-
ERFINDUNGSGEBIET
-
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterwafer-Lagerbehälter.
-
ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
-
Halbleiterwafer-Lagerbehälter sind beispielsweise aus der
US 7 648 041 B2 und der
US 7 413 099 B2 bekannt. Die meisten Halbleiterwafer-Lagerbehälter enthalten einen Behälterhauptkörper zum parallelen Lagern von mehreren Halbleiterwafern darin. Eine Öffnung zum Transferieren der Halbleiterwafer ist in dem Behälterhauptkörper ausgebildet. Ein Abdeckungskörper zum Blockieren der Öffnung zum Transferieren der Halbleiterwafer ist lösbar von außen an der Öffnung zum Transferieren der Halbleiterwafer montiert.
-
Außerdem ist es notwendig, dafür zu sorgen, dass die in dem Behälterhauptkörper gelagerten Halbleiterwafer nicht durch Staub, schädliches Gas oder dergleichen kontaminiert werden. Deshalb wird eine Dichtung bereitgestellt, die zwischen einem Kantenabschnitt des Abdeckungskörpers und einem Kantenabschnitt der Öffnung zum Transferieren der Halbleiterwafer abdichtet. Dann ist ein Spalt zwischen dem Kantenabschnitt des Abdeckungskörpers und dem Kantenabschnitt der Öffnung zum Transferieren der Halbleiterwafer abgedichtet.
-
Eine derartige Dichtung wird als Ganzes in einer Ringform ausgebildet, die der Form des Kantenabschnitts der Öffnung zum Transferieren der Halbleiterwafer entspricht. Dann wird die Dichtung zwischen dem Abdeckungskörper und dem Behälterhauptkörper geschichtet und verformt sich elastisch, wodurch ein Spalt zwischen dem Kantenabschnitt des Abdeckungskörpers und dem Kantenabschnitt der Öffnung zum Transferieren der Halbleiterwafer abgedichtet wird (siehe beispielsweise die japanischen Patentanmeldungen
JP 2007 -
247 870 A und
JP 2007 -
308 161 A ).
- Patentdokument 1: japanische Patentanmeldung JP 2007 - 247 870 A
- Patentdokument 2: japanische Patentanmeldung JP 2007 - 308 161 A
-
OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
-
Von der Erfindung zu lösende Probleme
-
Bei dem Halbleiterwafer-Lagerbehälter wie oben beschrieben, wird, da zwischen dem Kantenabschnitt des Abdeckungskörpers und dem Kantenabschnitt der Öffnung zum Transferieren des Halbleiterwafer von einer Dichtung abgedichtet wird, der Halbleiterwafer in einem Zustand gehalten, der von der Außenumgebung isoliert und nicht mit Staub, schädlichem Gas oder dergleichen kontaminiert ist.
-
Wenn jedoch der Abdeckungskörper geöffnet wird, um Halbleiterwafer aus dem Halbleiterwafer-Lagerbehälter zu entfernen, befindet sich das Innere des Behälterhauptkörpers während einer Periode vorübergehend auf Unterdruck, bis die elastisch verformte Dichtung in ihre Ursprungsform zurückkehrt, das heißt, während sich der Abdeckungskörper in einer Öffnungsrichtung bewegt, wobei die Dichtung ihre Abdichteigenschaft beibehält.
-
Sobald der Abdeckungskörper geöffnet wird, um in einen Zustand einzutreten, in dem der Spalt nicht länger von der Dichtung abgedichtet ist und der Spalt zwischen dem Kantenabschnitt des Abdeckungskörpers und dem Kantenabschnitt der Öffnung zum Transferieren des Halbleiterwafer ausgebildet ist, wird Umgebungsluft durch diesen Spalt in den Behälterhauptkörper gesaugt.
-
Danach können feiner Staub und dergleichen, die an einer äußeren Oberfläche des Abdeckungskörpers oder der Dichtung haften, aufgrund einer dadurch erzeugten schnellen Luftströmung durch den Spalt in den Behälter eindringen. Wenn dieser Staub an der Oberfläche des Halbleiterwafer haftet, entsteht dann die Möglichkeit, dass das mit diesem Halbleiterwafer hergestellte Halbleiterprodukt fehlerhaft ist.
-
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung eines Halbleiterwafer-Lagerbehälters, bei dem eine elastische Dichtung zwischen einem Kantenabschnitt eines Abdeckungskörpers und einem Kantenabschnitt einer Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafer abdichtet, wodurch die Halbleiterwafer nicht durch Staub und dergleichen kontaminiert werden, die von der Außenseite angesaugt werden, sobald der Abdeckungskörper geöffnet wird.
-
Mittel zum Lösen der Probleme
-
Zur Lösung der oben erwähnten Aufgabe umfasst ein Halbleiterwafer-Lagerbehälter der vorliegenden Erfindung: einen Behälterhauptkörper zum parallelen Lagern mehrerer Halbleiterwafer; eine Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafers in/aus dem Behälterhauptkörper, die in dem Behälterhauptkörper in einer Orientierung vertikal bezüglich einer Fläche des Halbleiterwafers in einem Zustand ausgebildet ist, in dem er in dem Behälterhauptkörper gelagert ist; einen Abdeckungskörper, der lösbar von außen an der Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafers montiert ist, um die Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafers zu blockieren; und eine Dichtung, die zwischen einem Kantenabschnitt des Abdeckungskörpers und einem Kantenabschnitt der Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafers abdichtet durch Schichten zwischen dem Abdeckungskörper und dem Behälterhauptkörper und elastisches Verformen, wenn der Abdeckungskörper an der Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafers montiert ist; wobei in einem Zustand, in dem die Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafers durch den Abdeckungskörper geschlossen ist und zwischen dem Kantenabschnitt des Abdeckungskörpers und dem Kantenabschnitt der Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafers durch die Dichtung abgedichtet ist, unter den Kantenabschnitten der Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafers eine Größe eines Verformungsspielraums der Dichtung in einem Gebiet, das einen vertikalen Kantenabschnitt bezüglich der Fläche des Halbleiterwafers abdichtet, kleiner ausgebildet ist als in einem Gebiet, das einen horizontalen Kantenabschnitt bezüglich der Fläche des Halbleiterwafers abdichtet, und wobei die Innenseite und die Außenseite des Behälterhauptkörpers an dem vertikalen Kantenabschnitt bezüglich einer Fläche des Halbleiterwafers früher in einen kommunizierenden Zustand eintreten als an dem horizontalen Kantenabschnitt bezüglich einer Fläche des Halbleiterwafers, unter den Kantenabschnitten der Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafers, wenn der Abdeckungskörper in einer Richtung bewegt wird, in der sich die Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafers öffnet, so dass die Abdichteigenschaft der Dichtung an dem vertikalen Kantenabschnitt früher verloren geht als an dem horizontalen Kantenabschnitt der Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafers.
-
Weiterhin kann die Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafer in einer im Wesentlichen rechteckigen Form ausgebildet sein. Dann kann eine Größe des Verformungsspielraums der Dichtung so ausgebildet sein, dass sie nur in einem Zwischengebiet des vertikalen Kantenabschnitts bezüglich einer Fläche des Halbleiterwafer kleiner ist. Weiterhin kann die Größe des Verformungsspielraums der Dichtung so ausgebildet sein, dass sie in einem Gebiet von 30 bis 80 % des vertikalen Kantenabschnitts bezüglich einer Fläche des Halbleiterwafer kleiner ist als andere Gebiete des Kantenabschnitts der Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafer.
-
Weiterhin kann die Größe des Verformungsspielraums der Dichtung so ausbildet sein, dass sie in einem Abschnitt kleiner ist, bei dem mindestens ein Kantenabschnitt unter zwei vertikalen Kantenabschnitten bezüglich einer Fläche des Halbleiterwafer abgedichtet ist, als in einem Abschnitt, bei dem ein horizontales Gebiet bezüglich des Halbleiterwafer abgedichtet ist.
-
Weiterhin kann die Dichtung als Ganzes in einer Ringform ausgebildet sein und kann an dem Abdeckungskörper montiert sein, so dass ein Abschnitt einer inneren Kantenseite der Dichtung luftdicht bezüglich des Abdeckungskörpers ist und sich die Dichtung elastisch dadurch verformt, dass ein Abschnitt einer äußeren Kantenseite der Dichtung in einer Schließrichtung des Abdeckungskörpers gegen den Behälterhauptkörper gedrückt wird. Außerdem kann der Abschnitt der äußeren Kantenseite der Dichtung in einer Spitzenform ausgebildet sein, die schräg zu dem Behälterhauptkörper vorsteht.
-
In diesem Fall kann eine vorstehende Länge des Abschnitts der Spitzenform der Dichtung so ausgebildet sein, dass sie über den ganzen Umfang konstant ist, und ein Ausmaß des Verformungsspielraums kann durch Ändern eines Neigungswinkels des Abschnitts der Spitzenform gemäß dem Ort definiert werden. Alternativ kann ein Neigungswinkel des Abschnitts der Spitzenform in der Dichtung so ausgebildet sein, dass er über den ganzen Umfang konstant ist, und ein Ausmaß des Verformungsspielraums kann durch Ändern der vorstehenden Länge des Abschnitts der Spitzenform gemäß dem Ort definiert werden.
-
Auswirkungen der Erfindung
-
Wenn gemäß der vorliegenden Erfindung der Abdeckungskörper geöffnet wird, treten die Innenseite und die Außenseite des Behälterhauptkörpers an dem vertikalen Kantenabschnitt bezüglich einer Fläche des Halbleiterwafer früher in einen kommunizierenden Zustand als an dem horizontalen Kantenabschnitt bezüglich einer Fläche des Halbleiterwafer, unter den Kantenabschnitten der Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafer. Folglich fallen von außerhalb angesaugter Staub und dergleichen in diesem Augenblick auf den Behälterhauptkörper, ohne eine Oberfläche des Halbleiterwafer zu berühren, und somit wird der Halbleiterwafer nicht mit Staub und dergleichen kontaminiert.
-
Figurenliste
-
- 1 ist eine Perspektivansicht, die eine Gesamtkonfiguration eines Halbleiterwafer-Lagerbehälters gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
- 2 ist eine planare Querschnittsansicht des Halbleiterwafer-Lagerbehälters gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
- 3 ist eine partielle Querschnittsansicht des Halbleiterwafer-Lagerbehälters gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in einem Zustand, in dem ein Abdeckungskörper geschlossen ist;
- 4 ist eine partielle Querschnittsansicht des Halbleiterwafer-Lagerbehälters gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in einem Zustand, in dem ein Abdeckungskörper geöffnet ist ((A) zeigt einen vertikalen Stirnabschnitt und (B) zeigt einen horizontalen Stirnabschnitt);
- 5 ist eine Vorderansicht einer Dichtung des Halbleiterwafer-Lagerbehälters gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und
- 6 ist eine partielle Querschnittsansicht des Halbleiterwafer-Lagerbehälters gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in einem Zustand, in dem ein Abdeckungskörper geöffnet ist ((A) zeigt einen vertikalen Stirnabschnitt und (B) zeigt einen horizontalen Stirnabschnitt).
-
BEVORZUGTER MODUS ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
-
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden unten unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert. 1 zeigt eine Gesamtkonfiguration eines Halbleiterwafer-Lagerbehälters. Die Bezugszahl 1 bezieht sich auf einen Behälterhauptkörper zum parallelen Lagern mehrerer Halbleiterwafer W. In der Zeichnung ist nur ein einziger Halbleiterwafer W gezeigt.
-
Auf einer vorderseitigen Seite (Vorderseite) des Behälterhauptkörpers 1 ist eine Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer in einen/aus einem Behälter in einer vertikalen Richtung bezüglich einer Fläche des Halbleiterwafer W in einem Zustand ausgebildet, in dem er in dem Behälterhauptkörper 1 gelagert ist. Die Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer ist in einer im Wesentlichen rechteckigen Form ausgebildet.
-
Die mehreren Halbleiterwafer W werden so in dem Behälterhauptkörper 1 gelagert, dass die Achsenlinie von jedem horizontal ausgerichtet und mit einem konstanten Intervall beabstandet ist. Die Bezugszahl 3 ist eine in dem Behälterhauptkörper 1 vorgesehene Waferhaltenut, um jeden Halbleiterwafer W auf diese Weise zu halten.
-
Die Bezugszahl 5 ist ein Abdeckungskörper, der lösbar an der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer von außen montiert ist, um die Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafer 2 zu schließen. Der Abdeckungskörper 5 ist auf im Wesentlichen rechteckige Weise ausgebildet, die der Form der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer entspricht. Eine Halterung zum Halten der mehreren Halbleiterwafer W in einem Zustand, in dem sie elastisch innerhalb des Behälterhauptkörpers 1 gedrückt werden, ist an einem Innenwandabschnitt des Abdeckungskörpers 5 vorgesehen. Die Halterung ist jedoch in den Zeichnungen nicht dargestellt.
-
Ein Paar manueller Rastmechanismen 6 zum Aufrechterhalten eines Zustands, in dem die Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer geschlossen ist, ist an dem Abdeckungskörper 5 vorgesehen. Wenn der Rastmechanismus 6 betätigt wird, um die Ineingriffnahme mit dem Abdeckungskörper 5 und dem Behälterhauptkörper 1 zu lösen, tritt der Abdeckungskörper 5 in einen lösbaren Zustand relativ zu der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer ein.
-
Die Bezugszahl 8 ist eine Dichtung, die einen Spalt zwischen einem äußeren Kantenabschnitt des Abdeckungskörpers 5 und einem inneren Kantenabschnitt der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer abdichtet, wenn sich der Abdeckungskörper 5 in einem an der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer angebrachten Zustand befindet. Die Dichtung 8 ist als Ganzes in einer im Wesentlichen länglichen Ringform ausgebildet, die der Form des Kantenabschnitts des Abdeckungskörpers 5 und dem Stirnabschnitt der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer entspricht.
-
Die aus einem elastischen Material ausgebildete Dichtung 8 wird durch Schichten zwischen den Abdeckungskörper 5 und den Behälterhauptkörper 1 elastisch verformt, wenn sich der Abdeckungskörper 5 in einem an der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer angebrachten Zustand befindet. Auf diese Weise tritt der Spalt zwischen dem Kantenabschnitt des Abdeckungskörpers 5 und dem Kantenabschnitt der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer in einen abgedichteten Zustand ein.
-
2 ist eine planare Querschnittsansicht, die schematisch einen Halbleiterwafer-Lagerbehälter in einem Zustand zeigt, in dem der Halbleiterwafer W in dem Behälterhauptkörper 1 gelagert ist. Darstellungen der Waferhaltenut 3 und dergleichen entfallen jedoch. Eine Außenkante des in einer Scheibenform ausgebildeten Halbleiterwafer W ist sehr nahe an dem Abdeckungskörper 5 in der Nähe einer Mittelposition C der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer angeordnet, während sie so angeordnet ist, dass sie auf Seiten sowohl des rechten als auch des linken Stirnabschnitts S der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer von dem Abdeckungskörper 5 getrennt ist.
-
Wenn Staub und dergleichen aus dem Spalt zwischen dem Kantenabschnitt des Abdeckungskörpers 5 und dem Kantenabschnitt der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer in der Nähe der Mittelposition C der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer in den Behälterhauptkörper 1 gesaugt werden, ist es höchstwahrscheinlich, dass Staub auf die Oberfläche des Halbleiterwafer W fällt und daran haftet.
-
Wenn jedoch Staub und dergleichen aus dem Spalt zwischen dem Kantenabschnitt des Abdeckungskörpers 5 und dem Kantenabschnitt der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer in der Nähe beider Stirnabschnitte S der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer in den Behälterhauptkörper 1 gesaugt werden, ist es höchstwahrscheinlich, dass der Staub auf den Boden des Behälterhauptkörpers 1 fällt, ohne die Oberfläche des Halbleiterwafer W zu berühren.
-
Durch Ausdenken der Form der Dichtung 8 in dem Halbleiterwafer-Lagerbehälter der vorliegenden Erfindung kommunizieren deshalb die Innenseite und die Außenseite des Behälterhauptkörpers 1 anfänglich von beiden Stirnabschnitten S der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer, wenn der Abdeckungskörper 5, der die Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer schließt, geöffnet ist, so dass die Luftströmung, die Staub ansaugt, in der Nähe der Mittelposition C der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer nicht erzeugt wird. Der Inhalt hiervon wird nachfolgend erläutert.
-
3 ist eine partielle Querschnittsansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Abdeckungskörper 5 an der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer des Halbleiterhauptkörpers 1 montiert ist, und der Spalt zwischen dem Kantenabschnitt des Abdeckungskörpers 5 und dem Kantenabschnitt der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer ist mit Hilfe der Dichtung 8 abgedichtet. In einem Zustand, in dem die Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer durch den Abdeckungskörper 5 geschlossen ist, tritt die Dichtung 8 am ganzen Umfang in den in 3 gezeigten Zustand ein.
-
Mit anderen Worten, ein Abschnitt an der inneren Kantenseite der als Ganzes in einer Ringform ausgebildeten Dichtung 8 wird auf luftdichte Weise in eine über den ganzen Umfang in dem Abdeckungskörper 5 ausgebildeten Passnut 9 eingepasst. Die Bezugszahl 8A bezieht sich auf einen Passabschnitt auf der inneren Kantenseite. Andererseits ist ein Abschnitt an der äußeren Kantenseite der Dichtung 8 in einer Spitzenform ausgebildet, so dass er von dem Passabschnitt 8A auf der inneren Kantenseite schräg nach außen zu dem Behälterhauptkörper 1 vorsteht. Die Bezugszahl 8B bezieht sich auf den Spitzenformabschnitt (spitzenförmiger Abschnitt).
-
Der spitzenförmige Abschnitt 8B wird in einer Schließrichtung des Abdeckungskörpers 5 von dem Abdeckungskörper 5 zu dem Behälterhauptkörper 1 gedrückt und verformt sich elastisch. Auf diese Weise wird der Spalt zwischen dem Kantenabschnitt des Abdeckungskörpers 5 und dem Kantenabschnitt der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer über den ganzen Umfang hinweg abgedichtet.
-
Die Größe des Verformungsspielraums der Dichtung 8 ist jedoch in diesem Zustand (d.h. das Ausmaß der elastischen Verformung der Dichtung 8 in der Offen-Geschlossen-Richtung des Abdeckungskörpers 5) in den Kantenabschnitten der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer so ausgebildet, dass sie bei einem vertikalen Abschnitt (8p), der einen vertikalen Kantenabschnitt (2p) bezüglich der Oberfläche des Halbleiterwafer W abdichtet, kleiner ist als an einem horizontalen Abschnitt (8h), der einen horizontalen Kantenabschnitt (2h, in 1 gezeigt), bezüglich der Oberfläche des Halbleiterwafer W abdichtet.
-
Mit anderen Worten ist, wie in 4(A) und (B), gezeigt, in einem Zustand, in dem der Abdeckungskörper 5 von der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer getrennt ist, und die Dichtung 8 in die Ursprungsform zurückkehrt, eine vorstehende Länge (Spitzenlänge) des Spitzenformabschnitts 8B der Dichtung 8 so ausgebildet, dass sie über den ganzen Umfang hinweg konstant ist, und ein Neigungswinkel des Spitzenformabschnitts 8B wird gemäß dem Ort geändert. Auf diese Weise ist der Verformungsspielraum Xp des Spitzenformabschnitts 8B bei dem vertikalen Abschnitt 8p der Dichtung 8 so ausgebildet, dass er kleiner ist als der Verformungsspielraum Xh des Spitzenformabschnitts 8B an dem horizontalen Abschnitt 8h der Dichtung 8. Die Beziehung lautet: Verformungsspielraum Xp < Verformungsspielraum Xh.
-
Es ist jedoch nicht notwendig, dass der ganze vertikale Abschnitt 8p des Spitzenformabschnitts 8B so ausgebildet ist, dass er den kleineren Verformungsspielraum Xp aufweist. Beispielsweise ist es ausreichend, wenn ein Bereich in der Größenordnung von mindestens 30% des vertikalen Abschnitts 8p mit dem kleineren Verformungsspielraum Xp ausgebildet ist. Weiterhin kann es unter dem Gesichtspunkt der Aufrechterhaltung der Zuverlässigkeit der Abdichtung wünschenswert sein, dass der Verformungsspielraum an den Abschnitten nahe den vier Ecken der Dichtung 8, die als Ganzes in einer rechteckigen Form ausgebildet ist, nicht kleiner ausgeführt wird.
-
Folglich reicht es, wie in der in 5 gezeigten Vorderansicht der Dichtung 8, aus, wenn der Bereich S, in dem der Verformungsspielraum klein ist, des vertikalen Abschnitts 8p der Dichtung 8 in einem Bereich in der Größenordnung von 30 bis 80 % in der Mitte davon ausgebildet ist. Weiterhin reicht es aus, wenn ein Bereich S mit einem kleineren Verformungsspielraum in mindestens einem der beiden vertikalen Abschnitte 8p der Dichtung 8 ausgebildet ist.
-
Bei dem Halbleiterwafer-Lagerbehälter der auf diese Weise konfigurierten Ausführungsform geht die Abdichteigenschaft der Dichtung 8 an dem vertikalen Kantenabschnitt 2p früher verloren als an dem horizontalen Kantenabschnitt 2h der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer, wenn der Abdeckungskörper 5 in der Richtung, in der sich die Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer öffnet, wie in 4 gezeigt, aus dem Zustand heraus bewegt, in dem der Abdeckungskörper 5 die Öffnung 2 für das Transferieren eines Halbleiterwafer des Behälterhauptkörpers 1, wie in 3 gezeigt, blockiert. Dann treten die Innenseite und die Außenseite des Behälterhauptkörpers 1 in einen kommunizierenden Zustand ein.
-
Deshalb wird an dem horizontalen Kantenabschnitt 2h der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer keine Luftströmung erzeugt, die Staub ansaugt, der an der äußeren Oberfläche und dergleichen des Abdeckungskörpers 5 oder der Dichtung 8 haftet, und der Staub und dergleichen können von dem vertikalen Kantenabschnitt 2p in den Behälterhauptkörper 1 gesaugt werden. Solcher Staub fällt jedoch auf den Boden des Behälterhauptkörpers 1, ohne die Oberfläche des Halbleiterwafer W zu berühren.
-
Es sei angemerkt, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die oben erwähnte Ausführungsform beschränkt ist. Beispielsweise ist, wie in einer in 6 gezeigten zweiten Ausführungsform, der Neigungswinkel des spitzenförmigen Abschnitts 8B der Dichtung 8 so ausgebildet, dass er über den ganzen Umfang hinweg konstant ist, und das Ausmaß der Verformungsspielräume Xh und Xp kann definiert werden, indem die vorstehende Länge (Spitzenlänge) des Spitzenformabschnitts 8B gemäß dem Ort verändert wird. Weiterhin kann das Ausmaß der Verformungsspielräume Xh und Xp definiert werden, indem die Härte oder Dicke des Spitzenformabschnitts 8B verändert wird.
-
Weiterhin sind die Größen der Verformungsspielräume der Dichtung 8 nicht notwendigerweise im ganzen Gebiet des horizontalen Kantenabschnitts 2h der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer identisch. Das heißt, der Verformungsspielraum der Dichtung 8 kann an einem anderen Gebiet als dem horizontalen Kantenabschnitt 2h im Vergleich zu dem Abschnitt nahe der Mitte des horizontalen Kantenabschnitts 2h kleiner ausgeführt werden.
-
Wenngleich ein Paar der horizontalen Kantenabschnitte 2h an der Ober- und Unterseite der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer liegt, kann weiterhin ein Verformungsspielraum an der Unterseite der Dichtung 8 kleiner ausgeführt werden als an der Oberseite davon. Dies ist so, weil selbst dann, wenn Staub von dem horizontalen Kantenabschnitt 2h, der sich an der Unterseite befindet, eingesaugt wird, falls dieser Staub auf den Boden des Behälterhauptkörpers 1 fällt, der Staub den Halbleiterwafer W nicht negativ beeinflussen wird.
-
Weiterhin kann die vorliegende Erfindung auf einen Halbleiterwafer-Lagerbehälter angewendet werden, in dem mehrere Halbleiterwafer W vertikal stehend und konzentrisch in dem Behälterhauptkörper 1 ausgerichtet gelagert sind. In diesem Fall kann er so konfiguriert sein, dass die Innenseite und die Außenseite des Behälterhauptkörpers 1 zuerst miteinander an einem Kantenabschnitt auf der Unterseite der Öffnung 2 zum Transferieren eines Halbleiterwafer von rechteckiger Form kommunizieren.
-
Weiterhin wird bei jeder der oben erwähnten Ausführungsformen die Dichtung 8 in den Abdeckungskörper 5 eingepasst und gegen den Behälterhauptkörper 1 gedrückt. Im Gegensatz ist es jedoch eine Konfiguration, bei der die Dichtung 8 an dem Behälterhauptkörper 1 montiert ist und die Dichtung 8 gegen den Abdeckungskörper 5 gedrückt wird.
-
Zudem ist er in jeder der oben erwähnten Ausführungsformen so konfiguriert, dass der Verformungsspielraum gemäß dem Ort differiert, indem eine Querschnittsform der Dichtung 8 verändert wird. Er kann jedoch so konfiguriert sein, dass der Verformungsspielraum der Dichtung 8 gemäß dem Ort differiert, indem der Ort einer Fläche (Höhe einer Fläche) des Behälterhauptkörpers 1 oder des Abdeckungskörpers 5 geändert wird, gegen den die Dichtung 8 gedrückt wird, ohne eine Querschnittsform der Dichtung 8 zu verändern.
-
Bezugszeichenliste
-
- 1
- Behälterhauptkörper
- 2
- Öffnung zum Transferieren eines Halbleiterwafer
- 2h
- horizontaler Stirnabschnitt/Kantenabschnitt der Öffnung (ein Stirnabschnitt, der bezüglich einer Fläche eines Halbleiterwafer horizontal ist)
- 2p
- vertikaler Kantenabschnitt der Öffnung (Kantenabschnitt, der bezüglich einer Fläche eines Halbleiterwafer vertikal ist)
- 5
- Abdeckungskörper
- 8
- Dichtung
- 8A
- Passabschnitt auf der inneren Kantenseite
- 8B
- Spitzenformabschnitt
- 8h
- horizontaler Abschnitt der Dichtung
- 8p
- vertikaler Abschnitt der Dichtung
- W
- Halbleiterwafer
- Xh, Xp
- Verformungsspielraum der Dichtung
