DE1093019C2 - Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen

Info

Publication number
DE1093019C2
DE1093019C2 DE19591093019 DE1093019A DE1093019C2 DE 1093019 C2 DE1093019 C2 DE 1093019C2 DE 19591093019 DE19591093019 DE 19591093019 DE 1093019 A DE1093019 A DE 1093019A DE 1093019 C2 DE1093019 C2 DE 1093019C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor body
semiconductor
diffused
conductivity type
zone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19591093019
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE1093019B (member.php
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Application granted granted Critical
Publication of DE1093019C2 publication Critical patent/DE1093019C2/de
Publication of DE1093019B publication Critical patent/DE1093019B/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P32/00—
    • H10P32/14—
    • H10P95/00—
    • H10P95/50—

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Thyristors (AREA)
DE19591093019 1958-07-26 1959-07-22 Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen Expired DE1093019C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE450782 1958-07-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1093019C2 true DE1093019C2 (de) 1974-08-08
DE1093019B DE1093019B (member.php) 1974-08-08

Family

ID=3844352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19591093019 Expired DE1093019C2 (de) 1958-07-26 1959-07-22 Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen

Country Status (4)

Country Link
BE (1) BE569807A (member.php)
DE (1) DE1093019C2 (member.php)
FR (1) FR1230933A (member.php)
GB (1) GB914021A (member.php)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3041214A (en) * 1959-09-25 1962-06-26 Clevite Corp Method of forming junction semiconductive devices having thin layers
US3507714A (en) * 1967-08-16 1970-04-21 Westinghouse Electric Corp High current single diffused transistor
US3535774A (en) * 1968-07-09 1970-10-27 Rca Corp Method of fabricating semiconductor devices

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1018558B (de) * 1954-07-15 1957-10-31 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Richtleitern, Transistoren u. dgl. aus einem Halbleiter
DE1024640B (de) * 1953-07-22 1958-02-20 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Kristalloden
DE1026433B (de) * 1954-03-12 1958-03-20 Gen Electric Flaechenhalbleiter und Verfahren zur Herstellung desselben durch lokale Schmelzung
DE1032404B (de) * 1952-08-20 1958-06-19 Gen Electric Verfahren zur Herstellung von Flaechenhalbleiterelementen mit p-n-Schichten

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1032404B (de) * 1952-08-20 1958-06-19 Gen Electric Verfahren zur Herstellung von Flaechenhalbleiterelementen mit p-n-Schichten
DE1024640B (de) * 1953-07-22 1958-02-20 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Kristalloden
DE1026433B (de) * 1954-03-12 1958-03-20 Gen Electric Flaechenhalbleiter und Verfahren zur Herstellung desselben durch lokale Schmelzung
DE1018558B (de) * 1954-07-15 1957-10-31 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Richtleitern, Transistoren u. dgl. aus einem Halbleiter

Also Published As

Publication number Publication date
BE569807A (member.php)
FR1230933A (member.php) 1960-09-21
DE1093019B (member.php) 1974-08-08
GB914021A (en) 1962-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2032315C3 (de) Halbleiteranordnung mit emittergekoppelten inversen Transistoren sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1944793C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung
DE1207015B (de) Transistor, insbesondere Unipolartransistor mit einem plattenfoermigen Halbleiterkoerper eines Leitungstyps und Verfahren zum Herstellen
DE1076275B (de) Halbleiteranordnung mit mindestens einem flaechenhaften pn-UEbergang
DE1764155B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes aus einem Siliciumkörper
DE1764935A1 (de) Transistor
DE2357376C3 (de) Mesa-Thyristor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1564129B2 (de) Transistorelement mit einem MOS-Feldeffekttransislor
DE2109352C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines lateralen bipolaren Halbleiter-Bauelements
DE3329241A1 (de) Leistungstransistor
DE1614383B2 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelementes
DE2833068A1 (de) Integrierte halbleitervorrichtung
DE1816436A1 (de) Halbleiterbauelement
DE1093019C2 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen
DE1293900B (de) Feldeffekt-Halbleiterbauelement
DE1258983B (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit epitaktischer Schicht und mindestens einem pn-UEbergang
DE1303672C2 (de) Transistor
DE1764829B1 (de) Planartransistor mit einem scheibenfoermigen halbleiter koerper
DE1066283B (member.php)
DE1464703C3 (member.php)
DE1464829C3 (de) Schaltungsanordnung mit mehreren in einem Halbleiterplättchen ausgebildeten Schaltungselementen
DE1912931B2 (de) Halbleiterbauelement
DE1489191C3 (de) Transistor
DE1764829C (de) Planartransistor mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper
DE2011630C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung