DE1114940B - Legierform zum Herstellen von Halbleiteranordnungen - Google Patents

Legierform zum Herstellen von Halbleiteranordnungen

Info

Publication number
DE1114940B
DE1114940B DEN18803A DEN0018803A DE1114940B DE 1114940 B DE1114940 B DE 1114940B DE N18803 A DEN18803 A DE N18803A DE N0018803 A DEN0018803 A DE N0018803A DE 1114940 B DE1114940 B DE 1114940B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
alloy
layer
molybdenum
alloy mold
mold according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN18803A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Dirk De Nobel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1114940B publication Critical patent/DE1114940B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/148—Silicon carbide

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
DEN18803A 1959-08-25 1960-08-22 Legierform zum Herstellen von Halbleiteranordnungen Pending DE1114940B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL242671 1959-08-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1114940B true DE1114940B (de) 1961-10-12

Family

ID=19751890

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN18803A Pending DE1114940B (de) 1959-08-25 1960-08-22 Legierform zum Herstellen von Halbleiteranordnungen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3080841A (en, 2012)
CH (1) CH399596A (en, 2012)
DE (1) DE1114940B (en, 2012)
GB (1) GB887037A (en, 2012)
NL (2) NL126558C (en, 2012)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1282794B (de) * 1965-04-01 1975-10-09 Siemens AG, Berlin und München, 8000 München Verfahren zum herstellen einer legierungsmaske fuer die gleichzeitige fertigung mehrerer halbleiteranordnungen

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL302323A (en, 2012) * 1963-02-08
US3571919A (en) * 1968-09-25 1971-03-23 Texas Instruments Inc Semiconductor device fabrication
US3719981A (en) * 1971-11-24 1973-03-13 Rca Corp Method of joining solder balls to solder bumps
US3894329A (en) * 1972-07-28 1975-07-15 Sperry Rand Corp Method of making high density electronic interconnections in a termination device
JPS5277590A (en) * 1975-12-24 1977-06-30 Toshiba Corp Semiconductor producing device
DE2656019C3 (de) * 1976-12-10 1980-07-17 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Vorrichtung zum Ausrichten und Anlöten von Podesten bzw. Ronden bezüglich der bzw. an den lötfähigen ohmschen Kontakten) von Halbleiterbauelementen
US6864570B2 (en) * 1993-12-17 2005-03-08 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2756483A (en) * 1953-05-11 1956-07-31 Sylvania Electric Prod Junction forming crucible
DE1027322B (de) 1956-04-14 1958-04-03 Philips Patentverwaltung Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mittels Legierformen

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL104654C (en, 2012) * 1952-12-31 1900-01-01
US2879188A (en) * 1956-03-05 1959-03-24 Westinghouse Electric Corp Processes for making transistors
US2879189A (en) * 1956-11-21 1959-03-24 Shockley William Method for growing junction semi-conductive devices
US2964431A (en) * 1959-07-28 1960-12-13 Rca Corp Jig alloying of semiconductor devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2756483A (en) * 1953-05-11 1956-07-31 Sylvania Electric Prod Junction forming crucible
DE1027322B (de) 1956-04-14 1958-04-03 Philips Patentverwaltung Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mittels Legierformen

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1282794B (de) * 1965-04-01 1975-10-09 Siemens AG, Berlin und München, 8000 München Verfahren zum herstellen einer legierungsmaske fuer die gleichzeitige fertigung mehrerer halbleiteranordnungen

Also Published As

Publication number Publication date
CH399596A (de) 1965-09-30
NL242671A (en, 2012)
NL126558C (en, 2012)
GB887037A (en) 1962-01-10
US3080841A (en) 1963-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3916412A1 (de) Ueberzogene fasern zur verwendung in einer metallmatrix und in einem verbundkoerper
DE1596557A1 (de) Mehrschichtmetall,insbesondere fuer Glasschmelzoefen zur Glasfaserherstellung
CH648602A5 (de) Verfahren zur herstellung schuetzender oxidschichten.
DE1114940B (de) Legierform zum Herstellen von Halbleiteranordnungen
DE69205881T2 (de) Behandlung von Sinterlegierungen.
CH654595A5 (de) Verfahren zur herstellung schuetzender oxidschichten auf einer werkstueckoberflaeche.
DE931624C (de) Verfahren zur Herstellung eines Schutzueberzuges auf Molybdaen, Titan, Zirkonium oder mindestens 50% dieser Metalle enthaltende Legierungen
DE2503634A1 (de) Genaue kohlenstoffsteuerung bei hergestelltem rostfreiem stahl
DE3042469A1 (de) Nitrid-einsatzhaertung und das dadurch erhaltene erzeugnis
DE2261877B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Supraleiters
DE1927461A1 (de) Rohlinge fuer Rasierklingen,Rasierklingenband oder aehnliche duennkantige Schneidwerkzeuge
DE69111362T2 (de) Korrosionsbeständiger und wärmebeständiger Metall-Verbundwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE2506111C2 (de) Verfahren zur Bildung harter Oberflächen auf Kohlenstoffstahl
DE2217769A1 (de) Metallischer verbundkoerper und herstellungsverfahren hierzu
DE2165105C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Kugelkopfbolzen
DE2216237A1 (de) Herstellungsverfahren für ein Metallwerkstück mit harter Oberfläche und verfahrensgemäß erhaltenes Metallwerkstück
AT220673B (de) Legierform zum Anbringen von Kontakten auf Halbleiterkörpern
EP0353699A1 (de) Verfahren zur Wärmebehandlung eines hochlegierten Chromstahls
EP0045416B1 (de) Verfahren zur Erzeugung einer Schutzschicht auf metallischen Werkstücken
DE2345882B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Werkstoffs mit guten Federeigenschaften
EP0226729A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines gehärteten, aus einem austenitischen Werkstoff bestehenden unmagnetisierbaren Wälzlagerbauteils und nach diesem Verfahren hergestelltes Wälzlagerbauteil
DE102009024608A1 (de) Keramikheizer und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2881493B1 (de) Verfahren zur Nitrocarburierung eines Tiefziehartikels oder eines Stanzbiegeartikels aus austenitischem nichtrostendem Edelstahl
DE1286705C2 (de) Einrichtung zur herstellung von flachglas
DE1106577B (de) Verfahren zur Herstellung von Gegenstaenden aus einer Platin-Rhodium-Legierung, z. B. Spinnduesen fuer Glas