DE1098616B - Legierungsverfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen - Google Patents
Legierungsverfahren zum Herstellen von HalbleiteranordnungenInfo
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf ein Legierungsverfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen,
wie beispielsweise Transistoren und Kristalldioden, die einen Halbleiterkörper enthalten, der beispielsweise
aus Germanium oder Silicium besteht, auf dem mindestens eine Elektrode durch Aufschmelzen angebracht wird, die aus einer Legierung von Aluminium
und mindestens einer anderen Komponente besteht.
Es wurde bereits vorgeschlagen, solche Anordnungen dadurch herzustellen, daß kleine Körper, beispielsweise
Kügelchen, aus einer aluminiumhaltigen Legierung hergestellt und dann auf die Halbleiterkörper
aufgeschmolzen werden.
Es hat sich herausgestellt, daß solche Legierungen, auch wenn sie nur sehr wenig Aluminium enthalten,
verhältnismäßig schlecht an den Halbleiterkörpern haften, wahrscheinlich infolge der Eigenschaft dieser
Legierungen, sich bei Berührung mit Sauerstoff spontan mit einer Aluminiumoxydhaut zu überziehen.
Die Erfindung bezweckt, unter anderem ein Verfahren zu schaffen, gemäß dem auf einfache Weise
aluminiumhaltige Elektroden hergestellt werden können. Sie gründet sich auf die Beobachtung, daß Aluminium
oder eine aluminiumhaltige Legierung leichter mit einem Metall oder einer Legierung verschmilzt,
das (die) bereits auf einem Halbleiterkörper aufgeschmolzen ist, als mit den Halbleiterkörpern
selber.
Bei einem Legierungsverfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen, wie Transistoren und Kristalldioden,
die einen Halbleiterkörper mit mindestens einer Elektrode aus einer Legierung von Aluminium
und mindestens einer anderen Komponente enthalten, bei welchem zunächst eine andere Komponente der
herzustellenden Elektrode aufgeschmolzen wird, wonach Aluminium oder eine aluminiumhaltige Legierung
auf dieser aufgeschmolzenen Elektrode angebracht und mit ihr verschmolzen wird, wird gemäß
der Erfindung das Aluminium oder die aluminiumhaltige Legierung in feinverteiltem Zustand angebracht.
Das Aluminium kann als reines Metall oder in Form einer Legierung mit einem anderen Element angebracht
werden. Die Menge des Aluminiums oder der Aluminiumlegierung, die auf diese Weise zugesetzt
wird, kann so gering sein, daß der Aluminiumgehalt der fertigen Elektrode geringer als 5 % ist.
Vorzugsweise wird das Aluminium oder die aluminiumhaltige Legierung in feinverteilter Form in
einem Bindemittel dispergiert und der zunächst aufgeschmolzenen Komponente zugesetzt. Diese Komponente
ist beim Zusetzen des Aluminiums vorzugsweise in erstarrtem Zustand.
Diese einfache Art der Anbringung wird dadurch ermöglicht, daß die anzubringende Aluminiummenge
Legierungsverfahren zum Herstellen
von Halbleiteranordnungen
von Halbleiteranordnungen
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 14. Januar 1958
Niederlande vom 14. Januar 1958
Pieter Johannes Wilhelmus Jochems,
Eindhoven (Niederlande),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
zwischen verhältnismäßig weiten Grenzen schwanken darf.
Die Erfindung wird an Hand zweier durch Fig. 1 bis 5 erläuterter Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Die Figuren zeigen schematisch Schnitte durch einen Transistor in den aufeinanderfolgenden Stufen
seiner Herstellung.
Auf einen Halbleiterkörper 1, der aus n-leitendem Germanium mit einem spezifischen Widerstand von
3 Ωαη und einer Dicke von 15O1 μ besteht, wird ein
Kügelchen 2 aus Blei gelegt (Fig. 1). Die beiden Teile werden in einer nicht dargestellten Lehre bei 600° C
verschmolzen (Fig. 2), wodurch sich ein aufgeschmolzener Körpers bildet. Dieser besteht aus Blei, das
eine geringe Germaniummenge aufgenommen hat.
Nachdem der Körper umgekehrt worden ist, wird diese Bearbeitung an der anderen Seite wiederholt
(Fig. 3).
Jetzt wird ein wenig einer Dispersion 4 von 40 g Aluminiumpulver in einer Lösung von 20 g Methacrylat
in 100 cm3 Xylol auf die beiden Körper aufgebracht. Die aufgebrachte Menge der Dispersion ist
nicht kritisch.
Nachdem der Dispergent verdampft ist, wird das Ganze auf 750° C erhitzt. Nach Abkühlung ergibt
sich, daß die erzeugten Elektroden 5 (Fig. 5) so viel Aluminium aufgenommen haben, daß sie gleichrichtende
Kontakte mit einem hohen Emitterwirkungsgrad bilden.
109 508/311
An dem Körper 1 kann weiter auf übliche Weise ein Basiskontakt 6j der aus einem Nickeldraht besteht, mit
Hilfe von Zinnlot 7 angebracht werden.
Als zweites Beispiel wird ein gleiches Verfahren angegeben, bei dem' das Aluminiumpulver in der
Dispersion durch ein Pulver aus 28*/» Aluminium und
72°/o Silber ersetzt ist. Dieses Pulver schmilzt bei etwa 560° C und kann bei einer Temperatur, die etwas
über diesen Schmelzpunkt hinausgeht, beispielsweise bei 600° C, mit der bereits aufgeschmolzenen Komponente
3 verschmolzen werden.
Claims (3)
1. Legierungsverfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen, wie Transistoren und
Kristalldioden, die einen Halbleiterkörper mit mindestens einer Elektrode aus einer Legierung
von Aluminium und mindestens einer anderen Komponente enthalten, bei welchem zunächst eine
andere Komponente der herzustellenden Elektrode aufgeschmolzen wird, wonach Aluminium oder
eine aluminiumhaltige Legierung auf dieser aufgeschmolzenen Elektrode angebracht und mit ihr
verschmolzen wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Aluminium oder die aluminiumhaltige Legierung
in feinverteiltem Zustand angebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Aluminium oder die aluminiumhaltige
Legierung in einem Bindemittel dispergiert angebracht wird.
3. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Aluminium
oder die aluminiumhaltige Legierung auf die bereits aufgeschmolzene Komponente aufgebracht
wird, nachdem diese erstarrt ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
»Transistors I«, RCA Laboratories Princeton N. J., März 1956, S. 144 bis 152.
»Transistors I«, RCA Laboratories Princeton N. J., März 1956, S. 144 bis 152.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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ID=19751094
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Non-Patent Citations (1)
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