DE112006000310T5 - Vorrichtung und Verfahren zum Abwandeln eines Gegenstands - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Abwandeln eines Gegenstands, umfassend:
Positionieren eines Reaktionsmittels auf einem Werkstück;
Lenken von Energie auf das Reaktionsmittel, wobei die Energie mit dem Reaktionsmittel darauf abgestimmt ist, das Werkstück abzuwandeln.

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft generell die Änderung eines Materials mit einem relativ hohen Grad volumetrischer Genauigkeit und Positionsgenauigkeit. Genauer betrifft die vorliegende Erfindung die Entfernung und Hinzufügung von Substraten und Elementen, welche in der Halbleiterindustrie verwendet werden, wie etwa bei der Abwandlung von Halbleiterwafern und Photomasken, welche beim Photolithographieverfahren, der Herstellung von Halbleitern und Mikro- und Nanostrukturen verwendet werden. Die Erfindung kann Substratänderungen mit Maßen in dem Bereich von Nanometern oder größeren Werten erzeugen und dies bezüglich Oberflächen und Oberflächenmerkmalen mit einer Positionsgenauigkeit (X, Y und Z) von Nanometern erreichen.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Sowohl beim Abwandeln und Herstellen von Wafern, Halbleiterplättchen, Photomasken und Flachbildschirm-Anzeige/Mikroanzeigevorrichtungen für die Halbleiterindustrie und andere Industrien als auch beim Korrigieren von Defekten in Masken, welche zum Bearbeiten von Halbleitern verwendet werden, ist es manchmal notwendig, kleine Löcher und andere Formen zu erzeugen, welche relativ tief sind, verglichen mit deren Durchmesser oder Flächengröße. Ferner ist es manchmal notwendig, kleine Löcher und Formen bezüglich anderer Bauelementsmerkmale mit einer hohen Positionsgenauigkeit zu erzeugen. Im Hinblick auf Löcher sind Löcher mit einem großen Längenverhältnis schwierig zu erzeugen. Es sei bemerkt, daß das Verhältnis der Tiefe zur Breite als Längenverhältnis bezeichnet wird.
  • Versuche, die Schwierigkeit zu überwinden, welche mit Strukturen mit einem großen Längenverhältnis verbunden sind, waren relativ erfolglos. Generell wird bei diesen Lösungen jeweils Material unter Verwendung von Teilchenstrahlen, wie etwa Ionenstrahlen, Elektronenstrahlen oder Laserstrahlen, aus dem Werkstück gebohrt. Beispielsweise offenbart das US-amerikanische Patent 6,403,388 für Birdsley et al. ein Verfahren zum Verwenden von Ionenstrahlen für diesen Zweck. Derartige Strahlvorrichtungen werden ferner verwendet, um Material auf den Werkstücksoberflächen durch Einführen von Gasen in den Strahl aufzubringen. Bei dieser Lösung gibt es jedoch eindeutige Nachteile.
  • Sowohl das US-amerikanische Patent 6,827,979 und das US-amerikanische Patent 6,635,311 als auch die US-amerikanische Patentanmeldung Nr. 10/449,685, die US-amerikanische Patentanmeldung Nr. 10/442,188, die US-amerikanische Patentanmeldung Nr. 10/465,794, die US-amerikanische Patentanmeldung Nr. 10/301,843 und die US-amerikanische Patentanmeldung Nr. 10/261,663 für Mirkin et al. legen Verfahren zum Verwenden von Rastersondenmikroskopen zum Hinzufügen von Material zu Gegenständen in kleinen Maßbereichen dar. Diese Darlegungen stellen chemische Techniken als Mechanismen des Hinzufügungsvorgangs dar. Diese Darlegungen umfassen keine Aktivierung der Zusatzmaterialien durch die Verwendung elektromagnetischer Strahlen, Teilchenstrahlen oder gasförmiger Materialien. Bei der Erfindung der Anmelder führen die Verwendung und die Vorrichtung von Aktivierungsmitteln, welche durch die Anmelder in der vorliegenden Schrift beschrieben werden, im wesentlichen zu größerer Vielseitigkeit.
  • Die US-amerikanischen Patente 6,737,646 und 6,674,074 für Schwartz offenbaren das Hinzufügen von Material zu einem Gegenstand durch Beschichten einer Spitze und Auftragen dieser Beschichtung auf einen Gegenstand mit einem Atomkraftmikro skop. Die Erfindung legt ferner eine Kammer zum Aufnehmen von Gasen dar. Die Erfindung weist jedoch einen eindeutigen Nachteil im Hinblick darauf auf, daß die Beschichtung bzw. das Material an keinem Ort mit einer Energievorrichtung aktiviert wird. Durch Aufnehmen einer Energievorrichtung wird die Zeit zum Hinzufügen des Materials zu einem Gegenstand bedeutend vermindert.
  • Wenn Ionenstrahlen verwendet werden, um eine Materialentfernung zu versuchen, können sich die Ionen in dem Werkstück bzw. dem Bauelement in verschiedenen Tiefen einbetten. Infolgedessen wird das Bauelement aufgrund der Tatsache, daß die Bauelementseigenschaften durch die Anwesenheit der eingebetteten Ionen geändert werden, unbrauchbar. Die Einführung von Gasen in einen Ionenstrahl wirft gleichfalls zusätzliche Herausforderungen im Hinblick auf das Aufnehmen und die Auswahl geeigneter Gase in der Ionenkammer auf.
  • Bei Elektronenstrahlen wird das Steuern der Position des Strahls schwierig, wenn das Werkstück eine Ladung aufzubauen beginnt. Dieses Phänomen tritt auf, wenn der Elektronenstrahl auf eine nichtleitende bzw. schlecht leitende Substratoberfläche auftrifft. Infolgedessen wird die Genauigkeit dieses Verfahrens zu einem ernsten Problem für den Endverwender. Die Verwendung derartiger Strahlen kann unkontrollierte Beschädigungen verursachen, welche das Ziel-Bauelement unbrauchbar machen können. Die Einführung von Gasen in einen Elektronenstrahl wirft gleichfalls Herausforderungen im Hinblick auf das Aufnehmen und die Auswahl geeigneter Gase in der Ionenkammer auf.
  • Bei Laserlicht kann die Größe des Lochs durch die Größe des erreichbaren Fokussierungspunkts beschränkt sein. In Fällen, wobei Materialabwandlungen erreicht werden, welche kleiner als der Nennwert des Fokussierungspunkts sind, ist die Tiefe der Entfernung und daher das Längenverhältnis beschränkt. Dann wird Laserlicht lediglich zu einer Teillösung mit beschränkten Anwendungen aufgrund der Beschränkungen der Wellenlänge des fokussierten Lichtstrahls.
  • Ferner kann bei der Halbleiterverarbeitung und -bewertung ein physikalischer Zugang zu Merkmalen unter der Oberfläche benötigt werden. Ein Loch mit einem kleinen Durchmesser bzw. mit einer kleinen Flächengröße für Löcher, welche nicht rund sind, ist wünschenswert, um eine Zerstörung bzw. Beschädigung an Merkmalen des Bauelements, welche an das Loch angrenzend angeordnet sind, zu verhindern. Keine der Lösungen des Stands der Technik ist in der Lage, diese Aufgabe mit einem relativen Genauigkeits- und Präzisionsgrad zu lösen.
  • Demgemäß wird eine Technik benötigt, welche in der Lage ist, ein Werkstück, wie etwa einen Halbleiter, mit hoher Positionsgenauigkeit und volumetrischer Steuerung abzuwandeln. Ferner besteht ein Bedarf, in der Lage zu sein, den Halbleiter bzw. das Ziel-Bauelement geeignet abzuwandeln, um bedarfsgemäß Material durch den Endverwender hinzuzufügen. Ferner besteht ein Bedarf, in der Lage zu sein, veränderliche Niveaus von Materialien zu entfernen, ohne benachbarte Bereiche stark zu beeinflussen. Die Kombination von Merkmalen mit einem großen Längenverhältnis mit hoher Positionsgenauigkeit beschränkt den Einfluß auf benachbarte Bereiche.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorangehenden Bedürfnisse werden in einem hohem Maß durch die vorliegende Erfindung erfüllt, wobei gemäß einem Aspekt eine Vorrichtung geschaffen wird, welche es bei einigen Ausführungsbeispielen ermöglicht, einen Gegenstand, wie etwa ein Halbleiter-Bauelement, derart abzuwandeln, daß Material entfernt oder hinzugefügt wird. Die vorliegende Erfindung löst diese Aufgabe dadurch, daß ein Reaktionsmittel auf dem abzuwandelnden Bauelement angeordnet und das Reaktionsmittel einer Energieform ausgesetzt wird, so daß das Reaktionsmittel in der Lage ist, die Oberfläche wunschgemäß abzuwandeln. Das Reaktionsmittel wird auf Basis der Zusammensetzung des Bauelements für die gewünschte Aufgabe ausgewählt. Die Energieform der erwähnten Quelle bei den verschiedenen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann Lichtenergie, akustische Energie oder Energie in Form von Wärme sein. Alternativ kann die Energie eine Teilchenstrahlenergie sein, wie etwa bei Elektronen, Ionen oder atomaren Teilchen. Das Reaktionsmittel kann durch Einführen eines Gases in den Bereich um das Reaktionsmittel aktiviert werden.
  • Das gewählte Reaktionsmittel hängt davon ab, ob die Notwendigkeit darin besteht, Material von dem Werkstück zu entfernen, oder ob Material zu dem Werkstück hinzuzufügen ist. Die genaue Anordnung des Reaktionsmittels wird typischerweise mit einem Rastersondenmikroskop erreicht. Rastersondenmikroskope stellen eine Kategorie von Mikroskopen dar, welche eine Sondenanordnung verwenden, welche eine sehr feine Spitze an einer Sonde umfassen. Diese Sondenanordnung wird in den Richtungen X, Y und Z unter Verwendung einer sehr genauen Positionierungsvorrichtung geführt. Diese Mikroskope bedienen sich typischerweise einer besonderen Wechselwirkung zwischen der Sonde und der Oberfläche eines Werkstücks. Beispielsweise legt ein Rastertunnelmikroskop eine kleine Vorspannung zwischen der Sondenspitze und dem Werkstück an. Sodann erfaßt dieses Mikroskop die Ströme, welche zu der Spitze bzw. von dieser zu dem Werkstück fließen. Ein weiterer Typ eines Rastersondenmikroskops ist ein Rasterkraftmikroskop. Dieses Mikroskop verwendet eine sehr scharfe Spitze an der Sondenanordnung. Die Spitze ist an einem Ausleger angebracht. Ablenkungen des Auslegers, welche durch die anziehenden oder abstoßenden zwischenatomaren Kräfte verursacht werden, welche auf die Spitze wirken, werden beobachtet. Andere Typen von Rastersondenmikroskopen verwenden kapazitive oder magnetische Erfassungsmechanismen. Die hier beschriebene Erfindung weist typischerweise ein Rasterkraftmikroskop auf, jedoch können andere Typen von Rastersondenmikroskopen bei vielen der beschriebenen Ausführungsbeispiele ebensogut funktionieren.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Verfahren zum Abwandeln eines Gegenstands das Positionieren eines Reaktionsmittels auf dem Werkstück bzw. einem Gegenstand und das Lenken von Energie auf das Reaktionsmittel, wobei die Energie darauf abgestimmt ist, um das Reaktionsmittel derart zu aktivieren, daß dieses das Werkstück bzw. den Gegenstand abwandelt. Das Reaktionsmittel wird auf Basis der Zusammensetzung des Werkstücks gewählt bzw. ausgewählt. Das Werkstück kann durch Entfernen von Material oder Hinzufügen von Material abgewandelt werden.
  • Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt eine Vorrichtung zum Abwandeln eines Gegenstands ein Reaktionsmittel, welches auf dem Gegenstand positioniert wird, und eine Energievorrichtung, welche darauf abgestimmt ist, deren Ausgangsleistung auf das Reaktionsmittel zu lenken, um den Gegenstand abzuwandeln. Dieses Ausführungsbeispiel kann ferner eine Anordnung umfassen, welche darauf abgestimmt ist, das Reaktionsmittel auf dem Gegenstand zu positionieren.
  • Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Produkt, welches durch den Bearbeitungsvorgang einer Abwandlung eines Werkstücks produziert wird, das Positionieren eines Reaktionsmittels auf dem Werkstück und das Lenken einer Energiequelle auf das Reaktionsmittel, wobei die Energie gemeinsam mit dem Reaktionsmittel darauf abgestimmt ist, das Werkstück abzuwandeln. Das Werkstück wird durch Entfernen von Material oder Hinzufügen von Material abgewandelt.
  • Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung kann das Reaktionsmittel, wenn sich dieses in einem fließfähigen Zustand befindet, durch Lenken bzw. Drängen des fließfähigen Reaktionsmittels durch einen Kanal, welcher in der Anordnung von Ausleger und Spitze ausgebildet ist, zu der Oberfläche eines Werkstücks geleitet werden. Die US-amerikanischen Patente 6,337,479 und 6,353,219 für Kley, welche hiermit durch Verweis aufgenommen seien, beschreiben ein Fluidzuleitungssystem unter Verwendung eines Kanals in dem Ausleger und der Spitze eines Rasterkraftmikroskops.
  • Bestimmte Ausführungsbeispiele der Erfindung wurden relativ ausführlich umrissen, um zu erreichen, daß die genaue Beschreibung davon besser verstanden werden kann, und um zu erreichen, daß der vorliegende Beitrag zur Technik besser gewürdigt wird. Es gibt selbstverständlich weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung, welche nachfolgend beschrieben werden und welche den Gegenstand der Ansprüche bilden, welche der vorliegenden Schrift beigefügt sind.
  • Im Hinblick darauf sei vor dem genauen Erläutern mindestens eines Ausführungsbeispiels der Erfindung bemerkt, daß die Erfindung hinsichtlich der Anwendung davon nicht auf die Einzelheiten der Konstruktionen und auf die Anordnungen der Bauelemente beschränkt ist, welche in der folgenden Beschreibung dargelegt bzw. in der Zeichnung dargestellt sind. Die Erfindung ist für zusätzliche Ausführungsbeispiele zu den beschriebenen und dazu, in verschiedenen Weisen verwirklicht und ausgeführt zu werden, geeignet. Ferner sei bemerkt, daß die Phraseologie und Terminologie, welche sowohl in der vorliegenden Schrift als auch der Zusammenfassung verwendet werden, Be schreibungszwecken dienen und nicht als beschränkend aufzufassen sind.
  • Somit ist für Fachkundige zu ersehen, daß das Prinzip, auf welchem die vorliegende Offenbarung basiert, einfach als Basis für die Gestaltung weiterer Strukturen, Verfahren und Systeme zum Ausführen der verschiedenen Aufgaben der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann. Daher ist es wichtig, die Ansprüche derart aufzufassen, daß diese derartige äquivalente Konstruktionen umfassen, soweit diese nicht von dem Prinzip und dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abweichen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • 1A stellt eine Rastersondenmikroskop-Sondenanordnung mit einer Menge eines Abtragungs-Reaktionsmittels an der Sondenspitze, welche über der Oberfläche eines Ziel-Bauelements positioniert ist, dar.
  • 1B stellt eine Rastersondenmikroskop-Sondenanordnung mit einer Menge des Abtragungs-Reaktionsmittels an der Sondenspitze in der Nähe des Ziel-Bauelements dar, wobei das Reaktionsmittel die Oberfläche der Ziel-Bauelementsoberfläche benetzt.
  • 1C stellt eine Rastersondenmikroskop-Sondenanordnung mit einer Menge des Abtragungs-Reaktionsmittels an der Sondenspitze dar, wobei ein Lichtstrahl auf das Reaktionsmittel gerichtet ist.
  • 1D stellt die Ziel-Bauelements-Oberfläche mit einer Grube dar, welche das Resultat einer Aktivierung des Abtragungs-Reaktionsmittels auf der Oberfläche darstellt. Diese Aktivierung wird durch den Lichtstrahl bewirkt.
  • 2A stellt eine Rastersondenmikroskop-Sondenanordnung mit einer Menge eines Hinzufügungs-Reaktionsmittels an der Sondenspitze über der Oberfläche eines Ziel-Bauelements dar.
  • 2B stellt eine Rastersondenmikroskop-Sondenanordnung mit einer Menge des Hinzufügungs-Reaktionsmittels an der Sondenspitze in der Nähe des Ziel-Bauelements dar, wobei das Reaktionsmittel die Oberfläche der Ziel-Bauelementsoberfläche benetzt.
  • 2C stellt die Ziel-Bauelementsoberfläche mit einer Menge des Hinzufügungs-Reaktionsmittels auf der Oberfläche dar, wobei ein Lichtstrahl auf das Reaktionsmittel gerichtet ist.
  • 2D stellt die Ziel-Bauelementsoberfläche mit einem Höcker dar, welcher das Resultat einer Aktivierung des Hinzufügungs-Reaktionsmittels auf der Oberfläche darstellt. Die Aktivierung wird durch den Lichtstrahl bewirkt.
  • 3A stellt eine Rastersondenmikroskop-Sondenanordnung dar, welche eine Menge eines Reaktionsmittels aus einem Reaktionsmittelvorrat saugt.
  • 3B stellt die Sondenspitze dar, welche eine Menge des Reaktionsmittels befördert.
  • 4A stellt ein Rastersondenmikroskop dar, welches ein Reaktionsmittel auf einer Oberflächengrube aufbringt, welche von einer vorangehenden Anwendung eines Abtragungs-Reaktionsmittels herrührt.
  • 4B stellt eine elektromagnetische Quelle dar, welche einen Energiestrahl auf das Reaktionsmittel lenkt.
  • 4C stellt den resultierenden Hohlraum dar, welcher durch eine zweite bzw. nachfolgende Aufbringung des Reaktionsmittels und eine Sperrschicht aus einem Material, welches hinsichtlich des Ätzmittels nicht reaktiv ist, erzeugt wird.
  • 5A stellt ein Rastersondenmikroskop 10 dar, welches ein Hinzufügungs-Reaktionsmittel auf einer Oberflächengrube aufbringt, welche von einer vorangehenden Anwendung eines Abtragungs-Reaktionsmittels herrührt.
  • 5B stellt eine elektromagnetische Quelle dar, welche einen Energiestrahl auf das Hinzufügungs-Reaktionsmittel lenkt.
  • 5C stellt den resultierenden teilweise gefüllten Hohlraum dar, welcher durch eine Anwendung des Hinzufügungs-Reaktionsmittels auf der Oberseite einer Sperrmaterialschicht erzeugt wird.
  • 5D stellt den resultierenden gefüllten Hohlraum dar, welcher durch eine Anwendung des Hinzufügungs-Reaktionsmittels erzeugt wird.
  • 6A stellt ein mehrschichtiges Bauelement dar.
  • 6B stellt das Resultat des Ätzens eines Lochs in einem Werkstück dar, wobei das Loch mit einem nichtleitenden Rückstand gefüllt ist.
  • 6C stellt das Resultat des Ätzens eines Lochs in dem nichtleitenden Rückstand dar.
  • 6D stellt das gefüllte Loch in dem nichtleitenden Rückstand dar. Der Füllungsrückstand in dieser Darstellung ist leitfähig.
  • 7 stellt sowohl eine elektrostatische Ladung an der Spitze und dem Reaktionsmittel als auch eine entgegengesetzte elektrostatische Ladung an dem Ziel-Bauelement dar.
  • 8A stellt eine Sondenspitze dar, welche mit einem Reaktionsmittel beschichtet ist.
  • 8B stellt einen Ausleger einer Sondenanordnung dar, welcher die Sondenspitze auf eine Oberfläche des Werkstücks absenkt.
  • 8C stellt ein Reaktionsmittel dar, welches auf der Oberfläche des Werkstücks aufgebracht ist, nachdem die Sonde von der Oberfläche fort bewegt wurde.
  • 9A stellt eine Sondenspitze dar, welche mit einem Reaktionsmittel beschichtet ist, welche in eine Lösungsmittelflüssigkeit getaucht wurde.
  • 9B stellt ein zweites Tröpfchen eines Reaktionsmittels dar, welches erscheint, wenn eine beschichtete Sondenspitze mit einem ersten Tröpfchen des Lösungsmittels reagiert.
  • 10A stellt ein laserchemisches Bearbeitungssystem mit einer Sondenanordnung dar, welches Kanäle in der Sondenanordnung zur Zuleitung eines Fluids zu der Oberfläche des Werkstücks umfaßt.
  • 10B stellt die Zuleitung des Fluids aus dem Kanal zu der Oberfläche des Werkstücks dar.
  • 10C stellt eine Energiequelle dar, welche das Fluid aktiviert, nachdem dieses auf der Oberfläche des Werkstücks aufgebracht wurde.
  • 11A stellt das Anordnen mehrerer Tröpfchen eines Reaktionsmittels auf einer Werkstücksoberfläche dar.
  • 11B stellt eine Aktivierung mehrerer Tröpfchen des Reaktionsmittels auf dem Werkstück dar.
  • 11C stellt eine Form dar, welche von der Anordnung und Aktivierung von Tröpfchen auf einer Werkstücksoberfläche herrührt.
  • GENAUE BESCHREIBUNG
  • Die Erfindung wird nun unter Verweis auf die Zeichnungsfiguren beschrieben, wobei gleiche Bezugsziffern durchgehend gleiche Abschnitte bezeichnen. Ein erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel verwendet eine kleine Menge einer Flüssigkeit, wie etwa einer Chemikalie, oder ein Teilchen aus einem festen Material, welche bzw, welches als Reaktionsmittel bezeichnet wird, zum Abwandeln einer Oberfläche eines Gegenstands. Dieses Tröpfchen bzw. Teilchen wird typischerweise durch eine Sonde mit einer kleinen Spitze angeordnet.
  • Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden neuartigen Vorrichtung und des neuartigen Verfahrens ist in 1A dargestellt, welche eine Rastersondenmikroskop-Sondenanordnung darstellt, wobei sich eine Menge eines Abtragungs-Reaktionsmittels auf der Sondenspitze über der Oberfläche eines Ziel-Bauelements befindet. In dieser Figur umfaßt eine Rastersondenmikroskop-Sondenanordnung 10 einen Sondenarm 12 und eine Sondenspitze 14. Die Rastersondenmikroskop-Sondenanordnung 10 wird bei dem bevorzugten Ausführungsbei spiel verwendet, um ein Reaktionsmittel 16 präzise und genau auf einer Ziel-Bauelementsoberfläche 18 anzuordnen. Infolgedessen wird das Reaktionsmittel 16, in diesem Fall ein Abtragungs- bzw. Entfernungs-Reaktionsmittel, an der Probenspitze 14 angeordnet bzw. positioniert. Wenn dieses an der Sondenspitze 14 angeordnet ist, wird die Sondenspitze 14 mit dem anhaftenden Reaktionsmittel sodann zu dem erwünschten Ort über der Bauelementsoberfläche 18 und sodann auf diese bewegt.
  • Die Sondenspitze 10 kann dem Typ angehören, welcher bei einem Sondenmikroskop verwendet wird. Die genaue Positionierung derartiger Sonden über und an dem Werkstück kann durch Verwendung einer Sondenmikroskopvorrichtung erreicht werden. In dieser Weise wird das Reaktionsmittel 16 auf der Ziel-Bauelementsoberfläche 18 des Werkstück mit einem hohen Genauigkeitsgrad, wie etwa bis zum Nanometerbereich, bezüglich der Oberfläche bzw. Oberflächenmerkmalen angeordnet. Das Reaktionsmittel 16 kann sich bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel in dem Größenbereich von einem Quadratnanometer bis 60 Quadratnanometer oder mehr befinden.
  • 1B stellt eine Rastersondenmikroskop-Sondenanordnung 10 mit einer Menge eines Reaktionsmittels 16, welches abtragend wirkt, an der Sondenspitze 14 in der Nähe des Ziel-Bauelements dar, wobei das Reaktionsmittel die Oberfläche der Ziel-Bauelementsoberfläche 18 benetzt. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung liegt das Reaktionsmittel 16 generell in flüssiger Form vor. Es wird auf Oberflächenkräfte (nämlich Oberflächenspannung und Adhäsion) vertraut, um zu bewirken, daß das Reaktionsmittel 16 an der Sondenspitze 10 eines Rasterkraftmikroskops haftet, während das Reaktionsmittel 16 zu der Ziel-Bauelementsoberfläche 18 bzw. einem Substrat befördert wird. Wenn das Reaktionsmittel 16 ausreichend nahe an die Oberfläche 18 gebracht wurde, geht das Reaktionsmittel 16 durch Kapillarwirkung auf die O berfläche 18 über. In diesem Fall werden das Spitzenmaterial und das Reaktionsmittel 16 aus einer Gruppe von Materialien und Reaktionsmitteln ausgewählt, wobei das Spitzenmaterial hinsichtlich des Reaktionsmittels mindestens teilweise hydrophil ist. Ferner kann in diesem Fall das Substratmaterial hydrophil sein, um einen Übergang des Reaktionsmittels 16 von der Spitze 14 auf das Substrat zu erleichtern. Die Auswahl des Spitzenmaterials und des Reaktionsmittels 16 erfolgt bei diesem Ausführungsbeispiel derart, daß die Spitze 14 einer chemischen Reaktion mit dem Reaktionsmittel 16 widersteht. Bei nachfolgenden Ausführungsbeispielen werden das Spitzenmaterial und das Reaktionsmittel derart ausgewählt, das eine mäßige oder möglicherweise starke Reaktion zwischen der Spitze 14 und dem Reaktionsmittel 16 erfolgt.
  • Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, welches in den 8 und 9 dargestellt ist, kann die Sondenspitze 14 das Reaktionsmittel bzw. eine Komponente des Reaktionsmittels enthalten. Dies wird durch Beschichten der Spitze 60 vor einer Verwendung erreicht. In diesem Fall wird die Spitze bei dem Bearbeitungsvorgang höchstwahrscheinlich zu einem Verbrauchselement. Ein Übergang des Reaktionsmittels von der Spitze 60 wird durch Berühren der Oberfläche mit der beschichteten Spitze erreicht, siehe 8B, welche das Reaktionsmittel 62 (Teil der Beschichtung) positioniert, siehe 8C. Der Übergang kann ferner durch Tauchen der beschichteten Spitze in eine weitere Komponente des Reaktionsmittels oder in ein Lösungsmittel zum Auflösen eines Teils der Beschichtung erreicht werden. Dieser Bearbeitungsvorgang erleichtert den Übergang eines Reaktionsmittels 74 der beschichteten Spitze auf die Substratoberfläche. Bei diesen Ausführungsbeispielen wird wiederum elektromagnetische Energie (EM-Energie) auf das Material gelenkt, welches auf das Substrat übertragen wurde, um das übertragene Material in dessen erwünschte Endform umzuwandeln. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist es möglich, die Spitze selbst aus dem Reaktionsmittelmaterial herzustellen, anstatt eine Beschichtung anzuwenden. Es sei bemerkt, daß die 8 und 9 in der vorliegenden Schrift mit weitergehender Genauigkeit beschrieben werden.
  • Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung kann der Übergang eines Reaktionsmittels 16 auf die und von der Spitze ferner durch Erzeugen einer elektrischen Ladung an der Sondenspitze 14 und/oder dem Substrat erleichtert werden. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird das Reaktionsmittel 16 durch eine elektrostatische Kraft zu dem Substrat hingezogen, und ein aufgelöster Abschnitt der zu opfernden Spitze wird gemeinsam mit dem Reaktionsmittel auf das Substrat übertragen. In einem nachfolgenden Schritt wird die EM-Energie auf das übertragene Material gelenkt, und das übertragene Material wandelt sich zu dessen Endzustand um.
  • 1C stellt die Ziel-Bauelementsoberfläche 18 mit einer Menge eines Abtragungs-Reaktionsmittels auf der Oberfläche 18 dar, wobei ein Lichtstrahl auf das Reaktionsmittel gerichtet ist. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel umfaßt der Lichtstrahl eine elektromagnetische Quelle 20 mit einem elektromagnetischen Strahl 22, welcher davon ausgeht.
  • Um Abfallmaterial, welches als Resultat des Aktivierens des Reaktionsmittels 16 erzeugt wird, zu entfernen, kann ein gasförmiges Transportmedium 23 über die Werkstücksoberfläche 18 geleitet werden. Alternativ kann ein gasförmiges Medium 23 verwendet werden, um das Reaktionsmittel 16 mit oder ohne die Verwendung der Quelle 20 zu aktivieren.
  • Gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird nach der Anordnung des Reaktionsmittels 16 auf der Bauelementsoberfläche 18 elektromagnetische Energie (welche typischerweise von einem Laser bezogen wird) auf die Werkstücksoberfläche gelenkt, auf welcher sich das Reaktionsmittel 16 befindet. Das elektromagnetische Energieniveau wird derart festgelegt, daß die Energie ausreichend ist, um Chemikalien in dem Reaktionsmittel 16 zu aktivieren, welche bewirken, daß die Chemikalie die Oberfläche des Werkstücks ätzt, wobei eine Grube verbleibt, welche etwa die Größe des Tröpfchens bzw. Teilchens aufweist. Durch wiederholte Anwendung des Reaktionsmittels 16 und elektromagnetischer Energie kann die Grube bis zu einer vorbestimmten Tiefe bzw. einer erfaßten Tiefe ohne bedeutende Vergrößerung des Durchmessers des Oberflächenbereichs der Grube vertieft werden und somit ein Loch mit einem großen Längenverhältnis erzeugt werden. Während eines iterativen Bearbeitungsvorgangs kann es notwendig sein, die Spitze bezüglich der Oberfläche bzw. Oberflächenmerkmalen neu auszurichten. Beispielsweise kann es notwendig sein, die Tiefe des Entfernungspunkts zu bestätigen, um eine bestimmte Endtiefe zu erreichen. In diesem Fall kann die Spitze vor dem Bestätigen der Position gereinigt werden, so daß das restliche Reaktionsmittel nicht auf den Oberflächen angeordnet bzw. positioniert wird. Ein Verfahren zum Entfernen des restlichen Reaktionsmittels von der Spitze durch Reinigen ist es, die Spitze in ein Reaktionsmittel-Lösungsmittel zu tauchen, welches das Spitzenmaterial nicht wesentlich beeinflußt.
  • 1D stellt die Ziel-Bauelementsoberfläche 18 mit einer Grube 24 dar, welche das Resultat einer Aktivierung des Abtragungs-Reaktionsmittels 16, welche durch den Lichtstrahl 22 bewirkt wird, auf der Oberfläche darstellt. In diesem Fall wünschte der Verwender, Material zu entfernen, welches unbeabsichtigt auftrat oder während des Herstellungsvorgangs erzeugt wurde. Wenn das Material ein Halbleiter-Bauelement darstellte, kann dieses Material eine Fehlverbindung bilden, welche das Bauelement unbrauchbar machen kann. In vielen Fällen müßte das Halbleiter-Bauelement neu aufgebaut werden. Mit der vorliegenden Erfindung können jedoch sehr kleine bzw. winzige Merkmale an dem Halbleiter-Bauelement fixiert werden. In vielen Fällen sind die Merkmale so klein, daß es keinen anderen geeigneten Weg gibt, diese zu entfernen oder neu aufzubauen. Mit der vorliegenden Erfindung können diese Merkmale in einer wesentlich genaueren Weise und in einem Bruchteil der Zeit korrigiert werden.
  • 2A stellt eine Rastersondenmikroskop-Sondenanordnung 10 mit einer Menge eines Hinzufügungs-Reaktionsmittels 26 an der Sondenspitze 14 über der Oberfläche eines Ziel-Bauelements 18 dar. Der Bearbeitungsvorgang zum Erzeugen zusätzlichen Materials auf einem Ziel-Bauelementsmaterial ist dem einer Entfernung von Material ähnlich.
  • Nachdem sich das Hinzufügungs-Reaktionsmittel 26 an der Sondenspitze befindet, ordnet die Rastersondenmikroskop-Sondenanordnung 10 das Hinzufügungs-Reaktionsmittel 26 in der Nähe der Ziel-Bauelementsoberfläche 18 an bzw. positioniert dieses dort, wobei das Reaktionsmittel die Oberfläche des Ziel-Bauelements benetzt, wie in 2B dargestellt. Der Ort, wo das Material hinzugefügt wird, ist dem Verwender bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel vorher bekannt. Wenn der Verwender Material zu einer Oberfläche hinzuzufügen wünscht, wählt dieser das Hinzufügungs-Reaktionsmittel in Zusammenhang mit dem Problem aus, welches durch diese zu lösen versucht wird. Wenn das Hinzufügungs-Reaktionsmittel 26 ausgewählt wurde, entfernt die Rastersondenmikroskop-Sondenanordnung 10 dieses durch die Sondenspitze 14 in Verlauf von einem Ort, wie etwa von einem Behälter, zu der Ziel-Bauelementsoberfläche 18. Wenn das Spitzenmaterial teilweise mit dem Reaktionsmittel 16 reagiert, so kann sich die Spitze gleichfalls teilweise in dem Reaktionsmittel auflösen, bevor der Übergang des Reaktionsmittels auf das Substrat erfolgt. Ein Abschnitt der Spitze, der zu opfernden Spitze, kann sich in dem flüssigen Reaktionsmit tel auflösen, so daß der aufgelöste Abschnitt zum Aufbau eines Rückstands 28 beiträgt.
  • 2C stellt die Ziel-Bauelementsoberfläche 18 mit einer Menge des Hinzufügungs-Reaktionsmittels 26 auf der Oberfläche dar, wobei der Lichtstrahl auf das Reaktionsmittel 26 gerichtet ist. Wenn die Sondenspitze 14 das Hinzufügungs-Reaktionsmittel 26 auf der Ziel-Bauelementsoberfläche 18 anordnet bzw. positioniert, wird das Hinzufügungs-Reaktionsmittel 26 dem EM-Strahl 18 ausgesetzt, wodurch dieses zu reagieren beginnt und die Ausbildung zusätzlichen Materials auf der Oberfläche des Ziel-Bauelements 18 beginnt.
  • 2D stellt die Ziel-Bauelementsoberfläche 18 mit einem Höcker dar, welcher darauf ausgebildet ist. Ein Hügel aus einem Rückstand 28 wird infolge der Aktivierung des Hinzufügungs-Reaktionsmittels 26 auf der Oberfläche erzeugt, welche durch den EM-Strahl 22 bewirkt wird. Wenn der Rückstand 28 erzeugt ist, kann der Techniker zusätzliches Rückstandsmaterial erzeugen bzw. hinzufügen, wenn dies benötigt wird, oder den gesamten Rückstand 28 bzw. Abschnitte davon durch das Verfahren entfernen, welches in den 1A–1D beschrieben ist.
  • Das Tröpfchen bzw. Teilchen läßt einen Rückstand 28 auf dem Bauelement zurück, nachdem dieses durch die elektromagnetische Energie aktiviert wurde. Dieser Rückstand 28 kann als Leiter oder als Isolator wirken. Wenn das Bauelement eine Photomaske ist, kann der Rückstand als Lichtabsorptionsmittel dienen.
  • Der Quellen-EM-Strahl 22 umfaßt typischerweise einen Laser, eine nichtkohärente Lichtquelle oder gemäß einem alternativen Ausführungsbeispiel Hochfrequenz-Radiowellen. Ein Laser bzw. eine elektromagnetische Quelle, welche in einem Bereich von Wellenlängen einstellbar ist, ist bei bestimmten An wendungen wünschenswert. Mit einem derartigen Laser wird die Wellenlänge geeignet eingestellt, um das Reaktionsmittel zu einem Zustand anzuregen, wodurch dieses Material kleine Bereiche auf dem Werkstück ätzt bzw. entfernt, bzw. das Reaktionsmaterial zu einem Zustand anzuregen, welcher die Geschwindigkeit der Materialentfernung beschleunigt.
  • Es werden zwei Mechanismen verwendet, um Material von dem Bauelement zu entfernen oder auf diesem aufzubringen. Der erste, welcher das bevorzugte Ausführungsbeispiel darstellt, ist ein photothermischer Effekt. Bei diesem Mechanismus wird das Reaktionsmittel durch EM-Energie angeregt, um einen Wärmeanstieg in dem Reaktionsmittel zu bewirken. Dieser Wärmeanstieg kann bewirken, daß das Reaktionsmittel schneller ätzt. Alternativ kann sich das Reaktionsmittel bei Verwenden des photothermischen Effekts in einen festen Rückstand umwandeln, welcher als Leiter, Isolator oder als undurchsichtige Schicht wirkt. Das Niveau der EM-Energie wird geeignet ausgewählt, um das Reaktionsmittel auf ein Niveau anzuregen, welches die Geschwindigkeit der Reaktionsfähigkeit erhöht, ohne das Bauelementsmaterial zu schmelzen.
  • Die Zusammensetzung des Reaktionsmittels 16 kann derart gewählt werden, daß dieses in einen Anregungszustand übergeht, welcher ausreichend ist, um eine Entfernung von Material von dem Bauelement an einem gewählten Ort bewirkt und Material, welches den Ort umgibt, nicht beeinflußt.
  • Alternativ wird die Zusammensetzung des Reaktionsmittels 16 geeignet gewählt, um einen Rückstand aufzubringen, welcher die erwünschten Eigenschaften aufweist, und die Anregung wird wiederum geeignet ausgewählt, um das Reaktionsmittel 26 zu einem Rückstand zu reduzieren, ohne eine Änderung des Bauelementsmaterials zu bewirken.
  • Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel wird der zweite Mechanismus zum Entfernen bzw. Aufbringen von Material durch einen photochemischen Effekt verwirklicht. Bei diesem Mechanismus wird das Reaktionsmittel in einer Weise angeregt, welche bewirkt, daß sich dessen chemische Eigenschaften oder Zusammensetzung ändern. Bei einem Ausführungsbeispiel kann das Reaktionsmittel 16 durch die Energiequelle in ein alternatives Material umgewandelt werden, welches mit dem Bauelementsmaterial chemisch reagiert. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel kann das Reaktionsmittel 26 beispielsweise flüssige Formen in feste umwandeln, wobei dies durch Aktivieren eines Katalysators in der Reaktionsmittelmischung erfolgt, welche eine chemische Umwandlung des Reaktionsmittelmaterials bewirkt. In dieser Weise kann ein leitendes bzw. isolierendes Material zu dem Bauelementsmaterial hinzugefügt werden. Diese Zusammensetzungsänderung kann ferner mit einer Änderung der optischen Durchlässigkeit des Reaktionsmittels einhergehen (beispielsweise von durchsichtig zu teilweise oder vollständig undurchsichtig). Wiederum wird das Niveau der EM-Energie und/oder die Wellenlänge geeignet ausgewählt, um das Reaktionsmittel auf ein Niveau anzuregen, welches eine chemische Reaktion auslöst, ohne das Bauelementsmaterial direkt zu beeinflussen. In dem Fall, daß die EM-Energie Licht ist, kann ein einstellbarer Laser oder eine andere Quelle verwendet werden. Die Wellenlänge der einstellbaren Quelle kann sodann auf eine Wellenlänge eingestellt werden, welche bewirkt, daß die Reaktion mit einer annehmbaren Geschwindigkeit fortschreitet.
  • Durch Auswählen verschiedener Reaktionsmittel können Werkstücksmaterialien entfernt werden, ohne umgebende oder darunterliegende Werkstücksmaterialien verschiedenen Typs zu stören. Ferner kann die Auswahl der Materialien derart erfolgen, daß bestimmte Typen geschichteter Werkstücke eine Schicht aufweisen können, welche verwendet werden kann, um den Ätzvorgang aufzuhalten. Somit kann eine sogenannte „Ätz- Sperrschicht" in dem Ziel-Bauelement einen Bestandteil des Bearbeitungsvorgangs darstellen. Diese Schicht ist aus einem Material aufgebaut, welches nicht wesentlich mit der Ätzlösung bzw. einem Feststoff reagiert und daher einen Bearbeitungsvorgang ermöglicht, wodurch das Ätzmaterial gemeinsam mit der Anregungsenergie mit den ersten Schichten reagiert, auf welche der Ätzvorgang trifft, der Ätzvorgang jedoch abklingt bzw. wesentlich verlangsamt wird, wenn die Ätzsperrschicht erreicht wird.
  • Typische Materialien, welche bei der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, sind im folgenden dargelegt:
    Figure 00210001
    Figure 00220001
  • Diese Listen sind nicht allumfassend, repräsentieren jedoch Typen von Elementen, Oxiden und Metallen für Spitzen und Substrate sowie Hydroxiden, Säuren und Verbindungen für Reaktionsmittel.
  • Ein Beispiel der vorliegenden Erfindung wäre es, Material von einer Oberfläche eines Bauelements zu entfernen, wie etwa Silizium. Reaktionsmittel, für welche festgestellt wurde, daß diese eine Entfernung von Silizium bewirken, sind Kaliumhydroxid und Natriumhydroxid. Bei der vorliegenden Erfindung, wird eine Menge des Reaktionsmittels Kaliumhydroxid durch die Sondenspitze 14 einer Rastersondenmikroskopanordnung 10 aufgenommen und sodann in der erwünschten Position angeordnet. Wenn sich diese in Position befindet, wird die Menge von Kaliumhydroxid, welche auf der Oberfläche angeordnet ist, sodann der EM-Energie ausgesetzt, welche bei diesem Ausführungsbeispiel einem fokussierten Argonionenlaser mit einer Laserleistung von etwa 1,5 Watt entspricht. Wenn diese dem EM-Laser ausgesetzt ist, wird die Entfernung der Materialien durch die Sondenspitze 14 im wesentlichen auf den Ort des Kaliumhydroxids beschränkt.
  • Es wurde festgestellt, daß Natriumnitrat generell als wirksames Entfernungs-Reaktionsmittel für Metalle dient. Phosphorsäure, Schwefelsäure und Kaliumhydroxid dienen als wirksames Entfernungs-Reaktionsmittel für Edelstahl und Titan.
  • 3A stellt eine Rastersondenmikroskop-Sondenanordnung 10 dar, welche eine Menge eines Reaktionsmittels aus einem Reaktionsmittelvorrat 30 saugt, welches in einem Reaktionsmittelbehälter 32 aufbewahrt wird. 3B stellt die Sondenspitze 14 dar, welche eine Menge des Reaktionsmittels trägt. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel werden Oberflächenkräfte verwendet, um zu bewirken, daß das Reaktionsmittel aus dem Reaktionsmittelbehälter 32 an der Sondenspitze 14 einer Rastersondenmikroskopanordnung 10 haftet, während das Reaktionsmittel 16 zu der Ziel-Bauelementsoberfläche 18 bzw. dem Substrat befördert wird. Das Spitzenmaterial und das Reaktionsmittel 16 werden aus einer Gruppe von Materialien und Reaktionsmitteln ausgewählt, wobei das Spitzenmaterial hinsichtlich des Reaktionsmittels mindestens teilweise hydrophil ist. Ferner kann das Substratmaterial hydrophil sein, um einen Übergang des Reaktionsmittels von der Spitze auf das Substrat zu erleichtern.
  • Die Spitze 14 kann mit einem hydrophoben Isolator 33 beschichtet werden und immer noch in der Lage sein, das Reaktionsmittel 30 anzuziehen. Bei diesem Verfahren kann die Spitze 14 entegegengesetzt zu einer Ladung, welche in dem Reaktionsmittel 30 angeordnet wird, geladen werden. Wenn die Ladungsdifferenz ausreichend groß ist, wird das Reaktionsmittel 30 mit einer ausreichenden Kraft zu der Spitze 14 hin angezogen, so daß Kohäsions- und Gravitationskräfte überwunden werden. Das Reaktionsmittel 30 kann sodann zu dem Werkstück 18 befördert werden. Der Isolator 33 verhindert einen Ladungsverlust zwischen dem Reaktionsmittel 30 und der Spitze 14. Wenn die Spitze 14 dicht an das Werkstück 18 gebracht wird, gleicht sich die Ladungsdifferenz zwischen dem Reaktionsmittel 30 und dem Werkstück 18 aus, und die hydrophobe Natur des Isolators treibt das Reaktionsmittel 30 zu dem Werkstück 18. Das Reakti onsmittel 30 kann bei diesem Ausführungsbeispiel ein Feststoff oder eine Flüssigkeit sein.
  • Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel wird die Spitze 14 mit dem Reaktionsmittel bzw. einer Komponente eines Reaktionsmittels 34 beschichtet oder wird aus einem Reaktionsmittelmaterial hergestellt. Das Reaktionsmittel 34 kann dann durch einen direkten Kontakt der Spitze 14 mit der Bauelementsoberfläche, wie in 8C dargestellt, auf die Oberfläche 35 übertragen werden. Die Spitze 14 kann ferner in einer ähnlichen Weise wie für die Übertragung eines flüssigen Reaktionsmittels beschrieben in eine Flüssigkeit getaucht werden, um die Reaktionsmittelmischung zu vervollständigen oder die Übertragung des Reaktionsmittels zu unterstützen. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird ein Abschnitt der Spitzenbeschichtung mit dem Reaktionsmittel 34 in der Flüssigkeit aufgelöst, wie in 9A dargestellt, und das resultierende Reaktionsmittel auf das Substrat übertragen. Bei diesem Ausführungsbeispiel muß die Spitze häufiger ersetzt werden, um das Reaktionsmittel 34 wirksam zu übertragen.
  • Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel der Erfindung kann die Übertragung des Reaktionsmittels 16 auf die und von der Spitze ferner durch Erzeugen einer elektrischen Ladung an der Spitze und/oder dem Substrat erleichtert werden. Ferner wird bei diesem Ausführungsbeispiel ein Abschnitt der zu opfernden Spitze auf das Substrat übertragen. Nachfolgend wird die EM-Energie auf das übertragene Material gelenkt, und das übertragene Material wandelt sich zu dessen Endzustand um.
  • 4A stellt eine Rastersondenmikroskopanordnung 10 dar, wobei die Sondenspitze 14 das Abtragungs-Reaktionsmittel 36 auf einer Oberfläche aufbringt. In dieser Figur wird das Reaktionsmittel 36 in einer Grube 37 aufgebracht, welche zuvor mit einer vorangehenden Anwendung des Reaktionsmittels 34 er zeugt wurde. 4A umfaßt ein Ziel-Bauelement 38, welches mehrere Schichten verschiedener Materialien umfaßt. Diese mehreren Schichten umfassen eine erste Bauelementsschicht 40 und eine zweite Bauelementsschicht 42.
  • Die Grube in dem Material 37, welche in 4A dargestellt ist, kann ferner vor dem Verwenden des Reaktionsmittel-Bearbeitungsvorgangs für eine weitere Materialentfernung durch ein alternatives Verfahren erzeugt worden sein. Beispielsweise kann die Grube 37 während der Bearbeitungsvorgänge, welche verwendet wurden, um das Bauelement herzustellen, erzeugt worden sein. Die Grube 37 kann ferner mit der Rastersondenspitze 14 durch einen direkten Kontakt der Spitze mit der Oberfläche erzeugt worden sein. Weitere Hilfsmittel zum Erzeugen der Grube 37 bzw. der Aushöhlung umfassen die Verwendung eines Ionenstrahls oder Laserstrahls. Die vordefinierte Grube kann verwendet werden, um das Führen des Reaktionsmittels zu dem idealen Ort während der Anordnung zu unterstützen. Der Ort kann ferner das Beschränken des Reaktionsmittels auf den erwünschten Ort während des Entfernungs- bzw. Hinzufügungsvorgangs unterstützen. Ferner können Gruben, welche bei der Herstellung des Bauelements vordefiniert wurden, eine hohe Positionsgenauigkeit bezüglich anderer nicht zugänglicher Strukturen in dem Bauelement aufweisen.
  • Die wiederholte Anwendung des Abtragungs-Reaktionsmittels 36 in 34 erfolgt, um eine klare Verbindung mit der Bauelementsschicht zwei 42 zu erreichen. Aufgrund der Dicke der ersten Bauelementsschicht 40 werden mehrere Anwendungen des Abtragungs-Reaktionsmittels 36 benötigt, um dieses Ziel zu erreichen.
  • Ähnlich wie in den 1A bis 1D werden, wenn das Abtragungs-Reaktionsmittel 36 auf der Oberfläche positioniert ist, wobei dies in dieser Figur der Grubenerzeugung ent spricht, die EM-Energie und der resultierende Strahl 22 auf das Abtragungs-Reaktionsmittel 36 fokussiert, wie in 4B dargestellt, um zusätzliches Material von der ersten Bauelementsschicht 40 zu entfernen.
  • 4C stellt den resultierenden Hohlraum 44 dar, welcher durch die wiederholte Anwendung des Abtragungs-Reaktionsmittels erzeugt wurde. Ferner sei bemerkt, daß aufgrund der verschiedenen Materialien in den Bauelementsschichten die zweite Bauelementsschicht 42 eine Sperrschicht aus einem Material ist, welches hinsichtlich des Ätzmittels nicht reaktionsfähig ist. Anders ausgedrückt, übt das Reaktionsmittel, welches für die erste Bauelementsschicht 40 ausgewählt wird, nicht die gleiche Wirkung des Ätzens bzw. Entfernens von Material auf die zweite Bauelementsschicht 42 aus.
  • 5A stellt eine Rastersondenmikroskopanordnung 10 dar, welche ein Reaktionsmittel in einer Oberflächengrube 48 positioniert. Bei diesem Ausführungsbeispiel versucht der Techniker, zusätzliche Materie auf einer Oberfläche zu erzeugen, welche von einer vorangehenden Anwendung eines Abtragungs-Reaktionsmittels 16 herrührt.
  • 5A entspricht dem Ziel-Bauelement 38, wie in den 4A–4C genau dargestellt. Wie zuvor genau dargestellt, umfaßt das Ziel eine erste Bauelementsschicht 40 und eine zweite Bauelementsschicht 42. Wenn das Material entfernt wurde, wie in den 4A–4C genau dargestellt, muß der Techniker nun die Verbindung vollenden.
  • 5B stellt eine elektromagnetische Quelle dar, welche einen Energiestrahl 22 auf das Hinzufügungs-Reaktionsmittel 50 lenkt. Dadurch, daß das Hinzufügungs-Reaktionsmittel 50 dem Strahl 22 ausgesetzt wird, wird eine schnellere chemische Reaktion des Hinzufügungs-Reaktionsmittels 50 mit der Zieloberfläche bewirkt.
  • 5C stellt die Resultate des Strahls auf das Hinzufügungs-Reaktionsmittel 50 genau dar. Der Strahl bewirkte, daß das Reaktionsmittel einen Rückstand 52 erzeugte, welcher den Hohlraum 54 teilweise füllt. Eine Materialschicht wird nun durch Anwendung des Hinzufügungs-Reaktionsmittels 50 auf der Oberseite einer Sperrmaterialschicht 55 erzeugt.
  • 5D stellt den resultierenden gefüllten Hohlraum 54 dar, welcher durch die Anwendung des Hinzufügungs-Reaktionsmittels 50 erzeugt wurde. Bei diesem speziellen Beispiel kann das Hinzufügungs-Reaktionsmittel 50 eine Verbindung zu einer weiteren Formation auf dem Ziel-Bauelement erzeugen. Beispielsweise kann, wenn das Ziel-Bauelement ein Halbleiter ist, das Füllen des Hohlraums 54 mit dem Hinzufügungs-Reaktionsmittel 50 der Verbindung eines Transistors mit einem anderen Transistor entsprechen.
  • Wie aus der vorliegenden Erfindung zu ersehen ist, gibt es endlose Mengen von Reparaturen bzw. Korrekturen, welche an einem Bauelement vorgenommen werden können. Eine derartige Verbindung herzustellen, wie die in 5D genau dargestellte, erfordert generell die vollständige Herstellung eines neuen Bauelements. Mit der vorliegenden Erfindung kann eine Firma das Bauelement durch einfaches Abwandeln der Oberfläche mit den in der vorliegenden Schrift offenbarten Techniken wiederverwenden bzw. aufbereiten.
  • 6A stellt eine mehrschichtige Vorrichtung dar. In dieser Figur sind vier Schichten vorhanden, eine erste Bauelementsschicht 40, eine zweite Bauelementsschicht 42, eine dritte Bauelementsschicht 56 und eine vierte Bauelementsschicht 58. Die vier Schichten 40, 42, 56, 58 sind jeweils aus Siliziumdioxid (SiO2), Silizium (Si), Siliziumdioxid (SiO2) und Silizium (Si).
  • 6B stellt ein Loch 59 dar, welches durch jede der ersten drei Schichten 40, 42, 56 hindurch erzeugt wurde. Das Loch 59 ist mit einem nichtleitenden Stopfen 60 gefüllt dargestellt. Um eine Durchgangsweg durch die erste Bauelementsschicht 40 zu erzeugen, wird ein Reaktionsmittel, wie etwa gepufferte Flußsäure, durch die Rastersondenmikroskopanordnung 10 auf der Schicht angeordnet. Wenn diese angeordnet ist, wird ein Strahl 22 auf das Reaktionsmittel fokussiert, um eine Ätzung bzw. Entfernung des Siliziumdioxidmaterials zu bewirken.
  • Das gepufferte Flußsäure-Reaktionsmittel ist nicht notwendigerweise an der zweiten Bauelementsschicht 42 aus Silizium wirksam. Daher wirkt diese Schicht als Sperrschicht und verhindert, daß sich das Ätzmittel in die zweite Bauelementsschicht 42 eingräbt bzw. hineinätzt.
  • Wenn die zweite Bauelementsschicht 42 als Sperrschicht wirkt, so wird ein anderes Reaktionsmittel gewählt, um den Ätzvorgang durch das Bauelement hindurch fortzusetzen. Für die zweite Bauelementsschicht 42, welche aus Si ist, ist ein Reaktionsmittel, welches beim Entfernen der Materialien wirksam ist, Natriumhydroxid. Wie bei der ersten Bauelementsschicht wird das Reaktionsmittel einem Strahl 22 ausgesetzt, um das Material zu entfernen. Dieser Bearbeitungsvorgang wird fortgesetzt, bis das notwendige Material entfernt ist, um die dritte Bauelementsschicht 56 zu erreichen, welche aus Siliziumdioxid ist. Um das Material der dritten Bauelementsschicht 56 zu entfernen, wird der Bearbeitungsvorgang wie bei der ersten Bauelementsschicht 40 mit gepufferter Flußsäure als Entfernungs-Reaktionsmittel für das Siliziumdioxid wiederholt.
  • Wenn das notwendige Material durch sämtliche Schichten hindurch entfernt ist, wird ein Reaktionsmittel hinzugefügt, um einen nichtleitenden Rückstand 60 zu erzeugen. Der nichtleitende Stopfen 60 in 6B wird erzeugt, um einen Isolator für einen nachfolgend erzeugten leitenden Stopfen herzustellen.
  • 6C stellt den nächsten Schritt dar, in welchem in dem nichtleitende Stopfen 60 ferner ein Loch geöffnet wird, welches einen Durchgang zu der vierten Bauelementsschicht 58 herstellt. Wie in dieser Figur zu sehen, ist die Schicht 42 nun gegen die Schicht 58 isoliert.
  • 6D stellt dar, daß das Loch, welches in dem Isolator 60 erzeugt wurde, mit einem leitfähigen Rückstand 61 gefüllt ist. Die Vorrichtung zum Erzeugen des Rückstands ist der, welche im Hinblick auf die 5A–5D genau dargestellt wurde, ähnlich. Die Verbindung bildet in dieser Figur eine direkte Verbindung von der vierten Bauelementsschicht 58 aus Silizium durch die dritte Bauelementsschicht 52, die zweite Bauelementsschicht zwei 42 und die Bauelementsschicht eins 40 hindurch. Der Rückstand 61 wird sodann auf der gesamten oberen Oberfläche der ersten Bauelementsschicht 40 und auf deren beabsichtigten Verbindungen angeordnet.
  • 7 stellt dar, daß eine entgegengesetzte Ladung an der Spitze 14 mit dem Reaktionsmittel 26 und dem Substrat 18 angeordnet werden kann. Dies bewirkt, daß das Reaktionsmittel 26 zu dem Substrat 18 hin angezogen wird. Nach der Anordnung einer Ladung an der Spitze 14 und dem Werkstück 18 wird die Sonde 10 mit dem Reaktionsmittel 26 zu dem Werkstück 18 hin bewegt. Wenn die Entfernung zwischen dem Reaktionsmittel 26 und dem Werkstück 18 ausreichend klein ist, werden die Coulomb-Kräfte größer als die Oberflächenkräfte, welche das Reaktionsmittel 26 an der Spitze 14 halten. Bei dieser Entfernung trennt sich das Reaktionsmittel 26 von der Spitze 14 und bewegt sich zu dem Werkstück 18.
  • 8A stellt eine reaktionsfähige Beschichtung 62 an der Sondenspitze 14 dar, welche ein Bestandteil der Sondenanordnung 10 ist. Diese Figur stellt die Sondenanordnung 10 dar, bevor diese zu der Werkstücksoberfläche 18 gebracht wurde.
  • 8B stellt die Sondenspitze 14 mit der reaktionsfähigen Beschichtung 62 dar. Ferner stellt diese Figur den Ausleger 10 dar, welcher die Spitze 14 auf die Werkstücksoberfläche 18 absenkt.
  • 8C stellt den Fall dar, wenn die Sondenspitze 14 von der Werkstücksoberfläche 18 abgehoben wird. Wie die Figur darstellt, verbleibt eine Menge einer Beschichtung 63 auf der Oberfläche 18, wenn die Sondenspitze 14 entfernt wurde. Dieser Rest der Beschichtung 63 wird zu dem Reaktionsmittel, welches nachfolgend aktiviert wird.
  • 9A stellt die beschichtete Spitze 14 dar, welche ferner eine kleine Menge bzw. ein Tröpfchen eines Reaktionsmittels 16 umfaßt. Bei diesem Ausführungsbeispiel reagierte das Reaktionsmittel 16 mit der Beschichtung 62, um ein zweites Reaktionsmittel 64 zu bilden, wie in 9B dargestellt. Diese Mischung erfolgt, wenn das Tröpfchen von der Reaktionsmittelquelle zu der Oberfläche befördert wird.
  • Während der Beförderung des Reaktionsmittels enthält dieses zweite Reaktionsmittel in den meisten Fällen aufgelöste Teile der Beschichtung 62. Wenn diese zu dem erwünschten Bereich befördert wurden, wird das zweite Reaktionsmittel 64 auf der Werkstücksoberfläche 18 angeordnet bzw. positioniert.
  • 10A stellt eine Sondenanordnung 65 dar, welche einen Ausleger 66 und eine Spitze 68 umfaßt, wobei der Ausleger 66 und die Spitze 68 einen inneren Kanal 70 aufweisen. Der innere Kanal 66 ist in dieser Figur durch Strichlinien dargestellt.
  • Der Kanal 70 leitet ein flüssiges Reaktionsmittel 72, wie in 10B dargestellt, in Vorbereitung für eine Zuleitung des flüssigen Reaktionsmittels 72 zu der Werkstücksoberfläche 18 durch den Kanal 70 zu der Spitze 68. Wie in 10C dargestellt, aktiviert der Laser 20 den Tropfen des flüssigen Reaktionsmittels 72, nachdem das Reaktionsmittel 72 auf der Werkstücksoberfläche 18 angeordnet wurde. Abhängig von dem ausgewählten Typ des Reaktionsmittels 72 wird ein Abschnitt des Werkstücks 18 entfernt, oder es verbleibt ein Rückstand auf dem Werkstück 18, wie in den 1A–1D und 2A–2D dargestellt.
  • 11A ist eine Draufsicht eines Substrats. Diese Figur stellt dar, wie bestimmte Formen gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erzeugt werden. Genauer stellt diese Figur die Erzeugung eines ungefähr quadratischen Hohlraums in der Oberfläche des Werkstücks 18 dar. Eine Anzahl von Tröpfchen des Reaktionsmittels 16 wird mittels einer Spitze (nicht dargestellt) auf dem Werkstück angeordnet. Eine elektromagnetische Quelle 20, wie in 11B genau dargestellt, kann die Tröpfchen einzeln oder alle gemeinsam aktivieren, wenn der Durchmesser des Strahls 22 groß genug ist, um sämtliche Tröpfchen zu umfassen. Wenn die Reaktionsmitteltröpfchen 16 die ausreichende Viskosität aufweisen, so sind Oberflächenkräfte nicht ausreichend, um diese zusammenzuziehen, und diese können alle auf dem Werkstück 18 angeordnet werden. Die Reaktionsmitteltröpfchen 16 können sodann alle auf einmal durch den Laserstrahl 22 aktiviert werden. Wiederum kann, wenn das Reaktionsmittel 16 eine Viskosität aufweist, dann anstatt des Anordnens des Reaktionsmittels 16 in der Form von Tröpfchen das Reaktionsmittel 16 zu Linien mit verschiedenen Formen ausgezogen werden. Derartige wiederholte Anwendungen des Reaktionsmittels 16, wie in der vorliegenden Schrift beschrieben, erzeugen gemeinsam mit wiederholten Anwendungen des Strahls 22 eine Hohlraumform, wie in 11C genau dargestellt, mit Wänden mit einem großen Längenverhältnis von beliebiger Tiefe in dem Werkstück 18.
  • Wie zu ersehen ist, kann eine breite Vielfalt näherungsweiser Formen erzeugt werden, wie etwa Rechtecke. Die Erzeugung komplexerer Formen kann gleichfalls unter Verwendung von Kombinationen großer und kleiner Rechtecke, Quadrate, Kreise und Linien erreicht werden. Komplexe Formen können ferner sowohl hinsichtlich der Tiefe als auch der seitlichen Ausdehnungen erzeugt werden. Durch Ausweitung können komplexe Hinzufügungsformen durch die Verwendung der zuvor beschriebenen Hinzufügungs-Reaktionsmittel sowohl hinsichtlich der Höhe als auch seitlich erzeugt werden. Ferner kann durch Ausweitung eine Anordnung ungefähr kreisförmiger Löcher bzw. Formen, welche mit Genauigkeit relativ zueinander bzw. mit Genauigkeit bezüglich anderer Merkmale an dem Werkstück 18 angeordnet sind, erzeugt werden. Wiederum kann das Reaktionsmittel, welches die Anordnung erzeugt, an einzelnen Orten nacheinander aktiviert werden, oder es kann, wenn der fokussierte Lichtfleck genügend groß gemacht wird, das Reaktionsmittel an mehreren Orten gleichzeitig aktiviert werden.
  • Die vielen Merkmale und Vorteile der Erfindung sind aus der genauen Beschreibung ersichtlich, und somit sollen die beigefügten Ansprüche sämtliche derartigen Merkmale und Vorteile der Erfindung umfassen, welche dem eigentlichen Prinzip und Schutzumfang der Erfindung entsprechen. Ferner ist es aufgrund der Tatsache, daß zahlreiche Abwandlungen und Änderungen für Fachkundige einfach zu ersehen sind, nicht erwünscht, die Erfindung auf die genaue Konstruktion und die Arbeitsweise zu beschränken, welche dargestellt und beschrieben sind, und demgemäß können sämtliche geeigneten Abwandlungen und Äquivalente als unter den Schutzumfang der Erfindung fallend zugeordnet werden.
  • Zusammenfassung: Ein Verfahren und eine Vorrichtung umfassen das Positionieren eines Reaktionsmittels auf einer Oberfläche an einem bestimmten Ort und sodann das Lenken einer Energiequelle von einer Vorrichtung auf das Reaktionsmittel, so daß dieses die Oberfläche geeignet abwandelt, um Material zu entfernen oder Material hinzuzufügen.

Claims (77)

  1. Verfahren zum Abwandeln eines Gegenstands, umfassend: Positionieren eines Reaktionsmittels auf einem Werkstück; Lenken von Energie auf das Reaktionsmittel, wobei die Energie mit dem Reaktionsmittel darauf abgestimmt ist, das Werkstück abzuwandeln.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Werkstück durch Entfernen von Material abgewandelt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Werkstück durch Hinzufügen von Material abgewandelt wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Werkstück ein einschichtiger Gegenstand ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei das Werkstück mindestens zwei Schichten umfaßt.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend das Auswählen eines Reaktionsmittels auf Basis des Werkstücks.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, ferner umfassend das Auswählen eines Reaktionsmittels zum Entfernen von Material von dem Werkstück.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, ferner umfassend das Auswählen eines Reaktionsmittels zum Aufbringen von Material auf dem Werkstück.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Reaktionsmittel mit einem Rastersondenmikroskop positioniert wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei eine Sondenspitze des Rastersondenmikroskops das Reaktionsmittel positioniert.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, ferner umfassend das Auswählen eines Spitzenmaterials auf Basis des Reaktionsmittels.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Reaktionsmittel derart ausgewählt wird, daß die Spitze nicht mit dem Reaktionsmittel reagiert.
  13. Verfahren nach Anspruch 11, ferner umfassend das Auswählen eines Spitzenmaterials auf Basis des Reaktionsmittels derart, daß die Spitze mit dem Reaktionsmittel reagiert.
  14. Verfahren nach Anspruch 9, wobei eine Sondenspitze des Rastersondenmikroskops aus dem Reaktionsmittel aufgebaut ist.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei ein Abschnitt der Sondenspitze auf dem Werkstück aufgebracht wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Sondenspitze mit dem Reaktionsmittel vorbeschichtet wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend das Rückgewinnen des Reaktionsmittels aus einem Behälter mit einem Rastersondenmikroskop.
  18. Verfahren nach Anspruch 11, ferner umfassend das Anordnen des Reaktionsmittels auf dem Werkstück mit dem Rastersondenmikroskop.
  19. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Werkstück ein Halbleiter-Bauelement ist.
  20. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das hinzugefügte Material ein Leiter ist.
  21. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das hinzugefügte Material ein Isolator ist.
  22. Verfahren nach Anspruch 3, ferner umfassend das Verbinden des hinzugefügten Materials mit einem anderen Bereich auf dem Werkstück.
  23. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Reaktionsmittel durch einen hydrophilen Bearbeitungsvorgang rückgewonnen wird.
  24. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Reaktionsmittel durch einen Bearbeitungsvorgang auf Basis einer elektrostatischen Ladung rückgewonnen wird.
  25. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Reaktionsmittel durch einen elektrostatischen Bearbeitungsvorgang auf dem Werkstück positioniert wird.
  26. Verfahren nach Anspruch 1, wobei eine Öffnung in einem mehrschichtigen Bauelement erzeugt wird, ferner umfassend die Schritte des Erzeugens eines isolierenden Stopfens, des Erzeugens einer Öffnung in dem isolierenden Stopfen und des Erzeugens eines leitfähigen Stopfens in dem isolierenden Stopfen.
  27. Verfahren nach Anspruch 9, wobei das Rastersondenmikroskop den Endpunkt des Bearbeitungsvorgangs bestimmt.
  28. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Reaktionsmittel durch eine Sondenanordnung zugeleitet wird, welche einen Fluidzuleitungskanal umfaßt.
  29. Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend den Schritt des Entfernens von Abfallmaterial durch eine Abfallmaterial-Entfernungseinrichtung.
  30. Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend die Schritte des Anordnens eines Reaktionsmittels an mehreren Stellen, um speziell geformte Merkmale zu erzeugen.
  31. Vorrichtung zum Abwandeln eines Gegenstands, umfassend: ein Reaktionsmittel, welches auf dem Gegenstand angeordnet wird; und eine Energievorrichtung, welche darauf abgestimmt ist, deren Ausgangsleistung auf das Reaktionsmittel zu lenken, um den Gegenstand abzuwandeln.
  32. Vorrichtung nach Anspruch 31, ferner umfassend eine Anordnung, welche darauf abgestimmt ist, das Reaktionsmittel auf dem Gegenstand zu positionieren.
  33. Vorrichtung nach Anspruch 32, wobei die Vorrichtung ein Rastersondenmikroskop ist.
  34. Vorrichtung nach Anspruch 33, wobei das Reaktionsmittel mit einer Sondenspitze des Rastersondenmikroskops positioniert wird.
  35. Vorrichtung nach Anspruch 34, wobei das Reaktionsmittel durch einen hydrophilen Bearbeitungsvorgang an der Sondenspitze angeordnet wird.
  36. Vorrichtung nach Anspruch 31, wobei die Energievorrichtung eine elektromagnetische Vorrichtung ist.
  37. Vorrichtung nach Anspruch 31, wobei die Energievorrichtung ein Laser ist.
  38. Vorrichtung nach Anspruch 31, wobei die Energievorrichtung darauf abgestimmt ist, Hochfrequenzwellen auf das Werkstück zu lenken.
  39. Vorrichtung nach Anspruch 31, wobei der Gegenstand ein einschichtiges Bauelement ist.
  40. Vorrichtung nach Anspruch 31, wobei der Gegenstand mindestens zwei Schichten umfaßt.
  41. Vorrichtung nach Anspruch 31, wobei der Gegenstand ein Halbleiter-Bauelement ist.
  42. Vorrichtung nach Anspruch 31, wobei das Reaktionsmittel darauf abgestimmt ist, Material von dem Gegenstand zu entfernen.
  43. Vorrichtung nach Anspruch 31, wobei das Reaktionsmittel darauf abgestimmt ist, Material zu dem Gegenstand hinzuzufügen.
  44. Vorrichtung nach Anspruch 43, wobei das hinzugefügte Material ein Leiter ist.
  45. Vorrichtung nach Anspruch 43, wobei das hinzugefügte Material ein Isolator ist.
  46. Vorrichtung nach Anspruch 31, wobei das Reaktionsmittel auf Basis des Gegenstands ausgewählt wird.
  47. Vorrichtung nach Anspruch 40, wobei eine der mindestens zwei Schichten darauf abgestimmt ist, als Sperrschicht zu wirken.
  48. Vorrichtung nach Anspruch 40, wobei das Reaktionsmittel darauf abgestimmt ist, Material von mindestens einer der zwei Schichten zu entfernen und nicht mit der zweiten der mindestens zwei Schichten zu reagieren.
  49. Vorrichtung nach Anspruch 31, wobei die Energievorrichtung darauf abgestimmt ist, eine Reaktionszeit des Reaktionsmittels hinsichtlich des Gegenstands zu verlängern.
  50. Vorrichtung nach Anspruch 34, wobei das Reaktionsmittel durch einen elektrostatischen Bearbeitungsvorgang auf der Sondenspitze angeordnet wird.
  51. Vorrichtung nach Anspruch 37, wobei das hinzugefügte Material mit einem anderen Abschnitt des Gegenstands verbunden wird.
  52. Vorrichtung nach Anspruch 31, ferner umfassend eine Sondenanordnung und einen Fluidzuleitungskanal.
  53. Vorrichtung nach Anspruch 31, ferner umfassend eine Abfallmaterial-Entfernungseinrichtung.
  54. Vorrichtung nach Anspruch 31, ferner umfassend die Schritte des Anordnens eines Reaktionsmittels an mehreren Orten, um speziell geformte Merkmale zu erzeugen.
  55. Produkt, welches durch den Bearbeitungsvorgang des Abwandelns eines Werkstücks produziert wird, umfassend: Positionieren eines Reaktionsmittels auf dem Werkstück; Lenken von Energie auf das Reaktionsmittel, wobei die Energie darauf abgestimmt ist, das Werkstück abzuwandeln.
  56. Produkt, welches durch den Bearbeitungsvorgang nach Anspruch 55 produziert wird, wobei das Werkstück durch Entfernen von Material abgewandelt wird.
  57. Produkt, welches durch den Bearbeitungsvorgang nach Anspruch 55 produziert wird, wobei das Werkstück durch Hinzufügen von Material abgewandelt wird.
  58. Produkt, welches durch den Bearbeitungsvorgang nach Anspruch 55 produziert wird, wobei das Werkstück ein einschichtiger Gegenstand ist.
  59. Produkt, welches durch den Bearbeitungsvorgang nach Anspruch 55 produziert wird, wobei das Werkstück mindestens zwei Schichten umfaßt.
  60. Produkt, welches durch den Bearbeitungsvorgang nach Anspruch 55 produziert wird, ferner umfassend das Auswählen eines Reaktionsmittels auf Basis des Werkstücks.
  61. Produkt, welches durch den Bearbeitungsvorgang nach Anspruch 55 produziert wird, ferner umfassend das Auswählen eines Reaktionsmittels zum Entfernen von Material von dem Werkstück.
  62. Produkt, welches durch den Bearbeitungsvorgang nach Anspruch 55 produziert wird, ferner umfassend das Auswählen eines Reaktionsmittels zum Aufbringen von Material auf dem Reaktionsmittel.
  63. Produkt, welches durch den Bearbeitungsvorgang nach Anspruch 55 produziert wird, wobei das Reaktionsmittel durch ein Rastersondenmikroskop positioniert wird.
  64. Produkt, welches durch den Bearbeitungsvorgang nach Anspruch 63 produziert wird, wobei eine Sondenspitze des Rastersondenmikroskops das Reaktionsmittel positioniert.
  65. Produkt, welches durch den Bearbeitungsvorgang nach Anspruch 64 produziert wird, wobei das Reaktionsmittel durch eine Sondenanordnung mit einem Fluidzuleitungskanal zugeleitet wird.
  66. Produkt, welches durch den Bearbeitungsvorgang nach Anspruch 55 produziert wird, ferner umfassend das Entfernen von Abfallmaterial von dem Werkstück.
  67. Produkt, welches durch den Bearbeitungsvorgang nach Anspruch 55 produziert wird, ferner umfassend das Anordnen des Reaktionsmittels an mehreren Orten, um speziell geformte Merkmale zu erzeugen.
  68. System zum Abwandeln eines Gegenstands, umfassend: eine Einrichtung zum Ändern des Gegenstands, wobei die Einrichtung zum Ändern darauf abgestimmt ist, auf dem Gegenstand positioniert zu werden; und eine Einrichtung zum Aktivieren der Einrichtung zum Ändern, wobei die Einrichtung zum Aktivieren auf die Einrichtung zum Ändern gerichtet wird.
  69. System nach Anspruch 68, wobei die Einrichtung zum Ändern mit einer Einrichtung zum Positionieren auf dem Gegenstand positioniert wird.
  70. System nach Anspruch 68, wobei die Einrichtung zum Ändern ein chemisches Reaktionsmittel ist.
  71. System nach Anspruch 68, wobei die Einrichtung zum Aktivieren eine Energiequelle ist.
  72. System nach Anspruch 68, wobei die Energiequelle ein Laser ist.
  73. System nach Anspruch 68, wobei der Gegenstand ein mehrschichtiges Bauelement ist.
  74. System nach Anspruch 68, wobei der Gegenstand ein Halbleiter ist.
  75. System nach Anspruch 69, wobei die Einrichtung zum Positionieren ein Rastersondenmikroskop ist.
  76. System nach Anspruch 69, wobei die Einrichtung zum Positionieren eine Sondenanordnung ist.
  77. System nach Anspruch 68, ferner umfassend eine Einrichtung zum Entfernen von Abfallmaterial.
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6339217B1 (en) * 1995-07-28 2002-01-15 General Nanotechnology Llc Scanning probe microscope assembly and method for making spectrophotometric, near-field, and scanning probe measurements
US5751683A (en) * 1995-07-24 1998-05-12 General Nanotechnology, L.L.C. Nanometer scale data storage device and associated positioning system
JP4734653B2 (ja) * 2004-09-09 2011-07-27 国立大学法人北海道大学 ゲル基板材料を用いた分子測定装置および分子測定方法
US7323699B2 (en) * 2005-02-02 2008-01-29 Rave, Llc Apparatus and method for modifying an object
US7569112B2 (en) * 2007-03-16 2009-08-04 International Business Machines Corporation Scanning probe apparatus with in-situ measurement probe tip cleaning capability
WO2008137525A2 (en) * 2007-05-01 2008-11-13 Graphic Packaging International, Inc. Package for heating a food product
EP2139788A4 (de) * 2007-05-01 2011-05-04 Graphic Packaging Int Inc Verpackung zum erwärmen eines nahrungsmittelprodukts
JP5358572B2 (ja) * 2007-08-09 2013-12-04 レイヴ リミテッド ライアビリティ カンパニー 光学材料特性を修正するための装置及び方法
US11311917B2 (en) 2007-08-09 2022-04-26 Bruker Nano, Inc. Apparatus and method for contamination identification
US10384238B2 (en) 2007-09-17 2019-08-20 Rave Llc Debris removal in high aspect structures
US10330581B2 (en) 2007-09-17 2019-06-25 Rave Llc Debris removal from high aspect structures
US10618080B2 (en) 2007-09-17 2020-04-14 Bruker Nano, Inc. Debris removal from high aspect structures
US8287653B2 (en) * 2007-09-17 2012-10-16 Rave, Llc Debris removal in high aspect structures
WO2009061766A2 (en) * 2007-11-05 2009-05-14 Baker Hughes Incorporated Methods and apparatuses for forming cutting elements having a chamfered edge for earth-boring tools
US10016876B2 (en) 2007-11-05 2018-07-10 Baker Hughes, A Ge Company, Llc Methods of forming polycrystalline compacts and earth-boring tools including polycrystalline compacts
JP5168100B2 (ja) * 2008-11-17 2013-03-21 大日本印刷株式会社 フォトマスク等の欠陥修正方法
US8173552B2 (en) * 2009-08-04 2012-05-08 Intel Corporation Method of fabricating an identification mark utilizing a liquid film assisted by a laser
US8814033B2 (en) * 2009-11-16 2014-08-26 Graphic Packaging International, Inc. Triangular vented tray
US8394625B2 (en) * 2010-05-02 2013-03-12 Angelo Gaitas Lab-on-a-pipette
JP6312670B2 (ja) * 2012-07-23 2018-04-18 タッソ インコーポレイテッド 開放マイクロ流体チャンネルに関する方法、システムおよび装置
JP6081218B2 (ja) * 2013-02-20 2017-02-15 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 エッチング装置およびエッチング方法
US9099481B2 (en) 2013-03-15 2015-08-04 Semiconductor Components Industries, Llc Methods of laser marking semiconductor substrates
US9499296B2 (en) 2013-07-25 2016-11-22 Graphic Packaging International, Inc. Carton for a food product
US9931714B2 (en) 2015-09-11 2018-04-03 Baker Hughes, A Ge Company, Llc Methods and systems for removing interstitial material from superabrasive materials of cutting elements using energy beams
EP3678953A4 (de) 2017-09-06 2021-06-09 Graphic Packaging International, LLC Karton mit mindestens einem halter
USD842095S1 (en) 2017-10-10 2019-03-05 Graphic Packaging International, Llc Carton
DE102018206278A1 (de) * 2018-04-24 2019-10-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen eines Partikels von einer photolithographischen Maske
EP3833608A4 (de) 2018-08-06 2022-04-27 Graphic Packaging International, LLC Behälter mit mindestens einem fach
US11440697B2 (en) 2019-02-28 2022-09-13 Graphic Packaging International, Llc Carton for a food product
USD899246S1 (en) 2019-04-24 2020-10-20 Graphic Packaging International, Llc Carton
USD999055S1 (en) 2020-10-29 2023-09-19 Graphic Packaging International, Llc Carton

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2521543A1 (de) * 1974-05-16 1975-11-27 Crosfield Electronics Ltd Verfahren und vorrichtung zur wiedergabe von bildern
JPS5157283A (en) * 1974-11-15 1976-05-19 Nippon Electric Co Handotaikibanno bunkatsuhoho
US4379022A (en) * 1979-05-08 1983-04-05 International Business Machines Corporation Method for maskless chemical machining
US4413020A (en) * 1982-02-01 1983-11-01 Texas Instruments Incorporated Device fabrication incorporating liquid assisted laser patterning of metallization
JPS5967634A (ja) 1982-10-09 1984-04-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の加工方法
US4414059A (en) * 1982-12-09 1983-11-08 International Business Machines Corporation Far UV patterning of resist materials
US4568409A (en) * 1983-11-17 1986-02-04 Chronar Corp. Precision marking of layers
US4697041A (en) * 1985-02-15 1987-09-29 Teijin Limited Integrated solar cells
US4877481A (en) * 1987-05-28 1989-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Patterning method by laser scribing
JP2680644B2 (ja) * 1988-01-14 1997-11-19 三洋電機株式会社 光励起エッチング方法
US4987855A (en) * 1989-11-09 1991-01-29 Santa Barbara Research Center Reactor for laser-assisted chemical vapor deposition
US5183534A (en) * 1990-03-09 1993-02-02 Amoco Corporation Wet-etch process and composition
KR950013784B1 (ko) * 1990-11-20 1995-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법과 박막트랜지스터
US5683547A (en) * 1990-11-21 1997-11-04 Hitachi, Ltd. Processing method and apparatus using focused energy beam
DE4126380A1 (de) * 1991-08-09 1993-02-11 Basf Ag Verfahren zur durchfuehrung ortsselektiver katalytischer reaktionen mit oder auf festkoerperoberflaechen im nanometer- und subnanometer-bereich
US5432015A (en) * 1992-05-08 1995-07-11 Westaim Technologies, Inc. Electroluminescent laminate with thick film dielectric
CA2097388A1 (en) * 1992-07-16 1994-01-17 Susan Nord Bohlke Topographical selective patterns
US5265114C1 (en) * 1992-09-10 2001-08-21 Electro Scient Ind Inc System and method for selectively laser processing a target structure of one or more materials of a multimaterial multilayer device
MX9305898A (es) * 1992-10-30 1995-01-31 Texas Instruments Inc Metodo de grabado fotoquimico anisotropico para la fabricacion decircuitos integrados.
JPH0967634A (ja) * 1993-12-28 1997-03-11 Furukawa Electric Co Ltd:The 船舶の空気配管用アルミニウム合金管
JPH07308788A (ja) * 1994-05-16 1995-11-28 Sanyo Electric Co Ltd 光加工法及び光起電力装置の製造方法
US6337479B1 (en) 1994-07-28 2002-01-08 Victor B. Kley Object inspection and/or modification system and method
US6353219B1 (en) 1994-07-28 2002-03-05 Victor B. Kley Object inspection and/or modification system and method
US5569399A (en) * 1995-01-20 1996-10-29 General Electric Company Lasing medium surface modification
EP0731490A3 (de) * 1995-03-02 1998-03-11 Ebara Corporation Ultrafeines Mikroherstellungsverfahren unter Verwendung eines Energiebündel
US5641391A (en) * 1995-05-15 1997-06-24 Hunter; Ian W. Three dimensional microfabrication by localized electrodeposition and etching
US5824374A (en) * 1996-07-22 1998-10-20 Optical Coating Laboratory, Inc. In-situ laser patterning of thin film layers during sequential depositing
WO1998042474A1 (fr) * 1997-03-21 1998-10-01 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Procede et materiel de marquage
US6063695A (en) * 1998-11-16 2000-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Simplified process for the fabrication of deep clear laser marks using a photoresist mask
US6635311B1 (en) 1999-01-07 2003-10-21 Northwestern University Methods utilizing scanning probe microscope tips and products therefor or products thereby
US6827979B2 (en) 1999-01-07 2004-12-07 Northwestern University Methods utilizing scanning probe microscope tips and products therefor or produced thereby
JP2001110801A (ja) * 1999-10-05 2001-04-20 Takeshi Yao パターン形成方法、並びに電子素子、光学素子及び回路基板
US20030157254A1 (en) 2000-01-05 2003-08-21 Northwestern University Methods utilizing scanning probe microscope tips and products therefor or produced thereby
JP2001319923A (ja) * 2000-05-10 2001-11-16 Ebara Corp 基材の異方性食刻方法及び基材の食刻装置
US20040018139A1 (en) * 2000-09-25 2004-01-29 Xidex Corporation Nanotube apparatus
US6395650B1 (en) * 2000-10-23 2002-05-28 International Business Machines Corporation Methods for forming metal oxide layers with enhanced purity
US6555016B2 (en) * 2000-12-28 2003-04-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method of making multilayer substrate
US6403388B1 (en) 2001-01-05 2002-06-11 Advanced Micro Devices, Inc. Nanomachining method for integrated circuits
WO2002071412A1 (en) 2001-03-02 2002-09-12 Northwestern University Enhanced scanning probe microscope
US6737646B2 (en) 2001-06-04 2004-05-18 Northwestern University Enhanced scanning probe microscope and nanolithographic methods using the same
WO2003038033A2 (en) 2001-10-02 2003-05-08 Northwestern University Protein and peptide nanoarrays
US7102656B2 (en) 2002-05-21 2006-09-05 Northwestern University Electrostatically driven lithography
WO2004023490A2 (en) 2002-09-09 2004-03-18 General Nanotechnology Llc Fluid delivery for scanning probe microscopy
JP2005106790A (ja) * 2003-01-09 2005-04-21 Univ Kanazawa 走査型プローブ顕微鏡および分子構造変化観測方法
US7250139B2 (en) * 2003-03-19 2007-07-31 Northwestern University Nanotipped device and method
KR100520821B1 (ko) * 2003-04-02 2005-10-13 삼성전자주식회사 반도체 소자의 박막 형성방법
US20050016954A1 (en) * 2003-07-25 2005-01-27 International Business Machines Corporation System and methods of altering a very small surface area
US7323699B2 (en) * 2005-02-02 2008-01-29 Rave, Llc Apparatus and method for modifying an object

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