DE1490983A1 - Herstellung duenner Schichtwiderstaende - Google Patents

Herstellung duenner Schichtwiderstaende

Info

Publication number
DE1490983A1
DE1490983A1 DE19641490983 DE1490983A DE1490983A1 DE 1490983 A1 DE1490983 A1 DE 1490983A1 DE 19641490983 DE19641490983 DE 19641490983 DE 1490983 A DE1490983 A DE 1490983A DE 1490983 A1 DE1490983 A1 DE 1490983A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
metal
treatable
thin sheet
anodic
anodically
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19641490983
Other languages
English (en)
Inventor
Mc Lean David Alexander
Berry Robert Walter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Publication of DE1490983A1 publication Critical patent/DE1490983A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/14Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by chemical deposition
    • H01C17/16Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by chemical deposition using electric current
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02Anodisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making
    • Y10T29/49087Resistor making with envelope or housing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making
    • Y10T29/49099Coating resistive material on a base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Measurement Of Force In General (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

'MJ Γ ..!T.'.UÖ 30tf? .ίΓί τϊΤΟΟ:ΐ?Ο"ί.,'·.■ J.»)- berry- cLeL-.n 2-3'i
ί Ie r π b e 1L u ng d . η η e ν 3 ο ■ i ah t w i α e r c t::; η d e
.iJiv} Jrfinj'un:--; bef:. ,:-&t iich rnib einem Verfuhren Kur .-ί einteilung von ?r.Vaision?i-re bcil.lschich b- Mdersfnden und mit so hergebe 11t en . ider;.t:'nden.
Γη Jc.i löteten .-Ta-Jren hub die elektrisiere Industrie eine jtark-e ITCvvi cklungst." tigkeib bei der riniaturi^ierung von -huboilen IHi ooli.'.iltunken entfaltet unü dv.-.miu ein üedi.irfnis nach suvero-M^.en L'ii:":i.L; ionatechniken sur fler.« teilung, v^n .lau'cellen, OMi eil :. iüdrvf:n:len, für .'-edruckus OcLi-,. J. bun-.en geschaffen.
De ν TLtUO ϊ. beil .,/ier ernten ■Inbwicklungi'fcrrbilt auf dem Cabieb der . idci"st"n'.lc lag ^iif der 7er i·teilung von Vorrichtungen mit .Linnen -^chichoen, .lie ^ Leicüz-:;i. oic- hohe" p.oesifiachen. .iderut „nu • inen niedri/en ■"Oompnrr'.tiir-Koeff.i:-..ienten des ' i.deri..tanuer uno. j he thermische 3b:.tbi lit:'.: L aufweisen und wobei dieije Vorrich-■ L-n.-.en t.yoi.- cherwei;ve .Vieler, stands» wer te von iÖO Ohm biv zn r ι. * hi1 e r e η 7' e ^ ο hin seifen.
.r-duc3rdings isb eberkes "nteresse en einer Id.-i'e von Vorrich- \Ω.α\ι erwachsen, die dünne ochichtwideref'nde a it ider-ibanasjrben unter ίΟυ Ohm benötigen. Unglücklicherweise h^ben sich
P brik.;.tionsachwieri'.keiten infolge der sehr kurzen elektrichen ..eöe ergeben, die durch die Schichtdicke» bedingt sind, :-:f die die üblichen Verfahren vu.'?v,erichtet r:ind, T5ei.piel3-
wDi-je bewirkt eine gegebene (.,'rösfiexiabweichun bei einer .j:ts!;e .:ufu Cchu ta der metallischen e Lektriuchen anschlüsse vor der
o '.'inwj rkung des Aii0disierunge-.Jlektr0l.7ten eine stärkere ^ roaenbuelle nderung der T. nge de3 '.'iderstandeweges.
>^ i.:it vorliegender Erfindung, wird eine Herstellungstechnik nieder * rj." ohmiger Bchichtwiderstrnde besc'trisben, bei der die oben ω angedeuteten naturgegebenen Schwierigkeiten dadurch vermieden ..■erden, dass man ein zweites, anodisch behandelbares !.-"etall hoher elektrischer Leitfähigkeit als Mittel zur Bestimmung des
BAD ORIGINAL
.iderst<:ndeL- de.-. Vorrichtung, verwendet. Oie _;:·.■ f im'um. :iehi;
ie ...bfjο"-'.s-idung einer ei.men ,chiciifc eine-.· or·- uen, anodi.r'cij oehandaib:. ren, fumbildenden ' ^t;..11.- , iif einer ■'η-jar!·_.<■,2 vor,
..naoh '.'..L:-; "[ersbelli.in.t> einer dünn:*η cjo ioht einet; .r/zoiuon, ·.. nodirch boli^ndelb^ren - .-e υ-.."! 1 \· hoher \ei tfhi^'ceit Aber ve.Ll.en ""es ersten :filmoilde. den et&ll. zur "rune"lobenden J-egreni-unr ■■er ^ew :n-'o:-cen 's&l ' n<;.e, ferner uio ....nf ..gun;- von .nrchlV. . en i/ecl·':-:· .-.:intc.!ct mit den .hochleitf'-.icen .et;..11, weloho:.: :)in eol ntes T''j-c ter -uf dem errten . .ut?.ll bildat, ^efol t von d:r - iiocl Lt= ehe η .'e'i n-ilun,., .".«'·■ ent:-ta υ α en en ' erk c: cl:> aum . ev7::n.'o/:- :en ' id'erc t -nd'-jv/ert. "I^ re^ioncle .' u.-dehnu'-i lor i-^oi'.en
eüailsG-ioht k nn iurch jede ^;eei nete- '-^-ol-inik bev t immb werden, ',vi:.- "^hotD^r-^v ^e, ii^aervc 1j,f-.un. ■-.>' roh eine ;.:. :-ko, .■dfctelr.' "t.-'un^ ur,Vv.. yi. οΐη·.?ΐ· -vlt^riiLtiv-.-u: fi'.hr'.'n. k'inn ^..·. weite, snosi. oa beh nielb^ro ^etali diT-ekL uf der rinüerL- , vor der .'/&:. deic-un de: ernten f iliiibil.'S-i ι'3Π ^Li IL- ni-.y'.ei -re5chla£.en v.orcien. .-"^Ca, fV.r dieren "weck br-.uc'iu re fil.ibiljende eLflle EJncl ic_ntal, '".'iob, I'Ltan, V.^nr-din, l-Icfniura und Zirkon.
7,'enn ai oh eine gewisse ^.nodisierun^ de? !r.veicen ":etrili.";. notwendiger'.veiee bei Car liusterbildun^, und/'ooer bei der ..nodisierun;" auf iderstande-'^ollv/ert eintritt, ε-ind doch Leitfähigkeit und Dicke derart, dt?so der icieri-ttndvverfc ■ri'.kui^ch unverändert bleibt.
Oie ra chf öl; ende , ins einzelne gehende Beschreibung .-.oll in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen d? yerrf'.ddni·: der n^ erleichtern.
ini£-;. Ί ist ein i'chnittbild einer unterläge mit einer niedergecohlagenen schicht eines err.ten, filmoildenden I'et^ll....
Pig. 2 Ist ein Lchnittbild des llzvcexs nach ?ig. 1 mit einen. to
ο : e.rauf niedergesch.lLgenen Muster au^. „aluminium, einem bei-
- pielhcften, "zweiten" lletall. ·
^ Fig. 3 ist ein Schnittbild dee Körpers nach ?ig. 2 mit sv/ei
σ) darauf niederöe?:chlagenen .-.nschlüssen eines iContaktmetalls.
Pig, 4 ist·eine,.Liifsieht auf den Körper nach Pig. 3 nach Photogravüre-Behandlung und tzung zwecks Bildung, eines
BAD ORIGINAL
gewünschten Lustera.
ig. 5 ist ein Schnittbild der-· Körpers n^ch Fi£. 4 nach der
-rnodinchen Behend lunV'.
Fig. 6 ir.t ο in ochnittbild einer Unterlage mit einem darauf niedergeschlagenen !.lüfter eine;.· beipnielhnften zweiten let
Fi£.. 7 if>t ein ..chnittbild deo iC-V-rpersi nach ?ic. 6 mit einer f niedergeschlagenen Schicht eine? ornten filrnbildenden
..:--. ν-: int ein -,ohnittbild den Körpers nach !ili^. 7, nachdem ei ^n^chlü^.'-e einet- Kontalrtmettllfi darauf naedergeochlygen
9 i-'-t eine .· ufrieht ui'f den K rper nr.ch l·1!^. d nach der
^ravüro-Behündlun^ und t:;ung zYiieck1*- J-ilctting eine^ chten ''UEtsrs.
''O i-"t ein ochnittbild de?, Korperr nach 17I^. 9 nach der
?ie erneute Betrachtung: von Pig. 1 zweigt :nne Unter 1.·-/j,e 11, '■■f der ein retallraueter gemr'H.a vorliegender Trfin-'ung hergetellt werden toll. Der erote chritt nach acr eri'inlungsge-'!·■". rf en Technik he-, üeht in Jer ^.einigun;·., '.ei: pielv. v.-eiee durch Ultraschall, lochen in ";,Bi?er usw. Ftch den !"Liini^un^svorgang Aird eine d. nne^chicht 2 eines fUmbildenden I etalle, tf.B. 't.ntal auf der Unterlage '■ ■■ durch kc-chodiBCiie ^ er et;·'übung ο er nach einer Y-j.kuum-.\ufu;-.jnpfteclinik ncch i-.blic.hen Iiethoden, v.ie sie von L. Holland in "A^tkuumabpcheidun... .Ulnner ^ilme", J. '.'iley & Soni;:, 1956, beschrieben werden.
Im allgemeinen ict die Γ icke der iicliiiit 12 keine kritische trosse, Goweit tie nicht vom Sollwert des herzustellenden .'ideretandee bestimmt wird. T?ür die hier besprochenen ^ecke liegen solche ichichten vorzu^eweiae im Bereich von 100 bis 5000 Λ'.1.!. Der Ji1- climann wird et? jedoch zu sch'.'tzen wissen, dase diets keine absoluten Grenzen sind und daes im Halunen der T]rfinduni,· Abv/andlungen möglich sind.
909829/0636 bad
Der nächste in der Fig. 2 dargestellte Schritt des erfindungsgemi:".ssen Verfahrens besteht in der Abscheidung einer ;chicht 13 eines anodisch bebandelbaren Metalls hoher elektrischer Leitfähigkeit, wie z.B. Aluminium in Form eines gewünschten Musters mittels kathodiecher ?■ er st ".übung oder Aufdampfen im Vakuum. Die Dicke der Schicht 13 entspricht wenigstens der der Schicht i2 und ist im allgemeinen grosser. Wiederum wird man zu schützen wissen, dass Abwandlungen im Rahmen des Erfindungsurafange getroffen werden können.
I\Tach der Abscheidung der Schicht 13 werden zwei Anschlüsse euf einem elektrisch gut leitenden Metall, wie Gold oder. .■Palladium auf Schicht 13 nach üblicher 'Technik niedergeschlagen Fig, 3 zei^t das entstandene Werkstück.
Nachfolgend wird durch Photogravure ein IJucter auf die exponierten Teile der Schichten 12, 13 und 14 aufgebracht, um bestimmte Ί-eile derselben völlig zu entfernen. Jedes der wohlbekannte^ konventionellen Photogravüre-Verfahren kann zu diesem Zwec'x benutzt werden (s. "Photogravüre", Groesbeck, Doubleday Page & Company, 1924). Fig. 4 ist eine Aufsicht juf die Unterlage i'i und zeigt das Hu ter, das durch Entfernung von Teilen der Schichten 12, 13 und 14 entsteht.
Fach der Photogravüre-Behandlung werden die exponierten Teile üerSchichten 12 und 13 mit Mitteln der üblichen Technik fc.nodiech behand/elt, beispielsweise mit einer Lösung von Ammoniumpentaborat in A'thylenglykol bei Spannungen im Bereich biii zu annähernd 200 Volt Gleichstrom, Das entstandene, in Fig. 5 gezeigte Werkstück enthalt einen anodisch entstandenen Film 15 auf Schicht 12 und einen anodisch entstandenen Film 16 auf Schicht 13.
Der Schlußschritt der erfindungsgemässen Technik besteht in der thermischen Stabilisierung des Geräts durch Erhitzen desselben in Luft bei erhöhter Temperatur nach der in dem französischen Patent 1 30? 431 beschriebenen ..rt.
909829/0636
BAD
.■•ti.'
Aus 'Gründen der klaren Darstellung ist das in Fig. 4 und 5 gezeigte lucter stark vereinfacht. Es ist zu beachten, dass es praktisch keine Grenze für die Verztaktheit oder Musterfeinheit gibt, die man erzeugen möohte. So kann ein ν/iderstand für gedruckte Schaltungen mit nicht weniger als 20 oder 30 paralleleny miteinander verbundenen Segmenten nach dem oben
■ aargelegtenVerfahren hergestellt werden, wobei die Segmente I und ihre Zwischenräume von der Grössenordnung 0,0025 bis ξ 0,0052 mm sind. Im Rahmen der Erfindung ist das Minimal-Verh&lt-
■ nis 'der Bereiche oder Yfegbreite zwischen den Elektroden etwa
I 1 : !0 vorausgesetzt, dass Widerstand und Dicke ungefähr gleich j sind. Jedoch können Abänderungen getroffen werden, ohne I Srfindungsgedanken und -Umfang zu verlassen. Es versteht sich \ auch, dass auf Wunsch Präzisions-lYiderst^nde mit vorbestimmten \ ffiderstandswerten durch anodiache Behandlung auf Sollwert in 1 der in U.S.Patent 3 148 129 beschriebenen Art hergestellt werde* I können.
i ■
j Die oben beschriebene Arbeitsweise wird bei der Alternativ« ^ Ausführung in gleicher Weise befolgt, wobei das zweite, !anodisch behandelbare Metall direkt auf der Unterlage 11 als !Schicht 13, dagegen das erste, anodisch behandelbare Metall >als Schicht 12 auf Schicht 13 und der Unterlage 11 niederge- !schlagen wird und sohliesslich die Anschlüsse H auf Schicht ρ 2 niedergeschlagen werden. Itzen, anodische Behandlung und !stabilisierung werden, "in der oben beschriebenen Weise durohge-Ifuhrt,
[Im allgemeinen kann die Unterlage aus einem elektrisch nichtgleitendem Metall bestehen. Keramischer Werkstoff oder Glase fund, ganz" allgemein, hitzebeständiges Material sind für diesen !Zweck zu bevorzugen", besonders angesichts der !Tatsache, dass [!die Abscheidung metallischer Schichten durch Zerstäubung oder !Aufdampfen im Vakuum die Temperatur der Unterlage zu erhöhen !trachtet, auf der die Schicht niedergeschlagen wird,
fsin Beispiel § für die vorliegende Erfindung wird im Itaehfetehenden im einzelnen beschrieben. Dieses Beispiel ist !Lediglich als Erläuterung derErfindung gedacht, und es ist zu pemörken, dass die beschriebenen ;.rbeitsgänge vom Fachmann gewandelt werden· können, ohne vom Srfindungsgedanken und
-umfang abzuweichen.
Beispiel
Ein iantalmuster, das zur Verwendung als Widerstand in einer gedruckten Schaltung geeignet war, wurde in der gewünschten Konfiguration in folgender Art niedergeschlagen;
Ein Objektträger von etwa 3 mm Breite und 12 mm Lunge· wurde wie folgt gereinigt.
a) Glasscheibe in ein Körbchen aus Ohromnickel eingelegt,
b) Körbchen in "Igepol" eingesenkt und mit Ultraschall 5 llinuten l.ang bei Raumtemperatur gereinigt..
c) Körbchen in eine zweite "Igepol"-Losung eingesenkt und mit Ultraschall 7 Hinuten bei 750G gereinigt.
d) ÖlasscJaeibe in heissem Leitungswasser 10 Minuten gewaschen
e) Glasscheibe in Wasserstoffsuperoxyd !0 Minuten gekocht
f) Glasscheibe in destilliertem "asser gewaschen und I5 Minuten in kochendem deionisierten Wasser gereinigt.
g) Glasscheibe in Stickstoff 15 Minuten getrocknet.
' Dann wurde eine Tantalschicht von 2700 iÜ3 Dicke in der ■blichen Zerst-^ubungs-üechnik niedergeschlagen, ",unaeh v.· rde die iDantal-Oberfl'lche mit einem 1500 OtB starken u-:ter ^. Aluminium mittels der üblichen Aufdampftechnik .arc. 3int mechanische Maske hindurch bedeckt. Anschiiessen α ßuraen Ghromnickel-Goldanschlüsse auf die Aluminiumschieic in aer üblichen Weise nach bekannten Verfahren durch eine mech^ni ehe Maske Mndurch aufgedampft.
ο Danach wurde die gesamte Oberfläche des Werkstücks rai.t iioaukaj Metallätzabdeckung, mit einer Viskosität von 50 == 5 ;':entiooite ^ bei 280G überzogen,und zwar durch Aufgiessen auf d:^ Oberfl ehe *"*, · ' des Werkstücks, das auf einem Drehtisch mit 500 Umar hun; en/ m Minute rotierte. Die Rotation wurde zwei Minuten in <*'ir.tev ^ Bernstein-Staubhaube fortgesetzt, wonach das Werkstick 20
Minuten bei Raumtemperatur unter Ausschluss von Lieh4; , etr '· ■ net und dann in einem dunklen Ofen 20 Llinuten bei 1OC
unter Luftzutritt erhitzt wurde. Β/φ ORIGINAL
Alsdann wurde die Abdeckung durch, ein Negativ mit dem gewünschten Muster unter einem Lichtbogen eine Minute lang exponiert und nach üblicher Technik entwickelt. Der Rückstand der Abdeckung wurde mit Hilfe eines kräftigen, warmen Y/asserstrahls auf das entwickelte Abdeckmuster entfernt. Anschliessend wurde das Abdeckmuster 20 Iiinuten auf 10O0C erhitzt.
Der nächste Schritt bestand in der .ätzung mit einer Jod-Jodkalilösung, die durch Zugabe von 165 g kristallisiertem Jod zu einer Lösung von 113 g Kaliumiodid in 100 ml Wasser hergestellt wurde. Durch Ätzung mit diesem .'tzmittel wurde unerwünschtes Öhromnickel, Gold und Aluminium entfernt. Der nächste Schritt des erf indungsgem;-issen Verfahrens besteht im Wegätzen überflüssigen Tantals mit einem Reagenz aus 2 Teilen Wasser auf 1 Teil 49$ige Fluorwasserstoffsäure und 1 Teil konz. Salpetersäure. Die Abdeckung wurde durch Auflösung in Xylol entfernt.
Schliesslich wurde das Y/erkstück in einer Lösung von 30$ .-mmoniumpentaborat in iithylenglykol bei einer Spannung von 25 ToIt anodisch behandelt, wobei die Goldflächen vor dem Eingriff des Elektrolyten mit Fett geschützt wurden. Die Anodisierung wurde bei einem Strom von 0,1 mA/cm beendet, womit ein wohldefiniertes Widerstands-Muster aus anodisch behandeltem Tantal erhalten wurde.
Das entstandene Werkstück wurde dann 5 Stunden bei 2500O gealtert und der Widerstandswert zu 9>4O 0hm bestimmt. Das beschriebene Verfahren wurde neunmal wiederholt und die erhaltenen Geräte hatten Widerstände von 9,25; 9,10; 9»00; B,50; 8,90; 8,70; 8,70; 8,10; und 8,60 0hm. Solche Widerstände können nun durch weiteres Anodisieren auf exakte, vorgeschriebene Werte gebracht werden.
BAD ORIGINAL 909829/0636

Claims (10)

8 H90983 Patentansprüche
1) Dünner Schichtwiderstand aus einer Schicht eines anodisch behandelbaren filmbildenden Metalls auf einer Unterlage und mit Anschluss-Stellen, dadurch gekennzeichnet, dass ein Paar getrennter Bereiche eines zweiten, anodisch behandelbaren Metalls über dem ersten Metall am ort der Anschluss-Stellen niedergeschlagen wird und dass die getrennten Bereiche so ausgebildet sind, dass der Raum zwischen ihnen der Länge des gewünschten \7iderstandweges entspricht, sowie dass eine b.nodisch behandelte Schicht sich über freigelegten wenigstens des'ersten Metalle erstreckt.
2 j Dünner Schichtwiderstand nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Metall zwischen den elektrischen Anschlüssen und dem ersten Metall liegt und dass freiliegende Teile beider Schichten anouitch behandelt werden.
3) Dünner Schichtwiderstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dawss das zweite Metall auf der Unterlage niedergeschlagen wird und Kontakt zum ersten Metall auf den Seiten hat, die den die Anschlüsse tragenden Seiten gegenüberliegen.
4) Dünner Schichtwiderstand nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste filiabildende Metall Tantal ist.
5) Dünner Schichtwiderstand nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite, anodisch behandelbare, fiübildende Metall hohe Leitfähigkeit besitzt.
6) Dünner Schichtwiderstand nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, dass das zweite k'etall Aluminium' ist. ·
o
7) Verfahren zur Herstellung eines Iletall-schdichtwiderstands
£J ' bestehend aus-^&ir--Arbeitsgängen des Fiederschlagens eines & ersten, anodisch behandelbaren Metalls auf einer Unterlage, der Herstellung zvieier Anschlußstellen und deren üaskierung,
BAD
sowie 4er D&ckenverminderung des ersten anodisch, behandelbaren Metalls zwecks Srhalb des gewünschten Uidersbandswerteo, ciadurc.1 gekennzeichnet, dass eine <:chieht eine« zweiten, anodisch behandelbaren Metalls am Orte jeder der Anschlussstellen erzeugt wird und dass das zweite anodisch behandelbare Metall das erste, anodisch behände"!bare Iletall auf der Unteres seite oder auf der Oberseibe beruht.
8) Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, da&s das erste filmbildende Metall Tantal ist.
9) Verfahren nach Anspruch. 7 oder S, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite, anodisch behandelbare filmbildende Metall ein Metall hoher Leitfähigkeit ist.
10) Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite filmbildende Metall Aluminium ist.
L e
e r s e
DE19641490983 1963-12-12 1964-12-09 Herstellung duenner Schichtwiderstaende Pending DE1490983A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US330171A US3311546A (en) 1963-12-12 1963-12-12 Fabrication of thin film resistors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1490983A1 true DE1490983A1 (de) 1969-07-17

Family

ID=23288605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19641490983 Pending DE1490983A1 (de) 1963-12-12 1964-12-09 Herstellung duenner Schichtwiderstaende

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3311546A (de)
BE (1) BE656922A (de)
DE (1) DE1490983A1 (de)
FR (1) FR1422394A (de)
GB (1) GB1088648A (de)
NL (1) NL6414106A (de)
SE (1) SE303154B (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3457148A (en) * 1964-10-19 1969-07-22 Bell Telephone Labor Inc Process for preparation of stabilized metal film resistors
US3421985A (en) * 1965-10-19 1969-01-14 Sylvania Electric Prod Method of producing semiconductor devices having connecting leads attached thereto
US3506887A (en) * 1966-02-23 1970-04-14 Motorola Inc Semiconductor device and method of making same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3159556A (en) * 1960-12-08 1964-12-01 Bell Telephone Labor Inc Stabilized tantalum film resistors
US3148129A (en) * 1959-10-12 1964-09-08 Bell Telephone Labor Inc Metal film resistors

Also Published As

Publication number Publication date
SE303154B (de) 1968-08-19
BE656922A (de) 1965-04-01
GB1088648A (en) 1967-10-25
FR1422394A (fr) 1965-12-24
US3311546A (en) 1967-03-28
NL6414106A (de) 1965-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2217538C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Zwischenverbindungen in einer Halbleiteranordnung
DE19581952B4 (de) Verfahren zum Entfernen von Metallschichten von einer Pb/Sn-Lötbumps aufweisenden Substratoberfläche
DE3340563C2 (de) Schichtkondensator und Verfahren zur Herstellung desselben
DE2509912C3 (de) Elektronische Dünnfilmschaltung
EP0016251B1 (de) Elektronische Dünnschichtschaltung und deren Herstellungsverfahren
DE2047799C3 (de) Mehrlagige Leiterschichten auf einem Halbleitersubstrat und Verfahren zum Herstellen derartiger mehrlagiger Leiterschichten
DE2315710B2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
EP0013728B1 (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Verbindungen zwischen Leiterschichten in Halbleiterstrukturen
DE2612747C3 (de) Dünnfilmschaltung
DE1490983A1 (de) Herstellung duenner Schichtwiderstaende
DE3717157A1 (de) Zusammengesetztes elektronisches bauelement mit einem widerstand und verfahren zu seiner herstellung
DE1639262A1 (de) Halbleiterbauelement mit einer Grossflaechen-Elektrode
DE2539193A1 (de) Verfahren zur herstellung eines planaren leiterbahnsystems fuer integrierte halbleiterschaltungen
DE1002472B (de) Verfahren zum Anloeten von Elektroden an einen Halbleiter
DE1764013A1 (de) Halbleiterbauelement
DE2513859C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Kondensator-Widerstands-Netzwerks
DE1123406B (de) Verfahren zur Herstellung von legierten Halbleiteranordnungen
DE7525064U (de) Elektrischer kondensator mit an den belaegen befestigten anschlussgliedern
DE2513509A1 (de) Duennschicht-chipkondensator
AT225236B (de) Verfahren zur Herstellung von abgeschlossenen Schaltungseinheiten sehr geringer Abmessungen
DE1947026B2 (de) Verfahren zum Herstellen von Metallkontakten an Halbleiterbauelementen
DE1514106C (de) Verfahren zur Herstellung von Halblei teranordnungen
DE2009863C3 (de) Nichtsperrender Kontakt aus mehreren Schichten für Silizium-Halbleiterbauelemente
DE1614773C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer SotarzeWe
DE1614786C3 (de) Halbleiteranordnung mit mehrschichtigen Leiterbahnen und Verfahren zum Herstellen dieser Halbleiteranordnung