DE1156510B - Halbleiterbauelement mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und vier Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps und Verfahren zum Herstellen - Google Patents
Halbleiterbauelement mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und vier Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps und Verfahren zum HerstellenInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
S 73885 Vmc/21g
ANMELDETAG: 9. MAI 1961
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 31. OKTOBER 1963
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 31. OKTOBER 1963
Die Hauptpatentanmeldung S 68423 VIIIc/21g
betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper und vier Zonen
abwechselnden Leitfähigkeitstyps, von. "denen die beiden äußeren, injizierenden Zonen, (die Emitterzonen,
stärker und die beiden inneren,; nicht injizierenden Zonen, die Basiszonen, schwächer dotiert sind
und bei dem die Oberfläche des Halbleiterkörpers zwischen der einen Emitterzone und der angrenzenden
Basiszone mit einem als Nebenschluß wirkenden, elektrisch leitfähigen Überzug versehen ist.
Vierschicht-Halbleiterbauelemente, die als Stromtore verwendet werden, zeigen unter Umständen bei
höheren Betriebstemperaturen ein ungünstiges Verhalten bezüglich ihrer Sperrfähigkeit. Der höhere
Sperrstrom führt zu einer höheren Stromverstärkung, und damit tritt das Durchzünden bei einem wesentlich
niedrigeren Spannungswert als bei einer kaum über Raumtemperatur liegenden Betriebstemperatur
auf. Es ist bekannt, daß sich der Wirkungsgrad eines Emitters dadurch herabsetzen läßt, daß man der
Emitter-Basis-Strecke einen Nebenschluß gibt. Schaltet man also einen Widerstand parallel zu einer
Emitter-Basis-Strecke des Stromtores, so wird hierdurch die Stromverstärkung herabgesetzt, und das
Durchzünden tritt auch bei höheren Betriebstemperaturen erst bei ähnlich hohen Spannungswerten wie
bei Raumtemperatur der Vierschichtanordnung ein. Der aufgebrachte Überzug wirkt in diesem Sinne.
Die Erfindung betrifft eine Verbesserung des Halbleiterbauelements
nach der Hauptpatentanmeldung. Es ist erfindungsgemäß so ausgebildet, daß eine Basiszone
und die angrenzende Emitterzone sich aneinander in einem fiächenhaften und im wesentlichen
ebenen pn-übergang berühren und daß der pn-übergang und die Emitterzone mehrere über die Emitterzonenfläche
feinverteilte Durchbrüche hat, durch die die angrenzende Basiszone bis zur äußeren Oberfläche
der Emitterzone und bis zum leitfähigen Überzug geführt ist.
Es erwies sich in gewissen Fällen als zweckmäßig, den Nebenschluß zwischen Emitter- und Basiszone
bis auf den Wert Null zu vermindern, also den pn-übergang durch einen Kurzschluß zu überbrücken.
Insbesondere bei Halbleiterbauelementen der beschriebenen Art mit verhältnismäßig großflächigen
Emitterzonen zeigte es sich nun, daß die Wirkung des Nebenschlusses dann besonders stark in Erscheinung
trat, wenn die Überbrückung des pn-Überganges nicht nur an einer Stelle, sondern verhältnismäßig
gleichmäßig verteilt am gesamten Rand der Emitterzone auftritt.
Halbleiterbauelement
mit einem im wesentlichen einkristallinen
Halbleiterkörper und vier Zonen
abwechselnden Leitfähigkeitstyps
und Verfahren zum Herstellen
Zusatz zur Patentanmeldung S 68423 VIIIc /21g
(Auslegeschrift 1133 038)
(Auslegeschrift 1133 038)
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
DipL-Phys. Hans-Jochen Benda, Erlangen,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
Die Erfindung sucht diesen Effekt zu verstärken, indem die gesamte Emitterfläche sozusagen in einzelne
Flächenelemente aufgeteilt wird, denen jeweils ein unmittelbar benachbarter Nebenschluß bzw. Kurzschluß
zugeordnet ist.
An Hand eines Ausführungsbeispiels soll die Erfindung näher erläutert werden.
Fig. 1 zeigt ein Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung im Schnitt;
Fig. 2 zeigt dasselbe Halbleiterbauelement im Aufriß;
Fig. 3 ist ein Ausschnitt des Emitter-Basis-Bereiches aus Fig. 1 in vergrößertem Maßstab dargestellt.
Das Bauelement ist insbesondere in den Dickenverhältnissen stark verzerrt dargestellt, damit in der
Zeichnung die einzelnen Teile der Anordnung besser zu erkennen sind.
Ein derartiges Vierschicht-Halbleiterbauelement kann beispielsweise in folgender Weise hergestellt
309 730/238
werden: In ein rundes Halbleiterscheibchen, beispielsweise aus η-leitendem Silizium, mit einem spezifischen
Widerstand von etwa 50 bis 150 Ohm-cm von etwa
18 mm Durchmesser und 0,25 mm Dicke wird Aluminium eindiffundiert. Man erhitzt das Scheibchen
in Gegenwart von Aluminium im Vakuum auf etwa J2OO0 C und beläßt es etwa 1 Tag lang auf dieser
Temperatur. Nach dem Abkühlen werden verschiedene Elektroden durch Einlegieren aufgebracht, und
danach wird durch einen Ätzvorgang die durch Eindiffundierung von Aluminium p-leitend gewordene
äußere Schicht in zwei Zonen aufgeteilt.
■' Fig. 1 zeigt das Ergebnis: Der Kern des Siliziumscheibchens
von etwa 0,1 mm Stärke ist unverändert geblieben und bildet die n-Basis 2. Ein Teil der
aluminiumdotierten Oberflächenschicht bildet die erste p-Emitterzone 3, der andere, durch einen Ätzgraben
4 davon getrennte Teil die p-Basiszone 5. Die p-Emitterzone 3 ist durch eine Elektrode 6 kontaktiert,
die durch Einlegieren einer Scheibe von etwa
19 mm Durchmesser und 0,03 mm Dicke aus Bor enthaltendem Gold (etwa 0,03 % Bor) entstanden ist.
Die p-Basiszone ist durch eine kreisscheibenförmige Elektrode? kontaktiert, die durch Einlegieren einer
aus dem gleichen Material, einer Gold-Bor-Legierung, bestehenden Scheibe von etwa 2 mm Außendurchmesser
entstanden ist.
Die Kontaktelektrode 7 ist von einer kreisringförmigen Kontaktelektrode 8 umgeben, welche auf
einer ebenfalls kreisringförmigen, η-leitenden Zone 9, der η-Emitterzone, aufliegt. Eine Kreisringscheibe
von etwa 3 bis 4 mm Innendurchmesser und etwa 14 mm Außendurchmesser aus einer Gold-Antimon-Legierung
wird konzentrisch zur Kontaktelektrode 7 auf die Zone 5 aufgelegt und durch einen Erwärmungsvorgang
einlegiert. Hierbei wird ein Teil der Zone 5, nämlich die Zone 9, umdotiert, da die
η-dotierende Wirkung des auf diese Weise eingebrachten Antimons stärker als die p-dotierende des
eindiffundierten Aluminiums ist. Der Rest der Goldschmelze bildet nach dem Erstarren die Kontaktelektrode
8, die auf der Zone 9 aufliegt.
Alle Legierungsvorgänge werden zweckmäßigerweise in einem Arbeitsgang vorgenommen, indem das
Halbleiterscheibchen nach dem Diffusionsvorgang mit den aufgelegten Goldfolien zusammen im Vakuum
auf etwa 700° C, jedenfalls oberhalb der eutektischen Temperatur von Gold und Silizium von etwa 370° C
erwärmt wird. Während dieser Erwärmung kann das gesamte Aggregat in ein nicht schmelzendes und mit
den Bestandteilen des Aggregates nicht reagierendes Pulver, z. B. Graphit, eingebettet sein.
Der später die Kontaktelektrode 8 bildende Gold-Antimon-Ring wird perforiert. An diesen Stellen 10,
an denen die Goldfolie eine Durchbrechung aufweist, findet keine Legierung statt. An diesen Stellen tritt
deshalb später die Basiszone 5 durch die Emitterzone 9 hindurch bis an die Oberfläche des Halbleiterkörpers.
Durch den elektrisch leitfähigen Überzug, welcher gemäß der Hauptpatentanmeldung auf die
Oberfläche des Halbleiterbauelementes aufgebracht wird, werden alle diese Durchbrechungen 10 der
Emitterzone mit einem Kurzschluß überbrückt.
Zweckmäßigerweise wird dieser Überzug auf die gesamte Oberfläche der Emitterzone und damit auch
auf die Emitter-Kontaktelektrode aufgebracht, da er auch an den Stellen, an denen er nicht benötigt wird,
keinen Schaden anrichtet. Vorteilhaft wird dieser Überzug in der Weise hergestellt, daß eine kolloidale
Graphitlösung auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgetragen wird.
Zur Herstellung der Kontaktelektrode 8 wird zweckmäßigerweise eine Gold-Antimon-Folie von
etwa 30 bis 50 μ Stärke verwendet, z. B. von 35 μ Stärke. Die Legierungstiefe, d.h. die Dicke der Zone 9
beträgt dann etwa 20 μ. Wenn man aus der Gold-Antimon-Folie Löcher von etwa 100 bis 200 μ Durchmesser
ausstanzt, so ist dies vollkommen ausreichend, damit ein. Zusammenlegieren der Ränder des Loches
verhindert wird. Andererseits sollen diese Löcher so klein wie möglich gehalten werden, damit keine
merkliche Verminderung der Emitterfläche eintritt.
Der Abstand der Löcher voneinander kann etwa 1 mm betragen. Wie die Erfahrungen besonders an
kleinen Vierschichtbauelementen zeigten, ist dieser Abstand klein genug, daß hierdurch die gewünschte
Wirkung eintritt.
Im Prinzip ist es gleichgültig, ob der Nebenschluß zwischen einer p-Basiszone und η-Emitterzone oder
zwischen einer η-Basiszone oder p-Emitterzone bewirkt wird; man wird aber zweckmäßigerweise wie
bei dem oben ausgeführten Beispiel den Nebenschluß zwischen der Emitterzone und derjenigen Basiszone
anbringen, die den größten der beiden Stromverstärkungsfaktoren ergeben.
Zu dem beschriebenen Verfahren, bei dem ein Nebenschluß zwischen p-Basiszone und n-Emitterzone
hergestellt wurde, kann beispielsweise folgendes Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
mit umgekehrten Verhältnissen treten: Auf eine Oberflächenzone eines Halbleiterkörpers, beispielsweise
Silizium vom η-Typ, wird eine entsprechend perforierte Aluminiumfolie aufgelegt und anschließend
eine Erwärmung auf etwa 800° C vorgenommen. Hierdurch wird eine p-leitende Zone mit den
Durchbrechungen der darunterliegenden n-leitenden Zone zu der Oberfläche des Halbleiterkörpers hergestellt.
Claims (4)
1. Halbleiterbauelement mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper und vier
Zonen abwechselnden Leitfähigkeitstyps, von denen die beiden äußeren, injizierenden Zonen,
die Emitterzonen, stärker und die beiden inneren, nicht injizierenden Zonen, die Basiszonen,
schwächer dotiert sind, und bei dem die Oberfläche des Halbleiterkörpers zwischen der einen
Emitterzone und der angrenzenden Basiszone mit einem als Nebenschluß wirkenden, elektrisch
leitfähigen Überzug versehen ist, nach Patentanmeldung S 68 423 VIII c/21g, dadurch gekenn
zeichnet, daß eine Basiszone und die angrenzende Emitterzone sich aneinander in einem flächenhaften
und im wesentlichen ebenen pn-übergang berühren, und daß der pn-übergang und die
Emitterzone mehrere über die Emitterzonenfläche fein verteilte Durchbrüche hat, durch die die
angrenzende Basiszone bis zur äußeren Oberfläche der Emitterzone und bis zum leitfähigen
Überzug geführt ist.
2. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß auf eine Zone eines Halbleiter-
körpers von einem Leitfähigkeitstyp eine durchbrochene Folie aus einem Werkstoff, welcher
einen den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp bewirkenden Dotierungsstoff enthält, aufgelegt
und durch einen Erwärmungsvorgang einlegiert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf eine η-Zone eine Aluminiumfolie
aufgelegt und einlegiert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf eine p-Zone eine Gold-Antimon-Folie
aufgelegt und einlegiert wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Priority Applications (5)
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FR896857A FR84004E (fr) | 1961-05-09 | 1962-05-08 | Dispositif semi-conducteur |
GB17929/62A GB969592A (en) | 1961-05-09 | 1962-05-09 | A semi-conductor device |
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DES73885A DE1156510B (de) | 1960-05-10 | 1961-05-09 | Halbleiterbauelement mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und vier Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps und Verfahren zum Herstellen |
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Country | Link |
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DE (1) | DE1156510B (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3277352A (en) * | 1963-03-14 | 1966-10-04 | Itt | Four layer semiconductor device |
US3337782A (en) * | 1964-04-01 | 1967-08-22 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor controlled rectifier having a shorted emitter at a plurality of points |
US3372318A (en) * | 1965-01-22 | 1968-03-05 | Gen Electric | Semiconductor switches |
-
1961
- 1961-05-09 DE DES73885A patent/DE1156510B/de active Pending
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