DE1074160B - Verfahren zum Herstellen von mindestens nahezu sperrfreien Elektroden an elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von mindestens nahezu sperrfreien Elektroden an elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnungen

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DE1074160B DENDAT1074160D DE1074160DA DE1074160B DE 1074160 B DE1074160 B DE 1074160B DE NDAT1074160 D DENDAT1074160 D DE NDAT1074160D DE 1074160D A DE1074160D A DE 1074160DA DE 1074160 B DE1074160 B DE 1074160B
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DENDAT1074160D
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Warstein Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. Günter Kohl (Sauerl.)
Original Assignee
LICENTIA Patent-Verwaltungs-G.m.b.H., Frankfurt/M
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10P95/00—
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DENDAT1074160D 1957-12-12 Verfahren zum Herstellen von mindestens nahezu sperrfreien Elektroden an elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnungen Pending DE1074160B (de)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1464357B1 (de) * 1962-12-07 1970-10-29 Philco Ford Corp Verfahren zur Herstellung einer ohmschen Verbindung zwischen einem Silizium-Halbleiterkoerper und einem metallischen Traegerteil

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