DE1110321B - Legierungsverfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Siliziumkoerper - Google Patents

Legierungsverfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Siliziumkoerper

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DE1110321B DES60096A DES0060096A DE1110321B DE 1110321 B DE1110321 B DE 1110321B DE S60096 A DES60096 A DE S60096A DE S0060096 A DES0060096 A DE S0060096A DE 1110321 B DE1110321 B DE 1110321B
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P95/00—
    • H10W72/073—
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US842775A US3093882A (en) 1958-09-30 1959-09-28 Method for producing a silicon semiconductor device
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