DE112013004355T5

DE112013004355T5 - Aluminium-Plattieranlage und Verfahren zur Erzeugung eines Aluminiumfilmes unter deren Verwendung

Info

Publication number: DE112013004355T5
Application number: DE112013004355.6T
Authority: DE
Inventors: c/o Osaka Works of Sumitomo Nishimura Junichi; c/o Osaka Works of Sumitomo Hosoe Akihisa; c/o Osaka Works of Sumitomo Okuno Kazuki; c/o Osaka Works of Sumitomo Kimura Koutarou; c/o Osaka Works of Sumitomo Elect Goto Kengo; c/o Osaka Works of Sumitomo Sakaida Hideaki
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2012-09-05
Filing date: 2013-06-13
Publication date: 2015-05-28
Also published as: CN104603332A; US20150211143A1; JP2014051687A; KR20150046013A; WO2014038263A1; JP5880364B2

Abstract

Diese Erfindung gibt eine Aluminium-Plattieranlage, die zufriedenstellend ein Aluminiumplattieren selbst auf der Oberfläche eines Grundkörpers ergeben kann, der eine Oberfläche aufweist, auf der ein isolierender oder schlecht leitender Metalloxidfilm oder dergleichen gebildet ist. Die Aluminium-Plattieranlage schlägt Aluminium auf einem Grundkörper elektrisch nieder, indem der Grundkörper in ein Plattierbad geführt wird. Das Plattierbad wird in eine erste Elektrolysekammer und eine zweite Elektrolysekammer durch eine Trennplatte in dieser Reihenfolge von der Aufwärtsseite in der Zuführrichtung für den Grundkörper unterteilt. In der ersten Elektrolysekammer ist eine negative Elektrode, die in der Kammer vorgesehen ist, elektrisch mit dem Grundkörper verbunden, so daß der Grundkörper als positive Elektrode agiert. In der zweiten Elektrolysekammer ist eine positive Elektrode, die in der Kammer vorgesehen ist, elektrisch mit dem Grundkörper verbunden, so daß der Grundkörper als negative Elektrode agiert.

Description

Technisches Gebiet
Diese Erfindung betrifft eine Aluminium-Plattieranlage zum Elektroplattieren der Oberfläche eines Basiskörpers mit Aluminium und ein Verfahren zur Erzeugung eines Aluminiumfilmes unter Verwendung der genannten Anlage.
Hintergrund
Aluminium bildet einen zusammengewachsenen Oxidfilm auf seiner Oberfläche unter Passivierung und entfaltet somit eine ausgezeichnete Korrosionsresistenz. Aus diesem Grund wird Aluminiumplattieren auf der Oberfläche eines Stahlbandes und dergleichen durchgeführt, um die Korrosionsresistenz zu verstärken.
Zum Durchführen einer Aluminiumplattierung auf der Oberfläche eines Stahlbandes wird zunächst das Stahlband kontinuierlich in ein Plattierbad durch eine Leiterwalze zugeführt. Das Band läuft in einer positiven Elektrode, die in einer Plattierlösung in dem Plattierbad getaucht ist. Zu diesem Zeitpunkt wird das Stahlband elektrisch verbunden, um so als negative Elektrode zu agieren, daß eine Elektrolyse zwischen der positiven Elektrode und dem Stahlband auftritt, das die negative Elektrode ist. Als Ergebnis wird Aluminium auf der Oberfläche des Stahlbandes elektroniedergeschlagen, unter Bildung einer Aluminiumplattierung. Das Stahlband-Durchlaufen in der Plattierlösung geht eine Richtungsänderung durch eine Drehwalze ein, um dann noch oben zu laufen. In diesem Fall wird das Plattieren ebenfalls in bezug auf die positive Elektrode durchgeführt. Das Stahlband, bei dem das Aluminiumplattieren gebildet wird, verläßt das Plattierbad, gelangt durch eine andere Leiterwalze und wird aus dem System herausgenommen (veröffentlichte japanische Patentanmeldung Tokukaihei 05-222599 (Patentliteratur 1)).
Als ein metallischer poröser Körper mit einer dreidimensionalen Netzwerkstruktur ist ein poröser Körper, der sich aus Aluminium zusammensetzt, vielversprechend als Material zur Erhöhung der Kapazität der positiven Elektrode einer Lithiumionenbatterie. Gegenwärtig wird unter Verwendung der Leitfähigkeit, Korrosionsresistenz, des leichten Gewichtes und anderer ausgezeichneter Merkmale von Aluminium ein Material, erzeugt durch Beschichten eines aktiven Material wie Lithiumcobaltoxid auf der Oberfläche einer Aluminiumfolie als positive Elektrode einer Lithiumionenbatterie verwendet. Wenn die positive Elektrode durch Verwendung des porösen Körpers gebildet wird, der sich aus Aluminium zusammensetzt, ist es möglich, die Oberfläche zu erhöhen und das aktive Material selbst beim Inneren des Aluminiums zu füllen. Als Ergebnis wird, selbst wenn die Elektrode dicker gemacht wird, eine Verminderung der Verwendungsrate des aktiven Materials vermieden. Folglich wird die Verwendungsrate des aktiven Materials pro Einheitsfläche erhöht, und daher kann die Kapazität der positiven Elektrode erhöht werden.
Dieser Anmelder hat ein Verfahren zum Elektroplattieren eines Harzformkörpers mit einer dreidimensionalen Netzwerkstruktur mit Aluminium als Produktionsverfahren des oben beschriebenen porösen Aluminiumkörpers vorgeschlagen ( japanische veröffentlichte Patentanmeldung Tokukai 2012-007233 (Patentliteratur 2)). Das konventionelle Aluminiumgeschmolzene Salzbad muß auf eine hohe Temperatur erwärmt werden. Wenn die Oberfläche eines Harzformkörpers mit Aluminium elektroplattiert wird, kann daher das Harz der hohen Temperatur nicht widerstehen und schmilzt, was in diesem Fall eines der Probleme darstellt. Gemäß dem Verfahren von Patentliteratur 2 bildet das Mischen eines Organochloridsalzes wie 1-Ethyl-3-methylimidazoliumchlorid (EMIC) oder 1-Butylpyridiniumchlorid (BPC) und Aluminiumchlorid (AlCl₃) ein Aluminiumbad, das bei Raumtemperatur flüssig ist, wodurch ein Harzformkörper mit Aluminium elektroplattiert werden kann. Insbesondere ist das EMIC-AlCl₃-System gut bezüglich der Eigenschaften der Lösung, so daß es nützlich ist als Aluminium-Plattierlösung.
Bei dem oben beschriebenen Aluminium-plattierten Stahlband und poröser Aluminiumkörper mit einer dreidimensionalen Netzwerkstruktur ist es für den Erhalt einer Oberfläche mit ausgezeichneten Glanz und für die Erhöhung der Dicke der Schicht aus der Aluminiumplattierung notwendig, daß ein Grundkörper mit einer Oberfläche aus Aluminium mit Aluminium weiter plattiert wird.
Wie oben beschrieben wird jedoch ein Oxidfilm auf der Oberfläche des Aluminiums gebildet. Selbst wenn es beabsichtigt ist, Aluminium auf der Aluminiumoberfläche elektroniederzuschlagen, kann die Elektrizität nicht gleichmäßig zur Oberfläche geführt werden. Als Ergebnis erfolgt ein Plattieren in der Form von Inseln, was ein Problem darstellt.
Liste der Druckschriften
Patentliteratur

Patentliteratur 1: veröffentlichte japanische Patentanmeldung Tokukaihei 05-222599
Patentliteratur 2: veröffentlichte japanische Patentanmeldung Tokukaihei 2012-0072333

Zusammenfassung der Erfindung
Technisches Gebiet
Angesichts des oben beschriebenen Problems liegt ein Ziel dieser Erfindung darin, eine Aluminium-Plattieranlage anzugeben, die zufriedenstellend ein Aluminiumplattieren selbst auf der Oberfläche eines Grundkörpers bilden kann, der eine Oberfläche hat, auf der ein isolierender oder schlecht leitender Metalloxidfilm oder dergleichen gebildet ist.
Lösung des Problems
Diese Erfinder haben intensive Untersuchungen durchgeführt, um das oben beschriebene Problem zu lösen und haben festgestellt, daß es wirksam ist, das Aluminiumplattieren nach elektrolytischem Entfernen eines Oxidfilmes, der auf der Oberfläche eines Metalls gebildet ist, in einem Plattierbad durchzuführen. Somit wird diese Erfindung vollendet. Mehr spezifisch hat diese Erfindung die unten beschriebene Konstitution.

(1) Aluminium-Plattieranlage zum Elektroniederschlagen von Aluminium auf einen Grundkörper durch Zuführen des Grundkörpers zu einem Plattierbad. Die Anlage hat folgende Merkmale: das oben beschriebene Plattierbad wird in eine erste Elektrolysekammer und eine zweite Elektrolysekammer durch eine Trennplatte in dieser Reihenfolge von der Aufwärtsseite in einer Richtung unterteilt, in der der oben beschriebene Grundkörper zugeführt wird; in der oben beschriebenen ersten Elektrolysekammer, die mit einer negativen Elektrode versehen ist, wird die negative Elektrode elektrisch mit dem oben beschriebenen Grundkörper so verbunden, daß der oben beschriebene Grundkörper als positive Elektrode agiert; und in der oben beschriebenen zweiten Elektrolysekammer, die mit einer positiven Elektrode versehen ist, wird die positive Elektrode mit dem oben beschriebnen Grundkörper elektrisch so verbunden, daß der oben beschriebene Grundkörper als negative Elektrode agiert.

Die Aluminium-Plattieranlage, die in (1) oben genannt ist, führt die Umkehrelektrolyse in der ersten Elektrolysekammer durch. Selbst wenn ein isolierender oder schlecht leitender Metalloxidfilm oder dergleichen auf der Oberfläche eines Grundkörpers gebildet ist, kann er daher elektrolytisch entfernt werden, so daß Aluminium zufriedenstellend in der anschließenden zweiten Elektrolysekammer elektroniedergeschlagen werden kann.

(2) Aluminium-Plattieranlage gemäß (1) oben, wobei die Anlage bei der Aufstromseite eines Eingangs der oben beschriebenen ersten Elektrolysekammer eine erste Elektrizitätszuführwalze aufweist, die ein elektrisches Potential dem oben beschriebenen Grundkörper gibt und gleichzeitig den Grundkörper zuführt.

Die in (2) angegebene Erfindung ermöglicht den Erhalt eines elektrischen Potentials bei dem Grundkörper in der Nähe der ersten Elektrolysekammer, während der Grundkörper zugeführt wird.

(3) Aluminium-Plattieranlage gemäß (1) oder (2) oben, wobei die Anlage an der Abwärtsseite eines Ausgangs der oben beschriebenen zweiten Elektrolysekammer eine zweite Elektrizitätszuführwalze aufweist, die ein elektrisches Potential dem oben beschriebenen Grundkörper gibt und gleichzeitig den Grundkörper zuführt.

Die gemäß (3) angegebene Erfindung ermöglicht den Erhalt eines elektrischen Potentials beim Grundkörper in der Nähe der zweiten Elektrolysekammer, während der Grundkörper zugeführt wird.

(4) Aluminium-Plattieranlage gemäß einem von (1) bis (3), worin das oben beschriebene Plattierbad ein geschmolzenes Salzbad enthält, das sich hauptsächlich aus Aluminiumchlorid zusammensetzt.

Die Erfindung, die oben in (4) angegeben ist, ermöglicht die Verwendung des konventionellen geschmolzenen Salzbades, das sich hauptsächlich aus Aluminiumchlorid zusammensetzt, und ermöglicht folglich den Erhalt eines Aluminiumfilmes mit guter Qualität.

(5) Aluminium-Plattieranlage nach einem der Punkte (1) bis (4), worin der oben beschriebene Grundkörper eine Lage ist, gebildet aus einem Harzformkörper mit einer dreidimensionalen Netzwerkstruktur, mit dem eine leitende Behandlung durchgeführt ist.

Die in (5) angegebene Erfindung ermöglicht die kontinuierliche Produktion einer Harzstruktur, die einen Aluminiumfilm auf der Oberfläche eines Harzformkörpers mit dreidimensionaler Netzwerkstruktur aufweist.

(6) Aluminium-Plattieranlage mit zwei oder mehreren Aluminium-Plattieranlagen, jeweils wie in einem der obigen Punkte (1) bis (5) angegeben, wobei die Anlagen in Serie in einer Richtung positioniert sind, in der der oben beschriebene Grundkörper zugeführt wird.

Die in (6) angegeben Erfindung ermöglicht den Erhalt von nur einem Satz der anfallenden Anlage wie Zuführvorrichtung und Aufnahmevorrichtung für den Grundkörper, so daß die Investition für die Anlage signifikant vermindert werden kann.

(7) Aluminium-Plattieranlage, die eine Aluminium-Plattieranlage aufweist: die bei einer bestimmten Position der Aluminium-Plattieranlage gemäß einem der obigen Punkte (1) bis (6) positioniert ist, wobei die bestimmte Position die am meisten aufwärts gelegene Position in einer Richtung ist, in der der oben beschriebene Grundkörper zugeführt wird; die Aluminium auf den oben beschriebenen Grundkörper elektroniederschlägt, indem der oben beschriebene Grundkörper in einem Plattierbad geführt wird; und die ein Merkmal hat, das in dem Plattierbad, das mit einer positiven Elektrode versehen ist, die positive Elektrode elektrisch mit dem oben beschriebenen Grundkörper so verbunden ist, daß der oben beschriebene Grundkörper als negative Elektrode agiert.

Die in (7) angegebene Erfindung ermöglicht die Verwendung der konventionellen Aluminium-Plattieranlage bei der am meisten aufwärts gelegenen Position in einer Richtung, in der der Grundkörper geführt wird, wenn die Anlage einen Grundkörper verwendet, der eine Oberfläche hat, bei dem kein isolierender oder ein schlecht leitender Metalloxidfilm oder dergleichen gebildet ist. Nur ein Satz von Anlagen wie eine Zuführanlage oder Aufnahmeanlage für den Grundkörper ist notwendig, so daß die Investition der Anlage signifikant vermindert werden kann.

(8) Verfahren zur Erzeugung eines Aluminiumfilmes, wobei das Verfahren den Elektroniederschlag von Aluminium auf einen Grundkörper unter Verwendung der Aluminium-Plattieranlage gemäß einem der Punkte (1) bis (7) umfaßt.

Das Verfahren zur Erzeugung eines Aluminiumfilmes gemäß (8) oben ermöglicht die Bildung eines Aluminiumfilmes mit guter Qualität auf der Oberfläche eines Grundkörpers, selbst wenn der Grundkörper eine Oberfläche hat, auf der ein isolierender oder schlecht leitender Metalloxidfilm oder dergleichen gebildet ist.
Vorteilhafte Wirkungen der Erfindung
Diese Erfindung kann eine Aluminium-Plattieranlage angeben, die zufriedenstellend ein Aluminiumplattieren selbst auf der Oberfläche eines Grundkörpers bildet, der eine Oberfläche aufweist, auf der ein isolierender oder schlecht leitender Metalloxidfilm oder dergleichen gebildet ist.
Kurze Beschreibung der Zeichnung
1 ist ein Diagramm, das ein Beispiel der Aluminium-Plattieranlage dieser Erfindung zeigt.
2 ist ein Diagramm, das ein anderes Beispiel der Aluminium-Plattieranlage dieser Erfindung zeigt.
Beschreibung der Ausführungsbeispiele
Die Aluminium-Plattieranlage dieser Erfindung ist eine Aluminium-Plattieranlage zum Elektroniederschlagen von Aluminium auf einen Grundkörper durch Zuführen des Grundkörpers durch ein Plattierbad. Die Anlage hat die folgenden Merkmale:
das oben beschriebene Plattierbad wird in eine erste Elektrolysekammer und eine zweite Elektrolysekammer durch eine Trennplatte in dieser Reihenfolge von der Aufwärtsseite in einer Richtung unterteilt, in der der oben beschriebene Grundkörper zugeführt wird;
in der oben beschriebenen ersten Elektrolysekammer, die mit einer negativen Elektrode versehen ist, wird die negative Elektrode elektrisch mit dem oben beschriebenen Grundkörper so verbunden, daß der oben beschriebene Grundkörper als positive Elektrode agiert; und
in der oben beschriebenen zweiten Elektrolysekammer, die mit einer positiven Elektrode versehen ist, wird die positive Elektrode mit dem oben beschriebnen Grundkörper so verbunden, daß der oben beschriebene Grundkörper als negative Elektrode agiert.
Der oben beschriebene Grundkörper ist nicht besonders beschränkt. Eine außerordentliche Wirkung wird entfaltet bei einem Grundkörper, bei dem die konventionelle Aluminium-Plattieranlage nicht zufriedenstellend Aluminium elektroniederschlagen kann, wie ein Metall mit einem Metalloxidfilm (passiver Film) auf der Oberfläche. Die Typen des vorgenannten Grundkörpers umfassen ein Stahlband (eine Stahlplatte), einen porösen Aluminiumkörper mit einer dreidimensionalen Netzwerkstruktur, eine SUS-Platte, eine Cu- oder Cu-Legierungs-Platte und eine Zn- oder Zn-Legierungs-Platte.
Das oben beschriebene Plattierbad enthält eine Plattierlösung. Die Plattierlösung ist nicht besonders beschränkt, vorausgesetzt, daß die Lösung eine Zusammensetzung hat, so daß ein Elektroplattieren mit Aluminium durchgeführt werden kann. Aluminium hat eine hohe Affinität für Sauerstoff und ein elektrisches Potential, das niedriger ist als das von Wasserstoff. Folglich ist es schwierig, das Elektroplattieren in einem Plattierbad auf Basis einer wäßrigen Lösung durchzuführen, so daß ein geschmolzenes Salzbad verwendet wird. Ein geschmolzenes Salzbad, das sich hauptsächlich aus Aluminiumchlorid zusammensetzt, kann vorteilhaft verwendet werden.
Als geschmolzenes Salz kann ein organisches geschmolzenes Salz in der Form eines eutektischen Salzes eines Halogenides und eines Aluminiumhalogenides und ein anorganisches geschmolzenes Salz in der Form eines eutektischen Salzes eines Halogenides aus einem Alkalimetall und ein Aluminiumhalogenid verwendet werden. Wenn ein organisches geschmolzenes Salzbad verwendet wird, das bei verhältnismäßig niedriger Temperatur schmilzt, kann das Plattieren ohne Zersetzung eines Harzformkörpers, der als Grundkörper verwendet wird, durchgeführt werden, was wünschenswert ist. Als Organohalogenid kann ein Imidazoliumsalz, Pyridiniumsalz oder dergleichen verwendet werden. Mehr spezifisch sind (EMIC) und Butylpyridiniumchlorid (BPC) wünschenswert.
Wenn Feuchtigkeit oder Sauerstoff in ein geschmolzenes Salz eindringt, verschlechtert sich das geschmolzene Salz. Daher ist es gewünscht, das Plattieren nicht nur in einer Stickstoff-, Argon- oder anderen Inertgasatmosphäre durchzuführen, sondern ebenfalls in einer geschlossenen Umgebung.
Als geschmolzenes Salzbad ist ein geschmolzenes Salzbad, das Stickstoff enthält, wünschenswert. Wenn ein Harzformkörper mit einer dreidimensionalen Netzwerkstruktur als oben beschriebener Grundkörper verwendet wird, löst sich, wenn das Salz, das bei hoher Temperatur schmilzt, als geschmolzenes Salz verwendet wird, das Harz oder zersetzt sich in dem geschmolzenen Salz schneller auf als die Plattierschicht wächst. Als Ergebnis kann die Plattierschicht nicht auf der Oberfläche des Harzformkörpers gebildet werden. In diesem Fall kann ein Imidazoliumsalzbad vorteilhaft verwendet werden. Ein Imidazoliumsalzbad kann selbst bei verhältnismäßig niedriger Temperatur ohne Beeinflussung des Harzes verwendet werden.
Als Imidazoliumsalz kann ein Salz mit einem Imidazolium-Kation mit einer Alkyl-Gruppe an der 1,3-Position vorteilhaft verwendet werden. Insbesondere ist ein geschmolzenes Salz auf Basis von Aluminiumchlorid-1-Ethyl-3-methylimidazoliumchlorid (AlCl₃-EMIC) am vorteilhaftesten, weil es eine hohe Stabilität aufweist und daher weniger wahrscheinlich sich zersetzt. Das Plattieren kann auf Urethan-Harzschaum, Melamin-Harzschaum und dergleichen durchgeführt werden. Die Temperatur des geschmolzenen Salzbades ist 10 bis 100°C, wünschenswert 25 bis 45°C. Wenn sich die Temperatur zur niedrigen Temperatur vermindert, wird der Bereich der elektrischen Stromdichte, die das Plattieren ermöglicht, eingeengt, so daß es schwieriger wird, das Plattieren auf der gesamten Oberfläche des Harzformkörpers durchzuführen. Eine hohe Temperatur von mehr als 100°C neigt dazu, ein Problem der Beeinträchtigung der Form des Harzes, das als Basiskörper verwendet wird, zu verursachen.
Wenn ein Basiskörper mit einem hohen Schmelzpunkt wie ein Stahlband verwendet wird, kann ein anorganisches Salzbad ebenfalls als geschmolzenes Salz verwendet werden. Das anorganische Salzbad ist typischerweise ein Salz aus einem Zweikomponenten-System oder Multikomponenten-System von AlCl₃-XCl (X: Alkalimetall). Das genannte anorganische Salzbad hat im allgemeinen eine hohe Schmelztemperatur im Vergleich zu einem organischen Salzbad wie einem Imidazoliumsalzbad, hat aber einige Beschränkungen bezüglich der Umweltbedingungen wie Feuchtigkeit und Sauerstoff, wodurch die praktische Verwendung bei niedrigen Kosten insgesamt ermöglicht wird.
Zur Verstärkung der Glätte und des Glanzes eines Filmes aus Aluminiumplattierung, die auf der Oberfläche eines Grundkörpers gebildet wird, kann ein Additiv wie Xylol, Benzol, Toluol und 1,10-Phenanthrolin zugegeben werden.
Insbesondere kann 1,10-Phenanthrolin vorteilhafterweise verwendet werden. Es ist wünschenswert, daß die Zugabemenge des oben beschriebenen Additivs 0,25 bis 7 g/l ist. Wenn die Menge 0,25 g/l ist, kann ein ausreichend glatter Film aus einem Aluminiumplattieren erhalten werden. Wenn sie 7 g/l oder weniger ist, kann eine Verminderung der Plattiereffizienz unterdrückt werden.
Nachfolgend erfolgt eine detailliertere Erläuterung dieser Erfindung durch Bezugnahme auf die Zeichnung, wenn es angemessen ist.
1 ist ein Diagramm, das ein Beispiel der Struktur der Aluminium-Plattieranlage dieser Erfindung zeigt. Wie in 1 gezeigt ist, ist in der Aluminium-Plattieranlage dieser Erfindung ein Plattierbad 102, umfassend eine Plattierlösung, in eine erste Elektrolysekammer 104 und eine zweite Elektrolysekammer 105 durch eine Trennplatte 103 unterteilt. Ein Grundkörper 101 wird kontinuierlich von der ersten Elektrolysekammer 104 zur zweiten Elektrolysekammer 105 geführt.
Die Trennplatte 103 wird vorgesehen, um elektrisch die erste Elektrolysekammer 104 und die zweite Elektrolysekammer 105 zu trennen. Eine Isoliertrennplatte kann vorteilhafterweise verwendet werden. Beispielsweise können Teflon (eingetragene Marke), Keramik, Glas, ein supertechnischer Kunststoff wie Polyetheretherketon (PEEK) und ein wärmeresistentes Vinylchloridharz verwendet werden.
Die Trennplatte 103 ist mit einer Durchleitöffnung für den Grundkörper versehen. Es ist wünschenswert, daß die Durchleitöffnung die minimal mögliche Dimension aufweist, um das Durchleiten des Grundkörpers zu ermöglichen. Beispielsweise ist es gewünscht, daß die Durchleitöffnung für den Grundkörper die Form eines Schlitzes aufweist.
Die erste Elektrolysekammer 104, zu der der Grundkörper 101 anfangs zugeführt ist, ist mit negativen Elektroden 107 versehen, die elektrisch so verbunden sind, daß der Grundkörper 101 als positive Elektrode in der ersten Elektrolysekammer 104 agiert. Diese Konfiguration kreiert die Elektrolyse zwischen den negativen Elektroden 107 und dem Grundkörper 101. Als Ergebnis wird ein Metalloxidfilm, der auf der Oberfläche des Grundkörpers 101 gebildet ist, elektrolytisch entfernt, so daß die Oberfläche des Metalls, das den Grundkörper 101 bildet, frei liegt.
Die negativen Elektroden 107 sind nicht besonders beschränkt. Beispielsweise können Aluminium, Titan und Kupfer vorteilhafterweise verwendet werden.
1 zeigt als Beispiel den Fall, bei dem zwei negative Elektroden 107 vorgesehen sind: eine oberhalb des Grundkörpers 101 und die andere darunter. Dennoch ist die Zahl der negativen Elektroden 107 nicht besonders beschränkt. Eine Elektrode oder drei oder mehr Elektroden können verwendet werden. Der Ort, an dem die negativen Elektroden 107 vorgesehen sind, ist nicht besonders beschränkt. Jedoch ist es wünschenswert, diese bei einer Position nächstmöglich zu dem Grundkörper 101 vorzusehen, so daß die Elektrolyse effektiv auftreten kann.
Um zu verursachen, daß der Grundkörper 101 als positive Elektrode in der ersten Elektrolysekammer 104 agiert, wird das Ende der positiven Elektrode der Energiequelle, die mit den negativen Elektroden 107 verbunden ist, mit dem Grundkörper 101 verbunden. In diesem Fall ist es für die Verursachung einer effektiven Elektrolyse wünschenswert, daß der Grundkörper 101 mit der positiven Elektrode an der Aufstromseite in der Nähe des Eingangs der ersten Elektrolysekammer 104 verbunden ist.
1 zeigt den Fall, bei dem eine erste Elektrizitätszuführwalze 106 an der Aufstromseite des Eingangs der ersten Elektrolysekammer 104 vorgesehen ist und ist mit der positiven Elektrode der Energiequelle verbunden. Durch Verwendung dieser Konfiguration wird, während der Grundkörper 101 kontinuierlich durch die erste Elektrizitätszuführwalze 106 und eine erste Zuführwalze 110 kontinuierlich zugeführt wird, dem Grundkörper 101 durch die erste Elektrizitätszuführwalze 106 ein elektrisches Potential verliehen, so daß der Grundkörper 101 als positive Elektrode in der ersten Elektrolysekammer 104 agiert. 1 zeigt den Fall, bei dem die erste Zuführwalze 110 an der entgegengesetzten Seite der ersten Elektrizitätszuführwalze 106 vorgesehen ist. Anstelle der ersten Zuführwalze 110 kann dennoch eine Elektrizitätszuführwalze vorgesehen sein, die mit der positiven Elektrode verbunden ist.
Die Menge des Metalloxidfilmes, der elektrolytisch in der ersten Elektrolysekammer 104 entfernt werden soll, kann angemessen entsprechend der Menge des Oxidfilmes, der auf dem Grundkörper 101 gebildet ist, eingestellt werden. Wenn der Grundkörper aus Aluminium erzeugt ist, kann beispielsweise die Menge des Niederschlages oder die Menge der Auflösung von Aluminium auf der Basis der folgenden Gleichung eingestellt werden: Menge des Niederschlags von Aluminium/Menge der Auflösung von Aluminium [g] = 0,3352 × I [A] × t [Hr] (Gleichung).
In der obigen Gleichung bedeutet ”I” den Stromwert und ”t” die Zeit. Die Konstante 0,3352 ist eine Konstante, die für Aluminium spezifisch ist und wenn der Grundkörper aus einem anderen Metall erzeugt ist, kann die Konstante in die Konstante geändert werden, die für dieses Metall spezifisch ist, um diese Berechnung durchzuführen.
Anschließend wird der Grundkörper 101, dessen Metalloxidfilm wie oben beschrieben entfernt ist, zu der zweiten Elektrolysekammer 105 durch den Spalt geführt, der in der Trennplatte 103 gebildet ist. Die zweite Elektrolysekammer 105 ist mit positiven Elektroden 109 versehen, die elektrisch so verbunden sind, daß der Grundkörper 101 als negative Elektrode in der zweiten Elektrolysekammer 105 agiert. Diese Konfiguration kreiert die Elektrolyse zwischen den positiven Elektroden 109 und dem Grundkörper 101. Als Ergebnis wird Aluminium auf der Oberfläche des Grundkörpers 101 elektroniedergeschlagen.
Wie oben beschrieben wird der auf der Oberfläche des Grundkörpers 101 gebildete Metalloxidfilm in der ersten Elektrolysekammer 104 entfernt. Folglich kann eine gleichmäßige Aluminiumplattierung auf der Oberfläche des Grundkörpers 102 in der zweiten Elektrolysekammer 105 gebildet werden.
Die positiven Elektroden 109 sind nicht besonders beschränkt. Beispielsweise können Aluminium, Titan und Kupfer vorteilhafterweise verwendet werden.
Wie bei den negativen Elektroden 107 zeigt 1 als Beispiel den Fall, bei dem zwei positive Elektroden 109 vorgesehen sind: eine oberhalb des Grundkörpers 101 und die andere darunter Dennoch ist die Zahl der positiven Elektroden 109 nicht besonders beschränkt. Eine Elektrode oder drei oder mehrere Elektroden können verwendet werden. Die Stelle, an der die positiven Elektroden 109 vorgesehen sind, ist nicht besonders beschränkt. Jedoch ist es wünschenswert, diese bei einer Position nächstmöglich zu dem Grundkörper 101 vorzusehen, so daß die Elektrolyse effektiv auftreten kann.
Um zu bewirken, daß der Grundkörper 101 als negative Elektrode in der zweiten Elektrolysekammer 105 agiert, wird das Ende der negativen Elektrode der Energiequelle, die mit den positiven Elektroden 109 verbunden ist, mit dem Grundkörper 101 verbunden. In diesem Fall ist es für den effektiven Auftritt einer Elektrolyse wünschenswert, daß der Grundkörper 101 mit der negativen Elektrode an der Abwärtsseite in der Nähe des Ausgangs der zweiten Elektrolysekammer 105 verbunden ist.
1 zeigt den Fall, bei dem eine zweite Elektrizitätszuführwalze 108 an der Abwärtsseite des Ausgangs der zweiten Elektrolysekammer 105 vorgesehen und mit der negativen Elektrode der Energiequelle verbunden ist. Durch Verwendung dieser Konfiguration wird, während der Grundkörper 101 kontinuierlich durch die zweite Elektrizitätszuführwalze 108 und eine zweite Zuführwalze 111 zugeführt wird, ein elektrisches Potential dem Grundkörper 101 durch die zweite Elektrizitätszuführwalze 108 verliehen, so daß der Grundkörper 101 als negative Elektrode in der zweiten Elektrolysekammer 105 agiert. 1 zeigt den Fall, bei dem die zweite Zuführwalze 111 an der entgegengesetzten Seite der zweiten Elektrizitätszuführwalze 108 vorgesehen ist. Anstelle der zweiten Zuführwalze 111 kann dennoch eine Elektrizitätszuführwalze vorgesehen werden, die mit der negativen Elektrode verbunden ist.
Die Menge des in der zweiten Elektrolysekammer 105 niederzuschlagenden Aluminiums kann durch Verwendung der oben beschriebenen Gleichung berechnet werden. Folglich können der Stromwert und die Zeit so eingestellt werden, daß eine gewünschte Quantität von Aluminium auf der Oberfläche des Grundkörpers 101 elektroniedergeschlagen wird. Die Zeit kann eingestellt werden durch Änderung der Zuführgeschwindigkeit für den Grundkörper 101.
Wie oben beschrieben, kann durch Verwendung der Aluminium-Plattieranlage dieser Erfindung ein Aluminiumplattieren zufriedenstellend selbst auf der Oberfläche eines Grundkörpers durchgeführt werden, der eine Oberfläche aufweist, auf der ein isolierender oder schlecht leitender Metalloxidfilm oder dergleichen gebildet ist.
Wenn das Aluminiumplattieren auf einem langen Grundkörper wie einem Stahlband und einer Lage, die sich aus einem Harzformkörper mit einer dreidimensionalen Netzwerkstruktur zusammensetzt, durchgeführt wird, kann die Verwendung der Aluminium-Plattieranlage dieser Erfindung effektiv ein Produkt durch Erhöhung der Leitungsgeschwindigkeit erzeugen.
Bei der konventionellen Aluminium-Plattieranlage, die mit einem Plattierbad ausgerüstet ist, kann, wenn es beabsichtigt ist, die Produktionskapazität durch Erhöhung der Leitungsgeschwindigkeit zu erhöhen, angenommen werden, daß die Länge der positiven Elektrode erhöht wird. Wenn beispielsweise das Plattieren vertikal durchgeführt wird, wird das Plattierbad vertieft, und wenn das Plattieren horizontal durchgeführt wird, wird das Plattierbad verlängert. Tatsächlich hat jedoch die Länge der positiven Elektrode, die für das Plattieren effektiv ist, eine Begrenzung. Obwohl das Plattieren bei einer hohen Stromdichte an der Position in der Nähe zu der Leiterwalze durchgeführt wird, wird das Plattieren nicht bei einer hohen Stromdichte an der Position eng zu der Leiterwalze durchgeführt, das Plattieren wird nicht an der Position durchgeführt, die von der Leiterwalze entfernt ist. In einer Anlage, die mit einem Plattierbad ausgerüstet ist, hat folglich die Erhöhung der Leitungsgeschwindigkeit eine Beschränkung, so daß die Produktionskapazität nicht erhöht werden kann.
Aus diesem Grund kann die Leitungsgeschwindigkeit durch Ausbilden des Plattierbades mit zwei oder mehreren Bädern erhöht werden. Selbst wenn zwei oder mehrere konventionelle Plattieranlagen in Tandemform installiert werden, kann bei Durchführung eines kontinuierlichen Vorgangs bei einem Metall, das einen Oxidfilm auf der Oberfläche bilden kann, wie Aluminium, der in dem Plattierbad bei der vorhergehenden Position gebildete Film nicht ausreichend mit Aluminium plattiert werden, was ein Problem darstellt. Mehr spezifisch wird ein Oxidfilm auf der Oberfläche von Aluminium an dem Raum zwischen den Platierbädern gebildet. Wenn ein Oxidfilm gebildet wird, wird Aluminium in der Form von Inseln niedergeschlagen. Mit anderen Worten kann das Plattieren nicht zufriedenstellend durchgeführt werden. Selbst wenn der Raum zwischen den Plattierbädern mit einer N₂- oder einer anderen Inertatmosphäre gefüllt wird, kann Sauerstoff nicht vollständig entfernt werden und verbleibt in einer Menge in der Größenordnung von ppm. Selbst wenn Aluminium in einer solchen winzigen Menge an Sauerstoff wie oben beschrieben ausgesetzt wird, wird ein Oxidfilm (passiver Film) auf der Oberfläche von Aluminium gebildet.
Zur Beseitiung des oben beschriebenen Problems kann die Aluminium-Plattieranlage dieser Erfindung in der ersten Elektrolysekammer einen Oxidfilm, der auf der Oberfläche von Aluminium gebildet ist, entfernen. Wenn zwei oder mehrere Aluminium-Plattieranlagen in Serie in der Zuführrichtung für den Grundkörper vorgesehen werden, können das zweite und die folgenden Bäder ebenfalls eine glatte Aluminiumplattierung mit guter Qualität ergeben. Durch Verwendung einer Aluminium-Plattieranlage, worin zwei oder mehrere Aluminium-Plattieranlagen wie oben beschrieben in Serie in der Zuführrichtung für den Grundkörper vorgesehen sind, kann die Leitungsgeschwindigkeit des Grundkörpers und daher die Produktionseffizienz des Produktes erhöht werden. Weil die genannte Aluminium-Plattieranlage das Aluminiumplattieren kontinuierlich unter Verwendung von multiplen Aluminium-Plattieranlagen durchführt, ist nur ein Satz von Anlagen wie eine Zuführanlage und eine Aufnahmeanlage für den Grundkörper erforderlich, so daß die Investition für die Anlage signifikant erniedrigt werden kann.
Die Zahl der Aluminium-Anlagen, die in Serie vorgesehen sind, ist nicht besonders beschränkt. Die Zahl kann angemessen entsprechend dem Zweck wie der Dicke einer Schicht der zu bildenden Aluminiumplattierung ausgewählt werden. Wenn beispielsweise ein Harzformkörper mit einer dreidimensionalen Netzwerkstruktur als Grundkörper verwendet wird, kann das Vorsehen von 2 oder 20 oder ähnlichen Aluminium-Plattieranlagen effektiv einen porösen Aluminiumkörper erzeugen.
Wenn ein Harzformkörper mit einer dreidimensionalen Netzwerkstruktur, mit dem eine leitende Behandlung durch Beschichten von Kohlenstoff beispielsweise als Grundkörper verwendet wird, kann eine konventionelle Aluminium-Plattieranlage bei einer bestimmten Position der oben beschriebenen Aluminium-Plattieranlage dieser Erfindung verwendet werden, wobei die bestimmte Position die am meisten aufwärts gelegene Position in der Zuführrichtung für den Grundkörper ist. Bezüglich der konventionellen Aluminium-Plattieranlage kann eine unten beschriebene Aluminium-Plattieranlage vorteilhafterweise verwendet werden. Die Aluminium-Plattieranlage führt zum Elektroniederschlag von Aluminium auf dem Grundkörper, indem der Grundkörper 101 durch das Plattierbad 202 wie in 2 gezeigt geleitet wird und hat ein Merkmal, daß in dem Plattierbad 202 positive Elektroden 209, die in dem Plattierbad 202 vorgesehen sind, elektrisch mit dem oben beschriebenen Grundkörper 101 verbunden sind, so daß der der beschriebene Grundkörper 101 als negative Elektrode agiert.
Mit anderen Worten hat die Aluminium-Plattieranlage dieser Erfindung eine Aluminium-Plattieranlage:
die an einer bestimmten Position der oben beschriebenen Aluminium-Plattieranlage positioniert ist, wobei die bestimmte Position die am meisten aufwärts gelegene Position in einer Richtung ist, so daß der oben beschriebene Grundkörper zugeführt wird,
die Aluminium auf den oben beschriebenen Grundkörper durch Zuführen des oben beschriebenen Grundkörpers in ein Plattierbad elektroniederschlägt; und
die ein Merkmal hat, daß in dem Plattierbad, das mit einer positiven Elektrode versehen ist, die positive Elektrode elektrisch mit dem oben beschriebenen Grundkörper so verbunden ist, daß der oben beschriebene Grundkörper als negative Elektrode agiert.
Durch Durchführen des Aluminiumplattierens durch Anordnen der oben beschriebenen Aluminium-Plattieranlage dieser Erfindung, die mit der ersten Elektrolysekammer versehen ist, die eine Umkehrelektrolyse durchführt, in Serie mit der zweiten oder anschließenden Aluminium-Plattieranlage in den Aluminium-Plattieranlagen, die wie oben beschrieben in Serie angeordnet sind, kann eine gleichmäßige Aluminiumplattierung mit guter Qualität effektiv auf dem Grundkörper gebildet werden. Wie oben beschrieben ermöglicht zusätzlich die Aluminium-Plattieranlage dieser Erfindung das Vorsehen von nur einem Satz einer Anlage wie einer Zuführanlage und einer Aufnahmeanlage für den Grundkörper, so daß die Investition für die Anlage signifikant vermindert werden kann.
Beispiele
Nachfolgend folgt eine weitere detaillierte Erläuterung dieser Erfindung auf der Grundlage der Beispiele. Diese Beispiele sind erläuternd und beschränken die Aluminium-Plattieranlage und dergleichen dieser Erfindung nicht. Der Umfang dieser Erfindung wird durch den Umfang der Patentansprüche dargestellt und bedeckt alle Revisionen und Modifizierungen, die innerhalb der Bedeutung und des Umfangs enthalten sind, die dem Umfang der Ansprüche äquivalent sind.
Beispiel 1
10 Aluminium-Anlagen dieser Erfindung, dargestellt in 1, wurden in Serie angeordnet, zur Bildung einer Aluminiumplattierung auf einem Grundkörper.
Grundkörper
Als Grundkörper wurde ein Harzformkörper verwendet, der eine dreidimensionale Netzwerkstruktur mit einer Oberfläche aufwies, auf der ein Aluminiumfilm durch ein Sputterverfahren gebildet war.
Als Harzformkörper mit einer dreidimensionalen Netzwerkstruktur wurde ein Formkörper aus geschäumtem Urethanharz mit einer Porosität von 95%, einer Anzahl von Poren (Zahl der Zellen) pro Inch von etwa 50, einem Porendurchmesser von etwa 550 μm, einer Breite von 500 mm und einer Dicke von 1 mm verwendet. Die leitende Behandlung wurde durchgeführt durch Bilden eines Aluminiumfilmes mit einem Beschichtungsgewicht von 10 g/m² auf dem Formkörper aus geschäumtem Urethanharz durch das Sputterverfahren durchgeführt.
Es wurde bestätigt, daß ein Aluminiumoxid-Film mit 30 nm in dem Aluminiumfilm auf der Oberfläche des Harzformkörpers gebildet wurde.
Aluminium-Plattieranlage
10 Aluminium-Anlagen dieser Erfindung, dargestellt in 1, wurden hergestellt und in Serie angeordnet. Der Raum zwischen den Aluminium-Plattieranlagen wurde mit Stickstoff gefüllt, zur Bildung einer Inertatmosphäre. Die Rotationsgeschwindigkeit der Walze wurde so eingestellt, daß die Leitungsgeschwindigkeit des Grundkörpers, der zugeführt wurde, 0,1 bis 1,0 m/min wurde. Die Struktur der individuellen Aluminium-Anlage ist unten beschrieben.
Geschmolzenes Salzbad
Ein geschmolzenes Salzbad mit einer Zusammensetzung von 33 mol% EMIC und 67 mol% AlCl₃ wurde durch Mischen dieser in einer Stickstoffatmosphäre hergestellt. Zusätzlich wurde 1,10-Phenanthrolin so zugegeben, daß es eine Konzentration von 0,5 g/l hatte.
Weiterhin wurde Stickstoff in die Plattierlösung gegeben, um die Bildung eines Oxidfilmes während des Elektroniederschlages von Aluminium zu verhindern.
Trennplatte
Eine Trennplatte aus Teflon (eingetragene Marke) wurde in das Plattierbad zum Trennen des Plattierbades in eine erste Elektrolysekammer und eine zweite Elektrolysekammer angeordnet. Eine Trennplatte wurde mit einem Schlitz versehen, der eine Breite von 560 mm und eine Höhe von 5 mm hatte, und wurde als Durchleitöffnung für den Grundkörper verwendet.
Erste Elektrizitätszuführwalze
Eine erste Elektrizitätszuführwalze aus Aluminium wurde verwendet, wobei die Mitte der Walze mit dem Ende der positiven Elektrode einer Energiequelle verbunden war.
Negative Elektrode
Negative Elektroden aus Aluminium wurden in der ersten Elektrolysekammer angeordnet. Wie in 1 gezeigt ist, wurden die negativen Elektroden bei zwei Positionen angeordnet: eine oberhalb des Grundkörpers und die andere darunter.
Erste Elektrolysekammer
Zum Kreieren der Elektrolyse zwischen dem Grundkörper und den negativen Elektroden in der ersten Elektrolysekammer wurde eine Stromdichte auf 10 A/dm² eingestellt.
Zweite Elektrizitätszuführwalze
Eine zweite Elektrizitätszuführwalze aus Aluminium wurde verwendet, wobei die Mitte der Walze mit dem Ende der negativen Elektrode einer Energiequelle verbunden war.
Positive Elektrode
Positive Elektroden aus Aluminium wurden in der zweiten Elektrolysekammer angeordnet. Wie in 1 dargestellt, waren die positiven Elektroden an zwei Positionen plaziert: eine oberhalb des Grundkörpers und die andere darunter.
Zweite Elektrolysekammer
Zum Kreieren der Elektrolyse zwischen dem Grundkörper und den positiven Elektroden in der zweiten Elektrolysekammer wurde eine Stromdichte aus 5 A/dm² eingestellt.
Der Grundkörper, mit dem die leitende Behandlung wie oben beschrieben durchgeführt wurde, wurde kontinuierlich in die zehn Aluminium-Anlagen jeweils mit der oben beschriebenen Struktur zur Bildung eines Filmes aus Aluminiumplattierung auf der Oberfläche des Grundkörpers geführt. Dieser Vorgang bildete einen Aluminiumfilm mit 10 μm auf der Oberfläche des Grundkörpers. Der gebildete Plattierfilm war gleichmäßig und hatte eine gute Qualität.
Wie oben beschrieben, wurde bestätigt, daß selbst wenn der Vorgang einen Grundkörper verwendet, der eine Oberfläche aufweist, auf dem ein Aluminiumoxidfilm gebildet ist, die Verwendung der Aluminium-Plattieranlage dieser Erfindung weiterhin einen Film mit guter Qualität aus Aluminiumplattierung bilden kann
Beispiel 2
Wie in 2 gezeigt, wurde eine konventionelle Aluminium-Plattieranlage an der am meisten aufwärts gelegenen Seite in der Zuführrichtung für den Basiskörper angeordnet. 9 Aluminium-Anlagen dieser Erfindung, die bei Beispiel 1 verwendet wurden, wurden in Serie an der Abwärtsseite der oben beschriebenen konventionellen Aluminium-Plattieranlage angeordnet, zur Bildung eines Filmes aus Aluminiumplattierung auf einem Grundkörper.
Basiskörper
Ein Harzformkörper mit der gleichen dreidimensionalen Netzwerkstruktur wie bei Beispiel 1 wurde verwendet.
Die leitende Behandlung des Harzformkörpers wurde durch Beschichten einer Kohlenstofffarbe als leitende Farbe auf der Oberfläche eines porösen Harzkörpers durchgeführt. Die Harzfarbe enthielt 25% Kohlenstoffteilchen, ein Harz-Bindemittel, ein oberflächenaktives Mittel und ein Antischäummittel. Der Ruß hatte einen Teilchendurchmesser von 0,5 μm.
Aluminium-Plattieranlage
Die konventionelle Aluminium-Plattieranlage, die an der am meisten aufwärts gelegenen Seite in der Zuführrichtung für den Grundkörper gelegen ist, hatte die gleiche Struktur wie die der zweiten Elektrolysekammer in der in Beispiel 1 verwendeten Aluminium-Plattieranlage. Mehr spezifisch hatten die Plattierlösung, die Elektrizitätszuführwalze und die positiven Elektroden die gleichen Strukturen wie die Plattierlösung, die zweite Elektrizitätszuführwalze und die positiven Elektrode, die alle bei Beispiel 1 verwendet wurden.
Die zweite und anschließende Aluminium-Plattieranlage hatten die gleiche Struktur wie die Aluminium-Plattieranlagen, die bei Beispiel 1 verwendet wurden. 9 Anlagen, die oben beschrieben sind, wurden in Serie angeordnet.
Die Beobachtung des Grundkörpers mit einer Oberfläche, auf der ein Film aus Aluminiumplattieren gebildet war, ergab, daß ein Aluminiumfilm mit 10 μm auf der Oberfläche des Grundkörpers gebildet war, und daß der gebildete Plattierfilm gleichmäßig war und eine gute Qualität hatte.
Vergleichsbeispiel 1
Ein Film aus Aluminiumplattierung wurde auf der Oberfläche eines Grundkörpers durch den gleichen Vorgang wie bei Beispiel 1 gebildet, mit der Ausnahme, daß als Aluminium-Plattieranlage 10 konventionelle Aluminium-Plattieranlagen durch Anordnen dieser in Serie verwendet wurden. Bezüglich der konventionellen Aluminium-Plattieranlagen wurden die Aluminium-Plattieranlage, die an der am meisten aufwärts gelegenen Seite in Beispiel 2 angeordnet war, verwendet. Wie bei Beispiel 1 wurde der Raum zwischen den Aluminium-Plattieranlagen mit Stickstoff gefüllt, zur Bildung einer Inertatmosphäre.
Die Beobachtung des Filmes der Aluminiumplattierung, gebildet auf der Oberfläche des Grundkörpers ergab, daß der Niederschlag die Form von Inseln kreierte und der Film bezüglich der Qualität schlecht war im Vergleich zum Film, der unter Verwendung der Anlage von Beispiel 1 gebildet wurde.
Vergleichsbeispiel 2
Ein Aluminiumplattierfilm wurde auf der Oberfläche eines Grundkörpers durch den gleichen Vorgang wie bei Beispiel 2 gebildet, mit der Ausnahme, daß als Aluminium-Plattieranlage 10 konventionelle Aluminium-Plattieranlagen durch Anordnen dieser in Serie verwendet wurden. Bezüglich der konventionellen Aluminium-Plattieranlagen wurde die Aluminium-Plattieranlage, die an der am meisten aufwärts gelegenen Seite in Beispiel 2 angeordnet war, verwendet. Wie bei Beispiel 2 wurde der Raum zwischen den Aluminium-Plattieranlagen mit Stickstoff gefüllt, zur Bildung einer Inertatmosphäre.
Die Beobachtung des Aluminiumplattierfilmes, der auf der Oberfläche des Grundkörpers gebildet war, ergab, daß der Niederschlag die Form von Inseln kreierte und der Film schlecht bezüglich der Qualität war im Vergleich zu dem Film, der unter Verwendung der Anlage von Beispiel 2 gebildet war.
Bezugszeichenliste

101: Grundkörper
102: Plattierbad
103: Trennplatte
104: Erste Elektrolysekammer
105: Zweite Elektrolysekammer
106: Erste Elektrizitätszuführwalze
107: Negative Elektrode
108: Zweite Elektrizitätszuführwalze
109: Positive Elektrode
110: Zweite Zuführwalze
111: Zweite Zuführwalze
202: Plattierbad
208: Elektrizitätszuführwalze
209: Positive Elektrode

Claims

Aluminium-Plattieranlage zum Elektroniederschlagen von Aluminium auf einen Grundkörper durch Zuführen des Grundkörpers zu einem Plattierbad, wobei die Anlage folgende Merkmale hat: das Plattierbad wird in eine erste Elektrolysekammer und eine zweite Elektrolysekammer durch eine Trennplatte in dieser Reihenfolge von der Aufwärtsseite in einer Richtung unterteilt, daß der Grundkörper zugeführt wird; in der ersten Elektrolysekammer, die mit einer negativen Elektrode versehen ist, wird die negative Elektrode elektrisch mit dem Grundkörper so verbunden, daß der Grundkörper als positive Elektrode agiert; und in der zweiten Elektrolysekammer, die mit einer positiven Elektrode versehen ist, wird die positive Elektrode mit dem Grundkörper so verbunden, daß der Grundkörper als negative Elektrode agiert.
Aluminium-Plattieranlage nach Anspruch 1, wobei die Anlage bei der Aufstromseite eines Eingangs der ersten Elektrolysekammer eine erste Elektrizitätszuführwalze aufweist, die ein elektrisches Potential dem Grundkörper gibt und gleichzeitig den Grundkörper zuführt.
Aluminium-Plattieranlage nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Anlage an der Abwärtsseite eines Ausgangs der zweiten Elektrolysekammer eine zweite Elektrizitätszuführwalze aufweist, die ein elektrisches Potential dem Grundkörper gibt und gleichzeitig den Grundkörper zuführt.
Aluminium-Plattieranlage nach einem der Ansprüche 1 bis 3, worin das Plattierbad ein geschmolzenes Salzbad enthält, das sich hauptsächlich aus Aluminiumchlorid zusammensetzt.
Aluminium-Plattieranlage nach einem der Ansprüche 1 bis 4, worin der Grundkörper eine Lage ist, gebildet aus einem Harzformkörper mit einer dreidimensionalen Netzwerkstruktur, mit dem eine leitende Behandlung durchgeführt ist.
Aluminium-Plattieranlage umfassend zwei oder mehrere Aluminium-Plattieranlagen, jeweils wie in einem der obigen Ansprüche 1 bis 5 definiert, wobei die Anlagen in Serie in einer Richtung positioniert sind, in der der Grundkörper zugeführt wird.
Aluminium-Plattieranlage, die eine Aluminium-Plattieranlage aufweist: die bei einer bestimmten Position der Aluminium-Plattieranlage gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6 positioniert ist, wobei die bestimmte Position die am meisten aufwärts gelegene Position in einer Richtung ist, in der der Grundkörper zugeführt wird; die Aluminium auf den Grundkörper elektroniederschlägt, indem der Grundkörper in einem Plattierbad zugeführt wird; und die ein Merkmal hat, daß in dem Plattierbad, das mit einer positiven Elektrode versehen ist, die positive Elektrode elektrisch mit dem Grundkörper so verbunden ist, daß der Grundkörper als negative Elektrode agiert.
Verfahren zur Erzeugung eines Aluminiumfilmes, wobei das Verfahren den Elektroniederschlag von Aluminium auf einen Grundkörper unter Verwendung der Aluminium-Plattieranlage gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7 umfaßt.