DE112007001259T5

DE112007001259T5 - Schallwellenvorrichtung

Info

Publication number: DE112007001259T5
Application number: DE112007001259T
Authority: DE
Inventors: Michio Nagaokakyo Kadota
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2006-05-30
Filing date: 2007-05-14
Publication date: 2009-06-25
Anticipated expiration: 2027-05-15
Also published as: JP4692629B2; DE112007001259B4; US20090058225A1; US7863801B2; WO2007138844A1; JPWO2007138844A1

Abstract

Schallwellenvorrichtung, umfassend ein piezoelektrisches Substrat, auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnete IDT-Elektroden, eine sich über das piezoelektrische Substrat und die IDT-Elektroden erstreckende die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht und eine auf der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht angeordnete Frequenzeinstellschicht, wobei das piezoelektrische Substrat aus einem piezoelektrischen Material mit einem negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF besteht, die die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht aus einem Material mit einem positiven Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF besteht und die Frequenzeinstellschicht einen Dünnglasfilm umfaßt, der eine Transversalwellengeschwindigkeit aufweist, die kleiner als die Transversalwellengeschwindigkeit der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht ist und auch einen Koeffizienten der linearen Wärmeausdehnung besitzt, der kleiner als der Koeffizient der linearen Wärmeausdehnung des piezoelektrischen Substrats ist.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft Schallwellenvorrichtungen, bei denen Schallwellen wie Oberflächenschallwellen oder Grenzflächenschallwellen genutzt werden. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Schallwellenvorrichtung mit einem Aufbau, bei dem eine die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht zum Einstellen des Temperaturkoeffizienten der Frequenz der Vorrichtung auf einem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Oberflächenschallwellenvorrichtungen werden weithin als Bandfilter für Mobiltelefone verwendet. In Patentdokument 1 ist im folgenden ein Beispiel für eine solche Art einer Oberflächenschallwellenvorrichtung offenbart.
8 ist eine schematische, von vorn geführte Schnittansicht der in Patentdokument 1 offenbarten Oberflächenschallwellenvorrichtung. Die Oberflächenschallwellenvorrichtung 101 umfaßt ein piezoelektrisches Substrat 102 und auf diesem angeordnete, interdigitale Elektroden (IDT-Elektroden) 103. Über die interdigitalen Elektroden 103 erstreckt sich eine isolierende Schutzschicht 104 mit einem Längsdehnungskoeffizienten, der kleiner als derjenige des piezoelektrischen Substrats 102 ist. Die isolierende Schutzschicht 104 ist mit einer Frequenzeinstellschicht 105 überzogen.
Die isolierende Schutzschicht 104 wird zur Verkleinerung von auf Grund der Temperaturen bewirkten Schwankungen der Frequenzeigenschaften verwendet, d. h. die isolierende Schutzschicht 104 wird als eine die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht verwendet. Die isolierende Schutzschicht 104 besteht aus SiO₂.
Die Frequenzeinstellschicht 105 besteht aus Si_xN_y mit einer Wellengeschwindigkeit (einer Transversalwellengeschwindigkeit von 6000 m/s), die größer als diejenige von SiO₂ ist, wobei x und y Zahlen sind, die von der Zusammensetzung derselben abhängen. Frequenzen wie die Mittenfrequenz und die Resonanzfrequenz der Vorrichtung werden in einer solchen Weise gesteuert, daß die Dicke der Frequenzeinstellschicht 105 eingestellt wird.

Patentdokument 1: Ungeprüfte Japanische Patentanmeldung Veröffentlichung Nr. 2001-44787 .

OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
Bei der in Patentdokument 1 offenbarten Oberflächenschallwellenvorrichtung 101 wird die isolierende Schutzschicht 104 zur Verbesserung der Frequenz-Temperatur-Charakteristik verwendet, und die Frequenzeinstellschicht 105 wird zur Steuerung der Frequenzen in der oben beschriebenen Weise verwendet. In dem Fall, in dem Si₃N₄-Schichten gebildet werden, die jeweils als Frequenzeinstellschicht 105 mit einer Wellengeschwindigkeit (5850 bis 6010 m/s) und einem Wärmeausdehnungskoeffizienten (von 3,4 × 10^–6/°C) fungieren, die größer als diejenigen von SiO₂ (mit einem Wärmeausdehnungskoeffizient von 0,55 × 10^–6/°C) sind, besteht das Problem, daß Vorteile, die auf das Vorhandensein von SiO₂-Schichten zurückzuführen sind, vermindert werden, weil der absolute Wert jedes Temperaturkoeffizienten der Frequenz (TCF), der die Frequenz-Temperatur-Charakteristik und insbesondere eine auf die Temperatur zurückzuführende Frequenzschwankung anzeigt, so groß wie in 9 gezeigt ist. In 9 stellt λ entlang der horizontalen Achse die Wellenlänge einer Schallwelle dar, beispielsweise einer Oberflächenschallwelle oder einer Grenzflächenschallwelle.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Schallwellenvorrichtung zu schaffen, welche die obigen, herkömmlichen technischen Probleme wirksam löst. Die Schallwellenvorrichtung umfaßt eine die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht zur Verbesserung der Temperaturcharakteristik und eine darauf angeordnete Frequenzeinstellschicht. Mit der Frequenzeinstellschicht läßt sich eine Frequenz einstellen. Die Temperaturcharakteristik der Schallwellenvorrichtung verschlechtert sich aufgrund des Vorhandenseins der Frequenzeinstellschicht kaum.
Bei einer ersten Ausgestaltung der vorliegenden Verbindung wird eine Schallwellenvorrichtung geschaffen, die ein piezoelektrisches Substrat, auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnete IDT-Elektroden, eine sich über das piezoelektrische Substrat und die IDT-Elektroden erstreckende, die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht und eine auf der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht angeordnete Frequenzeinstellschicht umfaßt. Das piezoelektrische Substrat besteht aus einem piezoelektrischen Material mit einem negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF. Die die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht besteht aus einem Material mit einem positiven Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF. Die Frequenzeinstellschicht umfaßt einen Dünnglasfilm, der eine Transversalwellengeschwindigkeit aufweist, die kleiner als die Transversalwellengeschwindigkeit der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht ist, und besitzt auch einen Koeffizienten der linearen Wärmeausdehnung, der kleiner als der Koeffizient der linearen Wärmeausdehnung des piezoelektrischen Substrats ist.
Bei einer zweiten Ausgestaltung der vorliegenden Verbindung wird eine Schallwellenvorrichtung geschaffen, die ein piezoelektrisches Substrat, auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnete IDT-Elektroden, eine erste sich über das piezoelektrische Substrat und die IDT-Elektroden erstreckende, die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht, eine auf der die Temperaturcharakteristik verbessernden ersten Schicht angeordnete Frequenzeinstellschicht und eine zweite auf der Frequenzeinstellschicht angeordnete, die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht umfaßt. Das piezoelektrische Substrat besteht aus einem piezoelektrischen Material mit einem negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF. Die erste und die zweite, die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht bestehen aus einem Material mit einem positiven Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF. Die Frequenzeinstellschicht umfaßt einen Dünnglasfilm, der eine Transversalwellengeschwindigkeit aufweist, die kleiner als die Transversalwellengeschwindigkeit der ersten und der zweiten die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht ist, und besitzt auch einen Koeffizienten der linearen Wärmeausdehnung, der kleiner als der Koeffizient der linearen Wärmeausdehnung des piezoelektrischen Substrats ist.
Sowohl bei der ersten als auch der zweiten Ausgestaltung besteht die die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht aus dem Material mit einem solchen positiven Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF, und das piezoelektrische Substrat besteht aus dem piezoelektrischen Material mit einem solchen negativen Temperaturkoeffizienten; daher können die absoluten Werte des Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF der Vorrichtung auf Grund des Vorhandenseins der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht klein sein. Da die Frequenzeinstellschicht zum Einstellen der Frequenz verwendet wird und die Transversalwellengeschwindigkeit der Frequenzeinstellschicht niedriger als diejenige der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht ist, wird durch das Vorhandensein der Frequenzeinstellschicht verhindert, daß sich der Temperaturkoeffizient der Frequenz TCF der Vorrichtung ändert.
Sowohl bei der ersten als auch der zweiten Ausgestaltung besteht der Dünnglasfilm aus einem anorganischen Material, das durch das Mischen mindestens zweier anorganischer Oxide hergestellt ist, wobei eines von den mindestens zwei anorganischen Oxiden ist Siliciumoxid ist. Das ist beim Einstellen der Wellengeschwindigkeit auf eine niedrigere Geschwindigkeit von Nutzen und wirkt auch beim Einstellen des Koeffizienten der linearen Wärmeausdehnung.
Der Dünnglasfilm besteht vorzugsweise aus einem anorganischen Material, dessen Koeffizient der linearen Wärmeausdehnung kleiner ist als der Koeffizient der linearen Wärmeausdehnung. Dies hilft, effektiv zu verhindern, daß die Eigenschaften der Vorrichtung aufgrund von Temperaturänderungen variieren.
Die Schallwellenvorrichtungen können aus einer Grenzflächenschallwellenvorrichtung bestehen, bei der eine Grenzflächenschallwelle verwendet wird, die sich entlang der Grenzfläche zwischen dem piezoelektrischen Substrat und der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht fortpflanzt, oder können aus einer Oberflächenschallwellenvorrichtung bestehen, bei der eine Oberflächenschallwelle verwendet wird, die sich auf dem piezoelektrischen Substrat fortpflanzt.
Die die Temperaturcharakteristik verbessernden Schichten bestehen vorzugsweise jeweils aus mindestens einer Schicht, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Siliciumoxiden, Titaniumoxiden und Aluminiumoxiden besteht.
(Vorteile)
Bei der Schallwellenvorrichtung gemäß der ersten Ausgestaltung ist die die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht, die aus dem Material mit einem positiven Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF besteht, auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet, das aus dem piezoelektrischen Material mit einem negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF besteht; daher ist der absolute Wert des Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF der Vorrichtung klein. Die Frequenzeinstellschicht umfasst den Dünnglasfilm, der eine Transversalwellengeschwindigkeit aufweist, die kleiner als die Transversalwellengeschwindigkeit der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht ist und auch einen kleinen Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzt; daher kann die Vorrichtung auf Grund des Vorhandenseins der Frequenzeinstellschicht eine kleinere Frequenz und einen positiv verschobenen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF aufweisen. Deshalb kann selbst dann, wenn die die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht eine kleine Dicke aufweist und es deshalb schwierig ist, den absoluten Wert des Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF der Vorrichtung auf nahe Null einzustellen, die Vorrichtung durch das Vorhandensein der Frequenzeinstellschicht einen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF mit einem absoluten Wert von nahe Null besitzen. Deshalb läßt sich die folgende Vorrichtung erhalten: eine Schallwellenvorrichtung, die langgestreckt ist, bei welcher sich der Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF kaum ändert, und mit der eine Frequenz auf eine gewünschte Frequenz eingestellt werden kann.
Gemäß der zweiten Ausgestaltung bestehen die erste und die zweite die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht aus dem Material mit einem positiven Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF, und das piezoelektrische Substrat besteht aus dem piezoelektrischen Material mit einem negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF; daher läßt sich der absolute Wert des Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF der Vorrichtung verkleinern. Weiterhin umfaßt die Frequenzeinstellschicht den Dünnglasfilm, der eine Transversalwellengeschwindigkeit aufweist, die kleiner als die Transversalwellengeschwindigkeit der ersten und der zweiten die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht ist, und die auch einen kleinen Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzt. Deshalb bewirkt die Frequenzeinstellschicht, daß die Vorrichtung eine kleinere Frequenz aufweist und sich der Temperaturkoeffizient der Frequenz TCF positiv verschiebt. Deshalb kann selbst dann, wenn die erste und die zweite die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht zur Verminderung der Größe eine kleinere Dicke aufweisen und deshalb der absolute Wert des Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF der Vorrichtung verhältnismäßig groß ist, die Vorrichtung auf Grund des Vorhandenseins der Frequenzeinstellschicht einen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF mit einem absoluten Wert nahe Null besitzen. Deshalb kann man die folgende Vorrichtung erhalten: eine Schallwellenvorrichtung, mit der eine Frequenz auf eine gewünschte Frequenz eingestellt werden kann, die langgestreckt ist und eine gute Temperaturcharakteristik aufweist. Gemäß der zweiten Ausgestaltung halten die erste und die zweite die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht die Frequenzeinstellschicht zwischen sich fest, und deshalb lassen sich die Temperatureigenschaften der Vorrichtung effizient verbessern.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist eine schematische Frontschnittansicht einer Schallwellenvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
2 ist ein Diagramm, das Veränderungen im Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF der Schallwellenvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt, wobei sich die Dicke einer Frequenzeinstellschicht und die Art des zur Ausbildung der Frequenzeinstellschicht verwendeten Glases verändern.
3 ist ein Diagramm, das Veränderungen in der Wellengeschwindigkeit der Schallwellenvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt, wobei sich die Dicke der Frequenzeinstellschicht und ein Material zur Ausbildung der Frequenzeinstellschicht verändern.
4 ist eine schematische Frontschnittansicht einer Schallwellenvorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
5 ist ein Diagramm, das Veränderungen im Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF der Schallwellenvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt, wobei sich die Dicke einer Frequenzeinstellschicht und die Art des zur Ausbildung der Frequenzeinstellschicht verwendeten Glases verändern.
6 ist ein Diagramm, das Veränderungen in der Wellengeschwindigkeit der Schallwellenvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt, wobei sich die Dicke der Frequenzeinstellschicht und ein Material zur Ausbildung der Frequenzeinstellschicht verändern.
7 ist eine graphische Darstellung, welche die Beziehung zwischen der Dicke einer Frequenzeinstellschicht, die in der Schallwellenvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform enthalten ist, und der Wellengeschwindigkeit derselben zeigt und den Verlauf des Ausführens der Frequenzeinstellung durch Verändern der Frequenzeinstellschicht beschreiben soll.
8 ist eine schematische Frontschnittansicht eines Beispiels für eine herkömmliche Oberflächenschallwellenvorrichtung.
9 ist eine graphische Darstellung, welche die Beziehung zwischen der Dicke einer Si₃N₄-Schicht, die in der herkömmlichen Schallwellenvorrichtung enthalten ist und als Frequenzeinstellschicht verwendet wird, und dem Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF zeigt.

1: Schallwellenvorrichtung
2: piezoelektrisches Substrat
3: IDT-Elektroden
4: die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht
5: Frequenzeinstellschicht
11: Schallwellenvorrichtung
12: piezoelektrisches Substrat
13: IDT-Elektroden
14: erste die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht
15: Frequenzeinstellschicht
16: zweite die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht
101: Schallwellenvorrichtung
102: piezoelektrisches Substrat
103: IDT
104: SiO₂-Schicht
105: Si_xN_y-Schicht

BESTE AUSFÜHRUNGSWEISE DER ERFINDUNG
Nunmehr werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung anhand der anliegenden Zeichnungen derart beschrieben, daß die vorliegende Erfindung verständlich wird.
1 ist eine Frontschnittansicht einer Schallwellenvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Schallwellenvorrichtung 1 ist eine solche, bei der eine Love-Welle verwendet wird, die aus einer leckenden Oberflächenschallwelle abgeleitet ist.
Die Schallwellenvorrichtung 1 umfaßt ein piezoelektrisches Substrat 2. Das piezoelektrische Substrat 2 besteht aus einem um 38° in X-Richtung gedrehten Y-Schnitt eines LiTaO₃-Kristalls, das einen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF von –42 ppm/°C und einen Linearausdehnungskoeffizienten ρ von 16,1 × 10^–6/°C aufweist.
Auf dem piezoelektrischen Substrat 2 sind IDT-Elektroden 3 angeordnet. Die IDT-Elektroden 3 bestehen aus Cu. Die Dicke derselben beträgt etwa 0,05 λ, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
Die IDT-Elektroden 3 können aus einer Legierung oder einem geeigneten anderen Metall als Cu bestehen oder können jeweils einen mehrschichtigen Metallfilm mit mehreren aufgebrachten Metallschichten umfassen. Über die IDT-Elektroden 3 erstreckt sich eine die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 4. Bei dieser Ausführungsform umfaßt die die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 4 einen SiO₂-Film mit einer Dicke von 0,25 λ, wobei λ die Wellenlänge einer Oberflächenschallwelle darstellt.
Der SiO₂-Film besitzt einen positiven Temperaturkoeffizienten der Frequenz, d. h. einen Temperaturkoeffizienten der Frequenz von 84,2 ppm/°C. Der SiO₂-Film weist eine Transversalwellengeschwindigkeit von 3757 m/s und einen Linearausdehnungskoeffizienten von 0,55 × 10^–6/°C auf.
Auf der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 4 ist eine Frequenzeinstellschicht 5 angeordnet. Bei dieser Ausführungsform umfaßt die Frequenzeinstellschicht 5 einen Dünnglasfilm mit einer Transversalwellengeschwindigkeit, die kleiner als diejenige der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 4 ist. Die Frequenzeinstellschicht 5 weist einen Linearausdehnungskoeffizienten auf, der kleiner als derjenige des piezoelektrischen Substrats 2 ist.
Bei der Schallwellenvorrichtung 1 gemäß dieser Ausführungsform besteht die die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 4 aus SiO₂ und besitzt einen positiven Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF, und das piezoelektrische Substrat 2 besteht aus LiTaO₃ und besitzt einen negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF. Deshalb kann der absolute Wert des Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF der Vorrichtung auf Grund des Vorhandenseins der die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 4 klein sein, wodurch verhindert wird, daß sich die Frequenzeigenschaften der Vorrichtung infolge von Temperaturänderungen verändern.
Die Resonanzfrequenz und/oder die Mittenfrequenz der Vorrichtung läßt sich durch Einstellen der Dicke der Frequenzeinstellschicht 5 auf eine gewünschte Frequenz einstellen. Da die Frequenzeinstellschicht 5 eine Transversalwellengeschwindigkeit, die kleiner als diejenige der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 4 ist, und einen kleinen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, kann man den Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF der Vorrichtung auf Grund des Vorhandenseins der Frequenzeinstellschicht 5 positiv verschieben. Deshalb ist die Frequenzeinstellschicht beim Einstellen der Resonanzfrequenz und/oder der Mittenfrequenz der Vorrichtung auf eine gewünschte Frequenz von Nutzen und ist auch beim positiven Verschieben des Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF der Vorrichtung derart effizient, daß der absolute Wert des Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF der Vorrichtung nahe null liegt.
Falls die Dicke der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 4, die aus SiO₂ besteht, verkleinert ist, weist die Vorrichtung eine kleinere Dicke auf. In diesem Fall reicht die die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 4 nicht aus, um die Temperaturcharakteristik der Vorrichtung zu verbessern; jedoch kann der Temperaturkoeffizient der Frequenz TCF der Vorrichtung auf Grund des Vorhandenseins der Frequenzeinstellschicht 5 nahe Null liegen.
Deshalb läßt sich die Schallwellenvorrichtung 1 ohne weiteres so herstellen, daß sie eine gute Temperaturcharakteristik und die gewünschten guten Frequenzeigenschaften aufweist. Das wird nunmehr anhand von Experimenten im einzelnen beschrieben.

Auf jedem piezoelektrischen Substrat 2, das aus einem um 38° in X-Richtung gedrehten Y-Schnitt eines LiTaO₃-Kristalls bestand, wurden IDT-Elektroden 3 aus Cu mit einer Dicke von 0,05 λ ausgebildet. Auf dem piezoelektrischen Substrat 2 und den IDT-Elektroden 3 wurde eine die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 4 aus SiO₂ mit einer Dicke von 0,25 λ ausgebildet. Auf der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 4 wurde mit Hilfe eines von Gläsern A bis E und X, die in den Tabellen 1 und 2 gezeigt sind, eine Frequenzeinstellschicht ausgebildet. Mit dem obigen Verfahren wurden verschiedene Arten von Schallwellenvorrichtungen 1 hergestellt. Die Frequenzeinstellschichten wiesen unterschiedliche Dicken auf. Tabelle 2 zeigt die Transversalwellengeschwindigkeit und den Linearausdehnungskoeffizienten ρ jedes Glases sowie diejenigen von SiO₂, Si₃N₄, LiTaO₃ und LiNbO₃. [Tabelle 1] Zusammensetzungen der Gläser (in Gew.-%)

Arten der Gläser	SiO₂	Ba₂O₃	Bi₂O₃	ZnO	PbO	Al₂O₃	K₂O	Na₂O	BaO	Andere
A	5	9	76	8						2
B	55				30	2	7	4		2
C	73				2	2			20	3
D	55	22		15		5				3
E	68	13				5		6	6	3
X	81	13				2		4		0

[Tabelle 2]

Gläser		Transversalwellengeschwindigkeit (m/s)	Linearausdehnungskoeffizient ρ (/°C)
	A	2030	10,2 × 10^–6
	B	1990	8,4 × 10^–6
	C	2160	8,0 × 10^–6
	D	2880	4,2 × 10^–6
	E	3380	6,0 × 10^–6
	X	3770	18 × 10^–6
Dielektrische Schichten	SiO₂	3757	0,5 × 10^–6
Dielektrische Schichten	Si₃N₄	5850 bis 6010	3,4 × 10^–6
Piezoelektrische Substrate	LiTaO₃	3895	16,1 × 10^–6
Piezoelektrische Substrate	LiNbO₃	4496	15,4 × 10^–6

2 zeigt die Beziehung zwischen den Dicken jeder aus einem der Gläser A bis E und X hergestellten Frequenzeinstellschicht 5 und dem Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF jeder Schallwellenvorrichtung 1.
Wie aus 2 ersichtlich ist, besitzen die Schallwellenvorrichtungen, welche die aus dem Glas X bestehenden Frequenzeinstellschichten mit einer größeren Dicke enthalten, einen etwas kleineren Temperaturkoeffizient der Frequenz TCF.
Dagegen besitzen die Schallwellenvorrichtungen, welche die aus den Gläsern A bis E bestehenden Frequenzeinstellschichten mit einer größeren Dicke enthalten, einen positiv verschobenen Temperaturkoeffizient der Frequenz TCF. Das heißt, die Schallwellenvorrichtungen können auf Grund des Vorhandenseins der Frequenzeinstellschichten 5 aus den Gläsern A bis E einen positiv verschobenen Temperaturkoeffizient der Frequenz TCF aufweisen, da die Gläser A bis E eine Transversalwellengeschwindigkeit aufweisen, die kleiner als die Transversalwellengeschwindigkeit (3757 m/s) des zur Ausbildung der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schichten 4 verwendeten SiO₂ ist.
3 zeigt die Beziehung zwischen den Dicken jeder Si₃N₄-Schicht oder Frequenzeinstellschicht, die aus einem der Gläser besteht, und der Geschwindigkeit einer Love-Welle, die eine Art einer Oberflächenschallwelle ist.
Wie aus 3 ersichtlich ist, weisen die aus den Gläsern A bis E bestehenden, eine größere Dicke besitzenden Frequenzeinstellschichten eine kleinere Wellengeschwindigkeit auf. Dagegen besitzen die eine größere Dicke aufweisenden Si₃N₄-Schichten eine größere Wellengeschwindigkeit.
Deshalb ist klar, daß eine Frequenzeinstellung durch Einstellen der Dicke der aus den Gläsern A bis E bestehenden Frequenzeinstellschichten 5 derart vorgenommen werden kann, daß sich die Wellengeschwindigkeiten verkleinern, d. h. sich die Frequenzen vergrößern.
Wie aus 2 und 3 ersichtlich ist, können die Schallwellenvorrichtungen 1 auf Grund der Verwendung der Gläser A bis E mit einer kleineren Transversalwellengeschwindigkeit als derjenigen des SiO₂, d. h. der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schichten, einen positiv verschobenen Temperaturkoeffizient der Frequenz TCF aufweisen. Außerdem kann der absolute Wert des Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF auf Grund des Vorhandenseins der Dünnglasfilme selbst dann verkleinert werden, wenn die die Temperaturcharakteristik verbessernden Schichten 4 eine kleine Dicke besitzen, und deshalb ist es schwierig, den absoluten Wert des Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF auf nahe Null einzustellen. Wie aus 3 hervorgeht, kann die Frequenzeinstellung derart erfolgen, daß die Frequenzen kleiner werden.
Diese Ausführungsform wird im folgenden ergänzt.
Um den Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF einer herkömmlichen Schallwellenvorrichtung zu sichern, wurde eine die Temperaturcharakteristik verbessernde SiO₂-Schicht von großer Dicke ausgebildet, und auf dieser wurde eine Frequenzeinstellschicht Si_xN_y ausgebildet. Da die die Temperaturcharakteristik verbessernde SiO₂-Schicht eine große Dicke aufwies, war die herkömmliche Schallwellenvorrichtung beim Einsetzungsverlust und anderen Eigenschaften unterlegen. Jedoch wurden gemäß der Erfindung die Gläser mit einer kleinen Wellengeschwindigkeit zur Ausbildung von Frequenzeinstellschichten verwendet, wodurch sich die die Temperaturcharakteristik verbessernden SiO₂-Schichten eine kleine Dicke aufweisen konnten und sich die Eigenschaften wie die Einsetzungsverluste um etwa 1 dB verbesserten.
4 ist eine Frontschnittansicht einer Schallwellenvorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Schallwellenvorrichtung 11 umfaßt ein piezoelektrisches Substrat 12, darauf angeordnete IDT-Elektroden 13 und eine erste, die Temperaturcharakteristik verbessernde, sich über die IDT-Elektroden 13 erstreckende Schicht 14. Außerdem umfaßt die Schallwellenvorrichtung 11 eine Frequenzeinstellschicht 15 und eine zweite die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 16 in dieser Reihenfolge. Mit anderen Worten, die erste und die zweite, die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 14 und 16 sind auf beiden Oberflächen der Frequenzeinstellschicht 15 angeordnet.
Bei dieser Ausführungsform ist das piezoelektrisches Substrat 12 ein LiNbO₃-Substrat mit Euler-Winkeln (0°, 105°, 0°). Das LiNbO₃-Substrat besitzt einen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF von –84 ppm/°C und einen Linearausdehnungskoeffizienten von 15 × 10^–6/°C. Die IDT-Elektroden 13 bestehen aus Au und sind 0,04 λ dick.
Die IDT-Elektroden 13 können auch aus einem anderen Metall oder einer anderen Legierung bestehen oder können jeweils einen mehrschichtigen Metallfilm mit mehreren aufgebrachten Metallschichten umfassen.
Bei dieser Ausführungsform bestehen die erste und die zweite die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 14 und 16 aus SiO₂, und die Summe der Dicke der ersten die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 14 und derjenigen der zweiten die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 16 beläuft sich auf 1,5 λ, wobei λ die Wellenlänge der Grenzflächenschallwelle darstellt.
Die Frequenzeinstellschicht 15 umfaßt einen Dünnglasfilm und besteht aus Glas mit einer Transversalwellengeschwindigkeit, die kleiner als diejenige des SiO₂ ist.
Bei dieser Ausführungsform beläuft sich die Summe der Dicken der ersten und der zweiten die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 14 und 16 auf 1,5 λ; daher wird eine Grenzflächenschallwelle, die sich entlang der Grenzfläche zwischen dem piezoelektrischen Substrat 2 und der ersten, die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 14 fortpflanzt, durch Einschalten der IDT-Elektroden 13 erregt, so daß sich die Frequenzeigenschaften mit Hilfe der Grenzflächenschallwelle erhalten lassen. Deshalb ist die Schallwellenvorrichtung 11 eine Grenzflächenschallwellenvorrichtung.
Bei dieser Ausführungsform weist das LiNbO₃ einen negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF auf, und die erste und die zweite die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 14 und 16 bestehen aus SiO₂ mit einem positiven Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF; daher läßt sich der Temperaturkoeffizient der Frequenz TCF der Vorrichtung auf nahe Null einstellen. Selbst wenn die Summe der Dicken der ersten und der zweiten die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 14 und 16 nicht ausreicht, um den Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF der Vorrichtung auf nahe Null einstellen, kann der Temperaturkoeffizient der Frequenz TCF der Vorrichtung auf Grund des Vorhandenseins der Frequenzeinstellschicht 15, die den Dünnglasfilm mit einer kleineren Transversalwellengeschwindigkeit als derjenigen des SiO₂ enthält, positiv verschoben werden. Dadurch kann der absolute Wert des Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF der Vorrichtung klein sein.
Die Frequenzeinstellung kann durch Einstellen der Dicke der Frequenzeinstellschicht 15 derart vorgenommen werden, daß sich die Frequenzen in der bei der ersten Ausführungsform beschriebenen Weise vergrößern. Das wird nachfolgend anhand von 5 und 6 beschrieben.
5 ist ein Diagramm, welches das Verhältnis zwischen der Dicke der Frequenzeinstellschichten 15, die jeweils aus einem der Gläser A bis E und X bestehen, und dem Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF der Schallwellenvorrichtungen 1 ähnlich der obigen Schallwellenvorrichtung zeigt. Die Schichten 14 und 16 weisen eine Dicke von jeweils 0,4 λ und 1,1 λ auf.
Wie aus 5 hervorgeht, weisen die Vorrichtungen, welche die aus dem Glas X bestehenden Frequenzeinstellschichten enthalten, im wesentlichen den gleichen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF auf; jedoch besitzen die Vorrichtungen, welche die aus den Gläsern A bis E bestehenden Frequenzeinstellschichten 15 mit einer größeren Dicke enthalten, einen positiv verschobenen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF, wobei die Frequenzeinstellschichten 15 Dünnglasfilme mit einer kleineren Transversalwellengeschwindigkeit als derjenigen des SiO₂ enthalten. Deshalb kann selbst dann, wenn die erste und die zweite die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 14 und 16 eine verhältnismäßig kleine Dicke aufweisen und deshalb eine geringe Auswirkung auf die Verbesserung der Temperaturcharakteristik der Vorrichtungen haben, der Temperaturkoeffizient der Frequenz TCF der Vorrichtungen auf Grund des Vorhandenseins der Frequenzeinstellschichten 15 in der bei der ersten Ausführungsform beschriebenen Weise ebenfalls nahe Null liegen.
6 ist ein Diagramm, welches die Beziehung zwischen einer Veränderung in der Dicke der SiO₂-Filme, die in der ersten und der zweiten, die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 14 und 16 enthalten sind, und einer Änderung in der Geschwindigkeit einer Grenzflächenschallwelle zeigt, wobei die erste und die zweite, die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 14 und 16 in den Schallwellenvorrichtungen umfaßt sind. Diese Schallwellenvorrichtungen umfassen außerdem die piezoelektrischen Substrate 12, die IDT-Elektroden 13 und die Frequenzeinstellschichten 15. In 6 stellt L die Dicke der ersten die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 14 dar, und U stellt die Dicke der zweiten die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 16 dar.
Diese Dünnglasfilme bestehen aus dem in Tabelle 1 gezeigten Glas A. Zum Vergleich sind in 6 auch die folgenden Ergebnisse gezeigt: die Ergebnisse, die man aus der ersten und der zweiten die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 14 und 16 erhielt, die anstatt aus dem Glas A aus dem Glas X mit einer Dicke von jeweils 0,3 λ und 1,2 λ bestanden.
Wie aus 6 hervorgeht, ist bei Verwendung des Glases X die Wellengeschwindigkeit unabhängig von der Dicke der Frequenzeinstellschichten 15 gleichbleibend. Das zeigt, daß die Verwendung des Glases X nicht ausreicht, um die Frequenz einzustellen. Dagegen nimmt die Wellengeschwindigkeit bei Verwendung des Glases A mit einer Zunahme in der Dicke der Frequenzeinstellschichten 15 mit den Dünnglasfilmen darin unabhängig davon ab, ob sich die Summe der Dicken der ersten und der zweiten die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 14 und 16 auf 1,5 λ beläuft und sich das Verhältnis der Dicke jeder ersten die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 14 und derjenigen jeder zweiten die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 16 ändert. Das zeigt, daß die Frequenzeinstellung durch das Einstellen der Dicke der Frequenzeinstellschichten 15 derart erfolgen kann, daß die Frequenzen abnehmen. Falls sich die Summe der Dicken der ersten und der zweiten die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht 14 und 16 nicht auf 1,5 λ beläuft, erhält man im wesentlichen die gleichen Ergebnisse wie oben.
Deshalb ist offenkundig, daß mit der zweiten Ausführungsform sowie mit der ersten Ausführungsform eine Schallwellenvorrichtung geschaffen werden kann, die langgestreckt ist, einen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF mit einem absoluten Wert nahe bei Null und gute Frequenz-Temperatur-Eigenschaften aufweist und bei der eine Frequenzeinstellung ohne weiteres und derart vorgenommen werden kann, daß man eine gewünschte Resonanzfrequenz und/oder Mittenfrequenz erhält.
Bei der zweiten Ausführungsform wird die Grenzflächenschallwelle verwendet. Durch die Verminderung der Dicke der ersten und der zweiten die Temperaturcharakteristik verbessernden, aus SiO₂ bestehenden Schicht 14 und 16 kann bei der Schallwellenvorrichtung eine Oberflächenschallwelle genutzt werden.
Bei der ersten Ausführungsform kann bei der Schallwellenvorrichtung 1 durch die Verminderung der Dicke der die Temperaturcharakteristik verbessernden, aus SiO₂ bestehenden Schicht 4 eine Grenzflächenschallwelle genutzt werden.
Bei den obigen Ausführungsformen bestehen die die Temperaturcharakteristik verbessernden Schichten 4, 14 und 16 aus SiO₂ und können auch aus einem anderen Siliciumoxid als SiO₂ bestehen. Ein Material zur Ausbildung der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schichten 4, 14 und 16 ist nicht auf ein solches Siliciumoxid beschränkt und kann eines von Titaniumoxiden, Aluminiumoxiden und anderen Oxiden sein.
Bei der vorliegenden Erfindung weisen die piezoelektrischen Substrate einen negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF auf; daher besitzen die die Temperaturcharakteristik verbessernden Schichten einen positiven Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF und können aus verschiedenen Materialien bestehen. Die Frequenzeinstellschichten 5 und 15 weisen eine kleinere Transversalwellengeschwindigkeit als diejenige eines Materials zum Ausbilden einer von den die Temperaturcharakteristik verbessernden Schichten auf, und ein Glasmaterial zur Ausbildung der Frequenzeinstellschichten 5 oder 15 ist nicht speziell eingeschränkt.
Die aus den Gläsern A bis D bestehenden Frequenzeinstellschichten 5 und 15 besitzen vorzugsweise einen kleineren Linearausdehnungskoeffizienten als denjenigen des piezoelektrischen Substrats 2 oder 12. Durch vermindern sich in der in 2 und 6 gezeigten Weise die Schwankungen der auf Temperaturänderungen zurückzuführenden Frequenzeigenschaften, weil die Ausdehnung und die Kontraktion der auf Temperaturänderungen zurückzuführenden Frequenzeinstellschichten 5 und 15 gering sind.
7 ist eine graphische Darstellung, welche die Beziehung zwischen der Dicke der dicken Frequenzeinstellschichten 15, die in Schallwellenvorrichtungen ähnlich der Schallwellenvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform enthalten sind, und der Wellengeschwindigkeit derselben zeigt und die Bedeutung der Frequenzeinstellung beschreiben soll, um kleinere Frequenzen als eine gewünschte Frequenz zu erreichen.
In 7 stellt Punkt P1 die Wellengeschwindigkeit eines Aufbaus dar, bei dem die folgenden Bestandteile in dieser Reihenfolge auf einem piezoelektrischen Substrat 12 angeordnet sind: IDT-Elektroden 13, eine erste die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 14 mit einem SiO₂-Film mit einer Dicke von 0,2 λ und eine Frequenzeinstellschicht 15, die aus dem Glas A besteht und eine Dicke von 0,048 λ besitzt, wie das auf der horizontalen Achse in 7 eingezeichnet ist. Die Schallwellenvorrichtung weist eine kleinere Frequenz als eine gewünschte Frequenz auf, und deshalb wird die Dicke der Frequenzeinstellschicht 15 durch Wegätzen auf 0,04 λ verringert. Punkt 2 stellt die Wellengeschwindigkeit der entstandenen Schallwellenvorrichtung dar. Diese Punkte zeigen, daß die Wellengeschwindigkeit auf Grund der Verminderung der Dicke der Frequenzeinstellschicht 15 von 3100 m/s bis 3150 m/s schwanken kann.
Eine Schallwellenvorrichtung mit einer Frequenzeinstellschicht 15, der sich oben auf dieser befindet und eine Dicke von 1,3 λ aufweist, besitzt eine Wellengeschwindigkeit von etwa 3340 m/s, wie das durch Punkt P3 dargestellt ist.
Punkt P4 stellt die Wellengeschwindigkeit eines Aufbaus dar, bei dem die folgenden Bestandteile in dieser Reihenfolge auf einem piezoelektrischen Substrat 12 angeordnet sind: eine erste die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 14 mit einer Dicke von 0,2; eine Frequenzeinstellschicht, die eine Dicke von 0,048 λ aufweist und aus dem Glas A besteht und zur Frequenzeinstellung unbearbeitet ist; und eine Frequenzeinstellschicht 15 mit einem SiO₂-Film mit einer Dicke von 1,3 λ.
Eine Wellengeschwindigkeitsdifferenz, die in 7 mit einem Pfeil A angezeigt ist, korrespondiert zu dem Betrag einer eingestellten Frequenz. Mit anderen Worten wird die Wellengeschwindigkeit schließlich um den von dem Pfeil A angezeigten Betrag variiert, indem die Dicke der Frequenzeinstellschicht 15 verkleinert wird, die einen Dünnglasfilm von 0,048 λ bis 0,04 λ umfaßt, der zu dem eingestellten, durch Variieren der Dicke der Frequenzeinstellschicht 15 erzielten Frequenzbetrag korrespondiert.
Die Punkte Q1 bis Q3 stellen die Wellengeschwindigkeiten von Konstruktionen dar, die im wesentlichen mit denjenigen identisch sind, welche die durch die Punkte Q1 bis Q3 dargestellten Wellengeschwindigkeiten aufweisen, nur daß die unteren ersten die Temperaturcharakteristik verbessernden Schichten 14 eine Dicke von 0,4 λ besitzen und die oberen die Temperaturcharakteristik verbessernden Schichten 16 eine Dicke von 1‚1 λ besitzen. Punkt Q4 stellt die Wellengeschwindigkeit einer Konstruktion dar, die eine nicht dickenverminderte Frequenzeinstellschicht 15 umfaßt. Eine Wellengeschwindigkeitsdifferenz, die von einem Pfeil B in 7 angezeigt wird, korrespondiert zu dem Frequenzbetrag, der durch Variieren der Dicke der Frequenzeinstellschicht 15 eingestellt wird.
Zusammenfassung
Es wird die folgende Vorrichtung geschaffen: eine Schallwellenvorrichtung, bei der eine die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht und eine Frequenzeinstellschicht auf einem piezoelektrischen Substrat abgeschieden sind, das einen verbesserten Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF aufweist, langgestreckt ist und die gewünschten Temperaturcharakteristik sicher zustande bringen kann.
Eine Schallwellenvorrichtung 1 umfaßt ein piezoelektrisches Substrat 2, IDT-Elektroden 3, eine die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 4 und eine Frequenzeinstellschicht 5, die in dieser Reihenfolge auf dem piezoelektrischen Substrat 2 angeordnet sind. Das piezoelektrische Substrat 2 weist einen negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF auf. Die die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht besteht aus einem Material mit einem positiven Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF. Die Frequenzeinstellschicht 5 umfaßt einen Dünnglasfilm mit einer Transversalwellengeschwindigkeit, die kleiner als die Transversalwellengeschwindigkeit der die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht 4 ist.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- JP 2001-44787 [0005]

Claims

Schallwellenvorrichtung, umfassend ein piezoelektrisches Substrat, auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnete IDT-Elektroden, eine sich über das piezoelektrische Substrat und die IDT-Elektroden erstreckende die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht und eine auf der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht angeordnete Frequenzeinstellschicht, wobei das piezoelektrische Substrat aus einem piezoelektrischen Material mit einem negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF besteht, die die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht aus einem Material mit einem positiven Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF besteht und die Frequenzeinstellschicht einen Dünnglasfilm umfaßt, der eine Transversalwellengeschwindigkeit aufweist, die kleiner als die Transversalwellengeschwindigkeit der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht ist und auch einen Koeffizienten der linearen Wärmeausdehnung besitzt, der kleiner als der Koeffizient der linearen Wärmeausdehnung des piezoelektrischen Substrats ist.
Schallwellenvorrichtung, umfassend ein piezoelektrisches Substrat, auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnete IDT-Elektroden, eine erste sich über das piezoelektrische Substrat und die IDT-Elektroden erstreckende die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht, eine auf der die Temperaturcharakteristik verbessernden ersten Schicht angeordnete Frequenzeinstellschicht und eine zweite, auf der Frequenzeinstellschicht angeordnete die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht, wobei das piezoelektrische Substrat aus einem piezoelektrischen Material mit einem negativen Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF besteht, die erste und die zweite, die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht aus einem Material mit einem positiven Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF bestehen und die Frequenzeinstellschicht einen Dünnglasfilm umfaßt, der eine Transversalwellengeschwindigkeit aufweist, die kleiner als die Transversalwellengeschwindigkeit der ersten und der zweiten die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht ist und auch einen Koeffizienten der linearen Wärmeausdehnung besitzt, der kleiner ist als Koeffizient der linearen Wärmeausdehnung des piezoelektrischen Substrats.
Schallwellenvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Dünnglasfilm aus einem anorganischen Material besteht, das durch das Mischen von mindestens zwei anorganischen Oxiden hergestellt ist und eines von den mindestens zwei anorganischen Oxiden ein Siliciumoxid ist.
Schallwellenvorrichtung nach Anspruch 1, die eine Oberflächenschallwellenvorrichtung ist, bei der eine Oberflächenschallwelle verwendet wird, die sich auf dem piezoelektrischen Substrat fortpflanzt.
Schallwellenvorrichtung nach Anspruch 2, die eine Grenzflächenschallwellenvorrichtung ist, bei der eine Grenzflächenschallwelle verwendet wird, die sich entlang der Grenzfläche zwischen dem piezoelektrischen Substrat und der die Temperaturcharakteristik verbessernden Schicht fortpflanzt.
Schallwellenvorrichtung nach Anspruch 2 oder 5, wobei die die Temperaturcharakteristik verbessernde Schicht aus mindestens einer Schicht besteht, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Siliciumoxiden, Titaniumoxiden und Aluminiumoxiden besteht.