DE1048985B

DE1048985B - Spannungsabhaengiger Widerstand

Info

Publication number: DE1048985B
Application number: DES29054A
Authority: DE
Inventors: Dr Rudolf Schoefer; Dr Gustav Wagner
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1952-06-25
Filing date: 1952-06-25
Publication date: 1959-01-22

Description

Spannungsabhängiger Widerstand Die Erfindung betrifft spannungsabhängige Widerstände mit günstig gelegenem Regelbereich, die aus einem gesinterten Stoffgemisch, das im wesentlichen Perowskitstruktur aufweist, gebi det sind. Normalerweise sind Sinterkörper mit Perowskitstruktur Isolatoren, die insbesondere in neuerer Zeit für Kondensatoren infolge ihrer hohen Dielektrizitätskonstante Verwendung gefunden haben. Auch hat man Sinterkörper mit Perowskitstruktur mit negativem Temperaturkoeffizienten des Widerstandes, d. h. als Heißleiter, benutzt. Bei diesen Heißleiterwiderständen beruht die Halbleitung darauf, daß das entsprechende Metall, welches in Oxydform anwesend ist, gleichzeitig in zwei verschiedenen Wertigkeiten auftritt, beispielsweise gleichzeitig als drei- und vierwertiges Mangan oder beispielsweise gleichzeitig als zwei- und dreiwerti@gies Eisen.
Darüber hinaus ist es bekannt, einen spannungsabhängigen Widerstand aus einem leitenden, eine Perowskitstruktur aufweisenden Erdalkalititanat aufzubauen, dessen Leitfähigkeit ausschließlich durch Sauerstoffunterschuß bewirkt wird, bei dem also der Sauerstoffgehalt geringer ist als derjenige, welcher der stöchiom,etrischen Zusammensetzung entspricht.
Da nun die Einshaltung der für die Erzielung des Sauerstoffunterschusses erforderlichen Sintertemperatur, die nur unwesentlich über der normalen Sintertemperatur liegt, beispielsweise nur 20 bis 100° C darüber, mit gewissen Schwierigkeiten verknüpft ist, wodurch Ungenauigkeiten bei einer laufenden Fertigung derartiger Widerstände eintreten können, macht man sich die Erkenntnis und Erfahrung bei der Herstellung von ähnlichen Sinterkörpern für dielektrische Zwecke zunutze, indem man erfindungsgemäß durch Substitution von Ionen im Ausgangsstoffgemisch durch niedriger- oder höherwertige Ionen Überschuß-oder Defektleitung erzielt. Bei dem Beispiel eines Bariumtitanates kann man beispielsweise einige Molprozent durch Fe203 substituieren, um zu dem gewünschten spannungsabhängigen Widerstandskörper zu gelangen. Es sind aber noch andere Möglichkeiten gegeben, Widerstände gemäß der Erfindung herzustellen, da eine große Anzahl von Substituenten mit abweichender Wertigkeit benutzt werden können.
Um einen Widerstand gemäß der Erfindung herzustellen, wird das den Widerstandskörper bildende Stoffgemisch in der bei der Herstellung von ähnlichen Sinterkörpern für dielektrisehe Zwecke an sich bekannten Weise einem Sinterprozeß unterworfen. Die Zusammensetzung des den Widerstandskörper bildenden Stoffgemisches wird im wesentlichen durch die Forderung bestimmt, daß die Widerstände gemäß der Erfindung eine Perowskiitstruktur aufweisen sollen. Demgemäß darf z. B. bei Anwendung eines aus Bariumtitanat und Eisen(III)-oxyd bestehenden Gemisches der Anteil des Eisenoxyds nicht so groß werden., daß sich statt der angestrebten Perowskitstruktur ein anderer Kristalltypus herausbildet. So würde z. B. ein zu reichlicher Anteil an Eisenoxyd hauptsächlich die Bildung von Eisentitanat und damit die Entstehung eines Kristalls vom Spinelltypus bewirken.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: 1. Spannungsabhängiger Widerstand aus einem gesinterten Stoffgemisch mit Perowskitstr, uktur, dadurch gekennzeichnet, daß durch Substitution von Ionen im Ausgangsstoffgemisch durch niedriger-oder höherwertige Ionen eine Überschuß- oder Defektleitung erzielt ist.
2. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zu sinternde Stoffgemisch Bariumtitanat ist, bei dem einige Molprozent durch Fee 03 substituiert sind. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 696 462, 660 971, 808851.