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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterelementkühlstruktur
und insbesondere eine Struktur zum Kühlen eines Halbleiterelements,
das an einer Elektrode mit einem Kühlmittelkanal befestigt
ist.
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Stand der Technik
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Kühlvorrichtungen
zum Kühlen von Wärme erzeugenden Körpern,
wie beispielsweise Halbleiterelementen, sind bekannt. Die
JP 2005-57130 (Patentdokument
1) beschreibt beispielsweise eine Halbleiterkühleinheit,
die eine Struktur aufweist, bei der ein Halbleiterelement zwischen
einem Paar von flachen Elektrodenplatten angeordnet und ein Kühlmitteldurchgang
in der Elektrodenplatte gebildet ist.
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Ferner
beschreibt die
JP 2004-158489 (Patentdokument
2) eine Druckkontakthalbleitervorrichtung mit mehreren Halbleiterelementschichtkörpern mit
mehreren geschichteten Halbleiterelementen und mit mehreren Gleichrichterelementschichtkörpern
mit mehreren geschichteten Gleichrichterelementen, die durch Druck
in der Schichtrichtung gehalten werden.
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Gemäß dem
Patentdokument 1 sind mehrere Kühlmitteldurchgänge
für ein Halbleiterelement bestimmt. Folglich ist die Struktur
zum Kühlen eines Halbleiterelements groß ausgebildet.
Dies erschwert eine Verringerung der Größe des
das Halbleiterelement aufweisenden Halbleitermoduls. Der Kühlmitteldurchgang
gemäß dem Patentdokument 2 ist nicht in einem
externen Verbindungsanschluss gebildet, was dazu führt,
dass der Kühlmechanismus groß ausgebildet ist,
wodurch eine Verringerung der Größe der Halbleitervorrichtung
erschwert wird.
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Offenbarung der Erfindung
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Es
ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Struktur zum Kühlen
eines Halbleiterelements bereitzustellen, die eine hohe Kühlleistung
mit einem einfachen Aufbau erzielen kann.
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Die
Halbleiterelementkühlstruktur der vorliegenden Erfindung
weist mehrere Halbleiterelemente und einen Elektrodenabschnitt mit
einem darin ausgebildeten Kühlmittelkanal auf, wobei der
Elektrodenabschnitt elektrisch mit mehreren Halbleiterelementen
verbunden ist.
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Durch
die vorstehend beschriebene Anordnung kann der Wirkungsgrad beim
Kühlen der Halbleiterelemente mit einem einfachen Aufbau
verbessert werden.
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Bei
der obigen Halbleiterelementkühlstruktur weist der Elektrodenabschnitt
vorzugsweise eine erste Elektrode, welche das Halbleiterelement
an jeder von gegenüberliegenden Oberflächen befestigt
aufweist, und mehrere zweite Elektroden, die zwischen sich angeordnet
die erste Elektrode und die an jede der gegenüberliegenden
Oberflächen der ersten Elektrode befestigten Halbleiterelemente
halten, auf. Die erste Elektrode und die zweite Elektrode weisen jeweils
den darin ausgebildeten Kühlmittelkanal auf.
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Folglich
können auf beiden Seiten des Halbleiterelements Kühlmittelkanäle
gebildet werden, so dass der Wirkungsgrad beim Kühlen des
Halbleiterelements weiter verbessert werden kann.
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Gemäß einer
Ausgestaltung weist die Halbleiterelementkühlstruktur eine
Struktur auf, die gebildet wird, indem mehrere der Elektrodenabschnitte, einschließlich
der ersten und der zweiten Elektrode, geschichtet angeordnet werden.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung weisen die
erste und die zweite Elektrode gemäß der Halbleiterelementkühlstruktur Hauptoberflächen
auf. Die Halbleiterelementkühlstruktur weist eine Struktur
auf, der gebildet wird, indem mehrere der Elektrodenabschnitte,
einschließlich der ersten und der zweiten Elektrode, in
einer Richtung der Hauptoberflächen Seite an Seite angeordnet
werden.
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Vorzugsweise
weist die vorstehend beschriebene Halbleiterelementkühlstruktur
ferner einen Vorsprungsabschnitt auf, der von einer Wandoberfläche
des Kühlmittelkanals zur Innenseite des Kühlmittelkanals
hervorragt, um einen Fluss von durch den Kühlmittelkanal
fließenden Kühlmittel zum Halbleiterelement zu
lenken.
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Durch
die Anordnung kann, da der Vorsprungsabschnitt vorgesehen ist, um
den Fluss von Kühlmittel zum Halbleiterelement zu lenken,
die Wärmeübertragungsleistung durch das Kühlmittel
verbessert werden, so dass der Wirkungsgrad beim Kühlen
der Halbleitervorrichtung weiter verbessert werden kann.
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Bei
der vorstehend beschriebenen Halbleiterelementkühlstruktur
ist der Vorsprungsabschnitt derart vorgesehen, dass er nahe dem
Halbleiterelement und in der Fließrichtung des Kühlmittels
stromaufwärts der Mitte des Halbleiterelements angeordnet
ist.
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Gemäß einem
Beispiel ist das Halbleiterelement bei der vorstehend beschriebenen
Halbleiterelementkühlstruktur in einem Controller enthalten,
der eine elektrische Drehmaschine steuert, die ein Fahrzeug antreibt.
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Gemäß der
vorliegenden Erfindung kann eine Struktur zum Kühlen eines
Halbleiterelements, die eine hohe Kühlleistung mit einer
einfachen Struktur erzielen kann, gemäß obiger
Beschreibung bereitgestellt werden.
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Zwei
oder mehr als zwei der vorstehend beschriebenen Strukturen können
in geeigneter Weise kombiniert werden.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1 zeigt
einen Schaltplan zur Veranschaulichung einer Struktur eines Hauptabschnitts einer
PCU, auf welche die Halbleiterelementkühlstruktur gemäß einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angewandt wird.
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2 zeigt
eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung der Halbleiterelementkühlstruktur
gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
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3 zeigt
eine Querschnittsansicht entlang der Linie III-III in der 2.
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4 zeigt
eine Perspektivansicht zur Veranschaulichung eines Drehstrominvertermoduls
mit der in der 2 gezeigten Halbleiterelementkühlstruktur.
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5 zeigt
eine Perspektivansicht zur Veranschaulichung einer beispielhaften
Modifikation des Drehstrominvertermoduls mit der in der 2 gezeigten
Halbleiterelementkühlstruktur.
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6 zeigt
eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung einer Modifikation
der Halbleiterelementkühlstruktur gemäß einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
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Beste Arten zum Ausführen
der Erfindung
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Nachstehend
werden die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung
beschrieben. Es sollte beachtet werden, dass gleiche oder entsprechende
Abschnitte nachstehend mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind
und gegebenenfalls nicht wiederholt beschrieben werden.
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Bei
den nachstehend beschriebenen Ausführungsformen sollen
Beschreibungen von Zahlen, Beträgen und dergleichen nicht
derart verstanden werden, dass sie den Schutzumfang der vorliegenden
Erfindung beschränken, sofern nicht anders vorgegeben.
Ferner ist bei den nachstehend beschriebenen Ausführungsformen
nicht jede Komponente stets erforderlich, sofern nicht anders vorgegeben. Sind
mehrere Ausführungsformen möglich, wird vorausgesetzt,
dass die Strukturen der verschiedenen Ausführungsformen
in geeigneter Weise kombiniert werden können, sofern nicht
anders vorgegeben.
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1 zeigt
einen Schaltplan zur Veranschaulichung einer Konfiguration eines
Hauptabschnitts einer PCU, auf welche die Halbleiterelementkühlstruktur
gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung angewandt wird. Es sollte beachtet werden, dass die in
der 1 gezeigte PCU 100 einen ”Controller
für eine elektrische Drehmaschine zum Antrieben eines Fahrzeugs” darstellt.
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Die
PCU 100 weist, wie in 1 gezeigt,
einen Wandler 110, Inverter 120 und 130,
einen Controller 140 und Kondensatoren C1 und C2 auf. Der Wandler 110 ist
zwischen eine Batterie B und die Inverter 120 und 130 geschaltet,
und die Inverter 120 und 130 sind mit den Motorgeneratoren
MG1 bzw. MG2 verbunden.
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Der
Wandler 110 weist Leistungstransistoren Q1 und Q2, Dioden
D1 und D2 und eine Drosselspule L auf. Die Leistungstransistoren
Q1 und Q2 sind in Reihe geschaltet und empfangen ein Steuersignal vom
Controller 140 an jeder ihrer Basisanschlüsse. Die
Dioden D1 und D2 sind zwischen Kollektor und Emitter der Leistungstransistoren
Q1 bzw. Q2 geschaltet, um zu bewirken, dass ein Strom von der Emitterseite
zur Kollektorseite der Leistungstransistoren Q1 bzw. Q2 fließt.
Das eine Ende der Drosselspule L ist mit einer Energieversorgungsleitung
PL1 verbunden, die mit einer positiven Elektrode der Batterie B
verbunden ist, und das andere Ende ist mit einem Knotenpunkt zwischen
den Leistungstransistoren Q1 und Q2 verbunden.
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Der
Wandler 110 verstärkt die von der Batterie B empfangene
Gleichspannung unter Verwendung der Drosselspule L und gibt die
verstärkte Spannung auf eine Energieversorgungsleitung
PL2. Ferner verringert der Wandler 110 die vom Invertern 120, 130 empfangene
Gleichspannung und lädt mit dieser Spannung die Batterie
B.
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Die
Inverter 120 und 130 weisen U-Phasen-Arme 121U bzw. 131U,
V-Phasen-Arme 121V bzw. 131V und W-Phasen-Arme 121W bzw. 131W auf.
Der U-Phasen-Arm 121U, der V-Phasen-Arm 121V und
der W-Phasen-Arm 121W sind zwischen den Knoten N1 und N2
parallel geschaltet. In gleicher Weise sind der U-Phasen-Arm 131U,
der V-Phasen-Arm 131V und der W-Phasen-Arm 131W zwischen
den Knoten N1 und N2 parallel geschaltet.
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Der
U-Phasen-Arm 121U weist zwei in Reihe geschaltete Leistungstransistoren
Q3 und Q4 auf. In gleicher Weise weisen der U-Phasen-Arm 131U,
die V-Phasen-Arme 121V und 131V und die W-Phasen-Arme 121W und 131W jeweils
zwei in Reihe geschaltete Leistungstransistoren Q5 bis Q14 auf.
Zwischen Kollektor und Emitter von jedem der Leistungstransistoren
Q3 bis Q14 sind jeweils Dioden D3 bis D14 geschaltet, die bewirken,
dass ein Strom von der Emitterseite zur Kollektorseite fließt.
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Ein
Mittelpunkt des Arms von jeder Phase in der Invertern 120 und 130 ist
mit einem Ende von jeder Phase von Spulen jeweiliger Phasen in den
Motorgeneratoren MG1 und MG2 verbunden. Die Motorgeneratoren MG1
und MG2 sind aus drei Spulen der U-, V- und W-Phase aufgebaut, die
jeweils ein Ende aufweisen, das gemeinsam mit einem Mittelpunkt verbunden
ist.
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Der
Kondensator C1 ist zwischen die Energieversorgungsleitungen PL1
und PL3 geschaltet und glättet den Spannungspegel der Energieversorgungsleitung
PL1. Ferner ist der Kondensator C2 zwischen die Energieversorgungsleitungen
PL2 und PL3 geschaltet und glättet den Spannungspegel der Energieversorgungsleitung
PL2.
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Die
Inverter 120 und 130 wandeln eine Gleichspannung
vom Kondensator C2 auf der Grundlage eines Ansteuersignals vom Controller 140 in
eine Wechselspannung, um so die Motorgeneratoren MG1 und MG2 anzusteuern.
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Der
Controller 140 berechnet die Spulenspannungen der jeweiligen
Phasen der Motorgeneratoren MG1 und MG2 auf der Grundlage eines
Motordrehmomentbefehlswerts, Phasenstromwerten der Motorgeneratoren
MG1 und MG2 und Eingangsspannungen der Inverter 120 und 130 und
erzeugt auf der Grundlage des Rechenergebnisses ein PWM-(Pulsbreitenmodulation)-Signal
zum Einschalten/Ausschalten der Leistungstransistoren Q3 bis Q14
und gibt dieses an die Inverter 120 und 130.
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Ferner
berechnet der Controller 140 ein Tastverhältnis
der Leistungstransistoren Q1 und Q2 zur Optimierung der Eingangsspannungen
der Inverter 120 und 130 auf der Grundlage des
Motordrehmomentbefehlswerts und der Motordrehzahl, die vorstehend
erwähnt wurden, und erzeugt auf der Grundlage des Rechenergebnisses
ein PWM- Signal zum Einschalten/Ausschalten der Leistungstransistoren Q1
und Q2 und gibt dies an den Wandler 110.
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Ferner
steuert der Controller 140 die Schaltvorgänge
der Leistungstransistoren Q1 bis Q4 des Wandlers 110 und
der Inverter 120 und 130, um die von den Motorgeneratoren
MG1 und MG2 erzeugte Wechselspannung in eine Gleichspannung zu wandeln
und so die Batterie B zu laden.
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Wenn
die PCU 100 arbeitet, erzeugen die Leistungstransistoren
Q1 bis Q14 und die Dioden D1 bis D14, welche den Wandler 110 und
die Inverter 120 und 130 bilden, Wärme.
Folglich ist es erforderlich, einen Kühlmechanismus bereitzustellen,
um eine Kühlung dieser Halbleiterelemente zu fördern.
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2 zeigt
eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung der Halbleiterelementkühlstruktur
gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 3 zeigt
eine Querschnittsansicht entlang der Linie III-III in der 2.
Die Halbleiterelementkühlstruktur gemäß der
vorliegenden Ausführungsform ist, wie in den 2 und 3 gezeigt, derart
gebildet, dass sie mehrere Halbleiterelemente (1A bis 1D)
und eine Elektrodenstruktur 2 aufweist.
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Das
Halbleiterelement 1 entspricht beispielsweise den Leistungstransistoren
Q3 bis Q14 und den Dioden D3 bis D14. Bei dem in der 2 gezeigten Beispiel
sind mehrere Halbleiterelemente 1A bis 1D als
Halbleiterelement 1 gezeigt. Die Elektrodenstruktur 2 ist
derart gebildet, dass sie eine Wechselstromelektrode 2A und
eine Gleichstromelektrode 2B aufweist. Das Halbleiterelement 1 (1A bis 1D)
ist zwischen der Wechselstromelektrode 2A und der Gleichstromelektrode 2B angeordnet.
In der Wechselstromelektrode 2A und der Gleichstromelektrode 2B sind
Kühlmittelkanäle 20A und 20B gebildet. Kühlmittel
zum Kühlen des Halbleiterelements 1 fließt
aus der Richtung des Pfeils DR1 in die Elektrodenstruktur 2,
in der Richtung der Pfeile DR20A, DR20B in den Kühlmittelkanälen 20A und 20B und
in der Richtung des Pfeils DR2 heraus. Dadurch, dass das Kühlmittel
auf diese Weise durch die Kühlmittelkanäle 20A und 20B fließt,
werden die Halbleiterelemente 1A bis 1D gekühlt.
Es sollte beachtet werden, dass Wandoberflächen der Kühlmittelkanäle 20A und 20B isoliert
werden, indem beispielsweise ein Oxidfilm und ein Nitridfilm gebildet
werden.
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Die
Wechselstromelektrode 2A und die Gleichstromelektrode 2B werden
beispielsweise aus Metall mit einem verhältnismäßig
hohen Wärmeübertragungskoeffizienten, wie beispielsweise
Kupfer, gebildet. Zwischen der Wechselstromelektrode 2A und der
Gleichstromelektrode 2B ist ein Isolator 3 angeordnet,
um eine elektrische Isolierung zwischen der Wechselstromelektrode 2A und
der Gleichstromelektrode 2B zu gewährleisten.
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Die
Wechselstromelektrode 2A wird gebildet, indem zwei plattenförmige
Elemente kombiniert werden. Die zwei plattenförmigen Elemente
weisen jeweils einen Vorsprungsabschnitt auf, der zum anderen Element
hervorragt, um in Eingriff miteinander zu stehen. Dadurch, dass
die zwei plattenförmigen Elemente derart kombiniert werden,
dass die Vorsprungsabschnitte in Eingriff miteinander stehen, kann
die Wechselstromelektrode 2A mit einem darin ausgebildeten
kanalförmigen Kühlmittelkanal 20A gebildet
werden. Die Gleichstromelektrode mit dem darin ausgebildeten Kühlmittelkanal 20B kann
ebenso auf ähnliche Weise wie die Wechselstromelektrode 20A gebildet
werden.
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Nachstehend
wird ein Beispiel eines Drehstrominvertermoduls (Inverter 120, 130)
mit der Halbleiterelementkühlstruktur gemäß der
vorliegenden Ausführungsform unter Bezugnahme auf die 4 und 5 beschrieben.
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Bei
dem in der 4 gezeigten Beispiel ist eine
Modulstruktur gebildet, bei der eine Elektrodenstruktur mit der
Gleichstromelektrode 2BU und der Wechselstromelektrode 2AU,
eine Elektrodenstruktur mit der Gleichstromelektrode 2BV und
der Wechselstromelektrode 2AV und eine Elektrodenstruktur mit
der Gleichstromelektrode 2BW und der Wechselstromelektrode 2AW geschichtet
angeordnet sind. In diesem Fall fließt das Kühlmittel
zum Kühlen des Halbleiterelements 1 aus der Richtung
des Pfeils DR1 zur Elektrodenstruktur, durch jede Elektrode und
in der Richtung des Pfeils DR2 heraus.
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Bei
dem in der 5 gezeigten Beispiel ist eine
Modulstruktur gebildet, bei der eine Elektrodenstruktur mit der
Gleichstromelektrode 2BU und der Wechselstromelektro de 2AU,
eine Elektrodestruktur mit der Gleichstromelektrode 2BV und
der Wechselstromelektrode 2AV und eine Elektrodenstruktur
mit der Gleichstromelektrode 2BW und der Wechselstromelektrode 2AW in
der Richtung der Hauptoberfläche jeder Elektrode Seite
an Seite angeordnet sind. In diesem Fall fließt das Kühlmittel
zum Kühlen des Halbleiterelements 1 aus der Richtung
des Pfeils DR1 zur Elektrodenstruktur, durch jede Elektrode und
in der Richtung des Pfeils DR2 heraus.
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Das
in der PCU 100 der 1 enthaltene Dreiphaseninvertermodul
kann aus einem der in den 4 und 5 gezeigten
Beispiele gebildet werden. In den Modulen der 4 und 5 gebildete Zwischenräume
sind beispielsweise mit einer Harzgussform oder einem Harzgel gefüllt.
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Nachstehend
wird eine Modifikation der Halbleiterelementkühlstruktur
gemäß der vorliegenden Ausführungsform
unter Bezugnahme auf die 6 beschrieben.
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Bei
der Kühlstruktur der vorliegenden Modifikation sind die
Wechselstromelektrode 2A und die Gleichstromelektrode 2B jeweils,
wie in 6 gezeigt, aus einer flachen Röhre gebildet.
In diesem Fall weist die Wechselstromelektrode 2A eine
darin ausgebildete Vertiefung 200A auf und weist die Gleichstromelektrode 2B eine
darin ausgebildete Vertiefung 200B auf.
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Es
besteht die Möglichkeit, dass eine Spannung in den flachen
Rohren, welche die Wechselstromelektrode 2A und die Gleichstromelektrode 2B bilden,
zunimmt, bedingt durch Wärme, die während eines
Betriebs der PCU 100 vom Halbleiterelement 1 erzeugt
wird. Dadurch, dass die Vertiefungen 200A und 200B in
den flachen Rohren vorgesehen sind, kann eine Zunahme der Spannung
verringert werden.
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Ferner
ist die in der Gleichstromelektrode 2B vorgesehene Vertiefung 200B derart
gebildet, dass der Fluss von Kühlmittel im Kühlmittelkanal 20B zu den
Halbleiterelementen 1A bis 1D gelenkt wird (genauer
gesagt, an einer Position nahe dem Halbleiterelement 1 und
in der Fließrichtung des Kühlmittels stromaufwärts
der Mitte des Halbleiterelements 1). Insbesondere ragt
die Vertiefung 200B von der Wandoberfläche des
Kühlmittelkanals 20B zur Innenseite des Kühlmittelkanals 20B hervor
und bildet einen ”Vorsprungsabschnitt”, welchen
den Fluss des durch den Kühlmittelkanal 20B fließenden
Kühlmittels zum Halbleiterelement 1 lenkt.
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Zum
Zeitpunkt einer sprudelnden Kühlung kann ein Film von Luftblasen
auf der Wandoberfläche des Kühlmittelkanals 20B gebildet
werden, der unmittelbar oberhalb oder unmittelbar unterhalb des Abschnitts
angeordnet ist, an welchem das Halbleiterelement 1 befestigt
ist. Der Luftblasenfilm kann gegebenenfalls dazu beitragen, dass
die Kühlleistung des Halbleiterelements 1 verringert
wird. Der Film von Luftblasen kann jedoch zerstochen werden, da der
Fluss von Kühlmittel im Kühlmittelkanal 20B zum Halbleiterelement 1 gelenkt
wird. Auf diese Weise kann die Kühlleistung des Halbleiterelements 1 weiter
verbessert werden.
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Bei
der Halbleiterelementkühlstruktur der vorliegenden Ausführungsform
sind die Kühlmittelkanäle 20A und 20B in
der Wechselstromelektrode 20A und der Gleichstromelektrode 20B gebildet,
so dass bewirkt werden kann, dass das Kühlmittel zu Abschnitten
nahe dem Halbleiterelement 1 fließt. Folglich
kann die Kühlleistung des Halbleiterelements 1 verbessert
werden. In diesem Fall sind die Wechselstromelektrode 2A und
die Gleichstromelektrode 2B mit mehreren Halbleiterelementen 1 verbunden. Folglich
wird die Vorrichtung dann, wenn die vorstehend beschriebene Struktur
angewandt wird, nicht größer oder komplizierter
ausgelegt. Ferner kann dadurch, dass die Gleichstromelektroden 2B gegenüberliegend
bereitgestellt werden, eine parasitäre Induktivität
verringert werden, bedingt durch den Effekt gegenseitiger Induktivität.
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Die
vorstehend beschriebenen Inhalte können wie folgt zusammengefasst
werden. Die Halbleiterelementkühlstruktur der vorliegenden
Ausführungsform weist mehrere Halbleiterelemente 1 (1A bis 1D)
und eine Elektrodenstruktur 2 als einen ”Elektrodenabschnitt” mit
darin ausgebildeten Kühlmittelkanälen 20A und 20B auf,
wobei die Elektrodenstruktur 2 elektrisch mit den mehreren
Halbleiterelementen 1 verbunden ist. Die Elektrodenstruktur 2 weist die
Wechselstromelektrode 2A als die ”erste Elektrode” mit
dem Halbleiterelement 1 an jeder ihrer Oberflächen
befestigt und die Gleichstromelektroden 2B als die mehreren ”zweiten
Elektroden”, die zwischen sich angeordnet die Wechselstromelektrode 2A und die
an gegenüberliegenden Oberflächen der Wechselstromelektrode 2A befestigten
mehreren Halbleiterelemente 1A bis 1D halten,
auf, wo bei die Wechselstromelektrode 2A und die Gleichstromelektrode 2B darin
ausgebildete Kühlmittelkanäle 20A und 20B aufweisen.
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Die
vorstehend beschriebenen Ausführungsformen dienen lediglich
als Beispiele und sollten nicht beschränkend angesehen
werden. Der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch jeden
der Ansprüche unter geeigneter Berücksichtigung
der Beschreibung der Ausführungsformen bestimmt und schließt
Modifikationen mit ein, die im Wortsinn und Äquivalenzbereich
der Ansprüche liegen.
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Industrielle Anwendung
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Die
vorliegende Erfindung ist beispielsweise auf eine Struktur zum Kühlen
eines Halbleiterelements anwendbar, das an einer Elektrode mit einem Kühlmittelkanal
befestigt ist.
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Zusammenfassung
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HALBLEITERELEMENTKÜHLSTRUKTUR
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Eine
Halbleiterelementkühlstruktur weist mehrere Halbleiterelemente
(1A–1D) und eine Elektrodenstruktur (2)
auf, die darin ausgebildete Kühlmittelkanäle (20A, 20B)
aufweist und elektrisch mit den mehreren Halbleiterelementen (1)
verbunden ist. Die Elektrodenstruktur (2) weist eine Wechselstromelektrode
(2A), welche die Halbleiterelemente an jeder von gegenüberliegenden
Oberflächen aufweist, und mehrere Gleichstromelektroden
(2B) auf, die zwischen sich angeordnet die Wechselstromelektrode (2A)
und die jeweils an den gegenüberliegenden Oberflächen
der Wechselstromelektrode (2A) befestigten Halbleiterelemente
(1A–1D) halten. Sowohl die Wechselstromelektrode
(2A) als auch die Gleichstromelektroden (2B) weisen
darin ausgebildet die Kühlmittelkanäle (20A, 20B)
auf.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - JP 2005-57130 [0002]
- - JP 2004-158489 [0003]