-
Technisches Gebiet
-
Die
Erfindung betrifft eine Schaltungsschutzvorrichtung und ein Gehäuse
für elektrischen Anschluss.
-
Stand der Technik
-
Die
Patentliteratur 1 war gut bekannt als eine konventionelle Schaltungsschutzvorrichtung,
welche eine Schaltung durch Erfassen eines in der Schaltung fließenden,
abnormalen Stroms schützt. Diese Schaltungsschutzvorrichtung
umfasst ein Halbleiterschaltelement, das zwischen einer Leistungsversorgung
und einer Last verschaltet ist, und eine Schutzschaltung zum Ausgeben
eines Steuersignals an das Halbleiterschaltelement. Das Halbleiterschaltelement
und die Last sind über eine Verdrahtung verbunden. Ein
Schwellenstrom zum Verhindern einer Beschädigung des Halbleiterschaltelements
ist in der Schutzschaltung festgelegt. Wenn aufgrund zum Beispiel
eines Kurzschlusses der Last ein den vorstehend erwähnten
Schwellenstrom überschreitender Überstrom zwischen
dem Halbleiterschaltelement und der Last fließt, gibt die
Schutzschaltung ein Ausschaltbefehlssignal an das Halbleiterschaltelement aus
und schaltet dasselbe in den Aus-Zustand. Dies kann die Verhinderung
einer Beschädigung des Halbleiterschaltelements erzielen.
- [Patentliteratur 1]: Japanische
ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. H04-334640
-
Offenbarung der Erfindung
-
Etwas
wie beispielsweise eine Alterungsverschlechterung der Isolationsbeschichtung
von Leitungen kann wahrscheinlich einen so genannten Schichtkurzschluss
verursachen, bei welchem ein Strom fließt, der kleiner
ist als ein Schwellenstrom für die Beschädigungsverhinderung
des Halbleiterschaltelements, aber größer ist
als der zur Zeit einer normalen Speisung. In diesem Fall ist in Übereinstimmung
mit der bekannten Konfiguration der in der Leitung fließende
Strom kleiner als der Schwellenstrom, und gibt daher die Schutzschaltung
kein Ausschaltbefehlsignal an das Halbleiterschaltelement aus. Daher
fließt fortlaufend ein relativ großer elektrischer Strom
in der Leitung, welcher dazu führt, dass die von dem Kernleiter
erzeugte Wärme in der Leitung verbleibt, und folglich die
Isolationsbeschichtung der Leitung weiter verschlechtern kann.
-
Um
das vorstehende Problem zu überwinden, kann ein mit einer
Abnormalitätsbestimmungsschaltung verbundenes Temperaturerfassungselement
in der Leitung angeordnet werden, und kann dann, wenn die Temperatur
der Leitung eine Schwelle überschritten hat, das Halbleiterschaltelement
in den Aus-Zustand versetzt werden.
-
Im
allgemeinen ist jedoch ein Temperaturerfassungselement über
zwei Leitungspfade, die aus dem Temperaturerfassungselement herausgeführt sind,
mit der Abnormalitätsbestimmungsschaltung verbunden. Die
Leitungspfade in der doppelten Anzahl des Temperaturerfassungselements
sind daher separat erforderlich, und können eine komplizierte Konfiguration
der Schaltungsschutzvorrichtung insgesamt verursachen.
-
Die
Erfindung erfolgte auf der Grundlage der vorstehenden Gegebenheiten,
und hat als eine Aufgabe, eine Schaltungsschutzvorrichtung mit einem einfacheren
Aufbau zu schaffen.
-
Mittel zur Lösung
der Aufgabe
-
Die
Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsschutzvorrichtung und
ein Gehäuse für elektrischen Anschluss, mit: einem
Halbleiterschaltelement, das mit einer Leistungsversorgung verbunden ist,
einem Leitungspfad, der mit dem Halbleiterschaltelement verbunden
ist und das Halbleiterschaltelement mit einer Last verbindet, einem
Halbleiterelement, das elektrisch mit dem Leitungspfad verbunden
ist, um Wärme zu übertragen, und einen PN-Übergang
aufweist, einer Beurteilungseinrichtung zum Beurteilen, ob ein Spannungsabfallwert zwischen
Eingangs-/Ausgangs-Anschlüssen des Halbleiterelements größer
als ein Schwellenwert ist oder nicht, und einer Steuereinrichtung
zum Ausgeben eines Ausschaltbefehlsignals an das Halbleiterschaltelement,
falls eine Beurteilung durch die Beurteilungseinrichtung dahingehend
getroffen wird, dass der Spannungsabfallwert kleiner als der Schwellenwert
ist.
-
Dass
das Halbleiterelement mit dem Leitungspfad verbunden ist, um Wärme
zu übertragen, bedeutet darüber hinaus einen Zustand,
in dem Wärme von dem Leitungspfad auf das Halbleiterelement übertragen
wird, so dass die Temperatur des Leitungspfads und die des Halbleiterelements
nahezu gleich werden, und kurz gesagt, dass das Halbleiterelement
mit dem Leitungspfad verbunden ist.
-
Ein
Element zum Erfassen von Temperaturen und die Beurteilungseinrichtung
sind allgemein über zwei aus dem Element heraus geführte
Leitungen verbunden. In Übereinstimmung mit der Erfindung
ist das Halbleiterelement mit sowohl dem Leitungspfad als auch der
Beurteilungseinrichtung verbunden. Demgemäß kann
der Leitungspfad als eine Zuleitung in dem bzw. des Halbleiterelement(s)
dienen, und kann folglich die Konfiguration der Schaltungsschutzvorrichtung
vereinfacht werden.
-
Die
Erfindung kann die Konfigurationen der Schaltungsschutzvorrichtung
und des Gehäuses zum elektrischen Anschluss vereinfachen.
-
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
-
1 ist
eine Querschnittsansicht, die ein Gehäuse für
elektrischen Anschluss gemäß einem Ausführungsbeispiel
1 nach der Erfindung zeigt;
-
2 ist
eine vergrößerte ebene Ansicht eines Hauptteils
einer Verbindungsstruktur zwischen einem Diodenelement und einem
Zweigpfad;
-
3 ist
ein Blockdiagramm, das eine elektrische Konfiguration des Gehäuses
für elektrischen Anschluss zeigt;
-
4 ist
ein Ablaufdiagramm der Verarbeitung eines Einschaltens/Ausschaltens;
-
5 ist
ein Diagramm, das einen Inhalt von Temperatur-Spannungs-Daten zeigt;
-
6 ist
ein Blockdiagramm, das eine elektrische Struktur eines Gehäuses
für elektrischen Anschluss gemäß einem
Ausführungsbeispiel 2 zeigt;
-
7 ist
ein Hauptablaufdiagram der Verarbeitung des Einschaltens/Ausschaltens;
-
8 ist
ein Ablaufdiagramm, das eine Anfangsverarbeitung zeigt;
-
9 ist
ein Blockdiagramm, das eine elektrische Struktur eines Gehäuses
für elektrischen Anschluss gemäß einem
Ausführungsbeispiel 3 zeigt; und
-
10 ist
ein Ablaufdiagramm der Verarbeitung des Einschaltens/Ausschaltens.
-
- 10
- Gehäuse
für elektrischen Anschluss
- 12
- Leiterplatte
- 15
- Leitung
(Leitungspfad)
- 16
- weibliche
Anschlusskupplung (Leitungspfad)
- 18
- substratseitiger
Leitungspfad (Leitungspfad)
- 19
- CPU
(Beurteilungseinrichtung, Steuereinrichtung)
- 21
- Zweigpfad
(Leitungspfad)
- 23
- männlicher
Anschluss (Leitungspfad)
- 32
- FET
(Halbleiterschaltelement)
- 33
- ROM
(Speichereinrichtung)
- 45
- Schaltelement
- D
- Diode
(Halbleiterelement)
-
Beste Art zur Ausführung der
Erfindung
-
<Ausführungsbeispiel
1>
-
Ein
Ausführungsbeispiel 1, in welchem eine Schaltungsschutzvorrichtung
gemäß der Erfindung auf ein Gehäuse für
elektrischen Anschluss bzw. Elektroanschlussgehäuse 10 für
ein Fahrzeug angewandt ist, wird unter Bezugnahme auf die 1 bis 5 beschrieben.
Das vorliegende Ausführungsbeispiel ist zwischen einer
Leistungsversorgung B und einer Last L wie beispielsweise einer
Leuchte und einer Audioausrüstung angeordnet, um eine Energieversorgung
(Ein/Aus) der Last L zu steuern.
-
Wie
in 1 gezeigt ist, beinhaltet das Gehäuse
für elektrischen Anschluss 10 eine Leiterplatte bzw.
gedruckte Schaltung 12, die in einem Gehäuse 11 untergebracht
ist. Das Gehäuse 11 ist mit einem Verbinder bzw.
Stecker 13 versehen. Der Verbinder 13 kann mit
einem paarenden Verbinder bzw. Stecker 14 in Eingriff gebracht
werden. Der paarende Verbinder 14 beherbergt eine weibliche
Anschlusskupplung 16 (entsprechend einem Leitungspfad),
die mit einer Leitung 15 (entsprechend einem Leitungspfad)
verbunden ist. Die Leitung 15 ist mit der Last L verbunden.
-
Die
gedruckte Schaltung 12 wird durch ein Halteelement 17 gehalten,
das darin mittels einem bekannten Verfahren, wie beispielsweise
einem Klebebonden oder Verschrauben, ausgebildet ist. Ein substratseitiger
Leitungspfad 18 (entsprechend einem Leitungspfad) ist auf
der gedruckten Schaltung 12 mittels einer Technik für
gedruckte Verdrahtung ausgebildet. Eine zentrale Verarbeitungseinheit
oder CPU 19 ist auf der gedruckten Schaltung 12 angebracht
und mit dem substratseitigen Leitungspfad 18 verbunden.
Darüber hinaus ist ein Feldeffekttransistor oder FET 32 (entsprechend einem
Halbleiterschaltelement) auf der gedruckten Schaltung 12 angebracht
und mit dem substratseitigen Leitungspfad 18 verbunden.
-
Der
substratseitige Leitungspfad 18 beinhaltet Zweigpfade 21,
die in eine Vielzahl von Teilen verzweigt sind (vgl. 3).
Wie in 2 gezeigt ist, ist ein mit dem Zweigpfad 21 verbundenes
Durchgangsloch 22 (entsprechend einem Leitungspfad) in
der gedruckten Schaltung 12 ausgebildet. Ein Ende des metallischen
männlichen Anschlusses 23 (entsprechend einem
Leitungspfad) ist in das Durchgangsloch 22 eingesetzt und
mit diesem mittels beispielsweise einem Weichlöten verbunden.
Wie in 1 gezeigt ist, ist das andere Ende des männlichen
Anschlusses 23 in einer Richtung einer Plattenstirnseite der
gedruckten Schaltung 12 gebogen, und dringt dabei in die
Rückwand des Verbinders 13 ein. Das andere Ende
des männlichen Anschlusses 23 ist im Inneren des
Verbinders 13 positioniert und mit der vorstehend erwähnten
weiblichen Anschlusskupplung 16 verbindbar. Dieses ermöglicht
es dem Zweigpfad 21, elektrisch mit der Last L verbunden
zu werden.
-
Wie
in 2 gezeigt ist, ist in dem Zweigpfad 21 ein
schmaler Abschnitt 24 (entsprechend einem leicht Wärme
erzeugenden Element) mit einer Breite kleiner als andere Regionen
nahe dem Durchgangsloch 22 ausgebildet. Dieser schmale
Abschnitt 24 ist so ausgeformt, dass er eine Breite kleiner
als andere Regionen in dem Zweigpfad 21 hat, um im Vergleich mit
anderen Regionen zur Zeit der Energieversorgung leichter Wärme
erzeugen zu können. In dem Zweigpfad 21 ist ein
Eingangsanschluss 25 eines Diodenelements D (entsprechend
einem Halbleiterelement) mit einem PN-Übergang elektrisch
mit dem Bereich zwischen dem schmalen Abschnitt 24 und
dem Durchgangsloch 22 mittels beispielsweise Weichlöten
verbunden, so dass Wärme übertragen werden kann.
Dass das Diodenelement D so mit dem Zweigpfad 21 verbunden
ist, so dass Wärme übertragen werden kann, bedeutet
darüber hinaus einen Zustand, in dem Wärme von
dem Zweigpfad 21 auf das Diodenelement D übertragen
wird, so dass die Temperatur des Zweigpfads 21 und die
des Diodenelements D nahezu gleich werden, und kurz gesagt, dass
das Diodenelement D mit dem Zweigpfad 21 verbunden ist.
-
Darüber
hinaus ist das Diodenelement D auf eine Art und Weise derart angeordnet,
dass es auf der Oberfläche des substratseitigen Leitungspfads 18 (des
Zweigpfads 21), der mit dem Eingangsanschluss 25 verbunden
ist, überlagert ist.
-
Der
Ausgangsanschluss 26 des Diodenelements D ist mit einer
auf der gedruckten Schaltung 12 ausgeformten Erhebung 27 verbunden.
Die Erhebung 27 ist mit dem substratseitigen Leitungspfad 18 verbunden,
der sich von dem einen des Zweigpfads 21 unterscheidet.
Der substratseitige Leitungspfad 18 mit dem mit ihm verbundenen
Ausgangsanschluss 26 des Diodenelements D ist so ausgebildet, dass
er schmaler ist als der Zweigpfad 21, und mit der CPU 19 verbunden,
um zu einem Signalleitungspfad 28 zum Übertragen
eines von dem Diodenelement D ausgegebenen Signals an die CPU 19 zu werden.
Der Signalleitungspfad 28 insgesamt ist so ausgebildet,
dass er schmaler ist als der substratseitige Leitungspfad 18.
-
Wie
in 3 gezeigt ist, sind eine Vielzahl von (in dem
vorliegenden Ausführungsbeispiel zwei) Dioden 29 mit
dem einen Diodenelement D seriell verbunden. Dies kann den später
beschriebenen Spannungsabfallwert verstärken. Im dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel ist das Diodenelement D eines mit einem
vergossenen Gehäuse oder Formteilgehäuse. Das
Diodenelement D ist in einer Vorwärtsrichtung, die von
dem Zweigpfad 21 zu dem Signalleitungspfad 28 führt,
verschaltet.
-
Als
Nächstes wird die elektrische Konfiguration des Gehäuses
für elektrischen Anschluss 10 beschrieben. 3 ist
ein Blockdiagramm, das die elektrische Konfiguration des Gehäuses
für elektrischen Anschluss 10 zeigt.
-
Die
Leistungsversorgung B, wie beispielsweise eine Batterie, ist mit
dem substratseitigen Leitungspfad 18 im Inneren des Gehäuses
für elektrischen Anschluss 10 über die
Leitung 15 und den Verbinder 13 verbunden. Der
substratseitige Leitungspfad 18 ist mit (n) Stücken
(n ist eine natürliche Zahl) von FETen 32 parallel
verbunden. Dieser substratseitige Leitungspfad 18 ist mit
einem Sourcebereich 30 in dem FET 32 verbunden.
Der substratseitige Leitungspfad 18, der mit einem Drainbereich 31 in
jedem FET 32 verbunden ist, ist in eine Vielzahl von Teilen verzweigt,
um Zweigpfade 21 zu bilden. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
wird ein FET eines P-Kanal-Typs verwendet, es kann jedoch auch ein FET
eines N-Kanal-Typs verwendet werden. Darüber hinaus sind
dann, wenn der N-Kanal-Typ verwendet wird, der Sourcebereich 30 und
der Drainbereich 31 vertauscht. Jeder Zweigpfad 21 ist über
den Verbinder 13 und die Leitung 15 mit der Last
L verbunden. (Mi) Stücke (”Mi” ist eine
natürliche Zahl) der Lasten L sind mit dem (i)-ten FET 32i verbunden
(”i” ist eine natürliche Zahl). In der
folgenden Beschreibung sind Bezugszeichen wie beispielsweise ”i” und ”Mi” nach den
Symbolen von Elementen zugeordnet, und zeigen an, dass das Element
das (i)-te oder das (Mi)-te ist.
-
Die
Leistungsversorgung B ist mit der CPU 19 (entsprechend
einer Steuereinrichtung und einer Beurteilungseinrichtung) über
eine Konstantspannungs-Leistungsversorgungsschaltung 47 verbunden.
Die CPU 19 steuert jede Komponente, während sie
ihr Verarbeitungsergebnis in Übereinstimmung mit den in
einem Festspeicher oder ROM 33 (entsprechend einer Speichereinrichtung)
aufgezeichneten Schritten in einem Direktzugriffsspeicher oder RAM 34 oder
in einem nichtflüchtigen Speicher 35 aufzeichnet.
-
Außerdem
erhält die CPU 19, obwohl nicht im Einzelnen gezeigt,
einen Wert eines in den FET 32 fließenden elektrischen
Stroms von einer Erfassungseinrichtung, welche einen in den FET 32 fließenden
elektrischen Strom erfasst. Als die Erfassungseinrichtung können
beispielsweise ein mit dem FET 32 verbundener Mess-MOSFET
oder eine Messeinrichtung zum Messen eines Nebenschluss- bzw. Shunt-Widerstands
oder einer Vds des FET 32 verwendet werden. Die CPU 19 gibt
ein Ausschaltbefehlsignal an den FET 32 aus, wenn, zum
Beispiel, ein toter Kurzschluss auftritt und dann ein einen Schwellenstrom übersteigender Überstrom
in dem FET 21 durch die Erfassungseinrichtung erfasst wird. Dies
kann eine durch den Überstrom verursachte Beschädigung
des FET 32 verhindern.
-
Darüber
hinaus kann der FET 32 eine Erfassungseinrichtung zum Erfassen
eines in dem FET 32 selbst fließenden elektrischen
Stroms und eine Abschneideeinrichtung zum Abschneiden eines in dem FET 32 fließenden
Stroms, wenn ein einen Schwellenwert übersteigender Überstrom
in dem FET 32 durch die Erfassungseinrichtung erfasst wird,
beinhalten.
-
Die
Verarbeitungsschritte des Einschaltens/Ausschaltens zum Einschalten/Ausschalten
der Last L sind in dem ROM 33 aufgezeichnet. Darüber hinaus
sind die Temperatur-Spannungs-Daten (entsprechend Daten), die einen
Zusammenhang zwischen einem Spannungsabfallwert zwischen den Eingangs-/Ausgangs-Anschlüssen 25 und 26 des
Diodenelements D (nachstehend als ein ”Spannungsabfallwert” bezeichnet)
und eine Temperatur in dem ROM 33 aufgezeichnet.
-
5 zeigt
einen Teil des Inhalts der Temperatur-Spannungs-Daten. Ein Anstieg
in der Temperatur des Diodenelements D bewirkt, dass der Spannungsabfallwert
linear verringert wird. Daher erlaubt die Verwendung des Diodenelements
D eine genaue Temperaturmessung des Zweigpfads 21, der
mit dem Diodenelement D verbunden ist, in einem breiten Temperaturbereich.
-
Wie
in 5 gezeigt ist, nimmt bei derselben Temperatur,
wenn die an den Eingangsanschluss 25 des Diodenelements
D anzulegende Spannung langsam auf bzw. um 8 V, 12 V und 16 V ansteigt,
der Spannungsabfallwert aufgrund einer Zunahme des in das Diodenelement
D fließenden elektrischen Stroms ebenfalls zu. Eine Änderung
des Spannungsabfallwerts auf der Grundlage der Temperatur-Spannungs-Daten
erlaubt es, die Temperatur des Zweigpfads 21 auch dann
genauer zu messen, wenn sich die an den Eingangsanschluss 25 des
Diodenelements D anzulegende Spannung geändert hat.
-
Ein
Abnormalitätskennzeichen bzw. Abnormalitätsflag,
welches anzeigt, ob es eine Abnormalität in dem mit dem
Drainbereich 31 in einem (i)-ten FET 32i verbundenen
Zweigpfad 21 gibt oder nicht, wird in dem nichtflüchtigen
Speicher 35 aufgezeichnet. Wenn es eine Abnormalität
in dem Zweigpfad 21 gibt, wird ”1” in
dem Abnormalitätsflag gesetzt, und andernfalls wird 0 gesetzt.
-
In
Antwort auf (n) Stücke der FETen 32 ist die CPU 19 mit
(n) Stücken von Einrichtungen 36 wie beispielsweise
einer elektronischen Steuereinheit bzw. ECU verbunden. Darüber
hinaus beinhaltet die CPU 19 (n) Stücke von Ausgangsanschlüssen 37 entsprechend
zu (n) Stücken der FETen 32. Der (i)-te Ausgangsanschluss 37 ist
mit einem Gateanschluss in dem entsprechenden (i)-ten FET 32i verbunden. Die
CPU 19 empfängt ein Ein-Signal zum Anlegen von
Leistung an den FET 32i von der (i)-ten Einrichtung 36i,
und gibt dann ein Einschaltbefehlsignal aus dem (i)-ten Ausgangsanschluss 37i an
den FET 32i aus. Außerdem empfängt die
CPU 19 ein Aus-Signal zum Anlegen von Leistung an den FET 32i von
der (i)-ten Einrichtung 36i, und gibt dann ein Ausschaltbefehlsignal
aus dem (i)-ten Ausgangsanschluss 37i an den FET 32i aus.
-
Der
substratseitige Leitungspfad 18 ist, nachdem er so verzweigt
ist, dass er mit (n) Stücken der FETen 32 verbunden
ist, weiter in dem Stirnbereich verzweigt, um mit dem FET 32 verbunden
zu sein, um mit einem in der CPU 19 bereitgestellten B-Anschluss 40 über
eine Spannungsumwandlungsschaltung 39 zum Umwandlung auf
einen Spannungspegel, der für eine Zufuhr zu der CPU 19 geeignet
ist, verbunden zu sein. Der B-Anschluss 40 weist die Analog/Digital-
bzw. A/D-Umwandlungsfunktion auf. (n) Stücke der B-Anschlüsse 40 sind
für entsprechende (n) Stücke der FETen 32 bereitgestellt.
Der (i)-te B-Anschluss 40 ist mit dem substratseitigen
Leitungspfad 18 verbunden, der mit dem Sourcebereich 30 in
dem entsprechenden FET 32i verbunden ist. Dies erlaubt
es der CPU 19, eine Spannung in der Seite des Sourcebereichs 30 in
dem FET 32i zu erhalten.
-
Der
substratseitige Leitungspfad 18, der mit dem Drainbereich 31 in
dem FET 32 verbunden ist, ist an der Position zwischen
dem Drainbereich 31 und dem Eingangsanschluss 35 des
Diodenelements D verzweigt, und dann mit einem in der CPU 19 über die
Spannungsumwandlungsschaltung 39 bereitgestellten V-Anschluss 41 verbunden.
Der V-Anschluss 41 weist die A/D-Umwandlungsfunktion auf.
(n) Stücke der V-Anschlüsse 41 sind für
entsprechende (n) Stücke der FETen 32 bereitgestellt.
Der (i)-te V-Anschluss 41 ist mit dem substratseitigen
Leitungspfad 18 verbunden, der mit dem Drainbereich 31 in
dem FET 32i verbunden ist. Dies erlaubt es der CPU 19, eine Spannung
in der Seite des Eingangsanschlusses 25 des Diodenelements
D zu erhalten.
-
Wie
vorstehend erwähnt wurde, ist jeder einer Vielzahl von
Zweigpfaden 21 elektrisch mit dem Diodenelement D verbunden,
so dass Wärme übertragen werden kann. Das Diodenelement
D ist parallel mit der Last L verbunden. Die Signalleitungspfade 28,
die mit den Anschlüssen auf der Seite stromab des Diodenelements
D verbunden sind, sind an einem Verbindungspunkt 42 zusammengebündelt
und miteinander verbunden, und dann mit einem V-Kom-Anschluss 43 verbunden,
der in der CPU 19 über die Spannungsumwandlungsschaltung 39 bereitgestellt
ist. Der V-Kom-Anschluss 43 weist die A/D-Umwandlungsfunktion
auf. Dies erlaubt es der CPU 19, eine Spannung in der Seite
des Ausgangsanschlusses 26 des Diodenelements D zu erhalten.
-
Darüber
hinaus sind in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel jeder
B-Anschluss 40, V-Anschluss 41 und V-Kom-Anschluss 43 mit
der Spannungsumwandlungsschaltung 39 versehen, jedoch ist
die Erfindung nicht hierauf beschränkt, sondern es kann
die Erfassung mittels einem A/D-Anschluss mit einem analogen Spannungsschalter,
wie beispielsweise einem Multiplexer, durchgeführt werden.
-
Die
CPU 19 ist mit (n) Stücken von ersten Leuchtdioden
oder LED 44 entsprechend zu (n) Stücken der FETen 32 verbunden,
um ein Aufleuchten der ersten Leuchtdioden 44 zu steuern.
-
Zum
Beispiel kann aufgrund etwa einer alterungsbedingten Verschlechterung
der isolierenden Beschichtung (nicht gezeigt) der Leitung 15 ein
elektrischer Strom kleiner als ein Schwellenstrom zur Beschädigungsverhinderung
des FET 32, aber größer als der Strom
zur Zeit einer normalen Speisung fließen, kurz gesagt,
es kann ein so genannter Schichtkurzschluss auftreten. In einem
solchen Fall ist der in der Leitung 15 fließende
Strom größer als der Schwellenstrom, und gibt
daher die CPU 19 kein Ausschaltbefehlsignal an den FET 32 aus.
Infolge eines relativ großen elektrischen Stroms, der kontinuierlich
in der Leitung 15 fließt, verbleibt von der Kernleitung
(nicht gezeigt) erzeugte Wärme in der Leitung 15,
und könnte eine Verschlechterung der isolierenden Beschichtung
der Leitung 15 verursachen.
-
In
Anbetracht des Vorstehenden ist in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
der Zweigpfad 21 elektrisch mit dem Diodenelement D verbunden,
so dass Wärme übertragen werden kann. Dies ermöglicht
es, dass die Temperatur des Zweigpfads 21 und die des Diodenelements
D nahezu gleich werden. Infolge dessen kann die Temperatur des Zweigpfads 21 durch
Erfassen der Temperaturänderung des Spannungsabfallwerts
zwischen den Eingangs-/Ausgangs-Anschlüssen 25 und 26 des
Diodenelements berechnet werden.
-
Wenn
die Temperatur des Diodenelements D einen Schwellenwert überschritten
hat, führt die CPU 19 die Verarbeitung des Ein-/Aus-Schaltens
aus, wie beispielsweise das Ausgeben eines Ausschaltbefehlsignals
an den FET 32. Infolge dessen kann eine Raucherzeugung
der Leitung 15 zur Zeit des Schichtkurzschlusses unterdrückt
werden.
-
Nachstehend
wird die Verarbeitung des Ein-/Aus-Schaltens beschrieben. In dem
Gehäuse für elektrischen Anschluss 10 steuert
die CPU 19 die folgende Verarbeitung des Ein-/Aus-Schaltens
und führt diese aus. 4 ist ein
Ablaufdiagramm, das den Inhalt der Verarbeitung des Ein-/Aus-Schaltens zeigt.
-
Bei
einem Beginnen der Verarbeitung des Ein-/Aus-Schaltens beurteilt
die CPU 19, ob ein Einschaltsignal sequenziell von der
ersten (S101) bis zu der (i)-ten Einrichtung 36i (S102)
zugeführt wird oder nicht. Wenn ein Einschaltsignal von
der Einrichtung 361 zugeführt wurde, erhält
sodann die CPU 19 ein Abnormalitätsflag i entsprechend
dem (i)-ten FET 321 aus dem nichtflüchtigen Speicher 35 (S103). Wenn
das Abnormalitätsflag i ”0” ist (S104:
Nein), gibt die CPU 19 ein Einschaltsignal an den FET 32i aus.
Demgemäß speist die CPU 19 zwischen dem Sourcebereich 30 und
dem Drainbereich 31 in dem FET 32i und liefert
die elektrische Leistung an eine Vielzahl von Lasten LiM1 oder Lasten
LiMi, die mit dem Drainbereich 31 in dem FET 32i verbunden
sind.
-
Als
Nächstes erhält in dem Schritt S106 die CPU 19 eine
Spannung in der Seite des Sourcebereichs 30 in dem FET 32i von
einem Anschluss Bi. Die CPU 19 erhält darüber
hinaus eine Spannung in der Seite des Eingangsanschlusses 25 eines
Diodenelements Di1 oder iMi aus einem Anschluss Vi. Und außerdem
erhält die CPU 19 eine zusammengesetzte Spannung
in der Seite des Ausgangsanschlusses 26 des Diodenelements
Di1 oder DiMi aus dem V-Kom-Anschluss 43.
-
Hierbei
steigt dann, wenn ein Schichtkurzschluss in irgend einem der Leitungspfade 21 auftritt, die
Temperatur dieses Leitungspfads 21 an. Dann steigt die
Temperatur des Diodenelements D, das mit dem Leitungspfad 21 mit
einem aufgetretenen Schichtkurzschluss verbunden ist, höher
als diejenige der anderen Diodenelemente D. Dies bewirkt, dass der
Spannungsabfallwert abnimmt, so dass folglich ein elektrischer Strom
größer als diejenigen Ströme in den anderen
Diodenelementen D fließt, die mit dem Leitungspfad 21 verbunden
sind, in dem ein Schichtkurzschluss aufgetreten ist. Demgemäß wird der
Spannungsabfallwert des Diodenelements D, das mit dem Leitungspfad 21 verbunden
ist, in dem ein Schichtkurzschluss aufgetreten ist, als eine zusammengesetzte
Spannung einer Vielzahl der Diodenelemente D dominant.
-
Als
Nächstes erhält die CPU 19 die Temperatur-Spannungs-Daten
aus dem ROM 33 (S107). Die CPU 19 berechnet den
Spannungsabfallwert zwischen den Eingangs-/Ausgangs-Anschlüssen 25 und 26 des
Diodenelements D. Dann ändert die CPU 19 den Spannungsabfallwert
zwischen den Eingangs-/Ausgangs-Anschlüssen 25 und 26 auf
der Grundlage einer an den Eingangsanschluss 25 in dem
Diodenelement D angelegten Spannung und der Temperatur-Spannungs-Daten.
In diesem Augenblick arbeitet die CPU 19 als eine Steuereinrichtung.
-
Die
CPU 19 berechnet eine Temperatur des Diodenelements D auf
der Grundlage des geänderten Spannungsabfallwerts (S108).
-
Die
CPU 19 beurteilt, ob die Temperatur des Diodenelements
D, welches anhand der zusammengesetzten Spannung unterschieden wurde,
einen Schwellenwert überschreitet oder nicht (S109). In
anderen Worten beurteilt die CPU 19, dass die Temperatur
des Diodenelements D einen Schwellenwert überschritten
hat, wenn der Spannungsabfallwert des Diodenelements D (oder der
geänderte Spannungsabfallwert) kleiner ist als ein vorbestimmter Schwellenwert.
In diesem Augenblick arbeitet die CPU 19 als eine Beurteilungseinrichtung.
Die CPU 19 gibt ein Ausschaltbefehlsignal an den FET 32i aus (S115),
wenn die Temperatur des Diodenelements D einen Schwellenwert überschritten
hat (S109: Ja). In diesem Augenblick arbeitet die CPU 19 als
eine Steuereinrichtung. Wie vorstehend erwähnt wurde, ist
in der zusammengesetzten Spannung der Spannungsabfallwert des Diodenelements
D, das mit dem Leitungspfad 21 mit einem aufgetretenen
Schichtkurzschluss verbunden ist, dominant. Demgemäß kann die
CPU 19 beurteilen, ob die Temperatur des Diodenelements
D, das mit dem Leitungspfad 21 mit einem aufgetretenen
Schichtkurzschluss verbunden ist, einen Schwellenwert überschreitet
oder nicht.
-
Als
Nächstes zeichnet die CPU 19 ”1” in
dem (i)-ten Abnormalitätsflag in dem nichtflüchtigen
Speicher 35 auf (S116). Dann informiert die CPU 19 einen Benutzer
durch Einschalten der (i)-ten ersten LED 44i, dass eine
Abnormalität in dem mit dem FET 321 verbundenen
Leitungspfad 21 aufgetreten ist (S117).
-
Die
CPU 19 wiederholt die vorstehende Verarbeitung, bis sie
die (n)-te Einrichtung 36n erreicht (S113: Nein). Die CPU 19 führt
die vorstehende Verarbeitung bis zu der (n)-ten Einrichtung 36n aus (S113:
Ja), bevor sie die vorstehende Verarbeitung von der ersten Einrichtung 36 an
wiederholt (S101).
-
Wenn
die Temperatur des Diodenelements D den Schwellenwert nicht überschreitet
(S109: Nein), setzt die CPU 19 das Abnormalitätsflag
in dem nichtflüchtigen Speicher 35 auf ”0” (S110).
-
Darauf
folgend beurteilt die CPU 19, ob dem FET 32i von
der (i)-ten Einrichtung 36i ein Ausschaltsignal zugeführt
wird, und gibt, falls dem so ist (S111: Ja), ein Ausschaltbefehlsignal
an den FET 32i aus. Die CPU 19 schaltet daher
die Last LiM1 oder die Last LiMi, die mit dem FET 32i verbunden
ist, ab. Als Nächstes führt die CPU 19 die
Verarbeitung in den Schritten S113 und S114 aus, wiederholt dann
die vorstehende Verarbeitung, bis sie die (n)-te Einrichtung 36 erreicht,
und wiederholt danach erneut die vorstehende Verarbeitung ausgehend
von der ersten Einrichtung 36.
-
Zusätzlich
führt dann, wenn kein Einschaltsignal von der Einrichtung 36i zugeführt
wird (S102: Nein), die CPU 19 S113 und SS14 aus, und wartet dann,
bis ein Einschaltsignal von der Einrichtung 36i zugeführt
wird,
-
Darüber
hinaus schreibt dann, wenn das Abnormalitätsflag i in S104 ”1” ist
(Ja), die CPU 19 die Abnormalitätsinformation
durch Ausführen des Schritts S116 in den nichtflüchtigen
Speicher 35, und schaltet durch Ausführen von
S117 die (i)-te erste LED 44i ein. Die nachfolgende Verarbeitung
ist dieselbe wie die Vorstehende.
-
Die
CPU 19 und ein Element zum Erfassen von Temperatur sind
vorwiegend über zwei aus dem Element heraus geführte
Leitungen miteinander verbunden. In Übereinstimmung mit
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist das Diodenelement
D mit dem Zweigpfad 21 und dem Signalleitungspfad 28 verbunden,
welcher mit der CPU 19 verbunden ist. Demgemäß kann
der Zweigpfad als eine Leitung in dem Diodenelement D dienen, und
dadurch die Konfiguration bzw. den Aufbau des Gehäuses
für elektrischen Anschluss 10 vereinfachen.
-
Zusätzlich
ist in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel das Diodenelement
D auf der gedruckten Schaltung 12 angebracht und mit dem
substratseitigen Leitungspfad 18 (Zweigpfad 21),
der auf dieser gedruckten Schaltung 12 ausgebildet ist,
verbunden. Dies kann die Konfiguration des Gehäuses für elektrischen
Anschluss 10 vereinfachen.
-
Und
außerdem sind in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
die mehreren Lasten L mit jedem FET 32 verbunden. Daher
kann ein FET 32 das Einschalten/Ausschalten einer Vielzahl
der Lasten L steuern, so dass dadurch eine Kostenverringerung erzielt
wird.
-
Zusätzlich ändert
sich, wie in 5 gezeigt ist, ein Spannungsabfallwert
zwischen den Eingangs-/Ausgangs-Anschlüssen 25 und 26 des
Diodenelements D in Übereinstimmung mit der an den Eingangsanschluss 25 des
Diodenelements D anzulegenden Spannung. Unter Berücksichtigung
dieses Punkts ist das vorliegende Ausführungsbeispiel derart
aufgebaut, dass die Temperatur-Spannungs-Daten, die den Zusammenhang
zwischen einem Spannungsabfallwert und einer Temperatur angeben,
in dem ROM 33 aufgezeichnet sind. Auf der Grundlage dieser
Temperatur-Spannungs-Daten kann der Spannungsabfallwert zwischen
den Eingangs-/Ausgangs-Anschlüssen 25 und 26 des
Diodenelements D geändert werden, und kann daher eine genaue Temperaturmessung
auch dann erzielt werden, wenn sich die an den Eingangsanschluss 25 des
Diodenelements D anzulegende Spannung geändert hat.
-
Zusätzlich ändert
sich, wie in 5 gezeigt ist, der Spannungsabfallwert
des Diodenelements D mit einem PN-Übergang relativ linear
relativ zu der Temperatur, so dass eine genaue Beurteilung in einem
breiteren Temperaturbereich durchgeführt werden kann.
-
In
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der schmale Abschnitt 24 nahe
an dem Diodenelement D bereitgestellt. Der schmale Abschnitt 24 so gebildet,
dass verglichen mit dem anderen substratseitigen Leitungspfad 18 leicht
Wärme erzeugt wird. Daher steigt dann, wenn zum Beispiel
ein Schichtkurzschluss aufgetreten ist, die Temperatur des schmalen
Abschnitts 24 höher als diejenige anderer Teile.
Der schmale Abschnitt 24 ist nahe an dem Diodenelement
D angeordnet, so dass das Diodenelement D das Auftreten eines Kurzschlusses
sicher erfassen kann.
-
Wenn
die mehreren Lasten L mit einem FET 32 verbunden sind,
kann ein in den Lasten L fließender Überstrom
durch Verbinden eines Widerstands in Serie mit der Last L und Messen
des in dem Widerstand fließenden elektrischen Stroms erfasst
werden.
-
Bei
dem vorstehenden Verfahren muss jedoch ein Widerstand mit jeder
Last L verbunden werden. Wenn ein relativ großer elektrischer
Strom in der Last L fließt, werden die Kosten des Widerstands
relativ hoch. Dies kann zu einem Kostenanstieg führen.
-
Darüber
hinaus fließt selbst zu normalen Zeiten ein elektrischer
Strom in dem in Serie mit der Last L verbundenen Widerstand, wodurch
verursacht wird, dass die elektrische Leistung, die der Last L zuzuführen
ist, in dem Widerstand verbraucht wird. Dies kann zu einem Leistungsverlust
führen.
-
In
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist das Diodenelement
D auf eine Art und Weise derart angeordnet, dass sie dem substratseitigen
Leitungspfad 18 überlagert ist, so dass der Spannungsabfall des
Diodenelements D, der der Temperaturänderung zugehörig
ist, gemessen wird, und dadurch der in der Last L fließende Überstrom
erfasst wird. Dies kann eine Kostenverringerung erzielen, da keine
Notwendigkeit besteht, einen relativ teuren Widerstand zu verwenden.
-
Darüber
hinaus ist, wie in 3 gezeigt ist, das Diodenelement
D parallel mit der Last L verbunden, so dass der Verlust der Leistung,
die der Last L zugeführt werden sollte, unterdrückt
werden kann.
-
<Ausführungsbeispiel
2>
-
Nachstehend
wird ein Ausführungsbeispiel 2 der Erfindung unter Bezugnahme
auf die 6 bis 8 beschrieben.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist, wie in 6 gezeigt
ist, ein Schaltelement S wie beispielsweise ein FET zwischen jedem
Diodenelement D und dem Verbindungspunkt 42 angeordnet.
-
Die
CPU 19 verbindet selektiv mit einem beliebigen einer Vielzahl
von Diodenelementen D durch Ausgeben eines Einschaltbefehlsignals
und eines Ausschaltbefehlsignals an das Schaltelement S. Das Einschaltbefehlsignal
und das Ausschaltbefehlsignal entsprechen Auswahlsignalen.
-
Darüber
hinaus ist die CPU 19 mit den mehreren zweiten Leuchtdioden
bzw. LED 46 verbunden, die auf eine Art und Weise derart
bereitgestellt sind, dass sie allen der Diodenelemente D entsprechen. Die
CPU 19 steuert das Einschalten der zweiten LED 46.
-
Die
Konfigurationen außer den vorstehenden sind nahezu dieselben
wie in dem ersten Ausführungsbeispiel, so dass dieselben
Bezugszeichen denselben Elementen zugewiesen sind, um wiederholte
Beschreibungen derselben wegzulassen.
-
7 ist
ein Hauptablaufdiagramm der Verarbeitung des Einschaltens/Ausschaltens
gemäß dem Ausführungsbeispiel 2. Bei
Beginnen der Verarbeitung des Einschaltens/Ausschaltens führt
die CPU 19 zunächst eine Anfangsverarbeitung aus (S201).
-
8 zeigt
ein Ablaufdiagramm der Anfangsverarbeitung. Die CPU 19 führt
die Verarbeitung von S221 bis S227 aus, um Ausschaltbefehlsignale
an alle Schaltelemente S auszugeben. Demgemäß schaltet
die CPU 19 alle Schaltelemente S aus.
-
Als
Nächstes führt die CPU 19 dieselbe Verarbeitung
wie diejenige der Schritte S101 bis S105 in 4 aus. Wenn
das Abnormalitätsflag ”0” ist (S104: Nein),
dann gibt die CPU 19 ein Einschaltbefehlsignal an den FET 32i aus
(S105).
-
Als
Nächstes gibt die CPU 19 ein Einschaltbefehlsignal
an ein mit dem FET 32i verbundenes Schaltelement Sij sequenziell
ausgehend von dem ersten aus (S202). Dadurch wird ein Diodenelement Dij
(j ist eine natürliche Zahl) selektiv mit der CPU 19 verbunden.
-
Als
Nächstes führt die CPU 19 dieselbe Verarbeitung
wie diejenige der Schritte S106 bis S107 in 4 aus. Die
CPU 19 berechnet die Temperatur des Diodenelements Dij
auf der Grundlage des geänderten Spannungsabfallwerts (S204).
-
Die
CPU 19 beurteilt, ob die Temperatur des Diodenelements
Dij einen Schwellenwert überschritten hat oder nicht (S205).
In diesem Augenblick arbeitet die CPU 19 als eine Beurteilungseinrichtung. Wenn
die Temperatur des Diodenelements Dij den Schwellenwert überschritten
hat (S205: Ja), führt die CPU 19 dieselbe Verarbeitung
wie diejenige der Schritte S115 bis S117 in 4 aus.
-
Als
Nächstes scheltet die CPU 19 eine zweite Leuchtdiode 46ij ein.
Dies erlaube es der CPU 19, den Benutzer darüber
zu informieren, welches mit dem Zweigpfad 21 verbundene
Diodenelement Dij eine in dem Zweigpfad aufgetretene Abnormalität aufweist.
-
Die
CPU 19 wiederholt die vorstehend erwähnte Verarbeitung,
bis sie die (n)-te Einrichtung 36n erreicht (S113: Nein,
S114). Die CPU 19 führt die vorstehende Verarbeitung
bis zu der (n)-ten Einrichtung 36n aus (S113: Ja), bevor
sie die vorstehende Verarbeitung ausgehend von der ersten Einrichtung 36 wiederholt
(S101).
-
Wenn
die Temperatur des Diodenelements Dij den Schwellenwert nicht überschreitet
(S205: Nein), gibt die CPU 19 ein Ausschaltbefehlsignal
an das Schaltelement Sij aus. Dadurch trennt die CPU 19 die
elektrische Verbindung zwischen dem Diodenelement Dij und der CPU 19.
-
Als
Nächstes führt die CPU 19 die vorstehend
erwähnte Verarbeitung für das Schaltelement von
S11 bis SiMi aus, die mit dem FET 32i verbunden sind (S207,
S208).
-
Bei
der Ausführung der vorstehend erwähnten Verarbeitung
für das Schaltelement SiMi (S207: Ja) führt die
CPU 19 dieselbe Verarbeitung wie diejenige von S110 bis
S112 in 4 aus. Als Nächstes führt
die CPU 19 die Verarbeitung in S113 und S114 in 4 aus,
wiederholt dann die vorstehende Verarbeitung, bis sie die (n)-te
Einrichtung 36 erreicht, und wiederholt danach erneut die
vorstehende Verarbeitung ausgehend von der ersten Einrichtung 36.
-
Darüber
hinaus schreibt dann, wenn das Abnormalitätsflag i ”1” ist
in S104 (Ja), die CPU 19 durch Ausführen von S116
die Abnormalitätsinformation in den nichtflüchtigen
Speicher 35, und schaltet durch Ausführen von
S117 die (i)-te erste Leuchtdiode 44i ein. Die nachfolgende
Verarbeitung ist dieselbe wie die vorstehende.
-
In
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel erlaubt das Verbinden
der CPU 19 mit einem beliebigen der mehreren Diodenelemente
Dij und das sequenzielle Beurteilen, ob der Spannungsabfallwert
dieses Diodenelements Dij größer ist als der Schwellenwert, die
Beurteilung, auf welchem der mehreren Leitungspfade 21 ein
Schichtkurzschluss aufgetreten ist.
-
<Ausführungsbeispiel
3>
-
Nachstehend
wird ein Ausführungsbeispiel 3 der Erfindung unter Bezugnahme
auf die 9 und 10 beschrieben.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist, wie in 9 gezeigt
ist, ein Signalleitungspfad 28, der mit einem Anschluss
auf der stromabwärtigen Seite jedes Diodenelements verbunden
ist, über die Spannungsumwandlungsschaltung 39 mit
einem in der CPU 19 bereitgestellten Anschluss VD 50 verbunden.
Der Anschluss VD 50 ist so bereitgestellt, dass er jedem
Diodenelement D entspricht. Genauer ist ein auf der stromabwärtigen Seite
des (i)-ten FETi liegendes und mit dem (Mi)-ten substratseitigen
Leitungspfad 18 verbundenes Diodenelement DiMi mit einem
Anschluss VD 50iMi verbunden. Jeder Anschluss VD 50 weist
die A/D-Umwandlungsfunktion auf. Dies erlaubt es der CPU 19, eine
Spannung in der Seite des Ausgangsanschlusses 26 des Diodenelements
D zu erhalten.
-
Die
weiteren Konfigurationen neben der vorstehenden sind nahezu dieselben
wie in Ausführungsbeispiel 2, so dass dieselben Bezugszeichen denselben
Elementen zugewiesen sind, um wiederholte Beschreibungen derselben
zu vermeiden.
-
10 ist
ein Hauptablaufdiagramm der Verarbeitung des Einschaltens/Ausschaltens
gemäß dem Ausführungsbeispiel 3. Zu Beginn
der Verarbeitung des Einschaltens/Ausschaltens führt die
CPU 19 dieselbe Verarbeitung wie diejenige von S101 bis S202
in 7 aus. Als Nächstes erhält die
CPU 19 in dem Schritt S301 eine Spannung in der Seite des Sourcebereichs 30 in
dem FET 32i aus dem Anschluss Bi. Und außerdem
erhält die CPU 19 eine Spannung in der Seite des
Eingangsanschlusses 25 des Diodenelements Di1 oder des
Diodenelements DiMi aus dem Anschluss Vi. Weiter außerdem
erhält die CPU 19 eine Spannung in der Seite jedes
Ausgangsanschlusses 26 des Diodenelements D11 oder des
Diodenelements DnMn aus jedem Anschluss VD 50iMi.
-
Als
Nächstes führt die CPU 19 dieselbe Verarbeitung
wie diejenige von S107 bis S205 in 7 aus. Wenn
die Temperatur des Diodenelements Dij den Schwellenwert überschreitet
(S205: Ja), führt die CPU 19 dieselbe Verarbeitung
wie diejenige von S115 bis S209 in 7 aus.
-
Die
CPU 19 wiederholt die vorstehende Verarbeitung, bis sie
die (n)-te Einrichtung 36 erreicht (S113: Nein, S114).
Die CPU 19 führt die vorstehende Verarbeitung
für die (n)-te Einrichtung 36n aus (S113: Ja),
bevor sie die vorstehende Verarbeitung ausgehend von der ersten
Einrichtung 36 wiederholt (S101).
-
Wenn
die Temperatur des Diodenelements Dij den Schwellenwert nicht überschreitet
(S205: Nein), führt die CPU 19 die vorstehende
Verarbeitung für die Diodenelemente von Di1 bis DiMi aus,
die mit dem FET 32i verbunden sind (S207, S208).
-
Bei
der Ausführung der vorstehenden Verarbeitung für
das Diodenelement DiMi (S207: Ja) führt die CPU 19 dieselbe
Verarbeitung wie diejenige von S110 bis S112 in 7 aus.
Als Nächstes führt die CPU 19 die Verarbeitung
in S113 und S114 in 7 aus, wiederholt dann die vorstehende
Verarbeitung, bis sie die (n)-te Einrichtung 36 erreicht,
und wiederholt danach erneut die vorstehende Verarbeitung ausgehend
von der ersten Einrichtung 36.
-
In
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel kann das mit jedem
Diodenelement D verbundene Schaltelement S weggelassen werden. Dies
erzielt eine weitere Kostenreduktion.
-
<Andere
Ausführungsbeispiele>
-
Mit
den vorstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen
beschriebenen Ausführungsbeispielen ist zu verstehen, dass
die Erfindung nicht auf genau diese Ausführungsbeispiele
beschränkt ist, und dass zum Beispiel die Ausführungsbeispiele
wie nachstehend innerhalb des Schutzumfangs der Erfindung liegen
können.
- (1) In den vorliegenden Ausführungsbeispielen wird
das Diodenelement D als ein Halbleiterelement verwendet, jedoch
ist die Erfindung nicht darauf beschränkt, und können
beliebige wahlfreie Halbleiterelemente mit einem PN-Übergang, wie
beispielsweise eine Zener-Diode und ein Transistor verwendet werden.
Darüber hinaus kann dann, wenn eine Zener-Diode verwendet wird,
die Zener-Diode in einer Richtung verschaltet sein, die der von
dem Zweigpfad 21 in Richtung des Signalleitungspfads führenden
Richtung entgegengesetzt ist. Was einen Transistor anbelangt, kann
zum Beispiel beurteilt werden, ob eine Spannung Vbe zwischen der
Basis und dem Emitter größer ist als der Schwellenwert
oder nicht.
- (2) In den vorliegenden Ausführungsbeispielen weist
der Leitungspfad eine Vielzahl von Zweigpfaden 21 auf,
jedoch ist die Erfindung nicht darauf beschränkt, und können
ein Halbleiterschaltelement und eine Last L über einen
Leitungspfad verschaltet sein, mit welchem ein Halbleiterelement
verbunden sein kann.
- (3) In den vorliegenden Ausführungsbeispielen ist der
ROM 33 enthalten, welcher mit den Temperatur-Spannungs-Daten
versehen ist, die einen Zusammenhang zwischen einer an den Eingangsanschluss 25 des
Diodenelements D anzulegenden Spannung und einem Spannungsabfallwert
wischen den Eingangs-/Ausgangs-Anschlüssen 25 und 26 zeigen,
jedoch ist die Erfindung nicht darauf beschränkt. Wenn
zum Beispiel eine an den Eingangsanschluss 25 des Diodenelements
D aus einer Konstantspannungsquelle anzulegende Spannung konstant
gehalten wird, ist eine Änderung des Spannungsabfallwerts
unnötig, und braucht die Änderung auf der Grundlage
der Temperatur-Spannungs-Daten nicht notwendiger Weise durchgeführt
zu werden.
- (4) Die Schaltungsschutzvorrichtung beinhaltet das Gehäuse
zum oder für elektrischen Anschluss bzw. das Elektroanschlussgehäuse,
und außerdem breiter eine breitere Einrichtung. Die Schaltungsschutzvorrichtung
braucht das Gehäuse 11 nicht aufzuweisen. In den
vorliegenden Ausführungsbeispielen ist die erfindungsgemäße Schaltungsschutzvorrichtung
auf das in einem Fahrzeug zu verbauende Elektroanschlussgehäuse
angewandt, jedoch ist die Erfindung nicht darauf beschränkt,
und kann die erfindungsgemäße Schaltungsschutzvorrichtung
auf beliebige elektrische Schaltungsanordnungen angewandt werden.
- (5) In den vorliegenden Ausführungsbeispielen wird
das Diodenelement D mit dem Formteilgehäuse verwendet,
jedoch kann ein aus einem bloßen Halbleiterplättchen
oder Chip bestehendes Diodenelement D verwendet werden. Eine aus
einem bloßen bzw. nackten Chip bestehende Diode ist bevorzugenswert,
da sie verglichen mit einer Diode in einem Formteilgehäuse
leicht Wärme aus der Außenumgebung absorbiert.
- (6) In den vorliegenden Ausführungsbeispielen beinhaltet
das Diodenelement D zwei Dioden 29, jedoch ist die Erfindung
nicht darauf beschränkt, und kann das Diodenelement D eine
oder drei oder mehr Dioden 29 beinhalten.
- (7) In den vorliegenden Ausführungsbeispielen arbeitet
die CPU 19 als eine Beurteilungseinrichtung, jedoch ist
die Erfindung nicht darauf beschränkt, und kann die Beurteilungseinrichtung durch
einen analogen Vergleicher gebildet sein.
- (8) In den vorliegenden Ausführungsbeispielen ist das
Diodenelement D parallel mit der Last L verschaltet, jedoch ist
die Erfindung nicht darauf beschränkt, und kann das Diodenelement
D seriell mit der Last L verschaltet sein, wobei seine beiden Enden
mit Zweigpfaden zum Erfassen von Spannungen versehen sind, und die
Zweigpfade mit der CPU 19 verbunden sein können.
-
Zusammenfassung
-
Ein
Gehäuse für elektrischen Anschluss 10 beinhaltet
einen FET 32 zur Verbindung mit einer Leistungsversorgung
B, einen substratseitigen Leitungspfad 18, der mit dem
FET 32 verbunden ist und den FET 32 mit einer
Last L verbindet, ein Diodenelement D, das elektrisch mit dem substratseitigen
Leitungspfad 18 verbunden ist, Wärme überträgt
und einen PN-Übergang aufweist, und eine CPU 19 zum Beurteilen,
ob der Spannungsabfallwert zwischen den Eingangs-/Ausgangs-Anschlüssen 25 und 26 des
Diodenelements D größer ist als ein Schwellenwert
oder nicht, und Liefern eines Ausschaltbefehlssignals an den FET 32,
falls eine Entscheidung dahingehend getroffen wird, dass der Spannungsabfallwert
kleiner als der Schwellenwert ist.
-
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
-
Diese Liste
der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert
erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information
des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen
Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt
keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
-
Zitierte Patentliteratur
-