mit einer oberen Lage 920 aufweisend, die über oder auf einer unteren Lage 226 (z. B. diese berührend) gebildet ist, die über oder auf einer anderen Lage der Vorrichtung 950 gebildet sein kann. Die obere Lage 920 kann die gleiche wie die für die 5-8 beschriebene Lage 610 sein, mit der Ausnahme, dass sie auf der Lage 226 gebildet ist und vertikal neben und zwischen den Lagen 642 und 226 angeordnet ist. Die untere Lage 226 kann die geerdete Isolationsebene 164 enthalten oder sein, wie für die 1-4 beschrieben, mit der Ausnahme, dass die Lage 920 auf der Lage 226 gebildet ist und wie für das System 900 angemessen verbunden sein kann. Die Ebene 164 kann die gleiche wie die für die 1-4 beschriebene sein, mit der Ausnahme, dass sie auf einer unteren Schicht der Gehäusevorrichtung 950 gebildet ist, und kann wie für das System angemessen 900 verbunden sein.
  • Die Ebene 164 kann physisch direkt mit geerdeten Kontakten oder über Kontakte in der gleichen Lage 226 wie die Ebene 164 verbunden sein, elektrisch an oder über derartige Kontakte gekoppelt sein oder direkt an oder über derartige Kontakte angebracht sein. In einigen Fällen ist oder weist die Ebene 164 Erdungssignale vom Verteiler 904, Interposer 906, Gehäuse 910 oder von einer anderen daran angebrachten Vorrichtung, oder Erdungssignale auf, die von diesen ausgehen, bereitgestellt oder erzeugt werden, wie für den Verteiler 104, den Interposer 106, das Gehäuse 110 oder eine andere Vorrichtung bei den 1-4 beschrieben. Dieses Signal kann einen Spannungspegel wie bei den 1-4 beschrieben aufweisen.
  • Diese Ausführungsformen einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten Übertragungsleitungen 950 können als ein Gehäuse mit einer durch kombinierte horizontale geerdete Isolationsebenen und geerdeten koaxialen Isolationsleitungen getrennten Datensignalleitung 950 beschrieben werden.
  • Die Erdungsebenen 160, 162 und 164 der Gehäusevorrichtung 950 können jeweils eine geerdete Isolationsebene oder planare Struktur vertikal über einer Schicht zwischen jeder horizontalen Datensignalübertragungsleitung (z. B. RX oder TX) von zwei Schichten (z. B. Lm und Ln; oder Lo und Lq) und allen Datensignalübertragungsleitungen aller Schichten über (oder unter) dieser Erdungsebene (z. B. dieser einen Schicht) sein, wodurch eine „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung zwischen jeder der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der einen Schicht (z. B. einem „Aggressor“) und allen Datensignalübertragungsleitungen aller Schichten über (oder unter) dieser Erdungsebene (z. B. dieser zwei Schichten) reduziert wird (z. B. um einen Faktor oder das 2-, 3-, 5- oder 10-Fache).
  • Die geerdeten Isolationsleitungen 560, 562, 564 oder 566, die die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 138 RX oder 148 TX in jeder der Schichten Lm-Lq horizontal, vertikal und koaxial umgeben, können (1) Einstreuung zwischen vertikal benachbarten der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 138 RX oder 148 TX verschiedener Schichten der Schichten Lm-Lq reduzieren; und (2) Einstreuung zwischen horizontal benachbarten der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen 138 RX oder 148 TX in jeweils der gleichen Schicht der Schichten Lm-Lq reduzieren.
  • Genauer zeigen 9-10 B, dass jede der Schichten Lm-Lq eine obere Lage aus nichtleitendem (z. B. dielektrischem) Material 103a aufweisen; und eine untere Lage mit 138 RX- oder 148 TX-Datensignalleitungen (z. B. Spuren) aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden (z. B. dielektrischen) Materialabschnitten 103b, die sich zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen 560, 562, 564 oder 566 (z. B. Spuren) aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) befinden, wie für die 5-8 beschrieben.
  • In einigen Fällen können die Erdungsleitungen der Gehäusevorrichtung 950 (z. B. die Leitungen 560, 562, 564 und 566) „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung zwischen einer der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen einer Schicht (z. B. einem „Aggressor“ der Schicht Lm, Ln, Lo oder Lq) und einer horizontal benachbarten Datensignalübertragungsleitung des gleichen Typs und der gleichen Schicht (z. B. dieser einen Schicht Lm, Ln, Lo oder Lq) reduzieren oder verringern (z. B. um einen Faktor oder das 2-, 3-, 5- oder 10-Fache) (und können optional eine elektronische Isolierung erhöhen), wie für die 5-8 beschrieben. Dies kann für jede der horizontalen RX-Datensignalleitungen in den Schichten Lm, Ln, Lo und Lq auftreten, wie für die 5-8 beschrieben.
  • Jede Schicht der Schichten Lo-Lq der 9-10B kann auch im Vergleich zu den geerdeten Isolationsleitungen 560, 562, 564 oder 566 einer vertikal benachbarten Schicht darüber versetzte horizontale (z. B. seitliche) Abstände ihrer Leitermaterial-Datensignalleitungen 138 RX oder 148 TX einer unteren Schicht aufweisen, wie für die 5-8 beschrieben. In einigen Fällen ist jedoch die Schicht Lo nicht in Bezug auf die Schicht Ln versetzt, wie für die 5-8 beschrieben (z. B. befinden sich die Leitungen 562 direkt über den Leitungen 564), zum Beispiel aufgrund dessen, dass die Isolationsebene 162 eine vertikale Erdungsisolation für Signalleitungen der Schicht Ln anstatt der Isolationsleitungen 564 der Schicht Lo und für Signalleitungen der Schicht Lo anstatt der Isolationsleitungen 562 der Schicht Ln bereitstellt.
  • Hier umgeben in einigen Fällen eine geerdete Isolationsleitung und eine geerdete Isolationsebene zwei nichtleitende Materiallagen 103a vertikal (sind z. B. vertikal oben und unten davon), die jede Datensignal-RX- oder TX-Leitung vertikal umgeben (z. B. vertikal oben und unten davon sind). Die Leitungen 562 befinden sich beispielsweise vertikal unter jeder der Leitungen 138 der Schicht Lm und die geerdete Isolationsebene 160 befindet sich vertikal über jeder der Leitungen 138 der Schicht Lm. Deshalb umgeben die Leitungen 562 und die Ebene 160 jede der Leitungen 138 der Schicht Lm vertikal. Außerdem befinden sich die Leitungen 560 vertikal über jeder der Leitungen 138 der Schicht Ln und die geerdete Isolationsebene 162 befindet sich vertikal unter jeder der Leitungen 138 der Schicht Ln. Deshalb umgeben die Leitungen 560 und die Ebene 162 jede der Leitungen 138 der Schicht Ln vertikal. In einem anderen Beispiel befinden sich die Leitungen 566 vertikal unter jeder der Leitungen 148 der Schicht Lo und die geerdete Isolationsebene 162 befindet sich vertikal über jeder der Leitungen 148 der Schicht Lo. Deshalb umgeben die Leitungen 566 und die Ebene 162 jede der Leitungen 148 der Schicht Lo vertikal. Als Nächstes befinden sich die Leitungen 564 vertikal über jeder der Leitungen 148 der Schicht Lq und die geerdete Isolationsebene 164 befindet sich vertikal unter jeder der Leitungen 148 der Schicht Lq. Deshalb umgeben die Leitungen 566 und die Ebene 164 jede der Leitungen 148 der Schicht Lq vertikal. In einigen Fällen werden die eine geerdete Isolationsleitung und die eine geerdete Isolationsebene als jede Datensignalleitung RX 138 oder TX 148 in jeder der Schichten Lm-Lq vertikal umgebend beschrieben (sind z. B. vertikal oben und unten davon).
  • In einigen Fällen kann die Kombination der Erdungsebenen der Gehäusevorrichtung 950 (z. B. der Ebenen 160, 162 und 164) und der Erdungsleitungen der Gehäusevorrichtung 950 (z. B. die Leitungen 560, 562, 564 und 566) „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung zwischen einer der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen einer Schicht mit Signalleitungen (z. B. einem „Aggressor“ der Schicht Lm, Ln, Lo oder Lq) und einer vertikal benachbarten Datensignalübertragungsleitung einer zwei Schichten (z. B. zwei Schichten mit Schichten von Schichten mit Signalleitungen oder zwei Schichten der Schichten Lm, Ln, Lo oder Lq) über oder unter der einen Übertragungsleitung befindlichen Schicht (z. B. über oder unter der Aggressorschicht Lm, Ln, Lo oder Lq) reduzieren (z. B. mindern oder verringern) (z. B. um einen Faktor oder das 2-, 3-, 5- oder 10-Fache) (und können optional eine Isolierung erhöhen).
  • In einigen Fällen sind die Schichten der Signalleitungen auch (oder stattdessen) vertikal von den Isolationsebenen umgeben, zusätzlich dazu, dass sie vertikal von den Isolationsleitungen (z. B. entweder über oder unter jeder Schicht aus Signalleitungen) umgeben sind. In einem Beispiel umgibt jedes Paar aus geerdeten Isolationsebenen der Gehäusevorrichtung 950 (z. B. das Paar der Ebenen 160 und 162; oder 162 und 164) vertikal jede Schicht der Signalleitungen. Beispielsweise kann die Ebene 162 reduzieren, dass eine vertikale „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung (z. B. um einen Faktor oder das 2-, 3-, 5- oder 10-Fache) (und kann optional eine Isolierung erhöhen), die von einer horizontalen „Aggressor“-RX-Datensignalübertragungsleitung 138 der Schichten Lm und Ln erzeugt oder produziert wird, eine vertikal benachbarte TX-Datensignalübertragungsleitung der Schicht Lo erreicht, die zwei Schichten (z. B. zwei Schichten der Schichten mit Signalleitungen oder zwei Schichten der Schichten Lm, Ln, Lo oder Lq) unter der „Aggressor“-RX-Leitung der Schichten Lm und Ln angeordnet ist, zum Beispiel aufgrund dessen, dass die Ebene 162 vertikal zwischen den Signalübertragungsleitungen der Schicht Lo und der Schichten Lm und Ln angeordnet ist. Dies kann zusätzlich zur vertikalen Isolation erfolgen, die durch eine Isolationsleitung bereitgestellt wird, wie oben beschrieben. Es wird erwogen, dass die Ebene 160 die gleiche Reduktion beim Erreichen einer vertikal benachbarten TX-Leitung einer Schicht über der Ebene 160 durch eine vertikale Einstreuung bewirkt, die von den RX-Leitungen der Schichten Lm und Ln bewirkt wird. Hier kann gesagt werden, dass die Ebenen 160 und 162 die Schichten Lm und Ln vertikal umgeben.
  • Gleichermaßen kann die Ebene 162 in einigen Fällen reduzieren, dass eine vertikale „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung (z. B. um einen Faktor oder das 2-, 3-, 5- oder 10-Fache) (und kann optional eine Isolierung erhöhen), die von einer horizontalen „Aggressor“-TX-Datensignalübertragungsleitung 148 der Schichten Lo und Lq erzeugt oder produziert wird, eine vertikal benachbarte RX-Datensignalübertragungsleitung der Schicht Ln erreicht, die zwei Schichten (z. B. zwei Schichten der Schichten mit Signalleitungen oder zwei Schichten der Schichten Lm, Ln, Lo oder Lq) über der „Aggressor“-TX-Leitung der Schichten Lo und Lq angeordnet ist, zum Beispiel aufgrund dessen, dass die Ebene 162 vertikal zwischen den Signalübertragungsleitungen der Schicht Ln und der Schichten Lo und Lq angeordnet ist. Es wird erwogen, dass die Ebene 164 die gleiche Reduktion beim Erreichen einer vertikal benachbarten TX-Leitung einer Schicht unter der Ebene 164 durch eine vertikale Einstreuung bewirkt, die von den TX-Leitungen der Schichten Lp und Lq bewirkt wird. Hier kann gesagt werden, dass die Ebenen 164 und 162 die Schichten Lo und Lq vertikal umgeben.
  • In einigen Fällen kann es aufgrund der geerdeten Isolationsebenen (z. B. der Ebene 162) nicht notwendig sein, Signalleitungen der Schicht Lo horizontal von den Signalleitungen der Schicht Ln zu versetzen. Darüber hinaus kann es in einigen Fällen nicht notwendig sein, Signalleitungen der Schicht Lo horizontal von den Signalleitungen der Schicht Lm zu versetzen. Außerdem kann es in einigen Fällen nicht notwendig sein, Signalleitungen der Schicht Lo horizontal von den Signalleitungen der Schicht Lq zu versetzen. Ferner kann es in einigen Fällen nicht notwendig sein, Signalleitungen der Schicht Lq horizontal von den Signalleitungen der Schicht Lm zu versetzen.
  • Nach Ausführungsformen kann jede der geerdeten Isolationsleitungen 560-566 und/oder der Ebenen 160-164 dadurch, dass sie Ebenen und Leitungen aus elektrisch geerdetem Leitermaterial (z. B. ein Erdungssignal aufweisend) sind, elektromagnetische Einstreusignale, die von einer Datensignalübertragungsleitung der vertikal benachbarten Schichten (der Schichten Lm, Ln, Lo oder Lq) zwei Schichten über (oder unter) den Leitungen erzeugt werden, von einem Erreichen jeder der Datensignalübertragungsleitungen der einen Schicht aufgrund der Menge an geerdetem Leitermaterial und der Position des geerdeten Leitermaterials zwischen den zwei Schichten absorbieren oder abschirmen (oder eine elektronische Isolation dieser erhöhen). Dies kann ein Reduzieren von elektrischer Einstreuung enthalten, die durch eine unerwünschte kapazitive, induktive oder leitende Kopplung eines ersten Datensignaltyps (z. B. RX oder TX) verursacht wird, der durch eine der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der vertikal benachbarten Schichten (z. B. einem „Aggressor“) empfangen oder gesendet werden, einen zweiten Datensignaltyp (z. B. TX oder RX; den entgegengesetzten des ersten RX- bzw. TX-Typs) erreicht (z. B. diesen beeinflusst oder in diesem gespiegelt wird), der durch die horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der einen Schicht empfangen oder gesendet wird, die die Erdungsleitungen abschirmt.
  • Die Kombination der zwei geerdeten Isolationsleitungen (z. B. jeweils zwei der Leitungen 560, 562, 564 oder 566), die jede Datensignalleitung 138 RX oder 148 TX in jeder der Schichten Lm-Lq umgeben; und die zwei geerdeten Isolationsebenen (z. B. ein Paar der Ebenen 160 und 162; oder 162 und 164) und optional die geerdeten Isolationsleitungen (z. B. ein Paar der Leitungen 560 und der Ebene 162; oder die Ebene 162 und die Leitungen 566), die jede Datensignalleitung 138 RX oder 148 TX in jeder der Schichten Lm-Lq umgeben, kann als vier geerdete Isolationsleitungen beschrieben werden, die jede Datensignalleitung 138 RX oder 148 TX in jeder der Schichten Lm-Lq „koaxial“ umgeben.
  • In einigen Fällen kann jede Datensignal-RX-Leitung der Schicht Ln (z. B. die Lage 622) als koaxial umgeben bezeichnet werden, indem sie (1) horizontal von zwei geerdeten Isolationsleitungen 562 der Schicht Ln (z. B. der Lage 622) umgeben sind und (2) vertikal von der geerdeten Isolationsleitung 560 der Schicht Lm (und/oder optional der Ebene 160) und der Ebene 162 der Schicht Lx (und/oder optional der Leitung 564 der Schicht Lo) umgeben sind. In einigen Fällen kann jede Datensignal-TX-Leitung der Schicht Lo (z. B. die Lage 632) auch als koaxial umgeben bezeichnet werden, indem sie (1) horizontal von zwei geerdeten Isolationsleitungen 564 der Schicht Lo (z. B. der Lage 632) umgeben sind und (2) vertikal von der geerdeten Isolationsleitung 566 der Schicht Lq (und/oder optional der Ebene 164) und der Ebene 162 der Schicht Lx (und/oder optional der Leitung 562 der Schicht Ln) umgeben sind.
  • In einigen Fällen bieten oder bewirken die vier geerdeten Isolationsleitungen, die jede horizontale Datensignalleitung 138 RX oder 148 TX in jeder der Schichten Lm-Lq „koaxial“ umgeben, die Kombination von (1) den zwei geerdeten Isolationsleitungen (z. B. jeweils zwei der Leitungen 560, 562, 564 oder 566), die jede Datensignalleitung 138 RX oder 148 TX in jeder der Schichten Lm-Lq horizontal umgeben, um eine „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung zwischen jeder der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen einer Schicht (z. B. der Schicht Lm, Ln, Lo oder Lq) und einer horizontal benachbarten Signalübertragungsleitung des gleichen Typs (z. B. RX oder TX) der gleichen Schicht (z. B. der einen Schicht Lm, Ln, Lo oder Lq) zu reduzieren oder zu verringern (z. B. um einen Faktor oder das 2-, 3-, 5- oder 10-Fache) (und optional eine elektronische Isolierung erhöhen können); und (2) der geerdeten Isolationsleitungen und/oder -ebenen, die jede Datensignalleitung 138 RX oder 148 TX in jeder der Schichten Lm-Lq vertikal umgeben, um eine „Datensignalübertragungsleitungs“-Einstreuung zwischen einer der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen einer Schicht (z. B. einem „Aggressor“ der Schicht Lm, Ln, Lo oder Lq) und einer vertikal benachbarten Datensignalübertragungsleitung einer Schicht zwei Schichten der Schicht Lm, Ln, Lo oder Lq über oder unter der einen Übertragungsleitung zu verringern (z. B. um einen Faktor oder das 2-, 3-, 5- oder 10-Fache) (und optional eine elektronische Isolierung erhöhen können). In einigen Ausführungsformen reduzieren die geerdeten Isolationsleitungen und -ebenen die elektrische Einstreuung und erhöhen die elektrische Isolierung, wie oben angemerkt, ohne eine Neuordnung einer horizontalen Reihenfolge oder Abfolge der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in einer Lage oder Schicht.
  • Es wird angemerkt, dass für die Gehäusevorrichtung 950 die Signalleitungen der Schicht Lm diagonal durch die Ebene 160 von den Signalleitungen über der Ebene 160 isoliert sind; dass die Signalleitungen der Schicht Ln diagonal durch die Ebene 162 von den Signalleitungen der Schichten Lo und Lq unter der Ebene 162 isoliert sind; dass die Signalleitungen der Schicht Lo diagonal durch die Ebene 162 von den Signalleitungen der Schichten Ln und Lm über der Ebene 162 isoliert sind; und dass die Signalleitungen der Schicht Lq diagonal durch die Ebene 166 von den Signalleitungen unter der Ebene 166 isoliert sind.
  • Aufgrund der geerdeten Isolationsebenen kann es in einigen Fällen nicht notwendig sein, (z. B. durch eine vorbestimmte, durch Anpassung ermittelte, ausgewählte oder anderweitig konstruierte Distanz) die RX- und TX-Leitungen der verschiedenen Schichten diagonal zu beabstanden, sodass die Einstreuung ausreichend niedrig ist und die elektronische Isolierung ausreichend hoch ist, sodass die Datensignalleitungen mit den Geschwindigkeiten und anderen Kennzahlen wie hierin angemerkt arbeiten. In einigen Fällen kann es aufgrund der Ebene 162 nicht notwendig sein, solche diagonalen Abstände der Signalleitungen der Schicht Lo von den Signalleitungen der Schicht Ln vorzusehen.
  • 11 zeigt ein Diagramm von Augenhöhen(EH)-Kurven; und Augenweiten(EW)-Kurven eines Augendiagramms, das durch Testen einer der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen in einem Bereich von Breiten der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen und von Breiten der Erdungsleitungen, wenn beispielsweise die Abstände zwischen horizontal benachbarten Signalleitungen und Erdungsleitungen konstant sind. In einigen Fällen sind die horizontalen Leitungen 138 und 148 und die Erdungsleitungen (z. B. 560, 562, 564 und 566) der Vorrichtung 950 impedanzangepasst (siehe z. B. 11), um eine Unstetigkeit der Impedanz und Einstreuung zwischen vertikal benachbarten und horizontal benachbarten der Signalleitungen 138 oder 148 (z. B. einem Kanal) der Vorrichtung 950 zu minimieren. Dies kann ein Durchführen einer solchen Anpassung enthalten, um Folgendes zu ermitteln oder zu identifizieren: (1) eine ausgewählte Zielbreite W1 (und optional eine Höhe H3) einer der Signalleitungen 138 oder 148 (z. B. unter Angabe anderer festgelegter oder bekannter Höhen und Breiten, wie unten angemerkt); und (2) eine ausgewählte Zielbreite W4 (und optional eine Höhe H3) einer der Erdungsleitungen (z. B. 560, 562, 564 oder 566) (z. B. unter Angabe anderer festgelegter oder bekannter Höhen und Breiten, wie unten angemerkt) zu ermitteln, die die beste Kanalleistung bietet, wie durch den Kreuzungspunkt mit der niedrigsten Amplitude von Augenhöhen- (EH-) oder Augenweiten(EQ)-Kurven (siehe z. B. 11) eines Augendiagramms (siehe z. B. 3B) gezeigt, das durch Testen einer der Signalleitungen 138 oder 148 erzeugt wurde. Die EH- und EW-Kurven (z. B. Kurven 1110-1111 und 1115-1116) können eine Ausgangssignalmessung (oder Computermodellierung) an einer Position der Datensignalleitung 138 oder 148 sein, wenn (z. B. als Ergebnis eines Leitens) ein oder mehrere Eingangstestdatensignale durch die Länge Lp der Datensignalleitung gesendet werden, wie für die 3A-B beschrieben, um isolierte horizontale Datensignalübertragungsleitungsbreiten W1 und eine Erdungsleitungsbreite W4 (optional, und einen Abstand W5) zu ermitteln oder zu identifizieren, die im Routingsegment der Vorrichtung 950 entlang des Kanals der Signalleitungen 138 und 148 entlang der Länge Lp auf einer einzelnen Leitung impedanzangepasst sind (siehe z. B. 11).
  • Der Impedanzabgleich der Signalleitung kann auf folgenden Faktoren basieren oder diese enthalten: Breite W1 der horizontalen Datensignalübertragungsleitung, Höhe H3, Länge Lp; Breite W4 der horizontalen geerdeten Isolationsleitung, Höhe H3, Länge Lp; Breite W5 zwischen der Isolationsleitung und horizontal benachbarten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen der Vorrichtung 950; und Höhe H4 zwischen einer Signalleitung und einer vertikal benachbarten Erdungsleitung (oder Isolationsebene) der Vorrichtung 950. In einigen Fällen, sobald die Länge Lp, Breite W5, Höhe H4 und Höhe H3 bekannt sind (z. B. vorbestimmt oder vorher auf Grundlage eines spezifischen Designs einer Gehäusevorrichtung 950 ausgewählt), dann wird der Abgleich durchgeführt (z. B. durch Computersimulation, tatsächliches „Beta“-Testen der Vorrichtung oder andere Labortests), um Bereiche der Breiten W1 und W4 zu ermitteln oder zu identifizieren, die die beste Kanalleistung bieten, wie durch den Kreuzungspunkt mit der niedrigsten Amplitude der Augenhöhen- (EH-) oder Augenweiten(EW)-Kurven eines Augendiagramms gezeigt, das durch Testen einer der Signalleitungen 138 oder 148 erstellt wurde.
  • 11 zeigt ein Diagramm von Augenhöhen(EH)-Kurven 1110 und 1111; und Augenweiten(EW)-Kurven 1115 und 1116 eines Augendiagramms (siehe z. B. 3B), das durch Testen von horizontalen Datensignalübertragungssignalleitungen 138 oder 148 für einen Bereich einer horizontalen Datensignalübertragungsleitungsbreite W1 und Erdungsleitungsbreite W4 erstellt wurde, wobei beispielsweise die Abstände W2 zwischen horizontal benachbarten Signalleitungen (z. B. den Leitungen 138 oder 148) und Erdungsleitungen (z. B. den Leitungen 560, 562, 564 oder 566) konstant sind. Das Testen kann ein Messen oder Modellieren eines Ausgangssignals als Reaktion auf Eingangssignale wie Aufwärts- (z. B.
    Figure DE112015007235T5_0003
    ) und Abwärtssignale z. B
    Figure DE112015007235T5_0004
    ) aufweisen, wie oben für 3A angemerkt. Die EH-Kurve 1110 kann die EH-Kurve für ein erstes Design oder eine erste Verwendung der Vorrichtung 950 sein, die von den oben erwähnten Faktoren (z. B. der horizontalen Datensignalübertragungsleitungsbreite W1, der Erdungsleitungsbreite W4, der Höhe H3, der Länge Lp; Breite W5 zwischen der Signalleitung und einer horizontal benachbarten Erdungsleitung der Vorrichtung 150; und Höhe H4 zwischen der Signalleitung und einer vertikal benachbarten Erdungsleitung oder Isolationsebene der Vorrichtung 150). Die EH-Kurve 1111 kann die EH-Kurve für ein zweites, unterschiedliches Design oder eine zweite, unterschiedliche Verwendung der Vorrichtung 950 sein, das bzw. die von den oben erwähnten Faktoren unabhängig ist. Die EW-Kurve 1115 kann die EW-Kurve für das erste Design oder die erste Vorrichtung 150 sein, das bzw. die von den oben erwähnten Faktoren unabhängig ist. Die EW-Kurve 1116 kann die EW-Kurve für das zweite, unterschiedliche Design oder die zweite, unterschiedliche Verwendung der Vorrichtung 950 sein, das bzw. die von den oben erwähnten Faktoren unabhängig ist.
  • In einigen Fällen kann ein solches Design oder eine solche Verwendung aufweisen, dass die verschiedenen Kurven verschiedene Fertigungsschwankungskombinationen repräsentieren, bei denen beispielsweise ein niederohmiges Gehäuse (z. B. das Gehäuse 910) mit einem hochohmigen Interposer (z. B. dem Interposer 906) verbunden ist. In einigen Fällen kann ein solches Design oder eine solche Verwendung aufweisen, dass die verschiedenen Kurven verschiedene Winkelkombinationen repräsentieren oder mögliche Komponentenvariationskombinationen. In einigen Fällen kann ein solches Design oder eine solche Verwendung aufweisen, dass die verschiedenen Kurven verschiedene Designs oder Verwendungen repräsentieren, um die Impedanz abzugleichen, um die Kanalleitung zu maximieren. In einigen Fällen zeigt 11A EH- und EW-Kurven verschiedener Kanäle, die mögliche Gehäuse- und Interposerfertigungswinkel kombinieren, (max/typische/min. Impedanzwinkel aus Fertigungsschwankungen). In einigen Fällen beispielsweise max Z Verteiler + min Z Interposer+max Z Gehäuse, wobei Z die Impedanz bezeichnet. In einigen Fällen zeigt die gemeinsame oder Schnittfläche unter den EH- oder EW-Kurven den Kanal-EH/EW-Lösungsraum. In einigen Fällen ist der optimierte Impedanzwert mit dem Kreuzungspunkt der EH- oder EW-Kurven verknüpft, der die maximale EH/EW-Einhüllende aller möglichen Kanalfertigungsschwankungen bietet.
  • Wie für die EH-Kurven 310-311 der 3A-B beschrieben, können die EH-Kurven 1110-1111 Beispiele einer Augenhöhe für unterschiedliche Designs und eine unterschiedliche Signalleitungsbreite W1 und Erdungsleitungsbreite W4 (wobei z. B. der Abstand W2 konstant ist) für die Vorrichtung 950 sein. Außerdem, wie für die EW-Kurven 315-316 der 3A-B beschrieben, können die EW-Kurven 1115-1116 Beispiele einer Augenweite für die unterschiedlichen Designs und die unterschiedliche Signalleitungsbreite W1 und Erdungsleitungsbreite W4 (wobei z. B. der Abstand W2 konstant ist) für die Vorrichtung 950 sein.
  • In einigen Fällen sind die Kurven 1110-1111 und 1115-1116 für eine ausgewählte (z. B. vorbestimmte, gewünschte, konstante oder bestimmte) Länge Lp der horizontalen Datensignalübertragungsleitung (z. B. RX-Leitung 138 oder TX-Leitung 148) und der geerdeten Isolationsleitungen (und Isolationsebenen) der Gehäusevorrichtung 950. In einigen Fällen sind die Kurven 1110-1111 und 1115-1116 auch für eine gewünschte Signalleitungs- und Erdungsleitungshöhe H3 und den Abstand H4 zwischen der Signalleitung und einer vertikal benachbarten Erdungsleitung (oder Isolationsebene).
  • In einigen anderen Fällen enthält die Anpassung eine Kenntnis der Länge Lp, der Breite W5 und der Höhe H4, danach eine Anpassung, um einen Bereich der Breite W1, der Breite W4 und Höhe H3 zu ermitteln oder zu identifizieren, der eine vorbestimmte oder Zielimpedanz für die Leitung bereitstellt.
  • Genauer zeigt 11 ein Diagramm 1100, das die Amplitude der Anpassungskurven 1110-1111 und 1115-1116 entlang der vertikalen Y-Achse 1120 für verschiedene Paare der Breite W1 einer Signalleitung (z. B. der RX-Leitung 138 oder der TX-Leitung 148) und Breite W4 von Erdungsleitungen zeigt (wobei z. B. der Abstand W5 zwischen horizontal benachbarten der Signalleitungen (z. B. der RX- oder TX-Leitungen 138 oder 148) und Erdungsleitungen (z. B. den Leitungen 560, 562, 564 oder 566) entlang der horizontalen X-Achse 1130 ein konstanter Wert oder Abstand ist). Obwohl 11 die Amplitude der Kurven 1110-1111 und 1115-1116 im gleichen Diagramm 1100 zeigt, ist klar, dass sie auf verschiedenen Diagrammen mit einer verschiedenen nach Amplitude skalierten Y-Achse, aber der gleichen X-Achse 1130 gezeichnet werden können (z. B. sind die Kurven im Diagramm 1100 alle vertikal skaliert gezeigt (z. B. die Achse 1120 hinauf oder hinunter verschoben), um die Kreuzungspunkte der Kurven zu vergleichen). Die Kurven 1110-1111 und 1115-1116 können eine Ausgangssignalmessung (oder Computermodellierung) an einer Position der Datensignalleitung sein, wenn (z. B. als Ergebnis eines Leitens) das eine oder die mehrere Eingangstestdatensignale durch die Länge Lp der Datensignalleitung (z. B. der RX-Leitung 138 oder der TX-Leitung 148) der Vorrichtung 950 gesendet werden.
  • Das Diagramm 1100 zeigt einen Kreuzungspunkt 1112 der EH-Kurven 1110 und 1111. Es ist klar, dass die Kurven 1110 und 1111 mehr als zwei Kurven repräsentieren, aber dass diese Kurven bei Punkt 1112 einen niedrigsten Kreuzungspunkt der Y-Achse aufweisen. Das Diagramm 1100 zeigt einen Kreuzungspunkt 1117 der EW-Kurven 1115 und 1116. Es ist klar, dass die Kurven 1115 und 1116 mehr als zwei Kurven repräsentieren, aber dass diese Kurven bei Punkt 1117 einen niedrigsten Kreuzungspunkt der Y-Achse aufweisen.
  • 11 zeigt EW- und EH-Kurvenamplituden entlang der vertikalen Achse 1120 mit Werten W", X", Y" und Z", die zum Beispiel verschiedene Amplituden für die Kurven 1110-1111 oder 1115-1116 repräsentieren (z. B. können die Kurven 1115-1116 bzw. 1110-1111 skaliert sein, um in das gleiche Diagramm oder die gleiche Grafik zu passen). In einigen Fällen repräsentieren die Werte W", X", Y" und Z" für die Kurven 1110-1111 verschiedene linear ansteigende EH-Signalamplitudenwerte (z. B. aus einem Testsignal abgeleitete Spannungsamplituden der EH), wie 0,2, 0,25, 0,3 und 0,35 Volt. In einigen Fällen repräsentieren die Werte W", X", Y" und Z" für die Kurven 1115-1116 verschiedene linear ansteigende EW-Signalzeitwerte (z. B. aus einem Testsignal abgeleitete Spannungsamplituden der EW), wie 4,0, 4,5, 5,0 und 5,5 E-ll Sekunden.
  • 11 zeigt Paare der Breite W1/der Breite W4 entlang der horizontalen Achse 1130 mit Paarwerten A"/B", C"/D", E"/F", G"/H", I"/J", K"/L", M"/N" und O"/P". In einigen Fällen repräsentiert die Gesamtsumme (z. B. Addition) jedes Wertepaars (z. B. der Wert A" plus der Wert B"; oder der Wert O" plus der Wert P" usw.) die gleiche Summe oder einer ersten Konstante; und die erste Konstante plus zwei Mal die Abstandsbreite W5 ist eine zweite Konstante (wie z. B. die Pitchbreite PW2). In einigen Fällen variieren die Signalleitungsbreite W1 und die Erdungsleitungsbreite W4 auf umgekehrt proportionale Weise, sodass sie zur ersten Konstante aufaddieren, sodass zum Beispiel, wenn W1 um einen Wert ansteigt (z. B. W1+W"), nimmt W4 um diesen Wert ab (z. B. W4-W") und umgekehrt. In einigen Fällen können die Signalleitungsbreite W1 und die Erdungsleitungsbreite W4 als umgekehrt proportional beschrieben werden. In einigen Fällen (1) ist die zweite Konstante die Pitchbreite PW2 von Signalleitung zu Signalleitung; und (2) variieren die Signalleitungsbreite W1 und die Erdungsleitungsbreite W4 auf umgekehrt proportionale Weise, sodass die Addition von W1 + W4 + 2xW5 = PW2 (z. B. die zweite Konstante) ist.
  • In einigen Fällen kann PW2 zwischen 100 und 200 um betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 120 und 150 um betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 130 und 140 um betragen. In einigen Fällen repräsentieren die Paarwerte A"/B" die Breite W1 zwischen 60 und 80 um und die Breite W4 zwischen 55 und 75 um; die Paarwerte O"/P" die Breite W1 zwischen 25 und 45 um und die Breite W4 zwischen 90 und 110 um; und die anderen Paare befinden sich an linearen Intervallen zwischen den Werten A"/B" und den Werten O"/P". In einigen Fällen repräsentieren die Paarwerte A"/B" eine Breite W1/eine Breite W4 von 70/65 um, die Paarwerte C"/D" repräsentieren eine Breite W1/eine Breite W4 von 65/70 um, die Paarwerte E"/F" repräsentieren eine Breite W1/eine Breite W4 von 60/75 um, die Paarwerte G"/H" repräsentieren eine Breite W1/eine Breite W4 von 55/80 um, die Paarwerte I"/J" repräsentieren eine Breite W1/eine Breite W4 von 50/85 um, die Paarwerte K"/L" repräsentieren eine Breite W1/eine Breite W4 von 45/90 um, die Paarwerte M"/N" repräsentieren eine Breite W1/eine Breite W4 von 40/95 um und die Paarwerte O"/P" repräsentieren eine Breite W1/eine Breite W4 von 35/100 um.
  • In einigen Fällen repräsentiert die Y-Achse 1120 eine Augenhöhe oder Augenweite, die die Leistungszahl zum Quantifizieren der Kanalleistung der getesteten Signalleitung (z. B. der RX-Leitung 138 oder der TX-Leitung 148) sind; und die X-Achse 1130 ist die Kombination der Signalleitungsbreite W/der Breite W4 (mit konstantem Abstand W5) bei konstantem Pitch (Leitungsbreite W1 + Breite W4 + 2xW5 = konstanter Pitch PW, wie beispielsweise PW2). Nach Ausführungsformen enthält (oder ist) die Impedanzanpassung der horizontalen Leitung 138 oder 148 der Vorrichtung 950 ein Auswählen (oder „Tunen“) einer Impedanz einer einzelnen horizontalen Weiterleitungssignalleitung (z. B. der TX- und RX-Leitung), um die Kombination der Signalleitungsbreite W1/der Breite W4 auf einen optimierten Punkt auszuwählen (oder die TX- und RX-Leitung auf diesen oder an diesem Punkt zu „tunen“), um die beste Kanalleistung zu erzielen, wie durch den niedrigsten Kreuzungspunkt der EH- oder EW-Kurven gezeigt (wie zum Beispiel in 11 gezeigt).
  • Nach Ausführungsformen weist die Impedanzanpassung der horizontalen Signalleitung 138 oder 148 der Vorrichtung 950 verschiedene mögliche Auswahlen einer oder eines Bereichs an Positionen auf der X-Achse 1130 auf, die auf Grundlage oder als Ergebnis einer Berechnung unter Verwendung des EH- und EW-Kreuzungspunkts 1112 und/oder des Punkts 1117 ausgewählt wurden. Es ist klar, dass eine solche Anpassung ein Auswählen oder Identifizieren eines Paars oder eines Bereichs der Breite W1/der Breite W4 entlang der Achse 1130 für eine oder beide von (1) den Signalleitungen 138 und den Erdungsleitungspaaren 560/562 oder (2) den Signalleitungen 148 und den Erdungsleitungspaaren 564/566 auf Grundlage oder als Ergebnis einer Berechnung unter Verwendung des Kreuzungspunkts 1112 und/oder des Punkts 1117 enthalten kann.
  • In einigen Fällen weist eine solche Impedanzanpassung ein Auswählen des niedrigsten Amplitudenkreuzungspunkts 1112 der Augenhöhe(EH)-Kurven 1110-1112 oder der Augenweiten(EW)-Kurven 1115-1116 eines durch Testen einer der Signalleitungen 138 oder 148 erzeugten Augendiagramms auf oder ist dies. Hier kann zum Beispiel, wie in 11 gezeigt, die Position I''/J'' der X-Achse 1130, die sich unter dem Punkt 1112 befindet; oder eine Position an einem Mittelpunkt zwischen I"/J" und K"/L", die sich unter dem Punkt 1112 befindet, für die Breite W1 und die Breite W4 für eines oder beides (1) der Signalleitungen 138 und der Erdungsleitungspaare 560/562 oder (2) der Signalleitungen 148 und der Erdungsleitungspaare 564/566 gewählt werden. In einigen Fällen kann eine dieser Positionen für sowohl (1) die Signalleitungen 138 und die Erdungsleitungspaare 560/562 als auch (2) die Signalleitungen 148 und die Erdungsleitungspaare 564/566 verwendet werden. In einigen Fällen kann ein Bereich der Breite W1 und der Breite W4 um eine dieser Positionen (z. B. eine W1- und W4-Toleranz, wie beispielsweise 5 oder 10 Prozent um eine der beiden Positionen) für sowohl (1) die Signalleitungen 138 und die Erdungsleitungspaare 560/562 als auch (2) die Signalleitungen 148 und die Erdungsleitungspaare 564/566 verwendet werden. In einigen Fällen kann ein Bereich der Breite W1 und der Breite W4 zwischen diesen Positionen (z. B. eine W1- und W4-Toleranz innerhalb dieses Bereichs oder eine beliebige Position innerhalb dieses Bereichs) für sowohl (1) die Signalleitungen 138 und die Erdungsleitungspaare 560/562 als auch (2) die Signalleitungen 148 und die Erdungsleitungspaare 564/566 verwendet werden.
  • Nach einigen Ausführungsformen weist die Impedanzanpassung ein Auswählen des niedrigsten Amplitudenkreuzungspunkts 1112 und des Punkts 1117 auf, die durch Testen einer der Signalleitungen 138 oder 148 erzeugt wurden, oder ist dies. Hier kann beispielsweise, wie in 11 gezeigt, eine Position auf der X-Achse 1130 zwischen (z. B. ein Mittelpunkt zwischen und ein Durchschnitt von oder eine andere statistische Berechnung zwischen) I"/J", das sich unter dem Punkt 1112 befindet, und einem Mittelpunkt zwischen I''/J" und K"/L", das sich unter dem Punkt 1112 befindet, für die Breite W1 und die Breite W4 für eines oder beides (1) der Signalleitungen 138 und der Erdungsleitungspaare 560/562 oder (2) der Signalleitungen 148 und der Erdungsleitungspaare 564/566 gewählt werden. In einigen Fällen kann die Position für sowohl (1) die Signalleitungen 138 und die Erdungsleitungspaare 560/562 als auch (2) die Signalleitungen 148 und die Erdungsleitungspaare 564/566 verwendet werden. In einigen Fällen kann ein Bereich der Breite W1 und der Breite W4 um die Position dazwischen (z. B. eine W1- und W4-Toleranz, wie beispielsweise 5 oder 10 Prozent um eine der beiden Positionen) für sowohl (1) die Signalleitungen 138 und die Erdungsleitungspaare 560/562 als auch (2) die Signalleitungen 148 und die Erdungsleitungspaare 564/566 verwendet werden. Es ist klar, dass verschiedene andere geeignete Positionen auf Grundlage der Kreuzungspunkte 1112 und 1117 ausgewählt werden können.
  • Es ist klar, dass eine solche Anpassung, wie oben angemerkt für eine Anpassung einer einzelnen oder aller Leitungen einer Schicht oder aller Leitungen der (1) Signalleitungen 138 und der Erdungsleitungspaare 560/562 oder (2) der Signalleitungen 148 und der Erdungsleitungspaare 564/566 der Vorrichtung 950 erfolgen kann oder eine solche Anpassung repräsentieren kann. Es ist klar, dass eine solche Anpassung wie oben angemerkt durch Kurven repräsentiert werden kann, die von den in 11 verschiedenen konvexen Kurven 1110-1111 und 1115-1116 verschieden sind, bei denen beispielsweise die ausgewählte Breite Wl/Breite W4 entlang der Achse 1130 gewählt wird, am höchsten Punkt der anderen Kurve entlang der vertikalen Achse 1120 zu liegen.
  • In einigen Fällen bietet diese Impedanzanpassung (z. B. durch Ermitteln oder Identifizieren eines Bereichs von oder einer ausgewählten Zielbreite W1 und Breite W4 für sowohl (1) die Signalleitungen 138 und die Erdungsleitungspaare 560/562 oder (2) die Signalleitungen 148 und die Erdungsleitungspaare 564/566): (1) die beste Kanalleitung für die Leitungen 138 und 148 (z. B. mit einer Länge LP; Breite Wl; Breite W4, Pitch PW2 zwischen der Leitung und einer horizontal benachbarten horizontalen Datensignalübertragungsleitung der Vorrichtung 950; und einer Höhe H4 zwischen der Leitung und einer vertikal benachbarten Erdungsleitung (oder Isolationsebene) der Vorrichtung 950), (2) eine elektrische Isolierung von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen (z. B. den Signalleitungen 138 und 148), die im Routingsegment der Vorrichtung 950 entlang des Kanals (z. B. die Signalleitungen 138 oder 148 entlang der Länge LP) auf einer einzelnen Leitung impedanzangepasst sind, und (3) eine minimierte Unstetigkeit der Impedanz und eine minimierte Einstreuung zwischen vertikal benachbarten und horizontal benachbarten der Signalleitungen 138 oder 148 der Vorrichtung 950.
  • In einigen Fällen weist die Anpassung oben eine separate Anpassung der Leitungen 138 und 148 des Interposers 906, des Verteilers 904 und des Gehäuses 910 auf. In einigen Fällen weist sie eine separate Anpassung der Leitungen 138 und 148 des Interposers 906, des Verteilers 904 oder des Gehäuses 910 auf. In einigen Fällen weist die Anpassung oben eine Anpassung der Leitungen 138 und 148 des Interposers 906 auf, aber die Signalleitungen des Verteilers 904 und des Gehäuses 910 werden nicht angepasst. In einigen Fällen werden die Breite W1 und die Breite W4 des Interposers 906 durch eine Anpassung wie oben angemerkt ermittelt; und die Breite W1 und die Breite W4 des Verteilers 904 und des Gehäuses 910 werden auf Grundlage anderer Faktoren oder von Designparametern ermittelt, die die oben erwähnte Anpassung nicht enthalten.
  • 12 ist ein Ablaufdiagramm, das einen Prozess zum Bilden eines Gehäuses mit einer durch kombinierte horizontale geerdete Isolationsebenen und geerdeten koaxialen Isolationsleitungen getrennten Datensignalleitung nach hierin beschriebenen Ausführungsformen veranschaulicht. 12 zeigt einen Prozess 1200, der ein Prozess zum Bilden der hierin beschriebenen Ausführungsformen des Gehäuses 950 einer der 9-12 sein kann. In einigen Fällen ist der Prozess 1200 ein Prozess zum Bilden einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten Übertragungsleitungen, die geerdete Isolationsebenen, die vertikal benachbarte Schichten von horizontalen DatensignalEmpfangs- und Sendelagen oder -schichten (z. B. Verbindungsschichten) trennen; und geerdete Isolations-„Koaxialleitungen“ aufweist, die vertikal benachbarte und horizontal benachbarte horizontale Datensignalempfangs- und Übertragungsleitungen trennen.
  • Der Prozess 1200 beginnt bei einem optionalen Block 1210, bei dem eine erste (z. B. untere) Zwischenverbindungsschicht Lo einer Gehäusevorrichtung gebildet wird, die einen ersten Typ (z. B. RX oder TX) von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Leitermaterial der Gehäusevorrichtung aufweist, die zwischen Paaren von horizontal benachbarten ersten geerdeten Isolationsleitungen der ersten Zwischenverbindungsschicht Lo angeordnet sind. Block 1210 kann auch ein Bilden einer ersten (z. B. unteren) Schicht Lo enthalten, um nichtleitende Materialabschnitte der Gehäusevorrichtung der ersten Zwischenverbindungsschicht Lo zwischen jedem vom ersten Typ (z. B. RX oder TX) der horizontalen Datensignalempfangsübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial und jeder der ersten geerdeten Isolationsleitungen der ersten Zwischenverbindungsschicht Lo angeordnet aufzuweisen.
  • Block 1210 kann auch ein Bilden der ersten (z. B. unteren) Zwischenverbindungsschicht Lo der Gehäusevorrichtung mit einer nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materiallage der ersten Schicht, die auf (z. B. diese berührend) oder über einer Lage mit dem ersten Typ (z. B. RX oder TX) der horizontalen Datensignalleitungen der Gehäusevorrichtung, den ersten geerdeten Isolationsleitungen und den nichtleitenden Materialabschnitten der ersten Zwischenverbindungsschicht Lo gebildet ist.
  • In einigen Fällen weist Block 1210 ein Bilden einer nichtleitenden Materiallage 103a der ersten (z. B. unteren) Zwischenverbindungsschicht Lo (z. B. Lage 630) auf (z. B. diese berührend) oder über einer Lage (z. B. Lage 632) mit ersten horizontalen Datensignalleitungen 148 des TX-Typs, ersten geerdeten Isolationsleitungen 564 und nichtleitenden Materialabschnitten 103b der ersten Zwischenverbindungsschicht Lo auf.
  • In einigen Fällen kann der Block 1210 nur ein Bilden einer unteren Lage 632 der Schicht Lo mit einem ersten Typ von Daten-TX-Signalleitungen 148 aufweisen, die horizontal zwischen dielektrischen Materialabschnitten 103b angeordnet sind, die zwischen horizontal benachbarten ersten geerdeten Isolationsleitungen 564 der ersten Zwischenverbindungsschicht Lo angeordnet sind; und danach ein Bilden einer oberen Lage 630 aus oder mit dielektrischem Material auf der Schicht 632 aufweisen.
  • Ein erstes Ausführungsbeispiel des Blocks 1210 kann (z. B. vor dem Bilden der oberen Lage 630) ein Bilden einer Maske (z. B. DFR, nicht gezeigt) über einer Oberfläche einer oberen Lage 640 (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) aufweisen, wobei die Maske (1) erste Öffnungen über der Lage 640 aufweist, in denen der erste Typ von Daten-TX-Signalleitungen 148 der Lage 632 zu bilden sind, und (2) zweite Öffnungen über der Lage 640 aufweist, in denen die horizontal benachbarten ersten geerdeten Isolationsleitungen 564 zu bilden sind. In einigen Fällen können die ersten Öffnungen horizontal offen für und in Kommunikation mit anderen, dritten Öffnungen in der Maske über der Lage 640 sein, in denen Daten-TX-Signalkontakte oder Daten-TX-Signaldurchkontakte gebildet werden. In einigen Fällen können die zweiten Öffnungen horizontal offen für und in Kommunikation mit vierten Öffnungen in der Maske über der Lage 640 sein, in denen Erdungssignalkontakte oder -durchkontakte gebildet werden.
  • Einige dieser Fälle können eine stromlose Beschichtung einer Saatlage des Leitermaterials über die Lage 640 vor dem Bilden der Maskenlage enthalten. In diesem Fall kann der Block 810 dann ein gleichzeitiges Bilden von Leitermaterial (z. B. Beschichtung der freigesetzten Saatlage der Öffnungen), um die Daten-TX-Signalleitungen 148 und Isolationsleitungen 564 der Lage 632 in den ersten und zweiten Öffnungen (und optional die Daten-TX-Signal- oder -durchkontakte in den dritten Öffnungen; und die Erdungssignalkontakte oder -durchkontakte in den vierten Öffnungen der Lage 632) zu bilden.
  • In einigen dieser Fälle kann ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials ein Bilden dieses Leitermaterials von allen der Daten-TX-Signalleitungen 148 und Isolationsleitungen 564 der Lage 632 (und optional aller der Daten-TX-Signal- oder -durchkontakte; und der Erdungssignalkontakte oder -durchkontakte der Lage 632) während des gleichen Prozesses, der gleichen Ablagerung oder des gleichen Aufwachsens dieses Leitermaterials in den ersten und zweiten (und optional dritten und vierten) Öffnungen aufweisen. In einigen Fällen weist ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials eine elektrolytische Beschichtung von Leitermaterial in den ersten und zweiten (und optional dritten und vierten) Öffnungen (z. B. auf der stromlosen Beschichtung der Saatlage) auf.
  • In einigen Fällen davon wird die Maske (z. B. DFR) nach dem gleichzeitigen Bilden des Leitermaterials entfernt. Dieses Entfernen kann auch ein Entfernen der Saatlage zwischen den Öffnungen enthalten. Danach kann dielektrisches Material 103b (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) abgelagert werden, wo die Maske entfernt wurde. In einigen Fällen enthält das Bilden der Maske ein Bilden einer Decklage aus Maskenmaterial und Ätzen der Decklage, um die ersten (und optional zweiten) Öffnungen zu bilden.
  • Als Nächstes wird bei Block 1220 eine zweite (z. B. mittlere) Schicht Lx der Gehäusevorrichtung über oder auf der Schicht Lo (z. B. diese berührend) gebildet; wobei die Schicht Lx eine geerdete Isolationsebene aus Leitermaterial (z. B. reinem Leiter oder Metall) aufweist, die den ersten Typ (z. B. RX oder TX) der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial der ersten Schicht Lo von einem zweiten Typ (z. B. TX oder RX; dem entgegengesetzten des ersten Typs RX bzw. TX) von horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial (z. B. einem zweiten Typ von Datensignalleitungen oder Spuren, wie TX- oder RX-Datensignalleitungen, die zwischen nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materialabschnitten angeordnet sind) einer vertikal benachbarten Schicht Ln trennt, die über der Schicht Lo (und über der Schicht Lx) zu bilden ist.
  • In einigen Fällen kann der Block 1220 nur ein Bilden der unteren Lage 216 der Schicht Lx mit einer geerdeten Isolationsebene 162 aus Leitermaterial auf der oberen Lage 630 der Schicht Lo; und ein Bilden der oberen Lage 915 der Schicht Lx der dielektrischen Materialschicht 103a aufweisen. In einigen Fällen weist der Block 1220 zuerst ein Bilden der unteren Lage 216 auf die Lage 630 (wie z. B. oben angemerkt), danach ein Bilden der oberen Lage 915 aus dielektrischem Material 103a oder dieses aufweisend auf der Lage 216 auf.
  • Ein erstes Ausführungsbeispiel des Blocks 1220 kann (z. B. vor dem Bilden der oberen Lage 915) ein Bilden einer Maske (z. B. DFR, nicht gezeigt) über einer Oberfläche einer oberen Lage 630 (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) der Schicht Lo enthalten, wobei die Maske (1) eine erste Öffnung über der Lage 630 aufweist, in denen die Isolationsebene 162 der Lage 216 zu bilden ist. In einigen Fällen kann die erste Öffnung horizontal offen für und in Kommunikation mit anderen, zweiten Öffnungen in der Maske über der Lage 630 sein, in denen Erdungskontakte oder Erdungsdurchkontakte gebildet werden. Einige dieser Fälle können eine stromlose Beschichtung einer Saatlage des Leitermaterials über die Lage 630 vor dem Bilden der Maskenlage aufweisen.
  • In diesem Fall kann der Block 1220 dann ein gleichzeitiges Bilden von Leitermaterial (z. B. Beschichtung der freigesetzten Saatlage der Öffnungen), um die Isolationsebene 162 der Lage 216 in den ersten Öffnungen (und optional die Erdungskontakte oder Erdungsdurchkontakte in den zweiten Öffnungen der Lage 216) zu bilden.
  • In einigen dieser Fälle kann ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials ein Bilden dieses Leitermaterials der gesamten Isolationsebene 162 der Lage 216 (und optional aller Erdungskontakte oder Erdungsdurchkontakte in den zweiten Öffnungen der Lage 216) während des gleichen Prozesses, der gleichen Ablagerung oder des gleichen Aufwachsens dieses Leitermaterials in den ersten (und optional zweiten) Öffnungen aufweisen. In einigen Fällen weist ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials eine elektrolytische Beschichtung von Leitermaterial in den ersten (und optional zweiten) Öffnungen (z. B. auf der stromlosen Beschichtung der Saatlage) auf.
  • In einigen Fällen davon wird die Maske nach dem gleichzeitigen Bilden des Leitermaterials entfernt. Dieses Entfernen kann auch ein Entfernen der Saatlage zwischen den Öffnungen aufweisen. Danach kann dielektrisches Material (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) abgelagert werden, wo die Maske entfernt wurde. In einigen Fällen weist das Bilden der Maske ein Bilden einer Decklage aus Maskenmaterial und Ätzen der Decklage auf, um die ersten (und optional zweiten) Öffnungen zu bilden.
  • Als Nächstes wird bei Block 1230 eine dritte (z. B. obere) Zwischenverbindungsschicht Ln der Gehäusevorrichtung über oder auf der Schicht Lx (z. B. diese berührend) gebildet; wobei die Schicht Ln einen zweiten Typ (z. B. TX oder RX; den entgegengesetzten des ersten Typs, RX bzw. TX) der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial aufweist, die zwischen Paaren von horizontal benachbarten zweiten geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Zwischenverbindungsschicht Ln angeordnet sind. In einigen Fällen weist der Block 1230 ein Bilden der dritten Schicht auf, sodass der zweite Typ von Übertragungsleitungen der dritten Schicht Ln horizontal versetzt sind, sodass sie direkt über den ersten geerdeten Isolationsleitungen der ersten Zwischenverbindungsschicht Lo liegen. Block 1230 kann auch ein Bilden einer dritten Schicht Ln aufweisen, um nichtleitende Materialabschnitte der Gehäusevorrichtung der Schicht Ln zwischen jedem vom zweiten Typ (z. B. TX oder RX) der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial und jeder der zweiten geerdeten Isolationsleitungen der Schicht Ln angeordnet aufzuweisen.
  • Block 1230 kann auch ein Bilden der Schicht Ln der Gehäusevorrichtung mit einer nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materiallage der dritten Schicht aufweisen, die auf (z. B. diese berührend) oder über einer Lage mit dem zweiten Typ (z. B. TX oder RX) der horizontalen Datensignalleitungen der Gehäusevorrichtung, den zweiten geerdeten Isolationsleitungen und den nichtleitenden Materialabschnitten der Schicht Ln gebildet ist.
  • In einigen Fällen weist Block 1230 ein Bilden einer nichtleitenden Materiallage 103a der dritten Zwischenverbindungsschicht Ln (z. B. Lage 620) auf (z. B. diese berührend) oder über einer Lage (z. B. Lage 622) mit zweiten horizontalen Datensignalleitungen 138 des RX-Typs, zweiten geerdeten Isolationsleitungen 562 und nichtleitenden Materialabschnitten 103b der zweiten Zwischenverbindungsschicht Ln der Gehäusevorrichtung 950 auf.
  • In einigen Fällen kann der Block 1230 nur ein Bilden einer unteren Lage 622 der Schicht Ln mit einem zweiten Typ von Daten-RX-Signalleitungen 138 aufweisen, die horizontal zwischen dielektrischen Materialabschnitten 103b angeordnet sind, die zwischen horizontal benachbarten zweiten geerdeten Isolationsleitungen 562 der zweiten Zwischenverbindungsschicht Ln angeordnet sind; und danach ein Bilden einer oberen Lage 620 aus oder mit dielektrischem Material auf der Schicht 622 aufweisen.
  • Ein erstes Ausführungsbeispiel des Blocks 1230 kann (z. B. vor dem Bilden der oberen Lage 620) ein Bilden einer Maske (z. B. DFR, nicht gezeigt) über einer Oberfläche einer oberen Lage 915 (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) der Schicht Lx aufweisen, wobei die Maske (1) erste Öffnungen über der Lage 915 aufweist, in denen der zweite Typ von Daten-RX-Signalleitungen 138 der Lage 622 zu bilden sind, und (2) zweite Öffnungen über der Lage 915 aufweist, in denen die horizontal benachbarten zweiten geerdeten Isolationsleitungen 562 zu bilden sind. In einigen Fällen können die ersten Öffnungen horizontal offen für und in Kommunikation mit anderen, dritten Öffnungen in der Maske über der Lage 915 sein, in denen Daten-RX-Signalkontakte oder -durchkontakte gebildet werden. In einigen Fällen können die zweiten Öffnungen horizontal offen für und in Kommunikation mit vierten Öffnungen in der Maske über der Lage 915 sein, in denen Erdungssignalkontakte oder -durchkontakte gebildet werden.
  • Einige dieser Fälle können eine stromlose Beschichtung einer Saatlage des Leitermaterials über die Lage 915 vor dem Bilden der Maskenlage aufweisen. In diesem Fall kann der Block 1230 dann ein gleichzeitiges Bilden von Leitermaterial (z. B. Beschichtung der freigesetzten Saatlage der Öffnungen) aufweisen, um den zweiten Typ der Daten-TX-Signalleitungen 138 und Isolationsleitungen 562 der Lage 622 in den ersten und zweiten Öffnungen (und optional die Daten-TX-Signal- oder -durchkontakte in den dritten Öffnungen; und die Erdungssignalkontakte oder -durchkontakte in den vierten Öffnungen der Lage 622) zu bilden.
  • In einigen dieser Fälle kann ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials ein Bilden dieses Leitermaterials von allen der Daten-RX-Signalleitungen 138 des zweiten Typs und Isolationsleitungen 562 der Lage 622 (und optional aller der Daten-RX-Signal- oder - durchkontakte; und der Erdungssignalkontakte oder -durchkontakte der Lage 622) während des gleichen Prozesses, der gleichen Ablagerung oder des gleichen Aufwachsens dieses Leitermaterials in den ersten und zweiten (und optional dritten und vierten) Öffnungen aufweisen. In einigen Fällen weist ein gleichzeitiges Bilden des Leitermaterials eine elektrolytische Beschichtung von Leitermaterial in den ersten und zweiten (und optional dritten und vierten) Öffnungen (z. B. auf der stromlosen Beschichtung der Saatlage) auf.
  • In einigen Fällen davon wird die Maske (z. B. DFR) nach dem gleichzeitigen Bilden des Leitermaterials entfernt. Dieses Entfernen kann auch ein Entfernen der Saatlage zwischen den Öffnungen enthalten. Danach kann dielektrisches Material 103b (z. B. aus Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF)) abgelagert werden, wo die Maske entfernt wurde. In einigen Fällen enthält das Bilden der Maske ein Bilden einer Decklage aus Maskenmaterial und Ätzen der Decklage, um die ersten (und optional zweiten) Öffnungen zu bilden.
  • In einigen Ausführungen des Prozesses 1200 wird optional der Block 1210 zweimal durchgeführt, das erste Mal, um eine „nullte“ (z. B. unterste; wobei „nullte“ bedeutet, dass sie unter der ersten Schicht Lo liegt) Schicht Lq der Gehäusevorrichtung zu bilden, und dann wiederholt durchgeführt wird, um die Schicht Lo zu bilden. Die erste Durchführung des Blocks 1210 bildet eine nullte (z. B. unterste Zwischenverbindungsschicht Lq einer Gehäusevorrichtung, bevor die Schicht Lo gebildet wird, wobei die Schicht Lq mit dem ersten Typ (z. B. RX oder TX) der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial gebildet wird, die zwischen Paaren von horizontal benachbarten nullten geerdeten Isolationsleitungen der Schicht Lq angeordnet sind; wobei der erste Typ der Übertragungsleitungen der Schicht Lq horizontal versetzt ist, sodass sie direkt unter den ersten geerdeten Isolationsleitungen der Schicht Lo sind; und wobei die ersten und nullten geerdeten Isolationsleitungen und die geerdete Isolationsebene (z. B. der untersten, unteren und mittleren Schicht) jede des ersten Typs der Datensignalübertragungsleitungen der ersten Schicht Lo koaxial umgeben.
  • Diese erste Durchführung des Blocks 1210 kann auch ein Bilden einer Schicht Lq aufweisen, um nichtleitende Materialabschnitte der Gehäusevorrichtung der Schicht Lq zwischen jedem vom ersten Typ (z. B. RX oder TX) der horizontalen Datensignalempfangsübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial und jeder der nullten geerdeten Isolationsleitungen der Schicht Lq angeordnet aufzuweisen.
  • Diese erste Durchführung von Block 1210 kann auch ein Bilden der Schicht Lq der Gehäusevorrichtung mit einer nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materiallage der nullten Schicht, die auf (z. B. diese berührend) oder über einer Lage mit dem ersten Typ (z. B. RX oder TX) der horizontalen Datensignalleitungen der Gehäusevorrichtung, den nullten geerdeten Isolationsleitungen und den nichtleitenden Materialabschnitten der Schicht Lq gebildet ist.
  • In einigen Fällen weist diese erste Durchführung des Blocks 1210 ein Bilden einer nichtleitenden Materiallage 103a der ersten (z. B. unteren) Zwischenverbindungsschicht Lq (z. B. Lage 640) auf (z. B. diese berührend) oder über einer Lage (z. B. Lage 642) mit null horizontalen Datensignalleitungen 148 des TX-Typs, null geerdeten Isolationsleitungen 566 und nichtleitenden Materialabschnitten 103b der Schicht Lq auf.
  • In einigen Ausführungen des Prozesses 1200 wird der Block 1230 zweimal durchgeführt, das erste Mal, um die zweite Schicht Ln zu bilden, und wird dann wiederholt, um die dritte (z. B. oberste oder höchste) Schicht Lm der Gehäusevorrichtung zu bilden. Die wiederholte oder zweite Durchführung des Blocks 1230 bildet eine dritte (z. B. oberste) Zwischenverbindungsschicht Lm einer Gehäusevorrichtung, nachdem die Schicht Ln gebildet wurde, wobei die Schicht Lm mit dem zweiten Typ (z. B. TX oder RX) der horizontalen Datensignalübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial gebildet wird, die zwischen Paaren von horizontal benachbarten dritten geerdeten Isolationsleitungen der Schicht Lm angeordnet sind; wobei der zweite Typ der Übertragungsleitungen der Schicht Lm horizontal versetzt ist, sodass sie direkt unter den zweiten geerdeten Isolationsleitungen der Schicht Ln sind; und wobei die zweiten und dritten geerdeten Isolationsleitungen und die geerdete Isolationsebene (z. B. der obersten, oberen und mittleren Schicht) jede des zweiten Typs der Datensignalübertragungsleitungen der zweiten Schicht Ln koaxial umgeben.
  • Diese zweite Durchführung des Blocks 1230 kann auch ein Bilden einer Schicht Lm aufweisen, um nichtleitende Materialabschnitte der Gehäusevorrichtung der Schicht Lm zwischen jedem vom zweiten Typ (z. B. TX oder RX) der horizontalen Datensignalempfangsübertragungsleitungen aus Gehäusevorrichtungs-Leitermaterial und jeder der dritten geerdeten Isolationsleitungen der Schicht Lm angeordnet aufzuweisen.
  • Die zweite Durchführung von Block 1230 kann auch ein Bilden der Schicht Lm der Gehäusevorrichtung mit einer nichtleitenden Gehäusevorrichtungs-Materiallage der dritten Schicht aufweisen, die auf (z. B. diese berührend) oder über einer Lage mit dem zweiten Typ (z. B. TX oder RX) der horizontalen Datensignalleitungen der Gehäusevorrichtung, den dritten geerdeten Isolationsleitungen und den nichtleitenden Materialabschnitten der Schicht L gebildet ist.
  • In einigen Fällen enthält diese zweite Durchführung des Blocks 1230 ein Bilden einer nichtleitenden Materiallage 103a der Schicht Lm (z. B. Lage 610) auf (z. B. diese berührend) oder über einer Lage (z. B. Lage 612) mit horizontalen Datensignalleitungen 138 des zweiten RX-Typs, dritten geerdeten Isolationsleitungen 560 und nichtleitenden Materialabschnitten 103b der Schicht Lm.
  • In einigen Fällen des Prozesses 1200 wird der Block 1210 zweimal wie oben angemerkt durchgeführt und danach wird Block 1220 einmal durchgeführt, aber Block 1230 wird nicht durchgeführt. In einigen Fällen des Prozesses 1200 wird der Block 1210 nicht durchgeführt, Block 1220 wird einmal durchgeführt und danach wird Block 1230 zweimal wie oben angemerkt durchgeführt. In einigen Fällen des Prozesses 1200 wird der Block 1210 zweimal wie oben angemerkt durchgeführt und danach wird Block 1220 einmal durchgeführt, und danach wird Block 1230 zweimal wie oben angemerkt durchgeführt.
  • Als Nächstes kann der Prozess 1200 beim Zurück-Pfeil 1240 fortfahren, indem er zu einer weiteren Durchführung der Blöcke 1210, 1220 und 1230 zurückkehrt, wie oben angemerkt, um weitere Schichten mit Signalleitungen, die zwischen geerdeten Isolationsleitungen angeordnet sind, und Schichten mit geerdeten Ebenen zu bilden. Der Prozess 1200 kann auf diese Weise fortfahren, bis eine vorbestimmte oder ausreichende Anzahl an Schichten oder Durchführungen der Prozesse 1200 abgeschlossen ist, um eine gewünschte Gehäusevorrichtung 950 zu bilden. In einigen Fällen kann dies 3 bis 10 Mal wiederholt werden.
  • Als Nächstes kann der Block 1210 in einem ersten beispielhaften Fall des Prozesses 1200 nur ein Bilden der Lage 632 wie hierin beschrieben aufweisen; der Block 1220 kann nur ein Bilden der Lage 216 wie hierin beschrieben aufweisen; und der Block 1230 kann nur ein Bilden der Lage 622 wie hierin beschrieben aufweisen. In einem zweiten beispielhaften Fall kann der Block 1210 ein Bilden der Schichten 630 und 632 wie hierin beschrieben aufweisen; der Block 1220 kann ein Bilden der Schichten 910 und 216 wie hierin beschrieben aufweisen; und der Block 1230 kann ein Bilden der Schichten 620 und 622 wie hierin beschrieben aufweisen.
  • Es ist erkennbar, obwohl 9-12 Schicht Lm mit RX-Signalleitungen, Schicht Ln mit RX-Signalleitungen, Schicht Lo mit TX-Signalleitungen und Schicht Lq mit TX-Signalleitungen zeigen und die entsprechenden Beschreibungen dies beschreiben, dass die Figuren und Beschreibungen auch für Ausführungsformen gelten, bei denen TX und RX dieser Signalleitungen umgekehrt sein können. Es ist erkennbar, obwohl 9-12 Ausführungen für Schicht Lm mit RX-Signalleitungen, Schicht Ln mit RX-Signalleitungen, Schicht Lo mit TX-Signalleitungen und Schicht Lq mit TX-Signalleitungen zeigen und die entsprechenden Beschreibungen dies beschreiben, dass die Figuren und Beschreibungen auch für Ausführungsformen gelten, bei denen es nur eine Schicht von vertikal benachbarten RX- und TX-Signalen gibt (beispielsweise ist Schicht Ln TX und Schicht Lo RX-Signale), wobei jede Schicht geerdete Isolationsleitungen und einen Offset wie hierin angemerkt aufweist (wie z. B. in den 1-4). Die Schicht Lm kann beispielsweise RX-Signalleitungen sein, wohingegen die Schicht Ln TX-Signalleitungen aufweist, die Schicht Lo kann RX-Signalleitungen sein, wohingegen Schicht Lq TX-Signalleitungen aufweist. In einigen Fällen kann TX und RX dieser Signalleitungen dieses Beispiels umgekehrt sein. In einigen Ausführungsformen kann es drei Schichten von vertikal benachbarten RX- und TX-Signalen geben, wobei jede Schicht geerdete Isolationsleitungen und -offsets wie hierin angemerkt aufweist.
  • Es ist klar, obwohl die 9-12 Ausführungsformen für Schichten mit RX-Signalleitungen und TX-Signalleitungen zeigen und die entsprechenden Beschreibungen derartige Ausführungsformen beschreiben, die Figuren und Beschreibungen auch für Ausführungsformen gelten, bei denen andere Arten von Informationen, Takt-, Zeitgebungs-, Wechselstrom(AC)- oder Datensignale auf diesen Signalleitungen sein können.
  • In einigen Fällen können die Schichten Lj-Ll der 1-4 oder die Schichten Lm-Lq der 5-8 oder die Schichten Lm-Ly der 9-12 Schichten innerhalb einer Gehäusevorrichtung (z. B. der Gehäusevorrichtung 150, 550 oder 950) sein, die die oberen oder die obersten 3, 5 oder 6 Schichten sind. In einigen Fällen können diese Schichten Schichten innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein, die nicht die unteren oder die untersten 3, 5 oder 6 Schichten sind. In einigen Fällen sind sie weder noch. In einigen Fällen können diese Schichten Schichten innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein, die nicht als eine „oberste“ oder „unterste“ Lage wie eine freiliegende Lage (z. B. eine abschließende Aufbauschicht (BU-Schicht), BGA, GA oder chiprückseitenähnliche Lage) angesehen werden, auf die ein IC-Chip (wie beispielsweise ein Mikroprozessor, Coprozessor, Grafikprozessor, Arbeitsspeicherchip, Modemchip oder andere mikroelektronische Chipvorrichtungen), ein Steckplatz, ein Interposer, eine Hauptplatine oder eine andere Komponente einer nächsten Schicht montiert oder direkt angebracht wird. In einigen Fällen können diese Schichten Schichten innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein, wobei bekannt ist, dass es in dieser horizontale Signalübertragungsleitungen oder -spuren gibt oder diese horizontal von einer zu einer anderen horizontalen Position verlaufen. In einigen Fällen können diese Schichten Schichten innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein, die sich zwischen 3 und 30 Schichten von der oberen (z. B. freiliegenden) Schicht der Vorrichtung befinden. In einigen Fällen können diese Schichten Schichten innerhalb einer Gehäusevorrichtung sein, die sich unter einer Erdungsebene oder auf einer Schicht 5 Schichten von der oberen (z. B. freiliegenden) Schicht der Vorrichtung befinden.
  • Es ist ersichtlich, dass es zusätzliche Schichten über und/oder unter den Schichten Lj-L1 der 1-4 oder den Schichten Lm-Lq der 5-8 oder den Schichten Lm-Ly der 9-12 geben kann. Außerdem kann es in diesen Schichten mehr Datensignalleitungen geben, wie zusätzliche Leitungen 138 und 148, die sich neben den geerdeten Isolationsleitungen befinden und wie beschrieben nichtleitende Abschnitte zwischen den zusätzlichen Leitungen aufweisen.
  • In einigen Ausführungsformen weist die Schicht L5 von oben eine feste Erdungsebene 160 oder eine Erdungsebene auf, die auf der Schicht Lm der 5-8 gebildet ist, oder ist eine solche Ebene. In einigen Ausführungsformen ist die Schicht L6 unter der Schicht L5 von oben eine feste planare Erdungslage 160 oder eine Erdungsebene, die auf der Schicht Lm der 5-8 gebildet ist.
  • In einigen Fällen können der Chip 102, der Chip 108 und der Chip 109 jeweils einen integrierten Schaltkreischip (IC-Chip) oder ein „Rohchip“ wie eine Computerverarbeitungseinheit (CPU), einen Mikroprozessor, einen Coprozessor, einen Grafikprozessor, einen Arbeitsspeicherchip, einen Modemchip oder eine andere mikroelektronische Chipvorrichtung repräsentieren. In einigen Fällen ist der Chip 102 eine integrierte Schaltkreischip-Computerverarbeitungseinheit, (IC-CPU), ein Mikroprozessor oder ein Coprozessor. In einigen Fällen ist der Chip 108 ein integrierter Schaltkreischip (IC-Chip), der ein Coprozessor, ein Grafikprozessor, ein Arbeitsspeicherchip, ein Gefügesteuerungschip, ein Netzwerkschnittstellenchip, ein Schalterchip, ein Beschleunigungschip, ein Chip für ein feldprogrammierbares Gatearray (FPGA) oder eine anwendungsspezifische integrierte Schaltkreischipvorrichtung (ASIC-Chipvorrichtung) ist. In einigen Fällen ist der Chip 109 ein integrierter Schaltkreischip-Coprozessor (IC-Chip-Coprozessor), ein Grafikprozessor, ein Arbeitsspeicherchip, ein Modemchip, eine Kommunikationsausgabesignalchipvorrichtung, ein Gefügesteuerungschip, ein Netzwerkschnittstellenchip, ein Schalterchip, ein Beschleunigungschip, ein Chip für ein feldprogrammierbares Gatearray (FPGA) oder eine anwendungsspezifische integrierte Schaltkreischipvorrichtung (ASIC-Chipvorrichtung).
  • Für einige Ausführungsformen sind die Chips 102, 108 und/oder 109 nicht enthalten. Einige Ausführungsformen weisen nur den Verteiler 104, den Interposer 106 und das Gehäuse 110 auf, wie hierin beschrieben. Einige Ausführungsformen weisen nur den Verteiler 504, den Interposer 506 und das Gehäuse 510 auf, wie hierin beschrieben. Einige Ausführungsformen weisen nur den Verteiler 904, den Interposer 906 und das Gehäuse 910, wie hierin beschrieben.
  • Für einige Ausführungsformen ist nur der Verteiler 104, 504 oder 904 enthalten (z. B. sind der Chip 102 und der Interposer 106 nicht enthalten). Für einige Ausführungsformen ist nur der Interposer 106, 506 oder 906 enthalten (z. B. sind der Verteiler 104 und das Gehäuse 110, 510 oder 910 nicht enthalten). Für einige Ausführungsformen ist das Gehäuse 110, 510 oder 910 enthalten (z. B. sind die Chips 108 und 109; und der Interposer 106, 506 oder 906 nicht enthalten). Einige Ausführungsformen weisen nur die Gehäusevorrichtung 150, 550 oder 950 auf, wie hierin beschrieben. Für einige Ausführungsformen ist nur die Gehäusevorrichtung 150 enthalten. Für einige Ausführungsformen ist nur die Gehäusevorrichtung 550 enthalten. Für einige Ausführungsformen ist nur die Gehäusevorrichtung 950 enthalten.
  • In einigen Fällen kann eine Pitchbreite (PW1 oder PW2 ist entlang der Breite W3 definiert) zwischen benachbarten (eine Signalleitung und der Signalleitung unmittelbar links oder rechts dieser Signalleitung) Datensignalübertragungsleitungen der 1-12 zwischen 100 und 150 um betragen. In einigen Fällen kann sie zwischen 50 und 300 um betragen. Dieser Pitch kann eine Distanz (z. B. einen Mittelwert oder eine Konstruktionsregel) zwischen dem Mittelpunkt von zwei benachbarten Übertragungsleitungen repräsentieren. In einigen Fällen kann er ungefähr 110 Mikrometer (110 × E-6 Meter - „um“) betragen. In einigen Fällen kann er zwischen 100 und 120 Mikrometer (um) betragen. In einigen Fällen kann er zwischen 60 und 200 Mikrometer betragen.
  • Es wird auch erwogen, dass die Schichten über und unter den Schichten Lj-Ll der 1-4 oder den Schichten Lm-Lq der 5-8 oder der Schichten Lm-Ly der 9-12 verschiedene Zwischenverbindungslagen, Gehäuselagen, leitende Merkmale (z. B. elektronische Vorrichtungen, Zwischenverbindungen, Lagen mit leitenden Spuren, Lagen mit leitenden Durchkontaktierungen), Lagen mit dielektrischem Material und andere Lagen enthalten können, wie in der Branche für eine Halbleitergehäusevorrichtung bekannt ist. In einigen Fällen kann das Gehäuse einen Kern aufweisen oder kernlos sein. In einigen Fällen enthält das Gehäuse Merkmale, die nach Standard-Gehäusesubstratbildungsprozessen und Werkzeugen gebildet sind, wie derartige, die enthalten oder verwenden: Feinschichtung von dielektrischen Lagen wie Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF), Laser- oder mechanisches Bohren, um Durchkontaktierungen in den dielektrischen Folien zu bilden, Feinschichtung und fotolithografische Strukturierung von Abdeckfolie (DFR), Beschichtung mit leitenden Spuren (CT) wie Kupferspuren (Cu-Spuren) und andere Aufbau-Lage- und Oberflächenbehandlungsprozesse, um Lagen mit elektronisch leitenden Spuren, elektronisch leitenden Durchkontaktierungen und dielektrischem Material auf einer oder beiden Oberflächen (z. B. Ober- und Unterseite) eines Substratfelds oder abziehbaren Kernfelds zu bilden. Das Substrat kann ein Substrat sein, das in einer elektronischen Gehäusevorrichtung oder einem Mikroprozessorgehäuse verwendet wird.
  • In einigen Fällen können beliebige oder alle der Schichten Lj-Ll der 1-4 oder der Schichten Lm-Lq der 5-8 oder der Schichten Lm-Ly der 9-12 auch derartige Strukturen enthalten, die oben für das Gehäuse 150, 550 oder 950 erwähnt wurden, obwohl sie nicht in den 1-12 gezeigt wurden. In einigen Fällen sind die Kontakte und/oder Spuren dieser Schichten elektrisch mit den leitenden Strukturen verbunden (z. B. physisch an diesen angebracht oder auf diesen gebildet), die oben für das Gehäuse 150, 550 oder 950 erwähnt wurden.
  • Das Gehäuse 150, 550 oder 950 kann Merkmale mit einem Standard-Gehäusepitch aufweisen, wie er für ein Halbleiterchipgehäuse, Chipgehäuse; oder für eine andere Vorrichtung (z. B. eine Schnittstelle, PCB oder einen Interposer) bekannt ist, die typischerweise ein Rohchip (z. B. einen IC, einen Chip, einen Prozessor oder eine zentrale Verarbeitungseinheit) mit einem Steckplatz, einer Hauptplatine oder einer anderen Komponente einer nächsten Schicht verbindet. In einigen Ausführungsformen wird der Pitch durch eine Standard-Gehäusekonstruktionsregel (DR) oder ein Chipgehäuse bestimmt, wie bekannt ist. In einigen Fällen ist dieser Pitch ein Leitungsabstand (z. B. der tatsächliche Wert der Leitungsbreiten und Abstände zwischen den Leitungen auf den Lagen) oder Konstruktionsregeln (DR) eines Merkmals (z. B. einem leitenden Kontakt oder einer Spur), der zwischen 9 und 12 Mikrometer beträgt.
  • Die Leitungen 138, 148; die Ebenen 160, 162 und 164; und die Leitungen 560, 562, 564 und 566 können innerhalb ihrer beschriebenen Breite, Länge und Höhe aus festem Leitermaterial gebildet sein. Das Leitermaterial kann ein reiner Leiter (z. B. ein Metall oder ein reines Leitermaterial) sein. Ein solches Material kann Kupfer (Cu), Gold, Silber, Bronze, Nickel, Silber, Aluminium, Molybdän, eine Legierung oder dergleichen sein oder enthalten, wie für einen solchen Kontakt bekannt ist. In einigen Fällen sind sie alle massives Kupfer.
  • In einigen Fällen kann die Bildung der Leitungen 138, 148; der Ebenen 160, 162 und 164; und der Leitungen 560, 562, 564 und 566 (die alle zusammen unten als „Ebenen und Leitungen“ oder „Leitermaterialmerkmale“ beschrieben werden können) durch Prozesse erfolgen, die für typische Chipgehäusefertigungsprozesse bekannt sind (z. B. in der Branche für eine Halbleitergehäusevorrichtung bekannt sind). In einigen Fällen sind diese Leitermaterialmerkmale nach Standard-Gehäusesubstratbildungsprozessen und Werkzeugen gebildet, wie derartige, die enthalten oder verwenden: Feinschichtung von dielektrischen Lagen wie Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF), Aushärten, Laser- oder mechanisches Bohren, um Durchkontaktierungen in den dielektrischen Folien zu bilden, Rückstandsentfernung von Saatleitermaterial, Feinschichtung und fotolithografische Strukturierung von Abdeckfolie (DFR), Beschichtung mit leitenden Spuren (CT) wie Kupferspuren (Cu-Spuren) und andere Aufbau-Lage- und Oberflächenbehandlungsprozesse, um Lagen mit elektronisch leitenden Spuren, elektronisch leitenden Durchkontaktierungen und dielektrischem Material auf einer oder beiden Oberflächen (z. B. Ober- und Unterseite) eines Substratfelds oder abziehbaren Kernfelds zu bilden. Das Substrat kann ein Substrat sein, das in einer elektronischen Gehäusevorrichtung oder einem Mikroprozessorgehäuse verwendet wird.
  • In einigen Fällen sind diese Leitermaterialmerkmale als eine Ummantelungslage aus Leitermaterial (z. B. einem reinen Leitermaterial) gebildet, das maskiert und geätzt wird, um Öffnungen zu bilden, wo dielektrisches Material (z. B. 103, wie 103a-103i) aufgetragen, aufgewachsen oder gebildet wird (und um Abschnitte des Leitermaterials zu lassen, wo die Kontakte, Spuren und Vernetzung nun gebildet sind). Alternativ kann das Leitermaterial eine Lage (z. B. Abschnitte einer Ummantelungslage) sein, die in Öffnungen gebildet ist, die durch eine strukturierte Maske (z. B. ABF und/oder Abdeckfolie) und nachfolgendes Entfernen der Maske (z. B. Auflösen oder Brennen) existieren, um die Leitungen und Ebenen (z. B. als Leitermaterial, das in den Öffnungen nach Entfernung der Maske verbleibt) zu bilden. Ein solches Bilden der Ebenen und Leitungen kann ein Beschichten oder Aufwachsen des Leitermaterials enthalten, wie eine Elektrolytlage aus Metall oder Leiter, die aus einer Saatlage aus stromlosem Metall oder Leiter aufgewachsen wird, um die Ebenen und Leitungen zu bilden.
  • Lagen aus Dielektrikum 103 (z. B. die Lagen 103a-103i) können jeweils eine Höhe H2, H3 oder H4 für eine Lage aus massivem nichtleitendem Material sein. Das dielektrische Material kann ein reiner Nichtleiter (z. B. ein reines Nichtleitermaterial) sein. Ein solches Material kann Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF), gehärtetes Harz, Trockenfolienbeschichtung, Keramik, Glas, Plastik oder dergleichen sein oder enthalten, wie für ein solches Dielektrikum bekannt ist. In einigen Fällen ist es Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF) und/oder Trockenfolienbeschichtung.
  • In einigen Fällen kann das Dielektrikum eine Ummantelungslage aus dielektrischem Material (z. B. einem nichtleitenden Isolatormaterial) sein, die gebohrt, oder maskiert und geätzt ist, um Öffnungen zu bilden, wo die Kontakte, Spuren und Vernetzung durch Prozesse, die für typische Chipgehäusefertigungsprozesse bekannt sind (z. B. in der Branche für eine Halbleitergehäusevorrichtung bekannt sind), abgelagert, aufgewachsen oder gebildet werden (z. B. zeigt das restliche Material „Nichleitermaterialmerkmale“). In einigen Fällen sind diese Nichtleitermaterialmerkmale nach Standard-Gehäusesubstratbildungsprozessen und Werkzeugen gebildet, wie derartige, die enthalten oder verwenden: Feinschichtung von dielektrischen Lagen wie Ajinomoto-Aufbaufolie (ABF), Aushärten, Laser- oder mechanisches Bohren, um Durchkontaktierungen in den dielektrischen Folien zu bilden, Rückstandsentfernung von Saatleitermaterial, Feinschichtung und fotolithografische Strukturierung von Abdeckfolie (DFR), Beschichtung mit leitenden Spuren (CT) wie Kupferspuren (Cu-Spuren) und andere Aufbau-Lage- und Oberflächenbehandlungsprozesse, um Lagen mit elektronisch leitenden Spuren, elektronisch leitenden Durchkontaktierungen und dielektrischem Material auf einer oder beiden Oberflächen (z. B. Ober- und Unterseite) eines Substratfelds oder abziehbaren Kernfelds zu bilden. Das Substrat kann ein Substrat sein, das in einer elektronischen Gehäusevorrichtung oder einem Mikroprozessorgehäuse verwendet wird.
  • Alternativ kann das Dielektrikum eine Lage sein, die auf einer strukturierten Maske gebildet ist, wobei die Maske danach entfernt (z. B. aufgelöst oder gebrannt) wird, um Öffnungen zu bilden, wo die Kontakte, Spuren, Leitungen und Ebenen abgelagert, aufgewachsen oder gebildet werden. Ein solches Bilden der dielektrischen Lage oder von Abschnitten kann ein Ablagern des dielektrischen Materials wie durch eine Vakuumbeschichtung von ABF oder Trockenfolienbeschichtung wie von oder auf einer unteren Oberfläche eines dielektrischen Materials (das z. B. der gleiche Materialtyp oder ein anderer Typ von dielektrischem Material sein kann) aufweisen oder sein, um die Lage oder Abschnitte zu bilden. In einigen Fällen können die dielektrische Lage, die Abschnitte der dielektrischen Struktur oder die Öffnungen in der dielektrischen Lage durch einen Prozess gebildet werden, der bekannt ist, um ein solches Dielektrikum eines Gehäuses oder einer Chipgehäusevorrichtung zu bilden.
  • In einigen Fällen werden beliebige oder alle der Formen der Leitungen 138 und der Leitungen 148 in Querschnitts-Längsansicht (z. B. die Höhe H3 x Breite W1) als eine quadratische oder rechteckige Form gezeigt (siehe z. B. die 2A, 6A und 10A, es wird jedoch erwogen, dass diese Formen stattdessen ein Kreis (z. B. mit einem Durchmesser von H3 oder W1); oder ein Oval, ein Dreieck, ein Rhombus, ein Trapezoid oder ein Polygon (z. B. mit einer maximalen Höhe von H3 und einer maximalen Breite von W1) sind oder ein solches repräsentieren. In einigen Fällen werden auch beliebige oder alle der Formen der Abschnitte 103b, 103e und 103h von 2A in Querschnitts-Längsansicht (z. B. die Höhe H3 x Breite W2) als eine quadratische oder rechteckige Form gezeigt, es wird jedoch erwogen, dass diese Formen stattdessen ein Kreis (z. B. mit einem Durchmesser von H3 oder W2); oder ein Oval, ein Dreieck, ein Rhombus, ein Trapezoid oder ein Polygon (z. B. mit einer maximalen Höhe von H3 und einer maximalen Breite von W2) sind oder ein solches repräsentieren. In einigen Fällen werden als Nächstes beliebige oder alle der Formen der Abschnitte 103b der 6A und 10A in Querschnitts-Längsansicht (z. B. die Höhe H3 x Breite W5) als eine quadratische oder rechteckige Form gezeigt, es wird jedoch erwogen, dass diese Formen stattdessen ein Kreis (z. B. mit einem Durchmesser von H3 oder W5); oder ein Oval, ein Dreieck, ein Rhombus, ein Trapezoid oder ein Polygon (z. B. mit einer maximalen Höhe von H3 und einer maximalen Breite von W5) sind oder ein solches repräsentieren. Schließlich werden in einigen Fällen beliebige oder alle der Formen der Leitungen 560, 562, 564 und 566 der 6A und 10A in Querschnitts-Längsansicht (z. B. die Höhe H3 x Breite W4) als eine quadratische oder rechteckige Form gezeigt, es wird jedoch erwogen, dass diese Formen stattdessen ein Kreis (z. B. mit einem Durchmesser von H3 oder W4); oder ein Oval, ein Dreieck, ein Rhombus, ein Trapezoid oder ein Polygon (z. B. mit einer maximalen Höhe von H3 und einer maximalen Breite von W4) sind oder ein solches repräsentieren.
  • In einigen Fällen bieten Ausführungsformen (z. B. Gehäuse, Systeme und Prozesse zum Bilden) der Gehäusevorrichtungen 150, 550 und 950, wie für die 1-12 beschrieben, einen schnelleren und genaueren Datensignaltransfer zwischen den zwei an einem Gehäuse angebrachten ICs, indem sie geerdete Isolationsebenen; Leitungen; oder Ebenen und Leitungen der Gehäusevorrichtungen 150, 550 und 950 aufweisen, die eine Signalleitungseinstreuung reduzieren und eine Signalleitungsisolierung erhöhen (siehe z. B. die 1, 5 und 9). In einigen Fällen bieten die Ausführungsformen der Prozesse zum Bilden der Gehäusevorrichtungen 150, 550 und 950 oder Ausführungsformen der Gehäusevorrichtungen 150, 550 und 950 eine Gehäusevorrichtung mit besseren Komponenten zum Bereitstellen von Hochfrequenz-Sende- (z. B. durch die Leitungen 148) und -Empfangs-Datensignalen (z. B. durch die Leitungen 138) zwischen horizontalen Endpunkten dieser Leitungen (siehe z. B. die 1, 5 und 9). Die Komponenten können aufgrund der Hinzufügung der geerdeten Isolationsebenen; Leitungen; oder Ebenen und Leitungen der Gehäusevorrichtungen 150, 550 und 950 besser sein.
  • In einigen Fällen bieten Ausführungsformen von Prozessen zum Bilden der Gehäusevorrichtungen 150, 550 und 950 oder Ausführungsformen der Gehäusevorrichtung 150, 550 und 950 die Vorteile, die in Computersystemarchitekturmerkmalen, Gehäusevorrichtungen und Schnittstellen ausgebildet sind, die in hohen Volumina gefertigt werden (siehe z. B. die 1, 5 und 9). In einigen Fällen bieten Ausführungsformen derartiger Prozesse und Vorrichtungen alle Vorteile zum Lösen von Zwischenverbindungsproblemen bei Hochfrequenz-Datentransfer, wie zwischen zwei IC-Chips oder Rohchips (wenn z. B. Hunderte oder gar Tausende von Signalen zwischen zwei Rohchips weitergeleitet werden müssen), oder für eine Hochfrequenz-Datentransfer-Zwischenverbindung innerhalb eines Ein-Chip-Systems (SoC) (siehe z. B. die 1, 5 und 9). In einigen Fällen bieten Ausführungsformen derartiger Prozesse und Vorrichtungen die geforderte Zwischenverbindungslösung für Hochfrequenz-Datentransfer mit niedrigeren Kosten, die über die obigen Segmente hinweg benötigt wird (siehe z. B. die 1, 5 und 9). Diese Vorteile können sich aufgrund der Hinzufügung der geerdeten Isolationsebenen; Leitungen; oder Ebenen und Leitungen der Gehäusevorrichtungen 150, 550 und 950 ergeben.
  • Zusätzlich können solche Prozesse und Vorrichtungen eine direkte und lokale Datensignallieferung für beide Chips bieten. In einigen Fällen stellen Ausführungsformen derartiger Prozesse und Vorrichtung eine Kommunikation zwischen zwei IC-Chips oder Platinen-ICs einschließlich Arbeitsspeicher, Modem, Grafik und anderer Funktionalität bereit, direkt aneinander angebracht (siehe z. B. die 1, 5 und 9). Diese Prozesse und Vorrichtungen stellen einen Datentransfer mit erhöhter Eingabe/Ausgabe(E/A)-Geschwindigkeit zu niedrigeren Kosten bereit. Diese Bereitstellungen und Verbesserungen können sich aufgrund der Hinzufügung der geerdeten Isolationsebenen; Leitungen; oder Ebenen und Leitungen aus Leitermaterial der Gehäusevorrichtungen 150, 550 und 950 ergeben.
  • 13 veranschaulicht eine Rechenvorrichtung nach einer Implementierung. 13 veranschaulicht eine Rechenvorrichtung 1300 nach einer Implementierung. Die Rechenvorrichtung 1300 beherbergt eine Leiterplatte 1302. Die Leiterplatte 1302 kann eine Anzahl von Komponenten enthalten, wie einen Prozessor 1304 und mindestens einen Kommunikationschip 1306, aber nicht darauf beschränkt. Der Prozessor 1304 ist physisch und/oder elektrisch an die Leiterplatte 1302 gekoppelt. In einigen Implementierungen ist außerdem mindestens ein Kommunikationschip 1306 ebenfalls physische und elektrisch an die Leiterplatte 1302 gekoppelt. In weiteren Implementierungen kann der Kommunikationschip 1306 Teil des Prozessors 1304 sein.
  • Abhängig von ihren Anwendungen kann die Rechenvorrichtung 1300 andere Komponenten enthalten, die physisch und elektrisch an die Leiterplatte 1302 gekoppelt sein können oder nicht. Diese anderen Komponenten enthalten flüchtigen Speicher (z. B. DRAM), nichtflüchtigen Speicher (z. B. ROM), Flash-Speicher, einen Grafikprozessor, einen digitalen Signalprozessor, einen Kryptografieprozessor, einen Chipsatz, eine Antenne, eine Anzeige, eine Touchscreenanzeige, einen Touchscreencontroller, eine Batterie, einen Audiocodec, Videocodec, Leistungsverstärker, eine globale Positionsbestimmungssystem(GPS)-Vorrichtung, einen Kompass, einen Beschleunigungsmesser, ein Gyroskop, einen Lautsprecher, eine Kamera und eine Massenspeichervorrichtung (wie ein Festplattenlaufwerk, eine Compact-Disk (CD), eine Digital Versatile Disk (DVD) und so weiter), sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Der Kommunikationschip 1306 ermöglicht drahtlose Kommunikationen für den Transfer von Daten zu und von der Rechenvorrichtung 1300. Der Begriff „drahtlos“ und seine Derivate können verwendet werden, um Schaltkreise, Vorrichtungen, Systeme, Verfahren, Techniken, Kommunikationskanäle usw. zu beschreiben, die Daten durch die Verwendung von modulierter elektromagnetischer Strahlung durch ein nicht festes Medium kommunizieren. Der Begriff deutet nicht an, dass die assoziierten Vorrichtungen keine Drähte enthalten, obwohl sie in manchen Ausführungsformen keine enthalten können. Der Kommunikationschip 1306 kann beliebige einer Anzahl an drahtlosen Standards oder Protokollen implementieren, einschließlich unter anderem Wi-Fi (IEEE-802.11-Familie), WiMAX (IEEE-802.16-Familie), IEEE 802.20, Long Term Evolution (LTE), Ev-DO, HSPA+, HSDPA+, HSUPA+, EDGE, GSM, GPRS, CDMA, TDMA, DECT, Bluetooth, Ableitungen davon, sowie beliebige andere drahtlose Protokolle, die als 3G, 4G, 5G und darüber hinaus bezeichnet werden. Die Rechenvorrichtung 1300 kann eine Vielzahl von Kommunikationschips 1306 aufweisen. Zum Beispiel kann ein erster Kommunikationschip 1306 für drahtlose Kommunikationen in näheren Bereichen dediziert sein, wie WiFi und Bluetooth, und ein zweiter Kommunikationschip 1306 kann für drahtlose Kommunikationen in entfernteren Bereichen dediziert sein, wie GPS, EDGE, GPRS, CDMA, WiMAX, LTE, Ev-DO und andere.
  • Der Prozessor 1304 der Rechenvorrichtung 1300 weist einen integrierten Schaltkreisrohchip auf, der innerhalb des Prozessors 1304 eingehaust ist. In einigen Implementierungen weist der integrierte Schaltkreisrohchip des Prozessors eine oder mehrere Vorrichtungen wie Transistoren oder Metallzwischenverbindungen auf. In einigen Ausführungsformen weist das Gehäuse des integrierten Schaltkreisrohchips oder des Prozessors 1304 Ausführungsformen von Prozessen zum Bilden der Gehäusevorrichtungen 150, 550 und 950 oder Ausführungsformen der Gehäusevorrichtungen 150, 550 und 950 auf, wie hierin beschrieben. Der Begriff „Prozessor“ kann eine beliebige Vorrichtung oder einen beliebigen Teil einer Vorrichtung bezeichnen, die bzw. der elektronische Daten von Registern und/oder von einem Speicher verarbeitet, um diese elektronischen Daten in andere elektronische Daten zu transformieren, die in Registern und/oder einem Speicher gespeichert werden können.
  • Der Kommunikationschip 1306 weist auch einen integrierten Schaltkreischip auf, der innerhalb des Kommunikationschips 1306 verpackt ist. In Übereinstimmung mit anderen Implementierungen weist der integrierte Schaltkreisrohchip des Kommunikationschips eine oder mehrere Vorrichtungen wie Transistoren oder Metallzwischenverbindungen auf. In einigen Ausführungsformen weist das Gehäuse des integrierten Schaltkreisrohchips oder des Chips 606 Ausführungsformen von Prozessen zum Bilden der Gehäusevorrichtungen 150, 550 und 950 oder Ausführungsformen der Gehäusevorrichtungen 150, 550 und 950 auf, wie hierin beschrieben.
  • In weiteren Implementierungen kann eine andere Komponente, die innerhalb der Rechenvorrichtung 600 untergebracht ist, einen integrierten Schaltkreisrohchip beinhalten, der eine oder mehrere Vorrichtungen wie Transistoren oder Metallzwischenverbindungen aufweist. In einigen Ausführungsformen weist das Gehäuse des anderen integrierten Schaltkreisrohchips oder Chips Ausführungsformen von Prozessen zum Bilden der Gehäusevorrichtungen 150, 550 und 950 oder Ausführungsformen der Gehäusevorrichtungen 150, 550 und 950 auf, wie hierin beschrieben.
  • In verschiedenen Implementierungen kann die Rechenvorrichtung 1300 ein Laptop, ein Netbook, ein Notebook, ein Ultrabook, ein Smartphone, ein Tablet, ein Organizer (PDA), ein ultramobiler PC, ein Mobiltelefon, ein Desktopcomputer, ein Server, ein Drucker, ein Scanner, ein Monitor, eine Set-Top-Box, eine Entertainment-Steuereinheit, eine Digitalkamera, eine tragbare Musikwiedergabeeinrichtung oder ein digitaler Videorekorder sein. In weiteren Implementierungen kann die Rechenvorrichtung 1300 eine beliebige andere elektronische Vorrichtung sein, die Daten verarbeitet.
  • BEISPIELE
  • Die folgenden Beispiele betreffen Ausführungsformen.
  • Beispiel 1 ist eine Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen, die eine erste Zwischenverbindungsschicht mit einer mittleren Lage der ersten Schicht mit einem ersten Typ von Datensignalleitungen aufweist; wobei die erste Zwischenverbindungsschicht eine unterste Lage der ersten Schicht mit einer geerdeten Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht aufweist; wobei die geerdete Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht entlang der untersten Lage der ersten Schicht angeordnet ist; eine zweite Zwischenverbindungsschicht unter der ersten Zwischenverbindungsschicht; wobei die zweite Zwischenverbindungsschicht eine mittlere Lage der zweiten Schicht mit einem zweiten Typ von Datensignalkontakten der zweiten Schicht aufweist; und die geerdete Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht zwischen dem ersten Typ von Datensignalkontakten der ersten Schicht und dem zweiten Typ von Datensignalkontakten der zweiten Schicht angeordnet ist.
  • In Beispiel 2 kann der Gegenstand optional die Gehäusevorrichtung von Beispiel 1 aufweisen, die ferner die erste Zwischenverbindungsschicht mit einer oberen Lage der ersten Schicht mit dielektrischem Material aufweist, die auf der mittleren Lage der ersten Schicht gebildet ist; wobei die mittlere Lage der ersten Schicht dielektrische Materialabschnitte aufweist, die horizontal zwischen einem ersten Typ von Datensignalleitungen angeordnet sind; die mittlere Lage der ersten Schicht auf einer unteren Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht gebildet ist; die untere Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht dielektrisches Material aufweist, das auf der untersten Lage der ersten Schicht gebildet ist; und die unterste Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht Erdungskontakte der ersten Schicht aufweist, die direkt mit der geerdeten Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht verbunden sind.
  • In Beispiel 3 kann der Gegenstand optional die Gehäusevorrichtung von Beispiel 2 aufweisen, die ferner die unterste Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht aufweist, die auf einer oberen Lage der zweiten Schicht der zweiten Zwischenverbindungsschicht gebildet ist; wobei die obere Lage der zweiten Schicht dielektrisches Material aufweist, das auf der mittleren Lage der zweiten Schicht gebildet ist; wobei die mittlere Lage der zweiten Schicht dielektrische Materialabschnitte aufweist, die horizontal zwischen einem zweiten Typ von Datensignalleitungen angeordnet sind; die zweite Lage der ersten Schicht auf einer unteren Lage der zweiten Schicht der zweiten Zwischenverbindungsschicht gebildet ist; die untere Lage der zweiten Schicht dielektrisches Material aufweist, das auf der untersten Lage der zweiten Schicht gebildet ist; und die unterste Lage der zweiten Schicht der zweiten Zwischenverbindungsschicht Erdungskontakte der zweiten Schicht aufweist, die direkt mit der geerdeten Isolationsebenenstruktur der zweiten Schicht verbunden sind.
  • In Beispiel 4 kann der Gegenstand optional die Gehäusevorrichtung von Beispiel 1 aufweisen, wobei der erste Typ von Datensignalleitungen entweder Empfangsdatensignalleitungen oder Sendedatensignalleitungen ist, die ausgelegt sind, Daten mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) an eine Vorrichtung zu kommunizieren; wobei der zweite Typ von Datensignalleitungen entweder Sendedatensignalleitungen oder Empfangsdatensignalleitungen ist, die ausgelegt sind, Daten mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) an eine Vorrichtung zu kommunizieren; und wobei der zweite Typ von Datensignalleitungen ein anderer Typ als der erste Typ ist.
  • In Beispiel 5 kann der Gegenstand optional die Gehäusevorrichtung von Beispiel 4 aufweisen, wobei die geerdete Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht ausgelegt ist, um Einstreuung zwischen dem ersten Typ von Datensignalkontakten der ersten Schicht und dem zweiten Typ von Datensignalkontakten der zweiten Schicht zu reduzieren.
  • In Beispiel 6 kann der Gegenstand optional die Gehäusevorrichtung von Beispiel 1 aufweisen, wobei der erste und der zweite Typ von Datensignalleitungen unter Verwendung von Augenhöhen und -breiten eines Augendiagramms impedanzangepasst sind, um eine Breite des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen und einen Abstand zwischen horizontal benachbarten des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen zu ermitteln.
  • In Beispiel 7 kann der Gegenstand optional die Gehäusevorrichtung von Beispiel 1 aufweisen, die ferner einen integrierten Schaltkreischip (IC-Chip) aufweist, der auf der Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen montiert ist, wobei die Datensignalkontakte des IC-Chips elektrisch an den ersten Typ von Datensignalleitungen und an den zweiten Typ von Datensignalleitungen der Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen gekoppelt ist.
  • Beispiel 8 ist eine Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen, die eine erste Zwischenverbindungsschicht mit einer unteren Lage der ersten Schicht mit einem ersten Typ von Datensignalleitungen der ersten Schicht aufweist, wobei der erste Typ von Datensignalleitungen der ersten Schicht zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden Materialabschnitten der ersten Schicht angeordnet ist, die zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen aus Leitermaterial der ersten Schicht angeordnet sind; eine zweite Zwischenverbindungsschicht unter der ersten Zwischenverbindungsschicht; wobei die zweite Zwischenverbindungsschicht eine untere Lage der zweiten Schicht mit einem ersten Typ von Datensignalleitungen der ersten Schicht aufweist, wobei der erste Typ von Datensignalleitungen der zweiten Schicht zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden Materialabschnitten der zweiten Schicht angeordnet ist, die zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen aus Leitermaterial der zweiten Schicht angeordnet sind; und die geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht horizontal versetzt sind, um zu bewirken, dass jede der geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht direkt unter jeder des ersten Typs von Datensignalleitungen der ersten Schicht zentriert ist.
  • In Beispiel 9 kann der Gegenstand optional die Gehäusevorrichtung von Beispiel 8 aufweisen, die ferner die erste Zwischenverbindungsschicht mit einer oberen Lage der ersten Schicht mit dielektrischem Material aufweist, die auf der unteren Lage der ersten Schicht gebildet ist; wobei die untere Lage der ersten Schicht auf einer oberen Lage der zweiten Schicht mit dielektrischem Material gebildet ist; die obere Lage der zweiten Schicht auf der unteren Lage der zweiten Schicht gebildet ist; die untere Lage der ersten Schicht Erdungskontakte der ersten Schicht aufweist, die direkt mit den geerdeten Isolationsleitungen der ersten Schicht verbunden sind; und die untere Lage der zweiten Schicht Erdungskontakte der zweiten Schicht aufweist, die direkt mit den geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht verbunden sind.
  • In Beispiel 10 kann der Gegenstand optional die Gehäusevorrichtung von Beispiel 9 aufweisen, die ferner eine dritte Zwischenverbindungsschicht unter der zweiten Zwischenverbindungsschicht aufweist; wobei die dritte Zwischenverbindungsschicht eine untere Lage der dritten Schicht mit einem zweiten Typ von Datensignalleitungen der dritten Schicht aufweist, wobei der zweite Typ von Datensignalleitungen der dritten Schicht zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden Materialabschnitten der dritten Schicht angeordnet ist, die zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen aus Leitermaterial der dritten Schicht angeordnet sind; und die geerdeten Isolationsleitungen der dritten Schicht horizontal versetzt sind, um zu bewirken, dass jede der geerdeten Isolationsleitungen der dritten Schicht direkt unter jeder des zweiten Typs von Datensignalleitungen der zweiten Schicht zentriert ist.
  • In Beispiel 11 kann der Gegenstand optional die Gehäusevorrichtung von Beispiel 10 aufweisen, die ferner die untere Lage der zweiten Schicht aufweist, die auf einer oberen Lage der dritten Schicht mit dielektrischem Material gebildet ist; wobei die obere Lage der dritten Schicht auf der unteren Lage der dritten Schicht gebildet ist; und die untere Lage der dritten Schicht Erdungskontakte der dritten Schicht aufweist, die direkt mit den geerdeten Isolationsleitungen der dritten Schicht verbunden sind.
  • In Beispiel 12 kann der Gegenstand optional die Gehäusevorrichtung von Beispiel 8 aufweisen, wobei der erste Typ von Datensignalleitungen entweder Empfangsdatensignalleitungen oder Sendedatensignalleitungen ist, die ausgelegt sind, Daten mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) an eine Vorrichtung zu kommunizieren; wobei der zweite Typ von Datensignalleitungen entweder Sendedatensignalleitungen oder Empfangsdatensignalleitungen ist, die ausgelegt sind, Daten mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) an eine Vorrichtung zu kommunizieren; und wobei der zweite Typ von Datensignalleitungen ein anderer Typ als der erste Typ ist.
  • In Beispiel 13 kann der Gegenstand optional die Gehäusevorrichtung von Beispiel 12 aufweisen, wobei die geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht ausgelegt sind, um Einstreuung zwischen dem ersten Typ von Datensignalkontakten der zweiten Schicht zu verringern; und die geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht ausgelegt sind, um Einstreuung zwischen dem ersten Typ von Datensignalkontakten der ersten Schicht und dem zweiten Typ von Datensignalkontakten der dritten Schicht zu reduzieren.
  • In Beispiel 14 kann der Gegenstand optional die Gehäusevorrichtung von Beispiel 8 aufweisen, wobei der erste und der zweite Typ von Datensignalleitungen unter Verwendung von Augenhöhen und -breiten eines Augendiagramms impedanzangepasst sind, um eine Breite des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen und einen Abstand zwischen horizontal benachbarten des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen zu ermitteln.
  • In Beispiel 15 kann der Gegenstand optional die Gehäusevorrichtung von Beispiel 8 aufweisen, die ferner einen integrierten Schaltkreischip (IC-Chip) aufweist, der auf der Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen montiert ist, wobei die Datensignalkontakte des IC-Chips elektrisch an den ersten Typ von Datensignalleitungen und an den zweiten Typ von Datensignalleitungen der Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen gekoppelt ist.
  • Beispiel 16 ist ein Verfahren zum Bilden einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen, das ein Bilden einer zweiten Zwischenverbindungsschicht mit einer mittleren Lage der zweiten Schicht mit einem zweiten Typ von Datensignalkontakten aufweist; ein Bilden einer ersten Zwischenverbindungsschicht über der zweiten Zwischenverbindungsschicht; wobei das Bilden der ersten Zwischenverbindungsschicht ein Bilden einer mittleren Lage der ersten Schicht mit einem ersten Typ von Datensignalleitungen aufweist; und ein Bilden einer untersten Lage der ersten Schicht mit einer geerdeten Isolationsebenenstruktur aufweist; wobei die geerdete Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht entlang der untersten Lage der ersten Schicht angeordnet ist und zwischen dem ersten Typ von Datensignalkontakten der ersten Schicht und dem zweiten Typ von Datensignalkontakten der zweiten Schicht angeordnet ist.
  • In Beispiel 16 kann der Gegenstand optional das Verfahren von Beispiel 16 aufweisen, wobei das Bilden der zweiten Zwischenverbindungsschicht ferner ein Bilden einer oberen Lage der zweiten Schicht mit dielektrischem Material auf der mittleren Lage der zweiten Schicht aufweist; ein Bilden der mittleren Lage der zweiten Schicht mit dielektrischen Materialabschnitten, die horizontal zwischen dem zweiten Typ von Datensignalleitungen angeordnet sind; ein Bilden der mittleren Lage der zweiten Schicht auf einer unteren Lage der zweiten Schicht der zweiten Zwischenverbindungsschicht; ein Bilden der unteren Lage der zweiten Schicht mit dielektrischem Material auf einer untersten Lage der zweiten Schicht; und ein Bilden der untersten Lage der zweiten Schicht der zweiten Zwischenverbindungsschicht mit Erdungskontakten der zweiten Schicht, die direkt mit der geerdeten Isolationsebenenstruktur der zweiten Schicht verbunden sind; und wobei das Bilden der ersten Zwischenverbindungsschicht ferner ein Bilden der untersten Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht auf der oberen Lage der zweiten Schicht der zweiten Zwischenverbindungsschicht aufweist; ein Bilden einer oberen Lage der ersten Schicht mit dielektrischem Material auf der mittleren Lage der ersten Schicht; ein Bilden der mittleren Lage der ersten Schicht mit dielektrischen Materialabschnitten, die horizontal zwischen einem ersten Typ von Datensignalleitungen angeordnet sind; ein Bilden der mittleren Lage der ersten Schicht auf einer unteren Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht; ein Bilden der unteren Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht mit dielektrischem Material auf der untersten Lage der ersten Schicht; und ein Bilden der untersten Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht mit Erdungskontakten der ersten Schicht, die direkt mit der geerdeten Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht verbunden sind.
  • In Beispiel 18 kann der Gegenstand optional das Verfahren von Beispiel 16 aufweisen, das ferner ein Übertragen von Empfangsdatensignalen mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) auf dem ersten Typ von Datensignalleitungen; ein Übertragen von Sendedatensignalen mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) auf dem zweiten Typ von Datensignalleitungen aufweist; und wobei die geerdete Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht Einstreuung zwischen dem ersten Typ von Datensignalkontakten der ersten Schicht und dem zweiten Typ von Datensignalkontakten der zweiten Schicht reduziert.
  • In Beispiel 19 kann der Gegenstand optional das Verfahren von Beispiel 16 aufweisen, das ferner vor dem Bilden der zweiten Zwischenverbindungsschicht ein Impedanzanpassen des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen unter Verwendung von Augenhöhen und -breiten eines Augendiagramms aufweist, um eine Breite des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen und einen Abstand zwischen horizontal benachbarten des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen zu ermitteln.
  • Beispiel 20 ist ein Verfahren zum Bilden einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen, das ein Bilden einer zweiten Zwischenverbindungsschicht mit einer unteren Lage der zweiten Schicht mit einem ersten Typ von Datensignalleitungen der zweiten Schicht aufweist, wobei der erste Typ von Datensignalleitungen der zweiten Schicht zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden Materialabschnitten der zweiten Schicht angeordnet ist, die zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen aus Leitermaterial der zweiten Schicht angeordnet sind; und ein Bilden einer ersten Zwischenverbindungsschicht über der zweiten Zwischenverbindungsschicht; wobei das Bilden der ersten Zwischenverbindungsschicht ein Bilden einer unteren Lage der ersten Schicht mit einem ersten Typ von Datensignalleitungen der ersten Schicht aufweist, wobei der erste Typ von Datensignalleitungen der ersten Schicht zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden Materialabschnitten der ersten Schicht angeordnet ist, die zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen aus Leitermaterial der ersten Schicht angeordnet sind; wobei die geerdeten Isolationsleitungen der ersten Schicht horizontal versetzt sind, um zu bewirken, dass jede der geerdeten Isolationsleitungen der ersten Schicht direkt über jeder des ersten Typs von Datensignalleitungen der zweiten Schicht zentriert ist.
  • In Beispiel 21 kann der Gegenstand optional das Verfahren von Beispiel 20 aufweisen, wobei das Bilden der zweiten Zwischenverbindungsschicht ferner ein Bilden einer oberen Lage der zweiten Schicht mit dielektrischem Material auf der unteren Lage der zweiten Schicht aufweist; wobei das Bilden der ersten Zwischenverbindungsschicht ferner ein Bilden der unteren Lage der ersten Schicht auf einer oberen Lage der zweiten Schicht mit dielektrischem Material aufweist; ein Bilden einer oberen Lage der ersten Schicht mit dielektrischem Material auf der unteren Lage der ersten Schicht; wobei die untere Lage der ersten Schicht Erdungskontakte der ersten Schicht aufweist, die direkt mit den geerdeten Isolationsleitungen der ersten Schicht verbunden sind; die untere Lage der zweiten Schicht Erdungskontakte der zweiten Schicht aufweist, die direkt mit den geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht verbunden sind; vor dem Bilden der zweiten Schicht ein Bilden einer dritten Zwischenverbindungsschicht unter der zweiten Zwischenverbindungsschicht; wobei das Bilden der dritten Zwischenverbindungsschicht ferner ein Bilden einer unteren Lage der dritten Schicht mit einem zweiten Typ von Datensignalleitungen der dritten Schicht aufweist, wobei der zweite Typ von Datensignalleitungen der dritten Schicht zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden Materialabschnitten der dritten Schicht angeordnet ist, die zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen aus Leitermaterial der dritten Schicht angeordnet sind; und die geerdeten Isolationsleitungen der dritten Schicht horizontal versetzt sind, um zu bewirken, dass jede der geerdeten Isolationsleitungen der dritten Schicht direkt unter jeder des zweiten Typs von Datensignalleitungen der zweiten Schicht zentriert ist; wobei die untere Lage der dritten Schicht Erdungskontakte der dritten Schicht aufweist, die direkt mit den geerdeten Isolationsleitungen der dritten Schicht verbunden sind; und ein Bilden einer oberen Lage der dritten Schicht mit dielektrischem Material auf der unteren Lage der dritten Schicht; wobei das Bilden der zweiten Zwischenverbindungsschicht ferner ein Bilden der unteren Lage der zweiten Schicht auf der oberen Lage der dritten Schicht aufweist.
  • In Beispiel 22 kann der Gegenstand optional das Verfahren von Beispiel 20 aufweisen, das ferner ein Übertragen von Empfangsdatensignalen mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) auf dem ersten Typ von Datensignalleitungen; ein Übertragen von Sendedatensignalen mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) auf dem zweiten Typ von Datensignalleitungen enthält; wobei die geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht eine Isolierung zwischen dem zweiten Typ von Datensignalkontakten der zweiten Schicht erhöhen; und die geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht eine Einstreuung zwischen dem ersten Typ von Datensignalkontakten der ersten Schicht und dem zweiten Typ von Datensignalkontakten der vierten Schicht reduzieren.
  • In Beispiel 23 kann der Gegenstand optional das Verfahren von Beispiel 20 aufweisen, das ferner vor dem Bilden der zweiten Zwischenverbindungsschicht ein Impedanzanpassen des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen unter Verwendung von Augenhöhen und -breiten eines Augendiagramms aufweist, um eine Breite des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen und einen Abstand zwischen horizontal benachbarten des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen zu ermitteln.
  • In Beispiel 24 kann der Gegenstand optional eine Vorrichtung aufweisen, die Mittel zum Durchführen des Verfahrens nach einem der Beispiele 17-23 aufweist.
  • Die obige Beschreibung von veranschaulichten Implementierungen, einschließlich derjenigen, die in der Zusammenfassung beschrieben sind, soll nicht erschöpfend sein oder die Erfindung auf die genauen offenbarten Formen beschränken. Während spezifische Implementierungen von und Beispiele für die Erfindung hier zu Veranschaulichungszwecken beschrieben sind, sind verschiedene äquivalente Modifikationen innerhalb des Geltungsbereichs möglich, wie Fachleute auf dem relevanten Gebiet erkennen werden. Diese Modifikationen können angesichts der obigen ausführlichen Beschreibung an der Erfindung durchgeführt werden.
  • Zum Beispiel, obwohl die Beschreibungen oben nur geerdete Isolationsebenen; Leitungen; oder Ebenen und Leitungen in den Schichten Lj-Ll der 1-4 oder den Schichten Lm-Lq der 5-8 oder den Schichten Lm-Ly der 9-12 zeigen, können diese Beschreibungen für weniger, mehr oder unterschiedliche geerdete Isolationsebenen; Leitungen; oder Ebenen und Leitungen gelten. Es kann Ausführungsformen mit weniger derartigen Strukturen geben, bei denen nur eine oder zwei der Schichten Lj-Ll der 1-4 oder den Schichten Lm-Lq der 5-8 oder den Schichten Lm-Ly der 9-12 existieren. Es kann Ausführungsformen mit mehr derartigen Strukturen geben, bei denen zusätzliche Schichten aus geerdeten Isolationsebenen; Leitungen; oder Ebenen und Leitungen, die den Schichten Lj-Ll der 1-4 oder den Schichten Lm-Lq der 5-8 oder den Schichten Lm-Ly der 9-12 ähnlich sind, in den Vorrichtungen 150, 550 oder 950 über oder unter den Schichten Lj-Ll der 1-4 oder den Schichten Lm-Lq der 5-8 oder den Schichten Lm-Ly der 9-12 existieren. Es kann Ausführungsformen mit unterschiedlichen derartigen geerdeten Isolationsebenen; Leitungen; oder Ebenen und Leitungen geben, bei denen derartige der Schichten Lj-Ll der 1-4 oder der Schichten Lm-Lq der 5-8 oder der Schichten Lm-Ly der 9-12 andere der Schichten Lj-Ll der 1-4 oder der Schichten Lm-Lq der 5-8 oder der Schichten Lm-Ly der 9-12 ersetzen oder mit diesen vermischt sind.
  • Die in den folgenden Ansprüchen verwendeten Begriffe sollten nicht so aufgefasst werden, dass sie die Erfindung auf die spezifischen Implementierungen beschränken, die in der Beschreibung und den Ansprüchen offenbart sind. Vielmehr soll der Geltungsbereich vollständig durch die folgenden Ansprüche bestimmt werden, die in Übereinstimmung mit etablierten Lehren der Anspruchsauslegung auszulegen sind.

Claims (24)

  1. Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen, umfassend: eine erste Zwischenverbindungsschicht, die eine mittlere Lage der ersten Schicht mit einem ersten Typ von Datensignalleitungen aufweist; wobei die erste Zwischenverbindungsschicht eine unterste Lage der ersten Schicht mit einer geerdeten Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht aufweist; wobei die geerdete Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht entlang der untersten Lage der ersten Schicht angeordnet ist; eine zweite Zwischenverbindungsschicht unter der ersten Zwischenverbindungsschicht; wobei die zweite Zwischenverbindungsschicht eine mittlere Lage der zweiten Schicht mit einem zweiten Typ von Datensignalkontakten der zweiten Schicht aufweist; und die geerdete Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht zwischen dem ersten Typ von Datensignalkontakten der ersten Schicht und dem zweiten Typ von Datensignalkontakten der zweiten Schicht angeordnet ist.
  2. Gehäusevorrichtung nach Anspruch 1, ferner umfassend: die erste Zwischenverbindungsschicht mit einer oberen Lage der ersten Schicht mit dielektrischem Material, die auf der mittleren Lage der ersten Schicht gebildet ist; wobei die mittlere Lage der ersten Schicht dielektrische Materialabschnitte aufweist, die horizontal zwischen dem einem ersten Typ von Datensignalleitungen angeordnet sind; die mittlere Lage der ersten Schicht auf einer unteren Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht gebildet ist; die untere Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht dielektrisches Material aufweist, das auf der untersten Lage der ersten Schicht gebildet ist; und die unterste Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht Erdungskontakte der ersten Schicht aufweist, die direkt mit der geerdeten Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht verbunden sind.
  3. Gehäusevorrichtung nach Anspruch 2, ferner umfassend: die unterste Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht, die auf einer oberen Lage der zweiten Schicht der zweiten Zwischenverbindungsschicht gebildet ist; wobei die obere Lage der zweiten Schicht dielektrisches Material aufweist, das auf der mittleren Lage der zweiten Schicht gebildet ist; wobei die mittlere Lage der zweiten Schicht dielektrische Materialabschnitte aufweist, die horizontal zwischen dem einem zweiten Typ von Datensignalleitungen angeordnet sind; die mittlere Lage der zweiten Schicht auf einer unteren Lage der zweiten Schicht der zweiten Zwischenverbindungsschicht gebildet ist; die untere Lage der zweiten Schicht dielektrisches Material aufweist, das auf der untersten Lage der zweiten Schicht gebildet ist; und die unterste Lage der zweiten Schicht der zweiten Zwischenverbindungsschicht Erdungskontakte der zweiten Schicht aufweist, die direkt mit der geerdeten Isolationsebenenstruktur der zweiten Schicht verbunden sind.
  4. Gehäusevorrichtung nach Anspruch 1, wobei der erste Typ von Datensignalleitungen entweder Empfangsdatensignalleitungen oder Sendedatensignalleitungen ist, die ausgelegt sind, Daten mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) an eine Vorrichtung zu kommunizieren; wobei der zweite Typ von Datensignalleitungen entweder Sendedatensignalleitungen oder Empfangsdatensignalleitungen ist, die ausgelegt sind, Daten mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) an eine Vorrichtung zu kommunizieren; und wobei der zweite Typ von Datensignalleitungen ein anderer Typ als der erste Typ ist.
  5. Gehäusevorrichtung nach Anspruch 4, wobei die geerdete Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht ausgelegt ist, um Einstreuung zwischen dem ersten Typ von Datensignalkontakten der ersten Schicht und dem zweiten Typ von Datensignalkontakten der zweiten Schicht zu reduzieren.
  6. Gehäusevorrichtung nach Anspruch 1, wobei der erste und der zweite Typ von Datensignalleitungen unter Verwendung von Augenhöhen und -breiten eines Augendiagramms impedanzangepasst sind, um eine Breite des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen und einen Abstand zwischen horizontal benachbarten des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen zu ermitteln.
  7. Gehäusevorrichtung nach Anspruch 1, ferner umfassend: einen integrierten Schaltkreischip (IC-Chip), der auf der Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen montiert ist, wobei die Datensignalkontakte des IC-Chips elektrisch an den ersten Typ von Datensignalleitungen und an den zweiten Typ von Datensignalleitungen der Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen gekoppelt sind.
  8. Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen, umfassend: eine erste Zwischenverbindungsschicht, die eine untere Lage der ersten Schicht mit einem ersten Typ von Datensignalleitungen der ersten Schicht aufweist, wobei der erste Typ von Datensignalleitungen der ersten Schicht zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden Materialabschnitten der ersten Schicht angeordnet ist, die zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen aus Leitermaterial der ersten Schicht angeordnet sind; eine zweite Zwischenverbindungsschicht unter der ersten Zwischenverbindungsschicht; wobei die zweite Zwischenverbindungsschicht eine untere Lage der zweiten Schicht mit einem ersten Typ von Datensignalleitungen der ersten Schicht aufweist, wobei der erste Typ von Datensignalleitungen der zweiten Schicht zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden Materialabschnitten der zweiten Schicht angeordnet ist, die zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen aus Leitermaterial der zweiten Schicht angeordnet sind; und die geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht horizontal versetzt sind, um zu bewirken, dass jede der geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht direkt unter jeder des ersten Typs von Datensignalleitungen der ersten Schicht zentriert ist.
  9. Gehäusevorrichtung nach Anspruch 8, ferner umfassend: die erste Zwischenverbindungsschicht, die eine obere Lage der ersten Schicht mit dielektrischem Material aufweist, die auf der unteren Lage der ersten Schicht gebildet ist; wobei die untere Lage der ersten Schicht auf einer oberen Lage der zweiten Schicht mit dielektrischem Material gebildet ist; die obere Lage der zweiten Schicht auf der unteren Lage der zweiten Schicht gebildet ist; wobei die untere Lage der ersten Schicht Erdungskontakte der ersten Schicht aufweist, die direkt mit den geerdeten Isolationsleitungen der ersten Schicht verbunden sind; und die untere Lage der zweiten Schicht Erdungskontakte der zweiten Schicht aufweist, die direkt mit den geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht verbunden sind.
  10. Gehäusevorrichtung nach Anspruch 9, ferner umfassend: eine dritte Zwischenverbindungsschicht unter der zweiten Zwischenverbindungsschicht; wobei die dritte Zwischenverbindungsschicht eine untere Lage der dritten Schicht mit einem zweiten Typ von Datensignalleitungen der dritten Schicht aufweist, wobei der zweite Typ von Datensignalleitungen der dritten Schicht zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden Materialabschnitten der dritten Schicht angeordnet ist, die zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen aus Leitermaterial der dritten Schicht angeordnet sind; und die geerdeten Isolationsleitungen der dritten Schicht horizontal versetzt sind, um zu bewirken, dass jede der geerdeten Isolationsleitungen der dritten Schicht direkt unter jeder des ersten Typs von Datensignalleitungen der zweiten Schicht zentriert ist.
  11. Gehäusevorrichtung nach Anspruch 10, ferner umfassend: die untere Lage der zweiten Schicht, die auf einer oberen Lage der dritten Schicht mit dielektrischem Material gebildet ist; wobei die obere Lage der dritten Schicht auf der unteren Lage der dritten Schicht gebildet ist; und wobei die untere Lage der dritten Schicht Erdungskontakte der dritten Schicht aufweist, die direkt mit den geerdeten Isolationsleitungen der dritten Schicht verbunden sind.
  12. Gehäusevorrichtung nach Anspruch 8, wobei der erste Typ von Datensignalleitungen entweder Empfangsdatensignalleitungen oder Sendedatensignalleitungen ist, die ausgelegt sind, Daten mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) an eine Vorrichtung zu kommunizieren; wobei der zweite Typ von Datensignalleitungen entweder Sendedatensignalleitungen oder Empfangsdatensignalleitungen ist, die ausgelegt sind, Daten mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) an eine Vorrichtung zu kommunizieren; und wobei der zweite Typ von Datensignalleitungen ein anderer Typ als der erste Typ ist.
  13. Gehäusevorrichtung nach Anspruch 12, wobei die geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht ausgelegt sind, um eine Isolierung zwischen dem ersten Typ von Datensignalkontakten der zweiten Schicht zu erhöhen; und die geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht ausgelegt sind, um Einstreuung zwischen dem ersten Typ von Datensignalkontakten der ersten Schicht und dem zweiten Typ von Datensignalkontakten der dritten Schicht zu reduzieren.
  14. Gehäusevorrichtung nach Anspruch 8, wobei der erste und der zweite Typ von Datensignalleitungen unter Verwendung von Augenhöhen und -breiten eines Augendiagramms impedanzangepasst sind, um eine Breite des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen und einen Abstand zwischen horizontal benachbarten des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen zu ermitteln.
  15. Gehäusevorrichtung nach Anspruch 8, ferner umfassend: einen integrierten Schaltkreischip (IC-Chip), der auf der Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen montiert ist, wobei die Datensignalkontakte des IC-Chips elektrisch an den ersten Typ von Datensignalleitungen und an den zweiten Typ von Datensignalleitungen der Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen gekoppelt sind.
  16. Verfahren zum Bilden einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen, umfassend: Bilden einer zweiten Zwischenverbindungsschicht, die eine mittlere Lage der zweiten Schicht mit einem zweiten Typ von Datensignalkontakten der zweiten Schicht aufweist; Bilden einer ersten Zwischenverbindungsschicht über der zweiten Zwischenverbindungsschicht; wobei das Bilden der ersten Zwischenverbindungsschicht aufweist: Bilden einer mittleren Lage der ersten Schicht mit einem ersten Typ von Datensignalleitungen; und Bilden einer untersten Lage der ersten Schicht mit einer geerdeten Isolationsebenenstruktur; wobei die geerdete Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht entlang der untersten Lage der ersten Schicht angeordnet ist und zwischen dem ersten Typ von Datensignalkontakten der ersten Schicht und dem zweiten Typ von Datensignalkontakten der zweiten Schicht angeordnet ist.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Bilden der zweiten Zwischenverbindungsschicht ferner umfasst: Bilden einer oberen Lage der zweiten Schicht mit dielektrischem Material auf der mittleren Lage der zweiten Schicht; Bilden der mittleren Lage der zweiten Schicht mit dielektrischen Materialabschnitten, die horizontal zwischen dem zweiten Typ von Datensignalleitungen angeordnet sind; Bilden der mittleren Lage der zweiten Schicht auf einer unteren Lage der zweiten Schicht der zweiten Zwischenverbindungsschicht; Bilden der unteren Lage der zweiten Schicht mit dielektrischem Material auf einer untersten Lage der zweiten Schicht; und Bilden der untersten Lage der zweiten Schicht der zweiten Zwischenverbindungsschicht mit Erdungskontakten der zweiten Schicht, die direkt mit der geerdeten Isolationsebenenstruktur der zweiten Schicht verbunden sind; und wobei das Bilden der ersten Zwischenverbindungsschicht ferner umfasst: Bilden der untersten Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht auf der oberen Lage der zweiten Schicht der zweiten Zwischenverbindungsschicht; Bilden einer oberen Lage der ersten Schicht mit dielektrischem Material auf der mittleren Lage der ersten Schicht; Bilden der mittleren Lage der ersten Schicht mit dielektrischen Materialabschnitten, die horizontal zwischen dem einem ersten Typ von Datensignalleitungen angeordnet sind; Bilden der mittleren Lage der ersten Schicht auf einer unteren Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht; Bilden der unteren Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht mit dielektrischem Material auf der untersten Lage der ersten Schicht; und und Bilden der untersten Lage der ersten Schicht der ersten Zwischenverbindungsschicht mit Erdungskontakten der ersten Schicht, die direkt mit der geerdeten Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht verbunden sind.
  18. Verfahren nach Anspruch 16, ferner umfassend: Übertragen von Empfangsdatensignalen mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) auf dem ersten Typ von Datensignalleitungen; Übertragen von Sendedatensignalen mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) auf dem zweiten Typ von Datensignalleitungen; und wobei die geerdete Isolationsebenenstruktur der ersten Schicht Einstreuung zwischen dem ersten Typ von Datensignalkontakten der ersten Schicht und dem zweiten Typ von Datensignalkontakten der zweiten Schicht reduziert.
  19. Verfahren nach Anspruch 16, ferner umfassend: vor dem Bilden der zweiten Zwischenverbindungsschicht Impedanzanpassen des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen unter Verwendung von Augenhöhen und -breiten eines Augendiagramms, um eine Breite des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen und einen Abstand zwischen horizontal benachbarten des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen zu ermitteln.
  20. Verfahren zum Bilden einer Gehäusevorrichtung mit geerdeten isolierten horizontalen Datensignalübertragungsleitungen, umfassend: Bilden einer zweiten Zwischenverbindungsschicht, die eine untere Lage der zweiten Schicht mit einem ersten Typ von Datensignalleitungen der zweiten Schicht aufweist, wobei der erste Typ von Datensignalleitungen der zweiten Schicht zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden Materialabschnitten der zweiten Schicht angeordnet ist, die zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen aus Leitermaterial der zweiten Schicht angeordnet sind; und Bilden einer ersten Zwischenverbindungsschicht über der zweiten Zwischenverbindungsschicht; wobei das Bilden der ersten Zwischenverbindungsschicht aufweist: Bilden einer unteren Lage der ersten Schicht mit einem ersten Typ von Datensignalleitungen der ersten Schicht, wobei der erste Typ von Datensignalleitungen der ersten Schicht zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden Materialabschnitten der ersten Schicht angeordnet ist, die zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen aus Leitermaterial der ersten Schicht angeordnet sind; wobei die geerdeten Isolationsleitungen der ersten Schicht horizontal versetzt sind, um zu bewirken, dass jede der geerdeten Isolationsleitungen der ersten Schicht direkt über jeder des ersten Typs von Datensignalleitungen der zweiten Schicht zentriert ist.
  21. Verfahren nach Anspruch 20, wobei das Bilden der zweiten Zwischenverbindungsschicht ferner ein Bilden einer oberen Lage der zweiten Schicht mit dielektrischem Material auf der unteren Lage der zweiten Schicht umfasst; wobei das Bilden der ersten Zwischenverbindungsschicht ferner umfasst: Bilden der unteren Lage der ersten Schicht auf einer oberen Lage der zweiten Schicht mit dielektrischem Material; Bilden einer oberen Lage der ersten Schicht mit dielektrischem Material auf der unteren Lage der ersten Schicht; wobei die untere Lage der ersten Schicht Erdungskontakte der ersten Schicht aufweist, die direkt mit den geerdeten Isolationsleitungen der ersten Schicht verbunden sind; die untere Lage der zweiten Schicht Erdungskontakte der zweiten Schicht aufweist, die direkt mit den geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht verbunden sind; vor dem Bilden der zweiten Schicht, Bilden einer dritten Zwischenverbindungsschicht unter der zweiten Zwischenverbindungsschicht; wobei das Bilden der dritten Zwischenverbindungsschicht ferner umfasst: Bilden einer unteren Lage der dritten Schicht mit einem zweiten Typ von Datensignalleitungen der dritten Schicht, wobei der zweite Typ von Datensignalleitungen der dritten Schicht zwischen (1) horizontal benachbarten nichtleitenden Materialabschnitten der dritten Schicht angeordnet ist, die zwischen (2) horizontal benachbarten geerdeten Isolationsleitungen aus Leitermaterial der dritten Schicht angeordnet sind; wobei die geerdeten Isolationsleitungen der dritten Schicht horizontal versetzt sind, um zu bewirken, dass jede der geerdeten Isolationsleitungen der dritten Schicht direkt unter jeder des ersten Typs von Datensignalleitungen der zweiten Schicht zentriert ist; wobei die untere Lage der dritten Schicht Erdungskontakte der dritten Schicht aufweist, die direkt mit den geerdeten Isolationsleitungen der dritten Schicht verbunden sind; und Bilden einer oberen Lage der dritten Schicht mit dielektrischem Material auf der unteren Lage der dritten Schicht; wobei das Bilden der zweiten Zwischenverbindungsschicht ferner ein Bilden der unteren Lage der zweiten Schicht auf der oberen Lage der dritten Schicht umfasst.
  22. Verfahren nach Anspruch 20, ferner umfassend: Übertragen von Empfangsdatensignalen mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) auf dem ersten Typ von Datensignalleitungen; Übertragen von Sendedatensignalen mit einer Frequenz zwischen 7 und 25 Gigatransfers pro Sekunde (GT/s) auf dem zweiten Typ von Datensignalleitungen; und wobei die geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht eine Isolierung zwischen dem zweiten Typ von Datensignalkontakten der zweiten Schicht erhöhen; und die geerdeten Isolationsleitungen der zweiten Schicht eine Einstreuung zwischen dem ersten Typ von Datensignalkontakten der ersten Schicht und dem zweiten Typ von Datensignalkontakten der vierten Schicht reduzieren.
  23. Verfahren nach Anspruch 20, ferner umfassend: vor dem Bilden der zweiten Zwischenverbindungsschicht Impedanzanpassen des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen unter Verwendung von Augenhöhen und -breiten eines Augendiagramms, um eine Breite des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen und einen Abstand zwischen horizontal benachbarten des ersten und des zweiten Typs von Datensignalleitungen zu ermitteln.
  24. Einrichtung, die Mittel zum Durchführen des Verfahrens nach einem der Ansprüche 17-23 umfasst.
DE112015007235.7T 2015-12-26 2015-12-26 Vertikale isolation durch erdungsebenen von, koaxiale isolation durch erdungsleitungen und impedanzanpassung von durch gehäusevorrichtungen geleiteten horizontalen datensignalübertragungsleitungen Pending DE112015007235T5 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US2015/000381 WO2017111823A1 (en) 2015-12-26 2015-12-26 Ground plane vertical isolation of, ground line coaxial isolation of, and impedance tuning of horizontal data signal transmission lines routed through package devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112015007235T5 true DE112015007235T5 (de) 2018-10-11

Family

ID=59090917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112015007235.7T Pending DE112015007235T5 (de) 2015-12-26 2015-12-26 Vertikale isolation durch erdungsebenen von, koaxiale isolation durch erdungsleitungen und impedanzanpassung von durch gehäusevorrichtungen geleiteten horizontalen datensignalübertragungsleitungen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10580734B2 (de)
CN (1) CN108701684B (de)
DE (1) DE112015007235T5 (de)
TW (1) TWI721047B (de)
WO (1) WO2017111823A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6784298B2 (ja) * 2017-01-27 2020-11-11 株式会社村田製作所 回路モジュール及びインターポーザ
US11227795B2 (en) * 2020-01-17 2022-01-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit package and method
CN112203395B (zh) * 2020-09-09 2022-01-11 武汉光迅科技股份有限公司 柔性电路板
US11616019B2 (en) * 2020-12-21 2023-03-28 Nvidia Corp. Semiconductor assembly
CN116148625B (zh) * 2023-04-20 2023-09-19 长鑫存储技术有限公司 一种半导体产品的测试方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6744130B1 (en) * 2003-07-08 2004-06-01 Lsi Logic Corporation Isolated stripline structure
US20050121766A1 (en) * 2003-10-22 2005-06-09 Devnani Nurwati S. Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit and package
US6965170B2 (en) * 2003-11-18 2005-11-15 International Business Machines Corporation High wireability microvia substrate
JP4164056B2 (ja) * 2004-09-15 2008-10-08 松下電器産業株式会社 半導体装置の設計方法及び半導体装置
TWI286916B (en) * 2004-10-18 2007-09-11 Via Tech Inc Circuit structure
US7405477B1 (en) * 2005-12-01 2008-07-29 Altera Corporation Ball grid array package-to-board interconnect co-design apparatus
US20080157335A1 (en) 2006-12-28 2008-07-03 Jia Miao Tang Strip patterned transmission line
CN101201520B (zh) * 2007-12-27 2010-09-08 昆山龙腾光电有限公司 一种具有静电防护功能的液晶显示装置阵列基板
US8294249B2 (en) * 2008-08-05 2012-10-23 Integrated Device Technology Inc. Lead frame package
TWI419099B (zh) * 2010-08-18 2013-12-11 Au Optronics Corp 主動元件陣列基板及其製造方法
US8642385B2 (en) * 2011-08-09 2014-02-04 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Wafer level package structure and the fabrication method thereof
TWI473178B (zh) * 2011-09-15 2015-02-11 Alpha & Omega Semiconductor 一種晶圓級的封裝結構及其製備方法
US8643184B1 (en) 2012-10-31 2014-02-04 Intel Corporation Crosstalk polarity reversal and cancellation through substrate material tuning
JP6088893B2 (ja) * 2013-04-09 2017-03-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び配線基板
US8975746B1 (en) * 2013-08-29 2015-03-10 Broadcom Corporation Ball arrangement for integrated circuit package devices
US10607951B2 (en) * 2015-12-26 2020-03-31 Intel Corporation Ground plane vertical isolation of, ground line coaxial isolation of, and impedance tuning of horizontal data signal transmission lines routed through package devices

Also Published As

Publication number Publication date
CN108701684A (zh) 2018-10-23
US20180331036A1 (en) 2018-11-15
CN108701684B (zh) 2023-06-02
US10580734B2 (en) 2020-03-03
WO2017111823A1 (en) 2017-06-29
TW201729390A (zh) 2017-08-16
TWI721047B (zh) 2021-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112015007234T5 (de) Vertikale masseebenenisolierung, masseleiter-koaxialisolierung und impedanzabstimmung von durch gehäusevorrichtungen geführten horizontalen datensignalübertragungsleitungen
DE60007516T2 (de) Passive breitbandige testkarte für integrierte schaltungen
DE112015007233B4 (de) Mikroprozessorgehäuse mit masseisolationsgewebestruktur mit kontakthöckern auf erster ebene und verfahren zur ausbildung eines masseisolationsgewebestrukturgehäuses aus leitfähigem material
DE112015007235T5 (de) Vertikale isolation durch erdungsebenen von, koaxiale isolation durch erdungsleitungen und impedanzanpassung von durch gehäusevorrichtungen geleiteten horizontalen datensignalübertragungsleitungen
DE102014019978B3 (de) Bridge-verbindung mit geschichteten verbindungsstrukturen
DE10003282B4 (de) Kontaktstruktur
DE60208579T2 (de) Mehrchip-verbindungssystem
DE112016000846T5 (de) Blockstrukturen mit integrierten Wellenleitern für schnelle Datenübertragungen zwischen Blockkomponenten
DE102004060962A1 (de) Mehrlagige gedruckte Schaltung mit einer Durchkontaktierung für Hochfrequenzanwendungen
DE102020133243A1 (de) Skalierbare und interoperable phy-freie die-zu-die-ea-lösung
DE102009030524A1 (de) Baugruppe und Verfahren für eine integrierte Schaltung mit mehreren Chiplagen
DE19714470A1 (de) Drahtbondchipverbindung mit hoher Dichte für Multichip-Module
DE112015007202T5 (de) Mikroelektronische vorrichtungen mit eingebetteten substrathohlräumen für datenübertragungen von vorrichtung zu vorrichtung
DE10392306T5 (de) Kontaktstruktur mit Siliziumtastkontaktgeber
DE102008040900A1 (de) Verbindungen mittels Chip-Durchkontaktierungen für gestapelte integrierte Schaltkreisstrukturen
DE112013005582T5 (de) Kontaktfleckstruktur für eine Silicium-Durchkontaktierung
EP3132660A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur signalübertragung von differentiellen datensignalen
DE102016102522A1 (de) Verbindungsstruktur und Verfahren zu Ihrer Herstellung
DE112019000902T5 (de) Gehäuse für skalierbare phased-array-antennen
DE102021119280A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zum bilden davon
DE102018129885A1 (de) Zusammensetzungs- und Herstellungsfreundliche Wellenleiterankoppler
DE102005062967A1 (de) Hochfrequenzleiter für Verpackungen integrierter Schaltungen
DE102015117747A1 (de) Testen von Halbleiterpaketen mit integrierten Antennen
DE112015006746T5 (de) Koaxiale Vias
DE112016006064T5 (de) Abgeschirmte bündelverbindung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication